TP – Transistor1

Transistor Bipolaire
Introduction
Un transistor bipolaire est un dispositif comprenant trois couches semi-conductrices
séparées par deux jonctions.
Les 3 couches sont appelées : émetteur (emitter), base (base), collecteur (collector).
On distingue deux types de transistors : le transistor NPN (émetteur N, base P, collecteur
N) et le transistor PNP (émetteur P, base N, collecteur P).

Objectifs du TP
Comprendre le principe de fonctionnement d’un transistor bipolaire à travers ses
caractéristiques
Observer le comportement d’un transistor en régime de commutation.

Composants
- 1 transistor NPN 2N2222 ou equivalent
- 1 LED
- 1 résistance 1 kΩ
- 1 résistance 10 kΩ
Partie 1. Caractéristiques du transistor
1. Mettre en marche le poste de travail NI ELVIS II, ouvrir NI ELVIS Instrument
Launcher et utiliser :
- 3-Wire Current-Voltage Analyzer
2. Placer le transistor entre les bornes base, DUT+ et DUT- de la maquette NI ELVIS II
comme suit :

1. Régler l’analyseur avec les paramètres suivants :

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2. Caractéristiques du transistor : Observer et analyser les courbes obtenues. On vous
demande ici de cercler les trois régions de fonctionnement du transistor, pour cela :
Rappels : La figure suivante montre l’évolution du courant I C dans le collecteur du
transistor en fonction de la tension V CE entre collecteur et émetteur pour 5 courants de
base IB différents.

On distingue 3 régions :

La région de saturation du transistor, les 2 jonctions sont polarisées en direct.

VCE est très faible et vaut VCEsat , le courant IC est maximal. Le transistor est saturé,
il se comporte comme un interrupteur fermé.

La région de blocage du transistor, les 2 jonctions sont polarisées en inverse.

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IC est très faible voire nul. Le transistor est bloqué, il se comporte comme un interrupteur
ouvert.

La région active où le transistor est dit en fonctionnement normal, la jonction émetteur-

base est polarisée en direct, la jonction collecteur-base est polarisée en inverse. La relation
entre le courant IC et le courant IB est linéaire : IC =  IB.

Dans la pratique, si nous avons besoin d’un transistor qui fonctionne comme un
interrupteur (en commutation), nous travaillerons dans les régions de blocage et de
saturation. Si, par contre, nous devons utiliser le transistor comme amplificateur, nous
devons travailler dans la région active.

Partie 2. Caractéristique de la LED

1. Ouvrir NI ELVIS Instrument Launcher et utiliser :
- Two-Wire Current-Voltage Analyzer
2. Placer la LED polarisée en direct entre les bornes DUT+ et DUT- de la maquette NI
ELVIS II (anode sur DUT+, cathode sur DUT-).
3. Régler l’analyseur courant-tension : balayage de 0 à 2 V par pas d’incrémentation de
0.05 V.
4. Lancer la mesure et relever la courbe obtenue.
5. Relever la tension de seuil et la résistance interne de la LED, représenter son schéma
équivalent.
Partie 3. Fonctionnement en régime de commutation
Dans le circuit suivant le transistor fonctionne en interrupteur

RC
RC = 1 k,

LED Vcc = 12 V

IC VCC
RB IB
V CE

Vin IE

Condition de saturation :
Pour être certain d’être en régime saturé, il faut que l’intensité du courant de base IB soit

supérieure à : On appelle cette relation : la condition de saturation.

Où min est la valeur minimum de  donnée par le fabricant du transistor et ICsat est la valeur du
courant IC lorsque VCE = VCEsat  0,2 V.

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 1. En considérant la tension de seuil de la LED déterminée dans la partie 2 et une
tension VCEsat = 0,2 V, Calculer le courant ICsat.
2. Relever min dans le datasheet du transistor puis déterminer la valeur minimale IBmin
de IB pour assurer la saturation du transistor.
3. Pour une tension d’entrée Vin = 5V calculer la valeur maximale de RB qui assure la
saturation du transistor (prendre VBE = 0,7V).
4. Reporter vos résultats dans le tableau suivant :

Tension de seuil de la
ICsat (mA) min IBmin (A) RBmax (k)
LED

5. Réaliser le montage sur la maquette ELVIS II avec :

RC = 1 k, RB = 10 k, Vcc = 12 V.
6. Ouvrir NI ELVIS Instrument Launcher et utiliser :
- DMM
- FGEN
- SCOPE

Les résultats des questions 7. Et 8. Seront reportés dans le tableau de la question 9.

7. Pour Vin = 5V, indiquer l’état de la LED (allumée ou éteinte) puis mesurer :
a. les tensions VBE, VCE et VLED.
b. Les courants IC au DMM de Instrument Launcher et IB (au multimètre de
laboratoire).
c. Quel est l’état du transistor (actif, bloqué ou saturé) ? pourquoi ?
8. Pour Vin = 0 V, indiquer l’état de la LED (allumée ou éteinte) puis mesurer :
a. les tensions VBE, VCE et VLED.
b. Les courants IC au DMM de Instrument Launcher et IB (au multimètre de
laboratoire).
c. Quel est l’état du transistor (actif, bloqué ou saturé) ? pourquoi ?
9. Remplir le tableau suivant :

Etat de la Etat du
VBE (V) VCE (V) VLED (V) IC (mA) IB (A)
LED transistor

Vin = 5V

Vin = 0

10. Régler le FGEN à une tension triangulaire (0 – 5V) de fréquence 100 Hz.
a. Utiliser le scope pour observer et relever les tensions Vin (entre AI0+ et
AI0-) et VCE (entre AI1+ et AI1-).
b. Repérer sur les oscillogrammes les intervalles de conduction et de blocage.
11. Régler le FGEN à une tension carrée (0 – 5V) de fréquence 100 Hz.

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 a. Utiliser le scope pour observer et relever les tensions Vin et VCE. Vérifier le
clignotement de la LED.
b. Faire varier la fréquence, conclure.
12. Supprimer la LED (la remplacer par un shunt). Régler le FGEN à une tension carrée (0
– 5V).
a. Utiliser le scope pour observer et relever les tensions Vin et VCE. Comparer
aux tensions observées à la question 11.

**Questions facultatives

b. **Choisir une fréquence pour observer les temps de commutation, relever

les courbes de Vin et VCE, déduire VRc (tension aux bornes de RC). Repérer
les temps de commutation.
c. **Conclure en vous référant au datasheet du transistor.

Rappel :

Définition des temps de commutation d’un transistor bipolaire

td (delay) : Retard à la croissance (à la conduction)

Intervalle de temps entre le début d'une impulsion appliquée à l'entrée et le début de
l'augmentation de courant apparaissant à la sortie, la mesure étant faite quand le courant
atteint 10 % de sa valeur maximale.

tr (rise) : Temps de croissance

Intervalle de temps pendant lequel l'amplitude du courant augmente de 10 % à 90 % de sa
valeur maximale.
ton : Retard à la saturation.
ton = td + tr

ts (stockage) : Retard à la décroissance (temps de stockage)

Intervalle de temps entre le début de la décroissance de l'impulsion appliquée à l'entrée et
le début de la décroissance du courant recueilli à la sortie, le début de la décroissance
étant défini à 90 % de la valeur maximale.

tf (fall) : Temps de décroissance

Intervalle de temps pendant lequel l'amplitude de l'impulsion diminue de 90 % à 10 % de
sa valeur maximale.
toff : Retard au blocage.
toff = ts + tf

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