USTHB-FGE-ELN2

SERIE N°1
TRANSISTOR EN REGIME STATIQUE
POLARISATION D’UN TRANSISTOR

EXERCICE N°1
Soit le montage suivant :

RC
R1 E

E1

T est un transistor NPN au silicium (Vbe = 0.6 V)

1. Indiquer le sens des courants et des tensions
2. Le transistor est tel que  = 100; Calculer les valeurs attribuées à R1 et Rc pour
obtenir le point de repos suivant :
IC = 20mA; VCE = 5V; E = E1 = 20V.
3. Le transistor est tel que 30 <  < 150, déterminer à partir de quelle valeur sat le
transistor est saturé; sachant que R1 et RC ont les valeurs précédentes.
4. Déterminer alors la plage de variation du point de repos du transistor dans le réseau
des caractéristiques de sortie.
5. On fixe E1 = 10V, RC = 1K, 30< <300, quelle valeur minimale doit-on attribuer à
R1 pour que le transistor soit toujours en fonctionnement normal.
6. Localiser le point de repos du montage lorsque  est minimal, préciser alors quelles
sont les valeurs des courants IC, IB, IE pour la valeur de R1.

EXERCICE N°2
On considère le montage de la figure ci-dessous pour lequel on admettra que I C  I E et
 = 110. On prendra IP = 10 IB0, R2 =13k.
1. Tracer la droite de charge statique.
2. Sachant que le point de repos Q est au milieu de la droite de charge statique, quelles
en sont les coordonnées VCE0, IB0, IC0, VBE0 étant égal à 0.6V.
3. Calculer la valeur de la résistance R1.
4. On remplace R1 par une résistance R entre base et collecteur. Quelle valeur faut-il
donner à R pour conserver le même point de repos Q si on néglige le courant I P + IB0
devant IC0 ? De combien faudra-t-il augmenter E si l’on veut tenir compte de I P + IB0?

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5. On supprime la résistance R2 du montage. Quelles devra être la valeur de la résistance

R1 pour que le transistor fonctionne au même point de repos calculé à la question 2.

E = +12V

R1 RC= 600

R2
RE = 490
IP

EXERCICE N°3
Pour chacun des montages représentés ci-dessus, nous allons observer l'influence du gain
en courant sur le point de repos. Nous allons donc utiliser deux transistors T 1 et T2 différents
que nous allons polariser suivant le montage 1 puis suivant le montage 2.

E = 10V E = 10V

RC RC’= 0.5 k
RB RB’= 138 k

RE = 0.5 k

Montage 1 Montage 2

Transistor T1 :  = 100; VBE = 0.6V

Transistor T2 :  = 150; VBE = 0.6V

Montage 1
a. Calculer les résistances RB et RC afin d'avoir le point de fonctionnement suivant
VCE0 = 5V, Ico = 5mA, si on utilise le transistor T1.
b. Les résistances RB et RC étant connues, on remplace le transistor T 1 par le
transistor T2, déterminer le nouveau point de repos.

Montage 2
c. Calculer le point de repos si on utilise le transistor T 1.

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d. On remplace T1 par T2, déterminer le nouveau point de repos; en déduire la variation

IC du courant de collecteur. Expliquer le rôle de la résistance d'émetteur RE dans la
stabilisation du point de repos vis-à-vis des variations du gain en courant .

EXERCICE N°4
Un transistor bipolaire est utilisé dans un montage avec polarisation par pont. On veut
déterminer les différents éléments du montage de manière à avoir un courant de base de
repos IB0 = 2mA et VCC = 8V.
Les coordonnées du point de repos sont : V CE0 = 4.8V; IC0= 200mA; VBE0 = 0.6V.

R1 RC

+
IB
VCC

R2
Ip

1. Calculer RC et donner l'équation de la droite de charge statique.

2. Calculer sans négliger IB0 les résistances R1 et R2 pour que le courant I soit de
13mA.

EXERCICE N°5
Données permanentes VCC = 9V, R2 = 1.8 k. De plus, la caractéristique d'entrée du
transistor du montage de la figure ci-dessous passe par les points :
A(0mA; 0.6V) et B(1mA; 0.8V)

R1 RC

VCC

R2

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1. Déterminer l'équation de cette caractéristique.

2. Etablir l'équation IB = f(VBE) de la droite d'attaque où seule R1 (variable) figurera
sous forme littérale.
3. Déterminer graphiquement ou par calcul les valeurs VBE1 et IB1 obtenues quand
R1=0.2K.
4. Calculer la valeur R1' de R1 qui permet d'obtenir un courant IB2 = 0 5mA.
5. Calculer la valeur R1'' de R1 pour que VBE3 = 0.8V.

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SERIE N°2
AMPLIFICATEURS A TRANSISTORS
(Transistor en régime dynamique)

EXERCICE N°1
Soit le montage suivant :

VCC

R2 RC
C2
C1

Rg RL
V1 R1 V2
eg

On donne les paramètres du transistor :

h11 = 500 ;  = 100; h 221 = 10 4 ; RC = RL = 1k.
Les condensateurs C1 et C2 présentent une impédance nulle aux fréquences de travail.
1. Donner le schéma équivalent du montage en dynamique. On considérera que
RB= R1// R2 est très grande et h12 = 0.
i V V P
2. Calculer les gains suivants : A i  2 ; A V  2 ; A 'V  2 ; A P  2
i1 V1 eg P1

3. Tracer Ai, AV , et AP en fonction de RL .

4. Calculer les deux résistances d'entrée du montage, définies respectivement par
V eg
R e  1 et R 'e  ainsi que la résistance de sortie RS.
i1 i1
5. En tenant compte de RB, calculer Ai , AV , AP , R e , R 'e et RS .

EXERCICE N°2
Pour le montage ci-dessous On considère les données suivantes :h11 = 1.65 k;  = 110;
VCE0 = 4.5 V; IC0= 3 mA; IB0 = 2mA. VBE0 pourrait être négligé par la suite.
On prend : RE = 1 k et VCC = 9V.
1. Déterminer Re. On admettra pour la suite du problème que RC = RL.
2. Calculer R1 et R2 si Ip = 10 IB .
3. Donner le schéma équivalent du montage.
4. Donner les expressions de Ai, Av, Re , et RS .

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VCC

R2 RC
C2

C1
RL
V2
C3 R1 RE
V1

EXERCICE N°3
Le transistor utilisé dans le montage suivant est défini par les paramètres suivants :h 11 =
1.2 k,  = 100. Pour le point de repos choisi, on relève les valeurs suivantes :
VCC = 9V, Rg = 13 k, VCE0 = 3V, IC0 = 4 mA, VBE0 = 0.7V.
L'influence des condensateurs est supposée négligeable à la fréquence de travail.

VCC

R2

C1
C2
Rg
V1 R1 RE RL
eg V2

1. Calculer RE et tracer les droites de charge statique et dynamique sur le même

graphique IC = f(VCE), lorsque RL = 750 . On négligera le courant de base IB0
devant IC0.
2. Si R1 = 100 k, déterminer R2 en admettant que IC = 100 IB.
V
3. Calculer la résistance d'entrée du montage définie par R e  1 et la résistance
ib
V
d'entrée vue du générateur, définie par R e1  1 . Comparer Re1 avec Rg.
i1

4. Calculer la résistance de sortie R S du montage vue entre des bornes de la charge

RL.
5. Déterminer l'amplification en tension Av .

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EXERCICE N°4
Soit le montage suivant défini par les données: R1 = 82 k, R2 = 18 k, RC = 3.9 k,
RE = 1 k, Rg =0, VCC =12 V, h11 =1 k,  = 50, h 221 = 50 k.
Les capacités C1 et C2 sont supposées très grandes.

VCC

RC
R1
C2
C1

Rg
V1 R2 V2
RE
eg

1. Donner le schéma équivalent du montage en dynamique.

V
2. Calculer l'amplification en tension Av = 2 en considérant que h22  0
V1
V
3. Calculer l'amplification en tension A 'v  2 en considérant h 221 = 50 k.
V1
4. Quelle condition doit-on appliquer à h 221 pour retrouver l'expression calculée à
la question 2.
5. Calculer la résistance d'entrée Re en considérant h 221 infinie.
6. Calculer la résistance de sortie RS en considérant h 221 = 50 k .

EXERCICE N°5
E
Soit le montage suivant (Fig 1):

On donne E = 20 V; RD = 1 k; RG = 10 k. RD

1-a - Tracer la droite de charge statique.
RG
1-b - Déterminer la valeur de EG pour que le
point de repos soit caractérisé par VDS = 8V
en utilisant les caractéristiques de la figure 2. eG
2- Soit EG = sin t, donner iD = f(t). EG

EG

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EXERCICE N°6
Soit le montage suivant:
RS = 1.3 k, R S' = 150 , RF = 500 k, RL = 4.7 k, VP = -8 V.
E = 20V

C1

RF RS' C2 C3
Ve

RS RL Vs

1. Tracer la droite de charge statique.

2. Tracer la droite de polarisation, en déduire le point de repos.
3. Tracer la droite de charge dynamique.
4. Quelle est la tension maximale que l'on peut injecter à l'entrée sans risque de
distorsions.
5. Calculer le gain en tension défini par le rapport Vs /Ve.
6. Calculer les résistances d'entrée et de sortie du montage.

EXERCICE N°7
Soit le montage suivant:

E = -12V

R1 RC R3
C2
C1 T’ C3
T

Vs R4 R’E
Ve R2 RE RL V’s
CE

On donne pour le transistor :

T : |Ic| = 10 mA;  = 100; h11 = 2 k; R2 = 6.8 k; Rc = 2.7 k; RE = 1 k , VBE = 0.1V
'
T’ : |I'c’| = 2 mA; ‘ = 50; h'11 = 0.8 k, R4 = 6.8 k; R'E = 2.7 k; VBE = 0.2V.
h 12 = h22 = 0; h ' 12 = h ' 22 = 0.

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1. Donner la nature de T et T' et le schéma équivalent du montage en dynamique.

2. Calculer les résistances d'entrée :
a. r de T, R de l'amplificateur.
b. r' de T', R' du deuxième étage.
3. Calculer la charge R en dynamique du transistor T.
4. Calculer les gains en tension Vs’/Vs, Vs/Ve et le gain total de l'amplificateur.
5. Calculer la résistance de sortie du montage.

EXERCICE N°8
Soit le montage suivant:

E
R5
R2 R4
T3
C1 C2
i1 i2
T1
R3
Rg T2
R1 RL
V1 V2
eg

On donne pour les transistors :

- T1 :1= 100; h11 = 1 k; h 12 = h 22 = 0.
' '
- T2 : 2= 25; h11  90 ; h12  h '22 = 0.
- T3  T2
E = 24V; R1 // R2 = 30 k; R3 = 200 ; R4 = 1 k, R 5 = 28 k.

Etude statique
1. Déterminer les points de repos respectifs de T 1 , T2 et T3 sachant que:
VBE1 = 0.6V; VBE2 = VBE3 = 0.8V et VCE2 = VCE3.

Etude dynamique
2. Donner le schéma équivalent en dynamique du montage.
V
3. Calculer la résistance d'entrée R e  1
i1
V
4. Calculer la résistance de sortie R S  2
i2

Année 2023-2024 Section B 9/15

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EXERCICE N°9
Soit le montage de la figure ci-dessous, on donne :

E = 30V; R1//R2 = 3 M, R7 = 5 k, R4 = 4 k; VR 7 = 20V; IDSS = 10 mA; VP = -6V.

E
R1 R3
R6
C1 R5
C2

R2 R4
Ve R7
VS

1. Trouver les valeurs de R1 et R2 de manière à avoir VR 7 = 20 V en régime continu.

2. Donner l’expression du gain en tension Gv = Vs/Ve.
3. Calculer la résistance d’entrée du montage (vue du générateur).

EXERCICE N°10
Soit le montage de la figure ci-dessous :
E = 24V; RD = 1.9 k, RS = 0.3 k, RG = 1M, RL = 1.05 k; RE = 2.8 k, RDS >> ; h11 =
1.2 k, VBE = 0.5V; IDSS = 10 mA; Vp = -6V.
1. Déterminer les points de repos de T1 et T2
2. Donner le schéma équivalent en basses fréquences du montage :
a. Avec CS connectée.
b. Avec CS non connectée.
3. Calculer le gain en tension pour les deux cas précédents.
4. Calculer les impédances d'entrée et de sortie du montage pour les deux cas précédents.

RD

C1 T2 C2
T1

RG RS RE RL VS
Ve CS

Année 2023-2024 Section B 10/15

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SERIE N° 3
AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE

EXERCICE N°1
On considère le montage suivant :
E=15v

RC2 C5
RC1 R3
Vsortie
R1 C2
C1 T2
RB
T1 RL
R4 RE2
R2 C4
e(t) RE1 C3

Les données sont les suivantes:

RB= 600, R1= R3 = 22k, RC1 = RC2 = 8.2k, R2= R4 =3.9k, RE1 = RE2 =2k, h11=3k
RL = 51kVBE1 = VBE2 = 0.7V. On supposera que  est très grand pour les deux
transistors.
Les capacités des condensateurs sont considérées très grandes.
1. Tracer les droites de charge DC et AC de chaque étage.
2. Quel est le courant et la puissance PDC délivrés par l’alimentation.
3. Est-ce que le point de repos Q du premier étage est situé au milieu de la droite de charge
dynamique ? justifier.
4. Est-ce que le point de repos Q du deuxième étage est situé au milieu de la droite de charge
dynamique ? justifier.
5. Quelle est la sortie crête à crête maximale de chaque étage ?

EXERCICE N°2
On donne le montage suivant :

Année 2023-2024 Section B 11/15

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E=10V

RC C2
R1
Vsortie
RB C1
T1
RL
Ve R
RE C3
2

Données: Vepp = 1mV; RB = 600, R1 = 10k, R2 = 2.2k, RC = 3.6k RE = 750

RL=10kVBE = 0.7V
En considérant les condensateurs comme des courts-circuits aux fréquences de travail :
1. Quelle est la valeur crête à crête maximale de la tension de sortie ?
2. Calculer le gain en puissance.
3. Calculer le rendement de cet amplificateur.

EXERCICE N°3

T1
UO
C

UO UC
Ue +VCC
T2 RL
VCC US
2

Soit un montage push-pull classe B représenté ci-dessus dans lequel la sortie est à liaison par
condensateur. Nous supposons que les transistors T 1 et T2 sont appariés. La d.d.p UO
représente la tension de seuil de la caractéristique d’entrée I B = f (VBE) des transistors T1 et T2.
Les valeurs numériques sont les suivantes :
RL = 5  ; VCC = 40 V ; UO = 0.6 V, VBE = 0.6 V. La capacité du condensateur est considérée
infinie.
1. Calculer au repos les d.d.p VEM, VC1E1, VC2E2, UC et US.
2. Si Ue = 10 sin t, tracer les chronogrammes VC1E1, VC2E2 et US.
3. Calculer la puissance moyenne maximale théorique que le montage peut fournir à R L
avec Ue sinusoïdale.

Année 2023-2024 Section B 12/15

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EXERCICE N°4
Soit le montage de la figure ci-dessous avec les données suivantes:
R1 = R2 = 3.9 k; RL= 10.
La capacité des condensateurs est considérée infinie.

E=20V
R1

T1
D1
C2
C1

D2
RL
Ve T2 US
R2

En supposant que la tension de seuil des diodes D1 et D2 vaut 0.7V:

1. Quel est le courant collecteur au repos ICQ?
2. Calculer la puissance DC fournie par l’alimentation.
3. Calculer la puissance AC maximale de sortie.
4. En déduire le rendement maximal de l’amplificateur?

Année 2023-2024 Section B 13/15

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SERIE N° 4
AMPLIFICATEUR DIFFERENTIEL
EXERCICE N°1
On considère l’amplificateur différentiel suivant :
On donne : VDD = 30V; RD = 2.7 k, R1 = 3.7 k, R2 = 27 k, RE = 270 , RG >>, E = 11V,
Vp = -6V, IDSS = 9 mA,  = 110, h22 -1 = 10 k, VBE = 0.6V.

VDD
RD RD
Vs1 Vs2
Ve1 Ve2

RG RG

I2

R1 R2
RE
E

- Calculer le TRMC de l’amplificateur différentiel en prenant la sortie S2 . On prendra IB<<I2

.

EXERCICE N°2
+12V

RD=1.5k RC=1.5k

VCD

Q2 Q3

e RG =1k
k R= 0.75 k

Q1

-6V

Année 2023-2024 Section B 14/15

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Le montage ci-dessus comporte :

- Deux FET identiques Q1 et Q2 pour lesquels on précise : IDSS = 7.2 mA, Vp = -9V,
RDS=0.
- Un transistor bipolaire dont on considérera h12 = h22 = 0.

1. Déterminer les points de repos respectifs (ID, VDS) pour Q1 et Q2 et ( Ic, VCE) pour Q3.
Quel est le rôle de Q1?
2. En déduire les transconductances gm de Q2 et s = /h11 de Q3.
3. Représenter le schéma équivalent en régime dynamique.
4. Calculer la résistance d’entrée du montage.
5. Calculer les gains en tension G’ = VC/e et G’’ = VD /e. En déduire le gain en tension
G= VCD /e.
6. Calculer la résistance de sortie vue entre les bornes C et D.

Année 2023-2024 Section B 15/15