TP Mesures 1ère F3 RELEVE DE CARACTERISTIQUES 2017/2018

Chapitre4 D’UN TRANSISTOR BIPOLAIRE Page 1 sur 7

1. BUT DE LA MANIPULATION

Le but du TP est de Tracer les courbes caractéristiques d’un transistor bipolaire NPN
monté en émetteur commun en régime de fonctionnement statique.

2. PRESENTATION ET MODES DE FONCTIONNEMENT

2.1. PRESENTATION

Le transistor bipolaire est un dispositif semi-conducteur obtenu en insérant un barreau

semi-conducteur entre deux du type opposé. On obtient ainsi 2 types de transistor, ce sont les
types NPN et PNP. Les noms des 3 bornes ainsi constituées sont : la base (B), l’émetteur (E)
et le collecteur (C).

2.2. SYMBOLISATION

Fig1 : Transistor bipolaire NPN

Fig2 : Transistor bipolaire PNP

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2.3. FONCTIONNEMENT

Deux jonctions constituent le transistor, jonction que l’on peut assimiler à 2 diodes
(entre B-C et B-E) dont le sens dépend du type de transistor. Ainsi, pour permettre le
passage d’un courant à travers le transistor, il faut d’abord s’assurer de la conduction ou du
blocage de ces jonctions.

On distingue 3 modes de fonctionnement du transistor : le mode linéaire et non linéaire

(ou saturé).

La courbe (iC) =f (i B) ci-dessous (Fig3) permet d’identifier ces 3 modes de

fonctionnement:

- bloqué : il n’y a pas de courant dans le transistor.

- linéaire : le courant iC est directement proportionnel au courant iB, on
exploite alors les propriétés d’amplification du transistor : iC = K iB.

- saturé : à partir d’un certain courant iB, appelé courant de

saturation iBsat, le courant iC atteint une valeur maximale, le
transistor est dit « saturé ».On exploite alors les propriétés de
commutation du transistor (portes logiques…)

Fig3 : courbe de fonctionnement d’un transistor bipolaire

REMARQUE
En fonctionnement normal direct (conduction), un transistor bipolaire
s'utilise de telle façon que :
- la jonction base-émetteur soit polarisée en direct (conductrice) ;

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- la jonction base-collecteur soit polarisée en inverse (bloquée).

2.4. CARACTRERISTIQUES STATIQUES

2.5.1 GRANDEURS ELECTRIQUES DU TRANSISTOR

Le transistor peut être utilisé dans les trois montages fondamentaux (émetteur
commun, collecteur commun, base commune) et par conséquent, les courbes caractéristiques
seront fonction du montage particulier examiné.

Le transistor possède quatre grandeurs électriques. Cela apparaît à la Fig4.

IB IC
TRANSISTOR
BIPOLAIRE
BASE COLLECTEUR
VBE VCE

EMETTEUR
Fig4 : grandeurs électriques du transistor

Ces quatre grandeurs électriques sont les deux tensions VBE et VCE, et les deux
courants IB et IC.
La tension VBE, appliquée entre l’électrode de commande (base) et l’électrode
commune (émetteur) et le courant IB parcourant l’électrode de commande définissent le
circuit d’entrée du transistor.
De la même façon, la tension VCE, appliquée entre l’électrode de sortie (collecteur) et
l’électrode commune (émetteur), et le courant IC circulant dans l’électrode de sortie
définissent le circuit de sortie du transistor.

2.5.2 POLARISATION DU TRANSISTOR

La polarisation d'un transistor consiste à fixer les tensions et les courants

continus aux niveaux des jonctions base-émetteur et collecteur-émetteur. Ces tensions et
courants seront notés en lettres capitales.

Exemple : IB0: courant de base VBE0 : tension base-émetteur

IC0: courant de collecteur VCE0 : tension collecteur-émetteur

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2.5.3 COURBES CARACTERISTIQUES

2.5.3.1 EXEMPLE DE SCHEMA

RC

C VCE

RB B VCCC
V E
BE

Fig3 : schéma d’un transistor bipolaire

2.5.3.2 CARACTERISTIQUE D’ENTREE

C’est la courbe IB =f(VBE ) lorsque VCE est maintenue constante.

Cette caractéristique est pratiquement celle d’une diode polarisée en direct, la tension VBE est
de l’ordre de 0,7V lorsqu’un transistor au silicium conduit.
VBE = E – RB.IB équation de la droite d’entrée. (Voir courbe Fig4)

2.5.3.3 CARACTERISTIQUE DE SORTIE

C’est la courbe IC = f(VCE) lorsque IB est constant.

Dans un transistor idéal, ces caractéristiques sont des droites horizontales puisque IC ne
dépend que de IB (Voir courbe Fig4) :
I C =β .I B
IC = (VCC – VCE) / RC équation de droite de sortie.

2.5.3.4 CARACTERISTIQUE DE TRANSFERT EN COURANT

C’est la courbe IC = f(IB) lorsque VCE est constant.

I C =β .I B
Cette courbe est une droite passant par l’origine qui traduit la proportionnalité entre IC et IB.
(Voir courbe Fig4)

2.5.3.5 LE POINT DE FONCTIONNEMENT (voir courbe Fig4)

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On définit le point de repos (ou de fonctionnement) du transistor par le quadruplet (IB0,

VBE0, IC0, VCE0). Le zéro en indice indique qu'il s'agit du courant fixé par la polarisation. (Voir
courbe Fig4)

Fig4 :
réseau de

caractéristiques

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3. MANIPULATION
3.1 SCHEMAS DE MONTAGE
Ces schémas de montage ci-dessous vont nous permettre de réaliser ce TP
E1 et E2 sont des générateurs de tensions continues

RC

C VCE

A
RB B
V E2
1
V E
BE

E1 V

Fig5 : schéma de montage1

RC

C VCE

A
RB B
V E2
1
V E
BE

E1

Fig6 : schéma de montage2

Réglez la tension E2 à 5 V et faites varier la tension E1 de 0 à 20 V. Relevez dans le

tableau les valeurs de IB, IC et de VBE.

IB(µA)
IC(mA)
VBE(V)

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a. Tracez la courbe IB = f(VBE) et en déduire à quel composant on peut comparer

la jonction BASE - EMETTEUR

2ème étape
b. Réglez la tension E1 = 0 V et réglez E2 jusqu'à ce que la tension VCE = 3 V.
c. Faites varier E1 de 0 à 7 et relevez dans le tableau I B et IC tout en maintenant
VCE à 3V

IB(µA)
IC(mA)

d. Tracez la courbe IC = (IB) et en déduire le coefficient d'amplification de courant

β pour la partie linéaire de la caractéristique.

3ème étape

e. En jouant sur l'alimentation E2, faites varier VCE en maintenant le courant

IB=1mA (on maintient le courant de base IB en jouant avec l'alimentation E1).
f. Relevez dans le tableau les grandeurs IC et (VCE) pour IB = 1 mA.

IC(mA)
VCE(V)

g. Même travail pour IB = 0,5 mA.

h. Tracer les courbes IC =f(VCE) pour les deux valeurs de IB.

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