REPUBLIQUE ALGERIENNE DEMOCRATIQUE ET POPULAIRE

Ministère de l’Enseignement Supérieur et de la Recherche Scientifique

UNIVERSITE L'ARBI BEN M'HIDI OUM El BOUAGHI
INSTITUT DES SCIENCES ET DES TECHNIQUES APPLIQUÉES
DÉPARTEMENT réseaux et télécommunications

1ère Année Licence Réseaux et télécommunications

Année Universitaire 2019/2020
Electronique 2
TP02: Transistors
Travail à faire
I) But du TP :
 Savoir utiliser le multimètre pour mesurer des grandeurs électriques de transistor
 Etude des caractéristiques statique d’un transistor bipolaire
 Obtenir expérimentalement la caractéristique d’un transistor bipolaire
II) Partie Théorique Rappel:
 Un transistor bipolaire est un semi-conducteur comportant deux jonctions PN. Suivant l'orientation
de ces jonctions, on obtient soit un transistor NPN ou PNP.
 Sur les schémas, on repère les différentes parties
 la lettre E pour l'émetteur.
 la lettre B pour la base.
 la lettre C pour le collecteur
 En fonctionnement normal direct (conduction),
Transistor NPN Transistor PNP
un transistor bipolaire s'utilise de telle façon que :
o la jonction base-émetteur soit polarisée en direct (conductrice) ;
o la jonction base-collecteur soit polarisée en inverse (bloquée).
 « L'effet transistor » permet une amplification de puissance importante, car à l'aide d'un faible
courant base, sous une tension base-émetteur faible (inférieure au volt), on obtient le passage d'un
fort courant émetteur à travers la jonction base-collecteur polarisée en inverse sous une tension
importante (quelques volts à quelques dizaines de volts).
 (a) Analogie des bornes base (B), collecteur (C) et émetteur
(E) d’un transistor à jonction bipolaire (BJT pour “Bipolar
Junction Transistor”) avec deux diodes “dos à dos”. (b)
Symbole graphique d’un transistor NPN.
 Transistor 2N2222

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 Pour ce T.P. on utilisera un transistor NPN 2N2222A (voir schéma ci-dessous) qui a pour caractéristiques

 Courant collecteur Ic : 800mA

 Puissance totale dissipée : 500mW
 Gain en courant B : 75 minimum (pour Ic = 10mA, Vce = 10V)
 Température de fonctionnement : -65°C à +150°C
 Transistors en amplificateurs et en commutation TO-92 METAL package. le complément (PNP) MPSA42,
2N3906 TO-18 metal package. Le Complément (PNP) °: 2N2907A

1
2
..

I. Caractéristiques statique
 Les courbes (V, I) et les droites de charge des transistors sont obtenues en appliquant du courant
continu (DC), mais en pratique, les transistors sont habituellement utilises en courant alternatif (AC).
 Le montage de la figure 4 permet de mesurer les caractéristiques du BJT (courbe (V, I) et VBE) et du
circuit lui-même (droite de charge).
 En l’absence de AC et alimente par un courant continu VCC, un circuit BJT aura une valeur spécifique
de IC, VCE pour un VBE (ou IB) donne ; il s’agit du point de fonctionnement (ou Q-point), qui se trouve
à l’intersection de la droite de charge du circuit avec la courbe (V, I) du transistor.
 Les relations générales du transistor bipolaire sont : IE = IC + IB,
 Lorsque le transistor est polarisé dans sa zone de conduction (VBE ≈0,6V, VBC ≈0,6V,), on définit ß,
le gain en courant statique tel que : (de l'ordre de 50 à 1000, suivant les transistors).

 Lorsque le transistor est bloqué (VBE<<0.7) IC=0 et IB=0

 Lorsque le transistor est saturé (VBE> 0,7V), VCE ≈0 et IC< ß IB.

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  On définit le point de repos (ou de fonctionnement) du transistor par le quadruplet (IB0, VBE0, IC0,
VCE0). Le zéro en indice indique qu'il s'agit du courant fixé par la polarisation.
Droite de charge statique

Droite d’attaque statique

N

LA DROITE DE CHARGE ET LA DEOITE D’ATTAQUE

La loi des mailles de sortie permet d'écrire :

 E2=VCE+Rc*Ic ; La droite de charge
Cette équation est caractéristique du circuit dans lequel est branché
le transistor. Le point P0 Elle fixe la polarisation du montage et par
son intersection avec une des caractéristiques du transistor I
IC=f(VCE), elle fixe également le point de fonctionnement du I
transistor.
La loi des mailles à l’entrée permet d'écrire :
 E1=VBE+Rb*Ib ; la droite d’attaque Le point N est définit par l’intersection de la caractéristique d'entrée du
transistor VBE =f(IB) et de la droite d'équation E1 = EB -Rb Ib appelée droite d'attaque statique.
Point de repos Q :
 Le point de repos doit être choisi dans la zone d’amplification du transistor.
La droite de charge définit le lieu de point de fonctionnement
VCE0=E2-RC*IC0
La droite d’attaque définit l’emplacement exact de Q :
IB0=(E1-VBE)/RB
Et on a IC=B*IB=B*IB0=IC0
Conclusion Comme le montre la figure, Il existe trois régimes de
fonctionnement pour le transistor bipolaire :

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 Le régime bloqué (VBE < VS=VD) : la diode base-émetteur (BE) est bloquée et aucun courant ne
circule dans le transistor :
 Le régime linéaire (VBE > VS=VD)
 Le régime saturé (VCE < VCEsat)
Caractéristiques Dynamiques
1. Etude en régime dynamique
 Pour l'étude du régime dynamique on utilisera le schéma équivalent petits signaux du transistor donné
Figure Suivant.
 Le schéma représente le transistor en régime dynamique, c'est à dire pour des "petites" variations de IC,
IB, VBE et VCE autour du point de fonctionnement. Les
grandeurs électriques comportent une composante
continue et une composante alternative. sont obtenues en
appliquant le théorème de superposition :
Schéma équivalent petits signaux du transistor bipolaire
( ) ( )
( ) ( )
( ) ( )
( ) ( )
On peut donc décomposer l'analyse du montage en :
 une étude en continu (statique) pour calculer le point de repos,
 une étude en dynamique pour calculer les gains.
2. Montages de base : Pour un transistor bipolaire, il existe trois montages fondamentaux schémas suivant :

Montages fondamentaux d'un transistor bipolaire.

Montage émetteur commun (EC) : C'est le montage le plus utilisé dont lequel l'entrée se fait sur la base et la
sortie sur le collecteur. Utilisé généralement dans les basses fréquences BF pour amplifier un signal. Il est
caractérisé par une impédance d'entrée de quelques kΩ, et qu'elle dépend largement aux résistances du pont de

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la base (Rb1 et Rb2). Une impédance de sortie dépend de la résistance du collecteur Rc. Un signal de sortie
avec une phase inversée par rapport à l'entrée et d'un gain élevé.
Montage collecteur commun (CC) : Le même montage que le précédent mais avec cette fois ci l'entrée sur la
base et la sortie sur l'émetteur. Caractérisé par une impédance d'entrée plus élevée que le montage émetteur
commun mais une impédance de sortie basse. Le signal de sortie n'est pas amplifié (sans gain) et il est en phase
avec le signal d'entrée. Ce montage est utilisé souvent comme adaptateur d'impédance.
Montage base commune (BC) : Dans ce montage l''entrée se fait sur l'émetteur tandis que la sortie est sur le
collecteur. L'impédance d'entrée est basse et la sortie à moyenne impédance. Le signal de sortie est en phase
avec un gain élevé. Ce montage est employé surtout en haute fréquences HF
Montage amplificateur à émetteur commun (EC) :

Avant d'arriver au montage amplificateur en EC en petits signaux, il faut savoir les polarisations avec une
source ou deux sources, ainsi déterminer tous les équations nécessaire pour chaque montage.
Si en analyse ce schéma 1,
 C'est un montage peu utilisé car il nécessite deux sources de
tension E et VB.
 Montage à émetteur commun Pourquoi, Parce que : l’entrée est la
base et la sortie est collecteur il reste seulement l’émetteur on dit ce
montage émetteur commun EC
 La droite de charge de sortie:
 La droite d’attaque d’entrée : Schéma1 : représente montage EC
avec deux source E et VB
Si en analyse ce schéma 2:
 Une source de tension E
 Toujours c’est Montage à émetteur commun .
 montage EC ⇒ entrée : base, sortie : collecteur
 La droite de charge de sortie:
 La droite d’attaque d’entrée :
Si en analyse ce schéma 3: Schéma2 :représente montage EC
 Polarisation par pont et résistance d'émetteur avec une source E
 Une source de tension E
 Toujours c’est Montage à émetteur commun EC
 La droite de charge de sortie:

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 Il y a une résistance dans le montage 3
 Avant calculer la droite d’attaque il faut calculer la tension

Si On considère ⇒ et selon la

diviseur de tension On en déduit: Schéma3 :représente montage EC

avec une source E
 La droite d’attaque : (
)..
 Ou bien selon le schéma 4 :

Schéma4 : représente montage EC avec une une résistance RE

et

Petits Signaux :
 La résistance R : ne dépend pas de la fréquence f



Si f très grande ZL=∞ et ZC=0

Si f très petite ZL=0 et ZC=∞

On en déduit l’impédance de condensateur :

pour la fréquence f=0 donc W=0 ,

( )

6
 et pour la fréquence donc ,

𝐶𝑠
𝐶𝑒

Schéma5 : représente montage EC en petits signaux

 𝐶𝑒 et 𝐶𝑠 Condensateurs de liaison.
 Leurs rôles est de permettre le passage des signaux d’entrée et de sortie sans que les tensions continues
présentes dans la base et le collecteur du transistor influent sur le fonctionnement du générateur ou l’étage
suivant.
 La capacité CR est un condensateur de découplage. Elle est placée en parallèle avec la résistance RE de
forte valeur et qui se comporte comme un court-circuit en alternatif et comme une impédance infinie en
continue car la résistance RE est nécessaire pour polariser le transistor mais sa présence diminue beaucoup le
gain en régime variable.
 Ainsi en appliquant le théorème de superposition :

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 Entrée Sortie
E.C BASE COLLECTEUR
C.C BASE EMETTEUR
B.C EMETTEUR COLLECTEUR
Résumé :

E.C C.C BC
Gv T.G ≈1 T.G
GI T.G T.G ≈1
Ze Moyenne Grande T.Petite
Zs Moyenne T.Petite Moyenne
Déphasage entre e et 0 0
s