USTHB-FEI ELN2B Transistor à jonction

Transistor à jonction
A.Transistor bipolaire
I.Introduction

La mise en contact de deux jonctions P-N donne naissance à une autre famille de
composants : les transistors bipolaires qui sont des transistors à jonction. Ils sont dits
bipolaires car la conduction se fait par les porteurs majoritaires et minoritaires.

II.Description

a.Structure

Un transistor bipolaire est constitué par la juxtaposition de deux jonctions P-N. La partie
commue peut être soit de type N ou de type P, il s’agit du transistor de type PNP (Fig 1.a) ou
alors NPN (Fig 1.b) respectivement (Figure 1).
Collecteur (C)
Symbole
Emetteur (E) P N P Collecteur (C)
Base (B)

Emetteur (E)
Base (B)

(Fig 1.a)
Symbole
Collecteur (C)

N P N Collecteur (C)
Emetteur (E) Base (B)

Base (B) Emetteur (E)

(Fig 1.b)

Figure 1 : Schéma du transistor et symbole adopté

b.Technologie de fabrication

Le matériau de départ est une plaquette de Silicium (ou Germanium) que l’on appelle
substrat (Fig 2). Celui-ci est fortement dopé de type N, il constituera le Collecteur. Ensuite
la plaquette est protégée par une couche d’oxyde de silicium (SiO2) et on fait une petite
fenêtre afin de diffuser une impureté de type P qui constitue la Base. Finalement nous
réalisons une deuxième ouverture à l’intérieur de la base par laquelle nous diffusons une
impureté de type N. Cette région sera l’Emetteur.

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E B

SiO2 (couche protectrice)

N

N
Contact métallique

Figure 2 : Structure d’un transistor NPN

La figure 3 montre la représentation conventionnelle des courants et des tensions dans un

transistor bipolaire.

(C)
(C)
IC
IC VCB
VCB
(B) IB
(B) IB VCE
VCE
VBE
VBE IE
IE
(E)
(E)

Figure 3 : Représentation des courants et tensions du transistor

bipolaire. Pour le PNP à gauche et pour le NPN à droite.

Pour les deux types de transistor, on a :

IE= IB+IC
VCB+VBE=VCE

III.Effet transistor

Procédés de polarisation d’un transistor bipolaire

La structure du transistor bipolaire est composée de deux jonctions P-N, par conséquent on
peut avoir quatre types de polarisation :

Jonction E-B en direct Mode de fonctionnement

Jonction C-B en inverse
normal
Jonction E-B en inverse Mode de fonctionnement
Jonction C-B en direct inverse
Jonction E-B en inverse Mode de fonctionnement
Jonction C-B en inverse bloqué

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Jonction E-B en direct

Jonction C-B en diect Mode de fonctionnement
saturé

III.1Transistor en fonctionnement normal

La jonction B-E est polarisée en directe et la jonction C-B est polarisée en inverse

Soit le montage Base commune de la figure 4 :

IE IC
N P N
K
EE EC

IB

Figure 4

− Lorsque K est ouvert (émetteur en l’air), on remarque qu’un courant très faible circule du
collecteur vers la base, c’est le courant de fuite (de saturation) dû au fait que la jonction
collecteur-base est en inverse.
− Lorsque K est fermé, la diode émetteur-base est polarisée en direct, ceci entraîne le
passage d’un grand nombre d’électrons majoritaires de l’émetteur vers la base, le courant
d’émetteur IE devient important, IC augmente et le courant de base IB reste faible.

Interprétation

Les électrons de l’émetteur arrivent dans la base (où ils deviennent porteurs minoritaires),
certains se recombine avec les trous majoritaires de la base, ceux qui échappent aux
recombinaisons arrivent au niveau de la jonction collecteur-base et sont poussés vers le
collecteur grâce au champ interne de cette jonction.
Pour qu’un nombre d’électrons émis par l’Emetteur soit collecté par le Collecteur, il faut
qu’il y ait très peu de recombinaisons au niveau de la Base, c’est ce qu’on appelle l’effet
transistor.
Un minimum de recombinaisons n’est possible que si la base est très mince donc très
faiblement dopée, l’émetteur doit être fortement dopé. De plus, la surface de jonction
collecteur-base doit être importante.

Ainsi, nous aurons :

IC=  IE+ICBO 1 (mais inférieur à 1) (1)

On a également :

IC+IB-IE=0 (2)
Soit

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1 I
IC (1- ) =- − CB 0 − I B (3)
 

 1
IC = − IB + I CB 0 (4)
1−  1− 

 1
On pose  = donc  + 1 =
1−  1− 

On obtient : IC =  IB+(+1) ICB0 (5)

Lorsque IB= 0 IC = ICE0 donc IC =  IB+ICE0 (+1) ICB0 = ICE0

III.2Transistor en fonctionnement bloqué

Les deux jonctions B-E et C-B sont en inverse. On a donc IB0, IC0 et IE0

III.3Transistor en fonctionnement saturé

Les deux jonctions B-E et C-B sont polarisées en direct. Dans ce cas la jonction C-B laisse
passer un courant très important (IB augmente), et IC devient pratiquement indépendant de IB.
On a :

I
I B  C Cela signifie que toute augmentation du courant IB n’entraîne plus d’augmentation

de IC, cela justifie le terme de saturation.

IV. Réseaux de caractéristiques statiques du transistor bipolaire

Pour connaître l’état de fonctionnement d’un transistor bipolaire, ilest nécessaire de connaître
les valeurs de IB, IC, IE, VBE, VCE, VCB.

Nous savons que ces variables sont reliées par les relations :

IE= IB+IC
VCB+VBE=VCE

Soit le montage en émetteur commun de la figure 5 :

IC
VCB
IB
VCE EC

EB VBE
IE

Figure 5
Les 4 variables sont :

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En entrée : IB et VBE
En sortie : IC et VCE

Les réseaux de caractéristiques nécessaires pour ce montage (émetteur commun) sont :

IC= f(VCE, IB)
VBE=g(VCE, IB)

IV.1Réseau de caractéristiques de sortie IC=f(VCE) à IB constant

Nous avons vu que IC =  IB+(+1) ICB0, en fait en réalité nous avons négligé le terme
VCB
( + 1)
rC
V
Ainsi la relation exacte est : IC =  IB+(+1) ICB0+ CB ( + 1)
rC
rC est de l’ordre de quelques MégaOhms.

VCBVCE si on néglige VBE devant VCE donc la relation devient :

V
IC =  IB+(+1) ICB0+ CE ( + 1)
rC
Les caractéristiques de sortie IC=f(VCE) à IB constant (paramètre) ont donc l’allure de droites
 +1
(dans la zone de fonctionnement normal) équidistantes de IB et de pente
rC
La figure 6 représente un réseau de caractéristiques de sortie composé de 4 courbes
correspondant à IB1, IB2, IB3 et IB4.
IC

IB4
IB3

IB2
IB1

IB=
0
VCE
Figure 6

Remarque : Lorsque VCE est faible (< VCEsat ) on ne peut plus faire l’approximation
VCBVCE. . Dans ce cas IC est pratiquement une fonction linéaire de VCE. La pente est très
importante. Le transistor est saturé (la jonction C-B devient polarisée en direct), il se
comporte comme une résistance.

Lorsque VCE devient grand (>VCEmax), la jonction collecteur-base atteint la tension inverse
maximale d’une jonction, on atteint le claquage de la jonction.
En résumé, une caractéristique de sortie aura l’allure de la figure 7.

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IC

Zone de
fonctionnement
Zone de saturation Zone de claquage
normal

VCEsat VCEmax VCE

Figure 7

IV.2 Réseau de caractéristiques de transfert en courant IC=f(IB) à VCE constant

(Figure 8)

VCE
Ce sont des droites de pente  espacées par la quantité ( + 1) (VCE faible alors IC est
rC
indépendant de IB).
IC

VCE1 VCE2
VCE1>VCE2>VCE3

VCE3

ICE0

IB
Figure 8

IV.3 Réseau de caractéristiques d’entrée IB=f(VBE) à VCE constant

L’allure des caractéristiques (confondues) est celle d’une diode à jonction avec une tension de
seuil Vseuil (Figure 9).

VCE constant

Figure 9
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IV.4 Réseau de caractéristiques de transfert en tension VBE =f(VCE) à IB constant

La tension de sortie a une très faible influence sur la tension d’entrée, ce qui explique que les
caractéristiques soient horizontales (figure 10).

VBE

IB1<IB2<IB3

IB3

IB2
IB1

VCE
Figure 10

Récapitulatif

Les caractéristiques statiques pour un Transistor monté en Emetteur commun,.sont donc

(Figure 11) :

IC

VCE2 VCE1 IB4

VCE3 IB3

IB2
IB1

I
C
IB E VCE
0 IB1
IB2

IB3

VCE

VBE

Figure 11
Remarque : Pour les autres montages (Base commune et Collecteur commun), c’est le même
procédé, le changement va concerner les variables d’entrée et de sortie. Si on prend l’exemple
du montage Base commune (Figure 12), on aura :

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IE IC
Circuit Circuit de
d’entrée sortie
VEB VCB

Figure 12

Les 4 variables sont :

En entrée : IE et VEB
En sortie : IC et VCB

Les réseaux de caractéristiques nécessaires pour ce montage (Base commune) sont :

IC=f(VCB, IE)
Et VEB=g(VCB, IE)

V. Influence de la température

Une élévation de la température entraîne une élévation du courant des minoritaires (IS=CT3).
Dans le cas du transistor bipolaire, c’est le courant ICB0 qui augmente avec la température.
Pour le montage Emetteur commun, on a :

IC =  IB+(+1) ICB0 Donc si ICB0 augmente, (+1) ICB0 va forcément augmenter dans de
grandes proportions et donc IC augmente.

Avec cette augmentation, on peut avoir un phénomène d’emballement thermique (Figure 13),
en effet :

ICB0  (+1) ICB0  IC

t° T chauffe

Figure 13

Les caractéristiques statiques sont décalées vers le haut pour IC=f(VCE) et Vseuil diminue pour
les caractéristiques d’entrée (Figure 14)

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IC

IB4
IB3

IB2
IB1

IB VCE

VCE

VBE

Figure 14

VI. Limites d’utilisation du transistor bipolaire

Le transistor bipolaire doit obligatoirement être utilisé dans la surface délimitée par Icmax, VCEmax et
PTmax (Figure 15).

IC

PTmax=VCE.IC
ICmax

VCEmax VCE

Figure 15

VII. Transistor bipolaire en régime statique (Polarisation)

VII.1 Point de repos

Soit le montage de la figure 16

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Circuit de sortie
RC
RB EC

E1 Circuit d’entrée

Figure 16

EB, RB, EC, RC constituent les éléments du circuit de polarisation du transistor. Ils permettent d fixer
les quatre variables IB, VBE, IC, VCE qui correspondent aux coordonnées du point de repos du transistor.

VII.2 Droite d’attaque statique

Elle est donnée par la relation qui lie les variables d’entrée, c’est donc IB=f(VBE).
V E
VBE=EB - RB.IB soit I B = − BE + B
RB RB
VII.3 Tracé de la Droite d’attaque statique
IB

EB Droite d’attaque statique :

RB c’est le lieu des points de fonctionnement du circuit d’entrée

EB VBE

VII.4 Droite de charge statique

Elle est donnée par la relation qui lie les variables d’entrée, c’est donc IC=f(VCE).

V E
VCE=EC-RC.IC soit I C = − CE + C
RC RC
VII.5 Tracé de la Droite d’attaque statique

IC

EC
RC Droite d’attaque statique : c’est lieu des points de fonctionnement du circuit
d’entrée

EC VCE

VII.6 Détermination graphique du point de repos

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Les coordonnées du point de repos coté ‘’entrée’’ (IB0 et VBE0) correspondent à celles du point
d’intersection de la droite d’attaque et de la caractéristique d’entrée IB=f(VBE). Les coordonnées du
point de repos coté ‘’sortie’’ (IC0 et VCE0) correspondent à celles du point d’intersection de la droite de
charge statique avec la caractéristique de sortie IC=f(VCE) à IB0.

IC

Caractéristique de transfert en charge IB5

IB4
IB3
ICQ Q
IB2
IB1 Droite de charge
statique
I I I I I IB=0
IBQ
B B B B B
IB 3 2 1
VCEQ VCE
5 4

Droite d’attaque
statique
VBEQ

VCE

VBE

Figure 17

VIII. Principaux montages de polarisation du transistor bipolaire

VIII.1 Polarisation par résistance de base (Figure 18)

RB RC
IC
IB EC
VCE

VBE

Figure 18

VIII.1.1 Droite d’attaque statique

VBE E
E=RB.IB+VBE ce qui donne I B = − +
RB RB
Si on prend E=10v, VBE=0.6v, RB= 100 k Alors on obtient IB=94A

VIII.1.2 Droite de charge statique

Mme N.Achour Page 11

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VCE E
E=RC.IC+VCE ce qui donne IC = − +
RC RC
Si on prend = 100 et RC=1 k alors IC=IB=9.4mA et VCE= E-RC.IC = 0.6v

VIII.2 Polarisation par résistance entre collecteur et base (Figure 19)

RB RC

IC
IB EC
VCE

VBE

Figure 19
VIII.2.1 Droite d’attaque statique

E=RC (IC+IB)+RB.IB+VBE soit E= RC(+1)IB+ RB.IB+VBE

VBE E
ce qui donne IB = − +
R B + ( + 1)R C R B + ( + 1)R C

Si on prend E=10v, VBE=0.6v, RB= 100 k, = 100 et RC=1 k Alors on obtient IB=47A et
IC=IB=4.7mA

VIII.2.2 Droite de charge statique

I VCE E
E=RC (IC+IB)+VCE = RC (IC+ C )+VCE ce qui donne IC = − +
 R C ( + 1) R C ( + 1)
1
VCE= E- RC IC(1+ )= 5.3v

VIII.3 Polarisation par pont de résistances et résistance d’émetteur (Figure 20)

R1 RC
IC
IB E
VCE

VBE
R2
RE

Figure 20

Ce montage peut être mis sous la forme suivante (Figure 21) en utilisant le théorème de Thevenin.

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RC

RTH=R1//R2 I
IC E
B
VCE
VBE
E.R 2
= ET H RE
R1 + R 2

Figure 20

VIII.3.3 Droite d’attaque statique

VBE E TH
ETH=RB.IB+RE(+1)+VBE ce qui donne I B = − +
R B + ( + 1)R E R B + ( + 1)R E
Si on prend E=2v, =100, VBE=0.6v, RE= 100 , R1= 20 k, R2= 100 k Alors on aura
ETH=1.66v, RTH= 16,66 k et on obtient IB=39 A et IC=3.9 mA

VIII.3.2 Droite de charge statique

E=RC.IC+VCE+ R E ( + 1) .I C ce qui donne I C = −
VCE E
+
 ( + 1) ( + 1)
RC + RE RC + RE
 

VCE= E-RC.IC- R E ( + 1) .I C = 5.71v



B.Transistor unipolaire (Transistor à effet de champ ou TEC)

I.Introduction

Ces transistors sont dits unipolaires car leur fonctionnement ne fait intervenir qu’un seul type
de porteurs (les majoritaires). Le transistor à effet de champ (TEC) existe sous deux formes :
−Le transistor à effet de champ à jonction (JFET pour Junction Field Effect Transistor)
−Le transistor à effet de champ à Grille isolée (MOSFET pour Metal Oxyde Semiconductor
Field Effect Transistor)

II.Transistor JFET

II-1 Principe du JFET Canal N

A partir d’un substrat de type P, on diffuse une région de type N appelé Canal. Au centre de celui-ci
on diffuse une région de type P sur laquelle on dépose un contact métallique qu’on appelle Grille (ou
Gate symbolisée par G). De part et d’autre de la grille, on dépose deux contacts métalliques appelés
Drain et Source symbolisés respectivement par D et S. On notera que le Drain et la source sont de
même type.
En fonctionnement normal, la grille et le substrat sont maintenus au même potentiel (Figure 21).

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D : Drain G : Grille S : Source

N Canal

P Substrat

C
Figure 21 : Structure d’un transistor Canal N

II-2 Symbole

D D
VDG VDG
I I
G I D G I D
G VDS G VDS
I I
VGS S
VGS S
S S
Figure 22. TEC à canal N Figure 23. TEC à canal P

Le sens de la flèche sur la grille indique le sens passant de la jonction Grille-Canal.

II-3 Fonctionnement VDS

VGS

I P
Circuit de sortie

ID I
ED N
D
VDS
EG VGS IS
P
Circuit d’entrée

Figure 24 Figure 25 : Structure d’un transistor Canal N

On relève les caractéristiques de sortie suivantes ID=f(VDS) à VGS constant (Figure 26)

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VGS4> VGS3> VGS2> VGS1> VP

ID

VGS4
VGS3

VGS2

VGS1

VGS=VP
VDSmin VDSmax VDS

Figure 26. Caractéristiques de sortie

On constate qu’il y a 3 zones bien distinctes

Zone 1 : 0 <VDS<VDSmin
Zone 2 : VDSmin <VDS<VDSmax
Zone 3 : VDS>VDSmax

Zone 1 : L’allure ID=f(VDS) est une droite donc entre D et S il y a un comportement résistif du canal.
Plus VGS diminue et plus la pente de la droite diminue et donc la résistance du canal r DS augmente.
Cette zone est appelée région ohmique.
La jonction Grille-Canal étant polarisée en inverse (ainsi que la jonction Substrat-Canal), plus VGS
diminue (devient plus négatif) plus la zone de transition de la jonction s’élargit et moins le courant ID
pourra passer. Lorsque VGS atteint la valeur VP (tension de pincement), il n’y a plus de passage
possible pour le courant ID, on a alors ID=0, on dit que le canal est complètement pincé et le transistor
est bloqué.

Zone 2 : La caractéristique est une droite pratiquement horizontale. Le courant ID reste constant dans
cette région car la mobilité des porteurs atteint une valeur limite. C’est ainsi que nous avons deux
effets antagonistes, d’une part le courant tend à augmenter (Potentiel V DS positif) mais d’autre part
l’augmentation de VDS entraîne un étranglement plus accentué du canal et donc un freinage des
porteurs. Cette zone est dite région de saturation.

Zone 3 : Quand VDS devient supérieur à VDSmax, il y a un phénomène de claquage par avalanche. En
effet la tension inverse de la jonction P-N Grille-Semi-conducteur atteint la tension inverse maximale
supportée par le TEC. Cette zone est dite région de claquage.

Remarque : On notera que le principe de fonctionnement du TEC réside dans la variation de la

section du canal et donc du courant ID sous l’action du champ électrique existant dans une jonction P-
N polarisée en inverse, d’où le nom de Transistor à effet de champ.

III. Réseaux de caractéristiques du TEC

III-1 Réseaux de caractéristiques de sortie ID=f(VDS) à VGS constant (Figure 27).

On prendra des valeurs numériques qui pourraient correspondre à un TEC donné.

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ID

VGS= 0
VGS= -1v

VGS= -3v

VGS= -4v

VGS=VP= -6v
VDSmin VDSmax VDS
Figure 27. Réseau de caractéristiques de sortie

III-2 Réseaux de caractéristiques d’entrée IG=f(VGS) à VDS constant (Figure 28)

C’est la caractéristique courant-tension d’une jonction P-N polarisée en inverse.

Donc IG0, ça signifie qu’en fonctionnement normal, le TEC vu de l’entrée (G-S) se comporte comme
un circuit ouvert.

IG

Polarisation directe

0 VGS

Claquage

Figure 28. Réseau de caractéristiques d’entrée

III-3 Réseaux de caractéristiques de Transfert ID=f(VGS) à VDS constant (Figure 29)

Ce réseau est en fait un ensemble de courbes confondues en une seule car dans notre cas, on
s’intéresse à la région de saturation (ID constant).
Sur la figure 29, nous avons représenté une courbe ID=f(VGS) pour VDS=8v.

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ID

I VG= 0
D
S
S VGS= -1v

VGS= -3v
VGS= -4v
VGS VGS=VP= -6v

VP=-6v -4v -3v -1v 0 8v 30v VDS

Figure 29. Réseaux de caractéristiques de sortie et de transfert

Dans la région de saturation, toutes les caractéristiques de transfert sont confondues en une seule
parabole dont l’expression est :

2
 V 
I D = I DSS 1 − GS 0 
 IDSS est la valeur du courant ID lorsque VGS=0. IDSS et VP sont des paramètres
 VP 
caractéristiques d’une famille de TEC.

Avantages du transistor TEC par rapport au Transistor bipolaire

−La fabrication du TEC est plus simple et il occupe moins de place

−La résistance d’entrée du TEC est très grande (dizaine de MégaOhms) ce qui fait de lui un bon
amplificateur de puissance.
−Le bruit du TEC est plutôt faible

Inconvénients du TEC

En hautes fréquences, il est moins performant

Utilisation du TEC

−Le TEC est très utilisé en amplificateur de très petits signaux

−Il est utilisé en commutation
−Il peut jouer le rôle d’une résistance variable (Résistance du canal)
−Il peut également jouer le rôle d’une source de courant lorsqu’il fonctionne dans la région de
saturation.

IV.Polarisation du TEC

Les circuits de polarisation du TEC les plus usuels sont donnés par la Figure 30.
La polarisation permet de fixer le point de repos du TEC et donc ses coordonnées ID0, VGS0 et VDS0.
Le choix du point de repos est une étape cruciale pour une utilisation ultérieure du TEC, notamment en
régime dynamique.
L’obtention pratique du point de repos est sensiblement la même que pour le transistor bipolaire,la
seule différence c’est que le courant d’entrée est pratiquement nul, nous n’avons donc pas besoin de
tracer des caractéristiques qui engagent le courant d’entrée.

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ED
RD

RD
ID
ID
ED VDS
IG0
VDS
RG VGS RS
Figure 30.a

Figure 30.b

Figure 30. Exemples de circuits de polarisation du TEC

Exemple : Calculons le point de repos du montage de la figure 30.b avec les données suivantes :
ED=10v, IDSS = 10 mA, VP = -1,8v et RD=RS=1k

On donne les caractéristiques suivantes du transistor

ID Droite de charge statique

IDSS=10mA VGS= 0

VGS= -0.6v
Droite de polarisation
ED
= 5mA
R D + RS VGS= -0.9v

VGS= -1.3v
I
D
V VGS=VP= -1.8v
0
VGS0 0 VDS0
G ED= 10v 30v
VP=-1.8v VDS
S

Figure 31

Pour la détermination graphique du point de repos, nous avons besoin de tracer la droite de
polarisation ID=f(VGS) ainsi que la droite de charge statique ID=f(VDS).

IV-1 Expression de la droite de polarisation

A partir du circuit d’entrée du montage on a la relation :

VGS
VGS+RS.ID= -RG.IG=0 car IG=0 soit I D = −
RS
IV-2 Expression de la droite de polarisation

A partir du circuit de sortie du montage on a la relation :

VDS ED
ED=VDS+(RS+RD).ID soit I D = − +
R D +R S R D +R S

IV-3 Détermination du point de repos Q(ID0, VGS0, VDS0)

Mme N.Achour Page 18

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L’intersection de la droite de polarisation avec la caractéristique de transfert donne les deux

coordonnées c soit ID0= 1.17 mA et VGS0= -1.17 v. En projetant ID0 sur la droite de charge statique, on
peut lire la 3ième coordonnée du point de repos soit VDS0= 7.66v

On peut calculer littéralement les coordonnées du point de repos, en égalisant les équations
correspondant à la caractéristique de transfert et la droite de polarisation.

VGS0 VGS0 2
ID0 = − = I DSS (1 − )
RS VP
On obtient l’équation du second degré avec VGS0 comme inconnue :

I DSS  2I 1 
2
VGS +  − DSS + VGS0 + I DSS = 0
VP2 0
 VP R S 

soit avec l’application numérique 3.08 V 2

GS0
+ 12.11VGS0 + 10 = 0 . Nous avons deux racines
VGS01 = −2.75v et VGS02 = −1.17v , on retiendra VGS02 car VGS01 est inférieure à VP (cas
impossible).

Donc VGS0 = −1.17v

et en remplaçant dans l’équation de la droite de polarisation (ou dans l’équation de la caractéristique

de transfert) on obtient :

I D0 = 1.17 mA

On en déduit la valeur de VDS0 à partir de l’équation de la droite de charge statique

VDS0 = 7.66v

Mme N.Achour Page 19

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Transistor en régime variable

(Etude dynamique)

A. Transistor bipolaire

I- Définition

Le régime variable d’un transistor bipolaire signifie que le circuit est attaqué (en plus de la
polarisation) par un signal variable en fonction du temps (Figure 1). Dans notre cas, le signal est
sinusoïdal.

e(t)=E sin t
RC iB(t)=IB0 + iB(t)
iC(t)=IC0 + iC(t)
iC(t)
RB iB(t) E vBE(t)=VBE0 + vBE(t)
vCE(t) vCE(t)=VCE0 + vCE(t)
EB
vBE(t)
iB(t), iC(t), vBE(t), vCE(t) : signaux
e(t) RE variables
( IB0, IC0, VBE0, VCE0 : signaux
t continus (point de repos)
) iB(t), iC(t), vBE(t), vCE(t) signaux alternatifs
Figure 1 ou dynamiques

Pour la terminologie, on utilisera les termes suivants :

Variable = Statique (Continu)+Dynamique (Alternatif)

II-Point de repos

Quand e(t)=0

VBE E B
Expression de la droite d’attaque statique IB = − +
RB RB

VCE E
Expression de la droite de charge statique IC = −
+
RC RC
Les coordonnées du point de repos IB0, IC0,VBE0, VCE0 sont obtenus par l’intersection de la droite
d’attaque et la droite de charge statiques avec respectivement les caractéristiques d’entrée et de sortie
du transistor.

III-Point de fonctionnement

Quand e(t) 0

v BE E B + e
Expression de la droite d’attaque iB = − +
RB RB
v E
Expression de la droite de charge i C = − CE +
RC RC

Mme N.Achour Page 20

 USTHB-FEI ELN2B Transistor à jonction

Les coordonnées du point de fonctionnement iB0, iC0,vBE0, vCE0 sont obtenus par l’intersection de la
droite d’attaque et la droite de charge en régime variable avec respectivement les caractéristiques
d’entrée et de sortie du transistor.
On remarque que :
- la droite de charge en régime variable est la même que la droite de charge statique.
-La droite d’attaque en régime variable se déplace d’une manière périodique parallèlement à elle-
même (Figure 2).

iC iC(t)
EC
RC
IB4
VCE1
S1 IB3

S0 IBQ ICQ
IB1
S2

EB + E EB EB − E
RB RB RB VCE0

iB EC vCE t

vCE(t) et iC(t) sont en opposition de phase

E2
E0
E1
VC
E 2

1

vBE
t

Figure 2

Equation de 1
v E +E
i B = − BE + B
RB RB
Equation de 2
v E −E
i B = − BE + B
RB RB
Donc le point de fonctionnement en entrée va se déplacer entre E1 et E2 et en sortie il se déplacera
entre S1 et S2 et cela d’une manière périodique.

IV-Schéma équivalent du transistor bipolaire en Basses fréquences (Figure 3)

ie iS
de sortie
Circuit

T
d’entrée
Circuit

ve Quadripôle vS

Figure 3

Mme N.Achour Page 21

 USTHB-FEI ELN2B Transistor à jonction

Les quatre grandeurs ie, is, ve et vs sont liées entre elles par deux équations. Les coefficients des deux
équations sont appelés paramètres.
Dans le cas du transistor bipolaire, les deux équations qui régissent le transistor sont :
ve = f(ie, vs) et ie = f(ie, vs)
Les paramètres que nous utiliserons sont appelés paramètres hybrides hij
On aura donc :
ve = h11ie + h12vs
 v e   h11 h12   i e 
Soit   =   
  
 i S   h 21 h 22   vS 
iS = h11ie + h12vs

v 
h11 = e  Impédance d’entrée du transistor avec sortie en court-circuit
ie 
vs= 0
i 
h 21 = s  Gain en courant du transistor avec sortie en court-circuit
ie 
vs=0
v 
h12 = e  Coefficient de réaction interne du transistor avec entrée à vide
vs ie =0
i 
h 22 = s  Admittance de sortie du transistor avec entrée à vide
vs ie =0
V- Montage en Emetteur commun (Figure 4)

Nous utiliserons un transistor de type NP

iC
(
iB
C
( vCE
)
vBE B
)

(
Figure 4 E
)
L’émetteur est l’électrode de référence pour l’entrée et la sortie.
Les deux équations qui vont régir ce montage sont :

vBE = h11iB + h12vCE

iC = h11iB + h12vCE

Le schéma équivalent en basse fréquence du montage de la figure 4 est donné par la figure 5.

iB iC
h12vCE est une source de tension contrôlée
h11
h22-1 h21iB est une source de courant contrôlée
h21iB vCE
v
h12vBCE
E

Figure 5
En général on néglige h120, et donc le schéma équivalent simplifié est le suivant (Figure 6):

Mme N.Achour Page 22

 USTHB-FEI ELN2B Transistor à jonction

iB iC

vBE h h22-1 vCE

h21iB h
1
1 2
2
-
1

Figure 6
Remarque

Les figures 7 et 8 représentent les montages Base commune et Collecteur commun. Ils sont régis respectivement par les
équations vEB = f(iE, vCB) et iC= g(iE, vCB) pour la figue 7 et vBC = f(iB, vEC) et iE= g(iB, vEC) pour la figure
8.

iE iC iE
( (
( iB
C E
E
vCB ) ( vEC )
vEB )
vBC B
)

( (
Figure 7 B Figure 8 C
) )
VI- Amplification

Nous avons déjà vu lors de l’étude statique du transistor bipolaire qu’on pouvait écrire IC=IB (>>1).
Donc le transistor bipolaire remplit une fonction d’amplification.
En régime dynamique, selon la façon dont le transistor est monté (Emetteur commun, Base commune
ou collecteur commun), il peut amplifier en courant et/ou en tension et puissance.

Soit le montage amplificateur de la figure 9.

R1 RC
C2 iS
C1 eg(t) =Emax sin t
ie

Rg R
R2 v
v RE L
S
eg(t) e

Figure 9

En régime dynamique et notamment aux fréquences de travail, on aura tendance à considérer les
condensateurs comme des court circuits, ce qui revient à négliger leur impédance.
Le point de repos du montage est fixé par les éléments de la polarisation, à savoir E, R1, R2, RC et RE.

Nous allons faire l’étude de ce montage en régime dynamique, ce qui revient à déterminer :

Mme N.Achour Page 23

 USTHB-FEI ELN2B Transistor à jonction

i
Le gain en courant Ai = s
ie
v
Le gain en tension A v = s
ve
p
Le gain en puissance A p = s
pe
v
L’impédance d’entrée Ze = e
ie
v
L’impédance de sortie Zs = s
is
1. Schéma équivalent du montage de la figure 9 en régime dynamique.
Seules les grandeurs variables sont maintenues, ce qui signifie que les grandeurs continues ont une
variation nulle ; une tension continue sera équivalente à un court circuit et un courant continue à un
circuit ouvert (Figure 10).

R1 RC
iS
ie

Rg vS RL
R2
ve RE
eg(t)

Figure 10

Le schéma équivalent en basses fréquences sera donc celui de la figure 11.

h22-1

ie h11
is

Rg iB

ve R RE RC vS RL
B
eg(t)

Figure 11
Sur La figure 12, nous avons remplacé la source de courant contrôlée par une source de tension
contrôlée pour des raisons de commodités d’étude du circuit.

iB h22-1
ie h11 ’
i h22-1
ib is

Rg
RB RE RC vS RL
ve
eg(t)

Figure 12

Mme N.Achour Page 24

 USTHB-FEI ELN2B Transistor à jonction

i
2. Détermination de l’amplification en courant Ai = s
ie
ve
ie = + ib (1)
RB
ve = h11i b + R E (i b + i' ) (2)

R E (i b + i' ) = i b h −1 − h −1i'−(R C // R L ) i' (3)

22 22
De (3) i' ( R E + h −1 −1
22 + (R C // R L )) = i b (h 22 − R E )

On obtient
(h −1
22 − R E ) (4)
i' = i b
(R E + h −1
22 + (R C // R L ))

En remplaçant l’équation 4 dans l’équation 2, on obtient :


 (h − 1
22 − R E )


v e = i b  h11 + R E + R E 
 (R E + h −1 
22 + (R C // R L )) 


Et en remplaçant dans l’équation 1


1  (h − 1 −R )
22 E


i e = i b (1 +  h11 + R E + R E )
RB  −1
(R E + h 22 + (R C // R L )) 
 
Et on a :

RC (h −1
22 − R E ) RC
i s = i' = ib
RC + RL −1 R + RL
(R E + h 22 + (R C // R L )) C
Donc

(h −221 − R E ) RC
is (R E + h −221 + (R C // R L )) R C + R L
Ai = =
ie 1  (h −221 − R E ) 
(1 +  h11 + R E + R E )
R B  (R E + h 22 + (R C // R L )) 
−1

RC

RC + RL
On constate que si h22-1→  et RE=0 alors A i =
(1 +
1
(h11 + R E ( + 1))
RB
v
3. Détermination du gain en tension A v = s
ve
(h −1
22 − R E )
vs = −(R L // R C )i' = − (R L // R C ) i
(R E + h −1 + (R // R )) b
22 C L
En utilisant l’équation 5, on en déduit :

Mme N.Achour Page 25

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(h −1
22 − R E )
(R L // R C )
v (R E + h −1
22 + (R C // R L ))
Av = s = −
ve (h −1
22 − R E )
h11 + R E (1 + )
(R E + h −1
22 + (R C // R L ))
Le gain à vide Av0 est obtenu lorsque RL → 

(h −1
22 − R E )
RC
v (R E + h − 1
22 + R C
A v0 = s = −
ve (h −1
22 − R E ) )
h11 + R E (1 +
(R E + h −1
22 + R C

Si en plus on fait tendre h22-1 vers l’infini et on découple RE dans le montage de la figure 9, on obtient
l’expression suivante du gain en tension à vide de Av0 :

v R C
A v0 = s = −
ve h11

R1 RC
C2
ie C1

Rg
R2 vs
ve RE
eg(t)
CE

Figure 13

Le découplage de la résistance d’émetteur RE est nécessaire, il permet d’augmenter le gain en tension

tout en stabilisant le point de repos. Pour qu’il y ait un bon découplage, il faudrait que l’on assure
RECE0 >>1

v
4. Détermination de l’impédance d’entrée Ze = e
ie

(h −1
22 − R E )
h11 + R E (1 + )
( R + h −1 + (R // R ))
v E C L
Ze = e = 22
ie  − 1
(h 22 − R E ) 
1  
1+  h11 + R E (1 + )
RB  −
(R E + h 22 + (R C // R L )) 
1
 
Si h22-1 → 

Mme N.Achour Page 26

 USTHB-FEI ELN2B Transistor à jonction

h11 + R E (1 + )
Ze = On constate que si RE est découplée, Ze vue du transistor sera égale à h11.
1+
1
(h11 + R E (1 + ))
RB
5. Détermination de l’impédance de sortie vue de la charge RL

C’est l’impédance vue entre les bornes de la charge lorsqu’on annule l’effet des sources (tension et/ou
courant) indépendantes. C’est exactement le même principe que celui des théorèmes de Thevenin et de
Norton.

Ainsi le schéma équivalent de la figure 12 devient :

iB h22-1
ie h11 ’ h22-1
ib i I0

Rg
RB RE RC U0

Figure 13

Pour des raisons de commodités, nous avons gardé la même notation pour les courants dans le circuit.
La résistance de sortie est donnée par

U0 (1)
Zs =
I0
U0 (2)
I0 = + i'
RC

R E (i'+i b ) = i b h − −1
1 (3)
22 − h 22 i'+ U 0 (4)
R E (i'+i b ) = −(h11 + (Rg // R B )) i b

De l’équation 4 on tire :
RE (5)
ib = − i'
R E + h11 + (Rg // R B )
En remplaçant dans l’équation 3, on obtient :

i' ( R E + h −1 −1
22 ) = i b (h 22 − R E ) + U 0
(R E + h −221 ) U0
i b = i' −1
− −1 En remplaçant iB par l’expression de l’équation 5, on obtient :
(h 22 − R E ) (h 22 − R E )

 (R + h −1 ) 
 E 22 + RE  U0
i'   =
 (h −1 − R E ) R E + h11 + (Rg // R B )  (h −1 − R E )
 22  22

D
o
n
c

:
Mme N.Achour Page 27
 USTHB-FEI ELN2B Transistor à jonction

U0 1
i' = 
−1  −
(h 22 − R E )  (R E + h )1 
22 + RE 
 − + 
1
 (h − R E ) R E + 11
h ( Rg // R B 
)
 22 
En remplaçant i’ dans l’expression de l’équation 2, on obtient :

1
Zs = On constate que lorsque h22-1 →  ZS → RC
1 1
+
−1
1 + R E (h 22 − R E )
RC
RE + h−
E + h11 + (Rg // R B
22 R

6. L’amplification en puissance est définie par

p v i
A P = s = s s = A v Ai
pe ve i e
En résumé, le montage Emetteur commun a les propriétés suivantes :
- Amplifie en tension
- La tension d’entrée et de sortie sont en opposition de phase
- Amplifie en courant
- Amplifie n puissance
- Son impédance d’entrée est proche de h11 (environ 2kΩ)
- Son impédance de sortie est proche de RC (environ 1 kΩ)
7. Schéma simplifié de l’amplificateur

ie Zs is
h
2
Rg
2
Ze Av0 Vs RL-
1
eg(t)

Figure 14

B. Transistor unipolaire (TEC)

I- Définition

Le
G régime variable d’un transistor unipolaire signifie que le circuit est attaqué (en plus de la
I polarisation) par un signal variable en fonction du temps (Figure 15). Dans notre cas, le signal est
D
sinusoïdal.

eG(t)=E sin t
RD iG(t)=0
iD(t)=ID0 + iD(t)
G RG iD(t) ED vGS(t)=VGS0 + vGS(t)
iG(t)0
vDS(t) vDS(t)=VDS0 + vDS(t)
EG iS(t)
Mme N.Achour Page 28 iD(t), vGS(t), vDS(t) : signaux
variables
ID0, VGS0, VDS0 : signaux continus
(point de repos)
iD(t), vGS(t), vDS(t) signaux alternatifs ou
 USTHB-FEI ELN2B Transistor à jonction

vGS(t)
eG(t) RS

S
I
S Figure 15

Pour la terminologie, on utilisera les termes suivants :

Variable = Statique (Continu)+Dynamique (Alternatif)

II- Point de repos

Quand eG(t)=0

Expression de la droite de polarisation ID=f(VGS)

V E
On a E G = VGS + R S .I D I D = − GS + G
RS RS
Expression de la droite de charge statique ID=f(VDS)
VDS ED
On a ED = VDS+ (RS+RD)ID ID = − +
RS + R D RS + R D

Les coordonnées du point de repos ID0,VGS0, VDS0 sont obtenus par l’intersection de la droite de
polarisation et la droite de charge statique avec respectivement les caractéristiques de transfert
ID=f(VGS) et de sortie ID=f(VDS) du transistor.

III- Point de fonctionnement

Quand eG(t) 0

vGS E G + eG
Expression de la droite d’attaque iD = − +
RG RG
vDS ED
Expression de la droite de charge iD = − +
R D + RS R D + RS

Les coordonnées du point de fonctionnement iD0, vGS0, vDS0 sont obtenus par l’intersection de la droite
d’attaque et la droite de charge en régime variable avec respectivement les caractéristiques de tranfert
et de sortie du transistor.
On remarque que :
la droite de charge en régime variable est la même que la droite de charge statique.
La droite d’attaque en régime variable se déplace d’une manière périodique parallèlement à elle-même

I- Schéma équivalent du transistor unipolaire en Basses fréquences (Figure 16)

ie iS
Circuit Circuit
d’entrée ve Quadripôle vS de sortie

Figure 16

Mme N.Achour Page 29

 USTHB-FEI ELN2B Transistor à jonction

Les quatre grandeurs ie, is, ve et vs sont liées entre elles par deux équations. Les coefficients des deux
équations sont appelés paramètres.
Dans le cas du transistor TEC, les deux équations qui régissent le transistor sont :
ie = f(ve, vs) et is = f(ve, vs)
Les paramètres que nous utiliserons sont appelés paramètres admittance yij

On aura donc :
ie = y11ve + y12vs ie =iG dans le cas du TEC
iS = y21ve + y22vs
 i e   y11 y12   v e 
Soit   =   
  
 i s   y 21 y 22   vs 
i 
y11 = G  = 0 car i G  0 Admittance d’entrée du transistor avec sortie en court-circuit
ve 
vs = 0
i 
y 21 = s  Admittance de transfert du transistor avec sortie en court-circuit
ve 
vs = 0
i 
y12 = e  Admittance de transfert du transistor avec entrée en court-circuit
vs  v =0
e
i 
y 22 = s  Admittance de sortie du transistor avec entrée en court-circuit
vs  v =0
e

II- Montage en Source commune (Figure 17)

Nous utiliserons un transistor TEC Canal N

iD (D)
iG0
(G)
vDS
vGS
v
(S)
B
E
Figure 17
La source est l’électrode de référence pour l’entrée et la sortie.
Les deux équations qui vont régir ce montage sont :

iG = y11vGS + y12vDS avec iG0

iD = y21vGS + y22vDS

Le schéma équivalent en basse fréquence du montage de la figure 17 est donné par la figure 18.

iG0 iD
i
C gmvGS est une source de courant contrôlée
gm : est la transconductance ou la pente du
h RDS vDS
vGS gmvGS TEC
1
1  dI  2I  V 
g m =  D  = − DSS 1 − GS 
 dVGS  VGS0 Vp  Vp 
-1
Mme N.Achour Figure 18 y2230
Page es représentée par RDS
 USTHB-FEI ELN2B Transistor à jonction

Etude d’un montage Drain commun

Nous allons étudier le montage de la figure 19

ie
C is ED
ve RG RS RL vs

Figure 19
En régime dynamique et notamment aux fréquences de travail, on aura tendance à considérer les
condensateurs comme des court circuits, ce qui revient à négliger leur impédance.
Le point de repos du montage est fixé par les éléments de la polarisation, à savoir ED, RG et RS.

Nous allons faire l’étude de ce montage en régime dynamique, ce qui revient à déterminer :
v
Le gain en tension A v = s
ve
i
Le gain en courant Ai = s
ie
v
L’impédance d’entrée Ze = e
ie
v
L’impédance de sortie Zs = s
is
On donne Vp = -6V ; IDSS=10mA ; VGS0 = -1v ; RDS=250Ω ; RS=750 Ω ; RG=1M Ω ; RL=1 kΩ.

Schéma équivalent du montage de la figure 19 en régime dynamique.

ie vGS iS

i
C
ve RG h RDS RL vs
gmvGS RS
1
1

Figure 20
On va désigner par Req, RDS // RS //RL=157,89 Ω.

Avec les données, on trouve g m = 2.77 mA / v

v
Détermination du gain en tension A v = s
ve
vs R eq g m v GS g m R eq
Av = = Av = A v = 0.3
v e v GS+ R eq g m v GS 1 + g m R eq
i
Détermination du gain en courant A v = s
ie
R DS // R S v v GS+ R eq g m v GS
i s = −g m vGS et i e = e =
R DS // R S + R L RG RG

Mme N.Achour Page 31

 USTHB-FEI ELN2B Transistor à jonction

R DS // R S RG
Donc A i = −g m . Ai = −300
R DS // R S + R L 1 + g m R eq

Ve
Détermination de la résistance d’entrée R e =
ie
On a Ve = RG ie donc R e = R G R e = 1M
Vs
Détermination de la résistance de sortie R sortie = vue de R L
is
Comme dans les théorèmes de Thevenin et Norton, on désactive les sources indépendantes. On obtient
le schéma de la figure 21 :
ie vGS I0

RG h RDS U0
gmvGS RS
1
1

Figure 21

On a donc ve = 0 donc RG est courcircuitée. On constate alors que VGS= -U0

U0 U0
I0 = − g m vGS = + g m U0
R DS // R S R DS // R S
U 1
donc R sortie = 0 = R sortie = 123 .4
I0 1
+ gm
R DS // R S

Mme N.Achour Page 32