Chapitre 1: Transistor JFET

Introduction

Ce chapitre envisage une autre sorte de transistors appelée transistors à effet de champ (TEC).
Il existe plusieurs familles de transistors à effet de champ. Nous nous limiterons à évoquer,
dans ce chapitre, les transistors à effet de champ à jonction (JFET) et les transistors à effet de
champ MOSFET seront étudiés dans le deuxième chapitre.

Un peu d’historique:
Le principe des transistors à effet de champ est connu depuis plus longtemps que celui des
transistors bipolaires, le premier brevet pour un FET a été déposé en 1925 par le physicien
Julius-Edgar Lilienfeld (accordé en 1930), mais les réalisations ne sont apparues que dans les
années 1960 [aide mémoire composants électronique].
Il y a deux sortes de transistors à effet de champ : les JFET et les MOSFET.

Appellation
L’effet de champ est l’origine de l’appellation de ce genre de transistors, on trouve :
 TEC (appellation française:transistor à effet de champ)
 FET (appellation américaine ou anglaise field effect transistor).
 JFET: On trouve aussi l’appellation plus complète mais un peu vieillie de JFET
(junction field effect transistor ou en français transistor à effet de champ à jonction)
Ce nom vient du fait que son action dépend de ce qui se passe au niveau d'une jonction pn.
 LES TRANSISTORS UNIPOLAIRES
Le transistor à effet de champ à jonction est un premier exemple de transistor unipolaire.
 1 - Structure du transistor à effet de champ à jonction (à canal N):
La structure du transistor JFET (acronyme pour Junction Field Effect Transistor) est présentée
sur figure 1.
Le transistor JFET à canal N est principalement constitué [nafati-malvino]:
1-d’un substrat (P) très fortement dopé,
2-d’un barreau cylindrique semi-conducteur n diffusé sur un substrat. Les extrémités du semi-
conducteur n (la zone centrale N) sont reliées l’une au drain, l’autre à la source.
3- une zone p diffusée dans le barreau forme la grille (nommée aussi porte ou gate) forme le
canal avec la deuxième zone p le substrat,. Les deux zones P grille et source sont reliées entre
elles.
4- d’un canal n au centre du dispositif entouré par ces deux zones p.
La source est la zone d’entrée des électrons dans le dispositif et le drain est la zone de sortie
des charges.
Il existe aussi des JFET ayant un canal P qui sont complémentaires des transistors canal N
(figure 1.c). Pour ces transistors canal P, toutes les tensions et les courants sont à inverser.
D D

Grille
Source Drain G P N P G N P N

S S

Source Grille Drain Source Grille Drain

P P N
N
Canal N Canal P
Canal N
P Substrat N Substrat
a
P Substrat JFET à canal N JFET à canal P
a

Figure 1 : (a) Structure 3D JFET à canal N ; (b) JFET canal n; (c) JFET canal p

La figure 2 présente le symbole de ce transistor à effet de champ à jonction canal N. Si les

zones N et P sont inversées, on dit que le transistor JFET est canal P [ref2].
1-le trait qui correspond au canal est continu.
2. La grille et le canal forment une jonction pn.
3. La flèche correspondante est orientée dans le sens passant de cette jonction.
Ce type de transistor présent une analogie certaine avec le transistor bipolaire, la grille peut
être comparée à la base, la source à l’émetteur et le drain au collecteur
Drain Drain

Grille Grille

Source Source

Canal N Canal P

Figure 2 Symboles graphiques du transistor JFET

Contrairement aux transistors bipolaires dont le fonctionnement repose sur deux types de
porteurs les trous et les électrons, les transistors unipolaires (à effet de champ) fonctionnent
avec un seul type de charges, les trous ou les électrons [nafati-malvino].].
 2. Principe de fonctionnement ( How a JFET Works)
Le principe de fonctionnement du transistor à effet de champ est basé sur la variation
(ou modulation) du courant dans un canal semi-conducteur par l’application d’un
champ électrique transversal. Cet effet de champ est l’origine de l’appellation de ce genre
de transistors. Cette modulation de courant est due à la variation de la largeur de la zone de
déplétion qui à son tour agit sur la section conductrice du canal d’où l'action directe sur la
résistance du canal [cours ahmed louchene].
Le transistor JFET fonctionne sur le principe que la largeur du canal conducteur (et donc la
résistance) peuvent être variées en changeant la tension inverse VGS. En d'autres termes, le
courant de drain (ID) peut être contrôlé en variant VGS [Mehta Principles of Electronics ]..
Concepts fondamentaux: Le principe fonctionnement comporte des concepts fondamentaux:

2.1. Effet de champ

La circulation des porteurs dans un semi-conducteur est due à l’effet d’un champ électrique
(électrostatique) E, suite à l’application d’une tension électrique V aux bornes du semi-
conducteur (Une d.d.p : ΔV différence de potentiel).Cette d.d.p permet la création d’un champ
électrique E, qui à son tour donne naissance à une force électrique F ( qui favorise le
mouvement des porteurs et qui donne ainsi naissance à un courant électrique �. [Électronique
fondamentale 02 université de Sétif].
L'expression effet de champ concerne les zones désertées autour de chaque région p . Ces
zones viennent de la diffusion des électrons libres de la région n vers les régions p.
2.2. Polarisation inverse de la grille

Sur la figure 2, la grille de type p et la source de type n forment une diode grille source. Dans
un JFET, cette diode est toujours polarisée en inverse.
2.3. Une tension grille commande un courant drain

Le JFET est un composant à commande en tension car une tension d'entrée contrôle un
courant de sortie.
 2.1 Principe du Fonctionnement de transistor JFET (en brève):
VDS 0<VDS1<VP VDS2>VP
G

G G G
pP p P p P
S D S D S D
Canal N Canal N Canal N
VGS≤-VP VGS≤0 VGS≤0 p
p p p
G G G Pincement
Régions
de déplétion du canal
(a) Blocage (b) Région ohmique (c) Région de sturation
Figure 3. Le principe de fonctionnement du transistor JFET
Les deux jonctions PN sur les côtés forment deux couches de déplétion (zone de charge
d’espace: ZCE vide de porteurs électrons ou trous ).
La présence d’une différence de potentiels négative entre la grille et la source (soit
VGS), crée un effet électrostatique (zone de déplétion) dans le canal et confère au
transistor les propriétés suivantes :
• si Vc < VGS < 0, le canal drain - source est conducteur ;
• si VGS <Vc, le canal drain - source est bloqué.
La tension Vc est une caractéristique du transistor. Il s’agit de la tension de blocage qui, pour
un transistor canal N, est de l’ordre de - 5 V (VC=-VP).
Lorsque le transistor est conducteur, il peut présenter trois types de comportement en
fonction de la tension VDS entre le drain et la source :
• si 0 < VDS < Vp, le canal se comporte comme une résistance. Le courant de drain iD
est proportionnel à la tension VDS ; la valeur de cette résistance dépend toutefois de la
valeur de VGS ; on dit que le transistor fonctionne dans sa zone ohmique ou résistive
figure 3.34(a) ;
• si VDS>Vp (VDS >VDS(sat)), le courant ID devient quasi constant et indépendant de VDS
; on dit qu’il y a pincement du canal. Le transistor fonctionne alors dans sa zone linéaire car
les variations de ID sont proportionnelles à VGS [Grandjon] .
2.2. Interprétation Fonctionnement de transistor JFET
Pour comprendre le fonctionnement détaillé d'un JFET, nous nous référons à la Figure 4.

(+VDS) (++VDS) (+++VDS)

G G G
pP p P p P
S D S D S D
Canal N Canal N Canal N
ID ID p ID
p p p
VGS=0 G VGS0 VGS=0 G
G

ID ID ID

Région
Région Changement de saturation
Ohmique de la résistance
VDS VDS VDS
VP
(a) Région ohmique (b) Région de coude (c) Région de saturation
Figure 4: Interprétation du fonctionnement; les régions de l’espace de charge et les
caractéristique courant- tension (pour une tension de grille zéro) en fonction de
l’augmentation la tension drain source
Fonctionnement . Interprétation
Région Ohmique : Figure 4 (a),  la jonction PN entre la grille et le canal devient
(0 < VDS < Vp plus polarisée en inverse
 et la largeur de la région de déplétion augmente,
 ainsi rétrécissant le canal.

Région de Coude : : Figure 4  La zone de charge d’espace s'élargit près de la

(b), borne de drain,
 la valeur du courant drain résulte de deux
phénomènes compétitifs :
 une croissance liée au caractère ohmique du canal
 et une diminution liée au pincement progressif de
ce canal.

Région de saturation Figure 4  la polarisation inverse augmentera jusqu'au point

(c), où le canal est pincé.
VDS > Vp  toute augmentation supplémentaire de VDS
n'entraînera pas d'augmentation appréciable du
courant de drain (courant reste constant)

le blocage Le JFET restera en blocage jusqu'à ce que la tension grille-

VDS=VGS=0 (VGS<VC) source dépasse un seuil ou une tension de pincement, -VP .
Remarque : Le fonctionnement du JFET canal p est identique au JFET canal n mais avec un
courant de trous Id dirigé de la source vers le drain (VDS<0 et VGS>0).
2.3. Illustration du principe du fonctionnement (Etude expérimentale) :
Le comportement (principe de fonctionnement) qui vient d'être décrit peut également être
visualisé dans les courbes caractéristiques JFET de la figure 6.
Comment obtenir ces courbes caractéristiques JFET ?
Pour illustrer le fonctionnement du Transistor JFET soit le montage suivant :
RD RD RD

D D D

+ VDS +
VDS
G P S G G P S
P N P N P S - P N -

VGS=0 - VGS -
D D
+ +
S S S

Premier cas VDS = VGS=0 Deuxième cas VDS >0 et VGS=0 Troisième cas VDS >0 et VGS<0

Figure 5. Illustration du principe de fonctionnement d’un transistor à effet de champ

On procède au relevé des caractéristiques en utilisant le montage précédent.
Caractéristique de sortie
ID
Zone
Ohmique Zone de saturation (zone active)
VGS0 =0V
IDSS

VGS1=-1V

VGS2=-2V

VGS3=-3V

VGS4=-4V
VP
VDS (V)
VGS5=VGSoff -5V
0 5 10 15
VP+ VGS1

Figure 6 les courbes caractéristique du drain ID=f(VDS)

3. Réseaux de caractéristiques
Le réseau de caractéristiques d'un transistor à effet de champ (canal N) est donné par le
constructeur, On peut distinguer deux types de réseaux (et la caractéristique de d’entrée):
3.1. Caractéristique d’entrée :
Les transistors JFET doivent uniquement être utilisés avec des tensions VGS négatives et
inférieures à la tension de claquage inverse. La caractéristique d’entrée est celle d’une
diode polarisée en inverse. On a donc toujours : IG =0.
IG

Jonction polarisée
en directe
Claquage IG=0

Seuil VGS
Jonction polarisée
en inverse

Figure 7 courbes caractéristiques du courant IG en fonction de VGS

3.2. La caractéristique de transfert (floyd) ou Courbes de transconductance

La caractéristique de transfert (courbe de la transconductance) d'un JFET est la courbe du

courant ID en fonction de la tension Vgs [malvino]. La transconductance est indiqué dans les
fiches techniques sous la forme gm ou yfs. Généralement, Tout JFET (tous les types de FET)
possède une caractéristique de transfert semblable à celle de la figure 8. Les points extrêmes
sont VGS(off) et 1DSS. [Malvino] :
 ID
Caractéristique de Transfert
IDSS
(Ou de transconductance)

Vous pouvez imaginer: une tension a l’entrée (VGS) est

transférée à la sortie, sous forme de courant (ID).
Préfixe: trans est ajoutée au mot conductance pour
former transconductance

VGS(V)
-VP -4 -3 -2 -1 0

Figure 8. Caractéristique de transfert ou courbe de la transconductance

L'équation de la courbe de la transconductance :
La courbe caractéristique Ids = f(VGS) est non linéaire d'allure parabolique.
L'équation de cette courbe est l'équation de William Shockley [robert boylestad] :
(1) (JFET composants à loi quadratique).
IDSS: le courant ID à VGS=0 et VGSoff la tension grille-source au blocage
Paramètre des FET (cours microélectronique de Angel Diez et boylstad)
Transconductance:
La transconductance mutuelle gm est définie par :

demonstration: on montre que :

(1)
Si avec
(2)
(3)
(4) avec
g0 :transconductance à Vgs=0 (g0 corespondt la ponte maximale)
(5)
Impédance d’entrée: Zi=∞Ω (ig=0)
Impédance de sortie:
Avec yos =admittance selon les spécifications du FET (datasheet)
Avec
Remarque:
L’équation de William Shockley peut être éxprimée comme suite:

Si avec
IDSS : le courant ID à VGS=0 et VGSoff la tension grille-source au blocage
Vp : tension de pincement.

Par fois : ou bien

Puisque
3.3. Caractéristique de sortie: (VGS Contrôle ID)

La caractéristique de sortie c'est le réseau de caractéristique IDS=f(VDS) pour des valeurs de

tension VGS données. La figure 9(a) montre un JFET à grille à la source (VGS=0) et La figure
10(b) montre un JFET normalement polarisé (VGS<0); la tension grille-source VGS est
identique à la tension d'alimentation grille VGG (Comme VGS est réglé sur des valeurs de plus
en plus négatives en ajustant VGG), la tension drain-source VDS est identique à la tension
d'alimentation drain VDD [Malvino].
ID

Région de coude
(Augmentation de la résistance)

RD
B VGS =0V
C
IDSS

+
G VDD
VDS
- Région active Région de
VGS=0 (Région de saturation) Claquage
Courant constant
S

Région
Ohmique

0
VDS
A
VP (tension de pincement)

(a) Polarisation avec grille à la source

Caractéristique de sortie
ID
Zone
Ohmique Zone de saturation (zone active)
RD VGS0 =0V
IDSS

D
VGS1=-1V
+
G VDD
VDS
-
VGS VGS2=-2V
-
S
VGG
+ VGS3=-3V

VGS4=-4V
VP VGS5=VGSoff -5V
0 5 10 15 VDS (V)
VP+ VGS1
(b) Polarisation normale avec tension grille- source négative

Figure 9.famille des courbes caractéristique du drain

L’équation de la zone de saturation :
Lorsque la tension VDS dépasse la tension de pincement VP, l’évolution du courant ID est
donnée par l’équation suivante [naffati introduction électronique analogique] : (La relation
entre ID et VGS est définie par l'équation de Shockley):

(1) ou bien par (2)

Vp: la tension de pincement

VGSoff la tension grille-source au blocage
Idss le courant de drain à VGS=0, à tension grille-source en court-circuit (Shorted Gate
Source).
VGSoff la tension grille-source au blocage.
Zones de fonctionnement du transistor JEFT
Dans le réseau des caractéristiques de sortie ID = f(VDS), on observe quatre zones différentes
de fonctionnement comme le montre le graphique de la Figure 9(b).
On distingue

1. Zone ohmique- Lorsque VDS est augmenté à partir de 0 V, ID augmentera

proportionnellement, Entre les points A et B. Dans cette zone, la résistance du canal est
essentiellement constante car l'épuisement la région de déplétion pas assez large pour avoir un
effet significatif. C'est ce qu'on appelle la région ohmique car VDS et ID sont liés par la loi
d'Ohm.
*Au point B (le pincement), la courbe se stabilise et entre dans la région active où l'ID devient
essentiellement constant.
Le point de pincement: Le courant augmente d'abord rapidement, puis devient presque
constant quand VDS est supérieur à la tension Vp. la tension de pincement sépare deux zones
de fonctionnement fondamentales du JFET.
Quand il fonctionne dans la région ohmique, le JFET est équivalent à une résistance dont la
valeur est approximativement :
2. Zone active (de saturation) : Lorsque VDS augmente du point B au point C (le point de
claquage), la tension de polarisation inverse de la grille au drain (V GD) produit une région de
déplétion suffisamment large pour compenser l'augmentation de VDS, maintenant ainsi ID
relativement constant.

La région active du JFET se situe entre les tensions Vp et V DS(max) ; la tension inférieure Vp
est appelée tension de pincement et la tension supérieure T'DS(max) est la tension de
claquage. Entre le pincement et le claquage, le JFET se comporte comme une source de
courant de valeur IDss lorsque VGS = 0.

Pourquoi le courant drain est-il devenu constant ?

Lorsque la tension VDS augmente, les zones désertées s'élargissent. Quand VDS =Vp (Le
point de pincement), elles se touchent presque, le mince canal conducteur se pince ou
empêche tout accroissement ultérieur du courant. C'est pour cela que le courant drain présente
une limite supérieure IDSS.
.Le courant drain maximal :
Idss représente le courant entre le drain et la source lorsque la grille est reliée à la source
(grille court-circuitée); c'est le courant maximal que le JFET peut produire.

3. Zone du coude :
La largeur de la zone isolante est également influencée par la tension entre le drain et la
source. Quand VDS augmente, la valeur du courant drain résulte de deux phénomènes
compétitifs : une croissance liée au caractère ohmique du canal et une diminution liée au
pincement progressif de ce canal.

4. Zone d'avalanche :
Elle résulte d'un claquage inverse de la jonction drain-grille. Ce claquage est destructeur du
dispositif si rien ne limite le courant drain.
Claquage. Lorsque la tension drain-source est augmentée au-dessus d'une tension de
claquage, VB, le courant de drain augmentera très rapidement en raison de la conduction par
avalanche, entraînant une génération de chaleur excessive et la destruction du dispositif. Il
s'agit de la région de claquage du JFET [Principles and applications of Electrical
Engineering].

La tension grille de blocage : La courbe du bas est importante, la tension VGS= - 4 V réduit
le courant à presque zéro. Cette valeur de la tension est appelée tension grille de fermeture du
canal (tension de blocage) et elle est notée VGS(off) dans les notices techniques.
 4. étude statique du transistor JFET
4.1. Définitions:
1. Polarisation : Polariser un transistor revient à imposer les valeurs statiques des
coordonnées du point de fonctionnement Q(VDSQ, IDQ) suivant le mode de fonctionnement
dynamique désiré du montage à transistors.
2. La droite de charge : la droite de charge est une ligne entre ces deux points
fonctionnement de transistor, le courant drain de saturation ou à la tension de blocage fournit
la droite de charge [malvino].
3. Le point de fonctionnement: étant un point fixe sur les caractéristiques (sur la droite de
charge) en régime continu, il est également appelé quiescent point ou point de repos [robert
boylestad]. il est noté Q (quiescent point).
Le point de fonctionnement à l’entrée doit satisfaire à la fois l’équation du transistor et
l’équation du circuit d’entrée ce qui nous permet de placer ce point à l’intersection des deux
caractéristique s[naffati]. L’intersection de de la droite de charge avec la caractéristique de
sortie pour le donne le point de fonctionnement en sortie.
4.2. Types de polarisation
Un JFET peut être polarisé en zone ohmique ou en zone active. Dans le premier cas, il est
équivalent à une résistance. Dans le second, il se comporte comme une source de courant.
[malvino]. Nous allons donner, dans ce qui suit, quelques circuits de polarisation parmi les
plus rencontrés en pratique [cours louchene].
4.2.1. Polarisation par une tension de grille nulle:
Les JFET sont souvent polarisés dans la région ohmique en utilisant une tension de grille
nulle [thomas floyd]. Pour polariser un JFET dans la région ohmique par une tension de grille
nulle, la droite de charge statique doit intersecté la courbe caractéristique dans la région
ohmique dans un point de fonctionnement spécial correspondante au courant de saturation
IDSS et à la tenions grille source nulle [cours louchen].
ID
ID saturation

Q(VDS0,ID0)

VGS0 =0V
VDD IDSS

RD
VGS1=-1V
ID
D
IG VGS2=-2V

VGS S VGS3=-3V
RG
VGS4=-4V
VGS(V) VDS0
VDS (V)
VGS5=VGSoff -5V
-VP -4 -3 -2 -1 VDS blocage

Figure 12 Polarisation par une tension de grille nulle; Figure 13 le point de fonctionnement
La droite de charge et le point de fonctionnement
Maille d’entrée :

(1) la Droite d’attaque (de commande)

Maille de sortie:
(2) Droite de charge
Le choix de RD doit être basé sur la condition ID de saturation est supérieur à IDSS qui un
paramètre interne du transistor JFET.
Equation de transconductance :
(3)
Les équations en régime statique déterminent le point de fonctionnement [latorre] :
L'intersection des deux courbes d’attaque et de transconductance donne le point de
polarisation donc comme on peut le constater sur la figure 13. donc le point de
fonctionnement dans le coté d’attaque Q(VGS0,IDSS) avec VGS0=0
4.2.2 La polarisation simple: Polarisation par une tension
La polarisation par la grille est Le plus simple des montages de polarisation pour le JFET à
canal n apparaît sur la Fig. 14. Connue sous le nom de montage de polarisation fixe, c'est l'une
des rares configurations FET qui peut être résolue aussi directement en utilisant une approche
mathématique ou graphique [Boylestad].
La figure 14 présente un circuit de polarisation basique à l’aide d’une simple résistance de
drain (avec résistance RG ou sans la résistance RG). On notera que le courant de grille, très
faible, est la plupart du temps négligé [grandjon ].

VDD VDD ID
VGS0 =0V
IDSS

RD RD

ID ID VDD/RD VGS1=-1V
D D
IG IG
VGS2=-2V
S S ID0 Q(VDS0,ID0)
Q(VGS0,ID0)
RG VGS RG VGS Le point de fonctionnement
VGS3=-3V

- VGG=V0 - VGG=V0 VGS4=-4V

+ +
VGS(V) VGS0=-V0 VGS5=VGSoff -5V
(a) (b) -VP -4 -3 -2 -1 VDD VDS (V)
VDS0

Figure 14.Polarisation par une tension Figure 15.point de fonctionnement :

(a) avec résistance RG (b) sans la résistance RG
La figure 14 montre une polarisation par la grille. On applique une tension négative -VGG sur
la grille par l'intermédiaire d'une résistance RG Elle provoque un courant drain inférieur à IDSS;
lorsque ce courant traverse la résistance RD, il donne une tension drain source telle que
[Malvino]:

Principe de polarisation inverse de la diode grille source:

Dans un JFET, la grille de type p et la source de type n forment une diode grille source. Cette
diode est toujours polarisée en inverse. Le courant qui circule dans la grille d’un transistor à
effet de champ est pratiquement nul.

La droite de charge et point de fonctionnent (Exemple d’application 2:)

Maille d’entrée (attaque):

Or
(1) Droite d’attaque (de commande)
Maille de sortie:
Cette équation correspond à la droite de charge [grandJon, cours de louchene et Boylsted] :
(2) Droite de charge
Equation de transconductance:
(3)
Puisque VGG est une alimentation en courant continu constante, la tension VGS est
d'amplitude fixe, ce qui donne la désignation configuration de polarisation fixe. Le niveau
résultant de courant de drain ID est maintenant contrôlé par l'équation de Schokeley[bolysted]
Remarque
Si on souhaite effectivement polariser le JFET dans sa zone linéaire, on choisira la résistance
de drain de sorte que ce point soit tel que VDS > Vp [grandjon]
4.2.3. Polarisation automatique
La figure 16 montre une polarisation automatique (autopolarisation) ou polarisation
économique [malvino] comme pour les transistors bipolaires. Ce montage d'autopolarisation
élimine le besoin de deux alimentations en courant continue [boyelstad]. La polarisation
automatique est une polarisation en région active. La tension de commande grille-source est
maintenant déterminée par la tension aux bornes d'une résistance RS introduite dans la
branche source du montage, comme illustré à la Figue 15.

ID
VDD VDD/(RD +RS)
VGS0 =0V
IDSS
RD
ID= (VDD –VDS)/(RD +RS)
ID
D VGS1=-1V
IG ID= -VGS /RS
Q(VDS0,ID0)

VGS S Le point de fonctionnement

Q(VGS0,ID0) VGS2=-2V
RG RS

VGS3=-3V

VGS4=-4V
VGS(V) VGS5=VGSoff -5V
-VP -4 -3 -2 -1 5 10 VDD 15 VDS (V)
VDS0

Figure 15 Polarisation automatique Figure 16. Droite de charge et point de fonctionnement

du Polarisation automatique

Étude statique de polarisation automatique

Principe de la grille isolée :

La résistance de la grille RG sert uniquement pour mettre le potentiel de la grille à la masse et

d’éviter les charges électrostatiques. Sa valeur est élevée afin de garder une résistance
d’entrée du montage élevée [naffati].
Le courant qui circule dans la grille d’un transistor à effet de champ est pratiquement nul. Le
potentiel de la grille est donc zéro volt.
Avec l'approximation qui est toujours vérifiée :

Droite de charge
Nous commençons par écrire la droite de charge qui représente le lieu du point de
fonctionnement [cours louchene].
Méthode 1 :
Un courant drain traverse la résistance de source, donc une tension apparaît entre la source et
la masse, donnée par [malvinou]:
Puisque VG est nulle :
Méthode 2:
Maille 2:

(1) c’est la droite de charge statique

Maille 1: En appliquant la loi des mailles à l'entrée on a :

Or a cause de et

Ce résultat montre que la tension grille-source est négative, produisant la polarisation inverse
requise [BOYSTAD 2013].

(2) c’est la droite d’attaque

Point de fonctionnement statique:

L'intersection des deux courbes d’attaque et de transconductance et

Donne le point de polarisation donc comme on peut le constater sur la

figure 17

Remarque:
Bien que l'auto-polarisation soit satisfaisante pour de nombreuses applications, le point de
fonctionnement dépend de la courbe de transconductance comme vous l'avez vu [BOYSTAD
2013].
Influence de la résistance RS et sur le point du fonctionnement Q.
ID
RS petite IDSS
VDD

RD

ID
D
IG RS moyenne

S Q
VGS
RG RS

RS grande

VGS(off VGS(off)/2
-VGS(V) VGS(V)

Figure 17. L’influence de la résistance RS et sur le point du fonctionnement Q.

La figure 17 illustre l’effet de différentes valeurs de la résistance de source.
*.Le montage crée sa propre polarisation on utilisant la tension aux bornes de RS pour
polariser en inverse la grille.
* Une approximation RS≈rds (résistance propre du jfet)
* Rs moyenne pour laquelle la tension grille source est de l’ordre de moitie de la tension de
blocage VGS(off)[malvino].
4.2.4: La polarisation par diviseur de tension:
La polarisation par pont de grille (ou par pont de résistances) est analogue à la polarisation
par pont de base des transistors bipolaires. La polarisation par diviseur de tension est une
polarisation en région active. La polarisation peut être rendue plus stable avec l'ajout d'un
diviseur de tension sur la grille du circuit, forçant la grille à une tension positive [boylstad].
Dans ce mode de polarisation, c'est la tension VR2 qui va fixer la tension VGS. Puisque IG=0,
VR2 est déduite d'un simple diviseur de tension [ref120 maxi fiche]. Le diviseur fournit une
tension grille VG qui est une fraction de la tension de l'alimentation, comme le montre la Fig.

18 [Malvino] :

ID
VDD/(RD +RS)
VGS0 =0V
VDD VDD IDSS

ID= (VDD –VDS)/(RD +RS)

R1 RD
VGS1=-1V
ID
D Q(VDS0,ID0)
IG VGS = -RS*ID +VR2
Le point de fonctionnement
Q(ID0, VGS0) VGS2=-2V
VGS S

R2
VGS3=-3V

x0 VGS4=-4V
VGS(V) VGS5=VGSoff -5V
-VP -4 -3 -2 -1 y0 5 10 VDD 15
VDS0 VDS (V)
Figure 18. Polarisation par pont diviseur ; Figure 19 Droite de charge et point de
fonctionnement du Polarisation par diviseur de tension
Comme le JFET doit toujours fonctionner avec une polarisation grille-source négative, une
résistance de source plus grande est utilisée que dans une auto-polarisation normale[thomas
Floyd 2013]. La tension de la source doit être égale ou supérieure à la tension de la grille.
La droite de charge :
Maille 2:

(1) c’est la droite de charge statique

Droite d’attaque
Dans ce mode de polarisation, c'est la tension VR2qui va fixer la tension VGS· Puisque IG≈0,
VR2 est déduite d'un simple diviseur de tension [ref maxi].

Maille 1 : (maille d’entrée): on applique la loi des mailles:

et

C‘est la droite d’attaque

Deux points

Remarque : Le circuit est conçu de manière à ce que ID*RS soit supérieur à VR2 afin que VGS
soit négatif. Cela fournit une tension de polarisation correcte [mahta rohit].

l’avantage de la par diviseur de tension:

La polarisation par diviseur de tension, est souhaitable car elle stabilise davantage le circuit,
compte tenu de la disparité des caractéristiques des JFET [électronique fondamentale et
applications].
4.2.5. Polarisation par une source de courant
Cette forme de polarisation est largement utilisée dans les circuits intégrés mais nécessite un
transistor supplémentaire. Un transistor agit comme une source de courant pour forcer le
courant ID à rester constant, créant une forme de polarisation très stable. La polarisation par
une source de courant peut également améliorer le gain (comme vous le verrez plus tard)
[BOYSTAD 2013].
Dans ce cas de polarisation le courant de polarisation ID est fixé par le choix du courant
électromoteur d'une source de courant placée au niveau de la source, comme il est illustré sur
la figure 20[cours de lochene].

VDD

RD

ID
D
IG

VGS S

RG I0

Figure 20 polarisations avec une source de courant

Le point fonctionnement :
ID = IO fixe VGS = VGSO à partir de l’équation parabolique (1):

La droite de charge:
L’équation E = Rd Id + VDS - VGS permet ici d’avoir une relation directe entre VGS et VDS
[latorre].
VDD ID

RD IDSS

ID
D
Droite de charge en sortie
C
IG Droite d’entrée
G
ID0 constante Q(VDS0,ID0)
VS Q(VGS0,ID0) ID0
VGS S
eg I0
~ RG
CS

VGS(V) VDS (V)

-VP VGS0= -V0

Figure 21 polarisations avec une source de courant, Droite de charge et point de

fonctionnement
Structure interne de la source de courant
La polarisation de la source de courant est une méthode pour augmenter la stabilité du point Q
d'un JFET auto-polarisé en rendant le courant de drain essentiellement indépendant de VGS.
Ceci est accompli en utilisant une source de courant constant en série avec la source JFET,
comme illustré à la Figure 8–29(a). Dans ce circuit, un BJT agit comme source de courant
constant car son courant d'émetteur est essentiellement constant si [floyd2012] :
+VDD

RD

ID
D
IG G

S
IC
RG C
B

IE E
RS

Figure 22 Polarisation par source de courant

Calcul de la valeur du courant id
Quand la tension de l’alimentation de drain n'est pas assez forte, il n'y a pas assez de tension
sur la grille pour masquer les variations de VGS Dans ce cas, le concepteur préfère utiliser
une polarisation par source de courant (figure Il .18a). Dans ce montage, le transistor
bipolaire injecte un courant donné dans le JFET. La valeur du courant drain s'exprime par
[malvino]:

Puisque
4.2.6. Polarisation à deux sources de tension
La figure Il .17 montre une polarisation à deux sources de tension [Malvino].
+VDD

RD

ID
D
IG

VGS S

RG RS

-VSS
Figure 23 Polarisation à deux sources de tension
La valeur du courant drain est donnée par :
 5. étude dynamique du transistor JFET
(En régime dynamique)
1. Grandeurs caractéristiques du transistor JFET:
Dans la zone de pincement (saturation) d’un transistor à effet de champ, on définit la
transconductance ou pente gm et La résistance drain - source rds :
1. la transconductance ou la pente gm:
Par définition, la pente est [naffati] :
2. La résistance drain-source rds (résistance dynamique de sortie):
Par définition, cette résistance est donnée par [naffati]:
C’est l’inverse de la pente des caractéristiques ID = f (VDS)|VGS constant.
C’est donc une résistance dynamique, autrement dit la résistance du canal pincé à une
composante alternative, id du courant du drain.
La conductance drain-source est définit par
3. facteur d’Amplification ( μ ): C'est le rapport entre la variation de la tension drain-source
(ΔVDS) et la variation de la tension grille-source (ΔVGS) à courant de drain constant, c'est-à-
dire[]:

avec (s’appelé aussi gfs)

Sur les fiches techniques, gm est fourni sous la forme yfs où y indique qu'il fait partie d'un
circuit équivalent d'admittance.
4. Impédance d'entrée Zi du JFet
L'impédance d'entrée de tous les JFET disponibles dans le commerce est suffisamment grande
pour supposer que les bornes d'entrée se rapprochent d'un circuit ouvert. Sous forme
d'équation [boylstad]: ∞Ω

ID ID
IDSS VGS1=0V
Point Q

Point Q ∆ID IDQ

IDQ ∆VDS VGS2=-1V

∆IDS
∆VGS
VGS3=-2V

VGS(V) VDS (V)

-VP VGSQ 0 0 VDSQ

Figure 24. Définition de gm et rd utilisant les courbe la courbe caractéristique du tranistor

2. Schéma équivalent du JFET en dynamique :

Maintenant les paramètres importants d'un circuit équivalent à courant alternatif ont été
introduits et discutés un modèle pour le transistor JFET dans le domaine alternatif peut être
construit car Le transistor à effet de champ a vocation à participer à des montages
(amplificateur) dans lesquels ses propriétés de fonctionnement linéaire seront exploitées.
Pour les petits signaux le transistor à effet de champ peut être remplacé dans le cas du
régime alternatif (dynamique) par son schéma équivalent.
D'après les courbes caractéristiques et l'équation de shokley, nous remarquons que te
transistor JFET est un composant non linéaire. L'analyse AC d'une configuration JFET
nécessite le développement d'un modèle AC à petit signal pour le JFET. Un composant
majeur du modèle alternatif reflétera le fait qu'une tension alternative appliquée aux bornes
d'entrée grille-source contrôlera le niveau de courant du drain à la source [boylstad].
Interprétation graphique du modèle :
En régime faible signaux autour d'un point de repos situé dans la zone linéaire des
caractéristiques de sortie (figure 23). Nous pouvons proposer un modèle électrique linéaire
(modèle de Norton) décrit par la figure 23 [ali gharsalleha] . La commande de Id par Vgs
est inclus sous la forme d'une source de courant gmVgs connectée de drain à source,
comme illustré à la Fig. 23
Si le transistor est polarisé dans sa zone linéaire et si on superpose un signal variable vGS à la
tension de polarisation continue VGS (théorème de superposition), des variations iD et vDS
apparaîtront autour des valeurs continues ID et VDS [grandjon].
On a :

a: la pente de la courbe et b=gmVGS

Dans cette expression, gm (ou s) correspond à la pente dynamique du transistor, encore
appelée transconductance et qui, et rds (p) représente la résistance dynamique de sortie du
transistor,
Le point
de fonctionnement
ID VGS1=-1V
Zone de saturation
∆iD Pente=∆iD/∆VDS
iD0 Q =1/rds
IG=0 ID
G D
saturation

VGS gm.VGS VDS

rd

S
VDS (V)

VDSQ ∆VDS

Figure 25.modéle équivalent du JFET en dynamique : (a) Interprétation graphique; (b)

Schéma équivalent
Remarque: schéma équivalent (modèle de Thévenin et modèle de Norton)
[Mohemed rachid]
IG=0 ID IG=0 ID
G D G D
rd
VGS gm.VGS VDS VGS +
rd VGS VDS
-
S S
Modèle équivalent de Norton Modèle équivalent de Thevenin
Figure 26. modèle de Thévenin et modèle de Norton du JFET
gain en tension du circuit ouvert ou facteur d’amplification
2. Montages amplificateur à JFET]
1. Amplificateurs à source commune:
II.2.1 Source commune avec RS découplée :
Le schéma de la figure ci-dessus représente un montage amplificateur à source commune avec RS
découplée. On va considérer un transistor JFET à canal N, il faut donc que VGS soit alimentée
négativement
Etude statique :
1) Quelle est le type de polarisation de ce montage?
2)- Ecrire l’équation de la droite de charge statique du transistor =f( ).
3)- Quelle est la condition qui doit vérifier le courant pour assurer un point de fonctionnement centré
au milieu de la droite de charge statique. Pourquoi le point Q est choisi au milieu de la droite de charge
statique
4)- Tracer la droite de charge statique et déduire les coordonnées du point de fonctionnement au milieu
de la droite de charge statique
Etude dynamique:
5. Déduire l’équation la droite de charge dynamique et le point de fonctionnement dynamique.
6). Donner le modèle équivalent du montage en dynamique.
7)-Déterminer les expressions du gain en tension, de l’impédance d’entrée et de l’impédance de sortie
de ce montage.
VDD

RD

Rg D C2
C1 G

S RL
RG
eg
~ RS C3

Figure 27 montage source commune avec RS non découplé VDD

Etude statique: RD

1. le type de polarisation : Polarisation par une tension de grille nulle.

Figure 28. Schéma du montage
en statique
D
2. La droite de charge statique: G

S
Maille 2:
RG

(1.12) c’est la droite de charge statique RS

3. Le point de fonctionnement (repos) en régime statique:

Le point de repos est défini par abscisse VDSQ et une coordonnée IDQ.
Si le point Q est au milieu de la droite de charge statique (figure 26),
Ce point doit vérifier la condition la suivante:

Pour avoir à la sortie la plus grande dynamique possible (pas de distorsion) le point de
fonctionnement Q doit être choisi au milieu de la droite de charge statique.
4. le tracé de la droite de charge statique :
ID
IDSsat =VDD/(RD+ RS)

Droite de charge statique

Q(VDS0,ID0)

IDQ=VDD/2(RD+ RS)

VDS (V)
0 VDSQ=VDD/2 VDSQ blocage=VDD
 Figure 29. Droite de charge statique

Etude dynamique:

Après l'étude du circuit équivalent en continu, l'étape suivante est la détermination du circuit
équivalent en alternatif (AC). C'est le circuit qui reste après avoir mentalement court-circuité
toutes les capacités et les sources de tension DC. Le transistor est alors remplacé, par le
modèle équivalent [malvino].

Pour faire l’étude dynamique ou en l’alternatif. Pour cela on va utiliser le même schéma que
celui de la figure 27. Dans ce montage à source commune, La tension Ve est la tension
d’entrée à la grille et la tension Vs est la tension de sortie du drain. Quand une tension
sinusoïdale est appliquée sur la base d'un transistor, il y a apparition d'une tension sinusoïdale
sur la jonction émetteur-base, qui se traduit par une variation sinusoïdale de la tension VBE.

VDD

RD

Rg D C2
C1 G

S RL
RG
eg
~ RS C3

Figure 30 montage source commune avec RS non découplé en alternatif

id is

D
ie G
Rg S vs
RD RL
RG
eg ve
~

Figure 27. Montage source commune en alternatif avec les capacité court-circuitées et VDD
mise à la masse

5. Droite de charge dynamique

a)Un changement de variable important

Pour tracer la droite de charge dynamique(ou en alternatif); d’abord il faut faire un petit
changement de variable très important puisque la tension totale (et le courant totale) possède
une composante DC et une composante AC (la superposition de la statique et de la
dynamique).

On va supposer que le courant instantané ID(t) et la tension instantanée VDS(t) varient au cours
du temps par rapport aux points de repos choisis IDQ et VDSQ d’une certaines quantités ∆ID=id
et ∆VDS=vds,
Donc le courant total et la tension la tension totale sont :

1.15
On peut déduire les variations de courant te de tension en dynamique :

1.16 avec id(t) le courant et la tension vds(t) en dynamique

b) Droite de charge dynamique

De la même manière que précédemment (étude statique) on applique la des mailes à l’entrée
(maille1) et a la maille de sortie (maille II) dans la figure 27.
On pose:
Maille 1:
(1.18)
Maille 1I:

Or on voit dans la figure 27 que Vs est prise entre le drain et la source, donc:
(1.19)
Donc de (1.18) et (1.19) on obtient :
(1.20)
Maintenant on remplace id et vds par leurs expressions de l’équation (16), on obtient:

On tire le courant instantané ID, on obtient :

c’est la droite de charge dynamique
Cette droite de charge dynamique doit passer par le point de fonctionnement statique Q du
montage.
Donc c’est encore une droite de forme y=ax+b avec cette fois :

Pour tracer la droite de charge dynamique on a besoin de deux points comme illustre la figure
28:Le calcul des deux points de saturation et de blocage en dynamique est comme suit :

ID

IDQ +VDSQ/rdL
IDSsat =VDD/(RD+ RS) Droite de charge dynamique

Q(VDS0,ID0)

Droite de charge statique

IDQ=VDD/2(RD+ RS)

VDSQ blocage=VDD
0 VDS (V)
VDSQ=VDD/2 VDSQ +rdLIDQ

Figure. 28 Le tracé des droites de charge statique et dynamique

Par conséquent, le point clé à garder à l'esprit est que le point de fonctionnement Q est le
point d'intersection de droite de charge statique (D.C.) et dynamique (A.C)[ref4 V.K mehta].
Le signal de sortie d'un circuit amplificateur à transistor dépend du point Q dans les
caractéristiques de sortie. Lorsque le point Q est situé au centre de la droite de charge DC, le
circuit amplificateur à transistor fonctionne dans une zone linéaire et le signal non déformé
sera émis par l'amplificateur [ref12 Soumitra Kumar].
6. le modèle équivalent du montage en dynamique.
Pour déterminer le circuit équivalent en alternatif, il faut :
1) court-circuiter tous les condensateurs de découplage ;
2) représenter toutes les sources de tension DC comme des masses AC ;
3) remplacer le transistor par son modèle équivalent;
4) dessiner le schéma équivalent en alternatif du circuit.
Le circuit est redessiné dans La figure 27 on a retourné uniquement R D pour voir plus clair RS à été
court-circuitée par le condensateur C3.- la tension continue VDD est mise a la masse-et toutes les
capacités se comporte comme des cours circuits.
ie G id D is

Rg i1 i2 i3
gm.VGS
vs
~ eg ve RG rd RD RL

S
Le schéma équivalent dynamique est représenté dans la figure (Fig.I.23)
7. Paramètres de l’amplificateur à source commune :
a. Calcul du gain en tension Gv:[cours de louchene boylstad 7]

(Très grand)
Relation de phase : Le signe négatif dans l'équation résultante pour Av révèle clairement un
déphasage de 180° entre les tensions d'entrée et de sortie.
b. impedance d’entrée Ze :

Puisque donc

L'impédance d'entrée est passée d'une valeur infinie à la valeur RG.

c. impédance de sortie Zs :
Comme nous l'avons déjà mentionné dans les paragraphes précédents, l'impédance de sortie
d'un montage correspond à l'impédance du générateur de Thévenin vu par la charge [ahmed
louchene]:

et ;
avec

If the resistance rd is sufficiently large (at least 10_1) compared to RD, the approximation
can often be applied [bolystad

d. Calcul du gain en courant Gi

(1)

(2) Principe de diviseur de courant

(3) et (4)
II.2.2 Source commune avec RS non découplée (voir exercice n3 td ):
Le schéma de la figure ci-dessus représente un montage amplificateur à source commune avec RS non
découplée.
.Etude dynamique:
1). Donner le modèle équivalent du montage en dynamique.
2)-Déterminer les expressions du gain en tension, de l’impédance d’entrée et de l’impédance de sortie
de ce montage.
VDD

RD

Rg D C2
C1 G

S RL
RG
eg
~ RS

Figure 25 montage source commune avec RS non découplé

Etude dynamique:
1) Schéma équivalent du circuit

ie G D id is

Rg i1 i2 i3
ve gm.VGS rd
RG vs
S RD
~ eg RL

RS

Fig. 26 Schéma équivalent du circuit figure 24 en régime dynamique

2) les expressions des paramètres de l’ampliateur :

a. Calcul du gain en tension Gv:[cours de louchene boylstad 7]

(1)
(2)
(3)
(3) dans (2)
(2)

(4)
en remplaçant VS par son expression de (1) :

(5) on remplace id dans (1)

(4)

(5)
Si
Sans la résistance de charge :[boylstad]

b. impédance d’entrée Ze :
Puisque avec

c. impédance de sortie Zs :

avec
2. Amplificateur à Drain commun (ou source suiveur)

Le schéma de la figure ci-dessus représente un montage amplificateur à Drain commun.

Etude dynamique:
1). Donner le modèle équivalent du montage en dynamique.
2)-Déterminer les expressions du gain en tension, de l’impédance d’entrée et de l’impédance de sortie
de ce montage.
VDD

Rg D
C1 G

eg e(t) C2
~ RG
RS RL
s(t)

Figure 26 montage drain commun

ie G VGS S id is

Rg i1 i2 i3
ve gm.VGS
RG vs
rd RS
~ eg RL

D id

Fig. 27 Schéma équivalent du circuit figure 26 en régime dynamique

Calcul du gain en tension Gv(methode1).
(1)
(2)
(2) (3)
(1)
(5)
Le dénominateur étant toujours supérieur au numérateur, le gain en tension et toujours
inferieur à 1.
En absence de rd ou si rd ≥10RS,
(avec RL=0 à vide)
b. impédance d’entrée Ze :
Puisque avec

c. impédance de sortie Zs :

Avec
3. Amplificateurs à grille commune:

Le schéma de la figure ci-dessus représente un montage amplificateur à grille commune:

Etude dynamique:
1). Donner le modèle équivalent du montage en dynamique.
2)-Déterminer les expressions du gain en tension, de l’impédance d’entrée et de l’impédance de sortie
de ce montage.
VDD

RD

D C2
C3
G

S s(t) RL
RG

Rg C1
RS
~ eg
e(t)

Figure 28 montage grille commune

gm.VGS
ie S id id D is

Rg i1 i3
rd vs
~ eg ve RS VGS RD RL

Fig. 31 schéma équivalent du circuit figure 29 en régime dynamique

a. Calcul du gain en tension Gv (méthode2):[ref 11electronic devices and circuit Serie

Shaum] :
Par l’application de KCL (loi des nœuds)
L'application de KVL (loi des mailes) autour de la maile externe donne :

Mais et

Pour rd ≥ 10(RD// RL), le facteur RD// RL /rd peut être négligée comme une approximation
boylsted].

b.Calcul de l'impédance d'entrée Ze

(3)
On remplace la valeur de VS dans l’équation (2):
 Puisque
On remplace la valeur de id dans l’équation (1)

Si rd ≥ 10(RD// RL), l’équation (4) permet l'approximation suivante puisque RD// RL /rd
<<1 et 1/rd<<1 :.

c.Calcul de l'impédance de sortie Zs

Références bibliographiques du chapitre 1:
Ref1 Albert Paul Malvino, et David Bates, principe d’électronique,8 édition Dunod.2016.
Ref 2 Ahmed Louchene, cours d’électronique, université de batna2, département
d’électronique, 2020
Ref3 Pierre Mayé Aide-mémoire Composants électroniques, 3ed, Dunod
Ref4 V K Mehta And Rohit Mehta Mehta, Principles of Electronics
Ref5 Thomas L Floyd and David M Buchla, Analog Fundamentals
A Systems Approach; edition Pearson, 2013
Ref6 Yves Granjon, et Serge Weber, électronique tout le cours en fiches, Dunod, 2015
Ref7 Donald A.Neaman, Microelectronics: Analyse des circuits et Conception.Mc Graw
Hill,4th edition, 2010.
Ref8 Georgio Rezini, Principles and applications of Electrical Engineering
REF 9 Robert L Boylestad and Louis Nashelsky Electronic Devices and Circuit Theory 7th
Edition.2014
Ref 10 maxi fiche d’électronique
[ref 11]1electronic devices and circuit Serie Shaum] :
[Re12] Soumitra Kumar, Analog Electronic Circuits