COURS D’ELECTRONIQUE ANALOGIQUE

Electronique Analogique Pr. ZEDAK

 TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP

Electronique Analogique Pr. ZEDAK

 TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP

Il existe deux grandes familles de transistors:

Transistor bipolaire Transistor à effet de champ

NPN PNP JFET MOSFET

Canal N Canal P

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SOMMAIRE

I – ETUDE STATIQUE

II – ETUDE DYNAMIQUE

III- AMPLIFICATEURS PETIT SIGNAUX

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I – ETUDE STATIQUE DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP

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1. Présentation d’un transistor à effet de champ

1.1. Constitution d’un transistor à effet de champ à jonction
Le transistor à effet de champ à jonction, ou JFET (Junction Field Effect Transistor), est un dispositif semi-conducteur
unipolaire à trois bornes commandé en tension disponible dans des configurations à canal N et à canal P.

Un JFET à canal N est constitué d’un morceau étroit de matériau semi-conducteur à haute résistivité formant un "canal" en
silicium de type N, recouvert partiellement d’une couche en silicium de type P ce qui forme deux extrémités portant des
électrodes appelées respectivement source et drain.

JFET à canal N JFET à canal P

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Le transistor JFET fait parti de la famille des transistors à effet de champ (FET) qui fonctionne avec une jonction PN polarisée
en inverse pour contrôler le courant dans le canal. Le transistor MOSFET appartient également à cette famille.
Le transistor à effet de champ à jonction est composé de trois broches:
Source « S » : c’est l’électrode à partir de laquelle le flux de charges mobiles est émis.
Drain « D » : c’est l’électrode qui recueille le flux émis de charges libres à l’extérieur du barreau.
Grille « G » : c’est l’électrode de commande où est appliquée la tension VGS, elle permet de contrôler le flux qui traverse le
canal.
Drain

Grille

Canal
Source

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1.2. Symboles
Le symbole utilisé pour représenter un transistor à effet de champ à jonction est donné ci-dessous. Le trait qui correspond au
canal est continu. La grille et le canal forment une jonction PN ; la flèche correspondante est orientée dans le sens passant de
cette jonction. Sur les schémas, elle est parfois décalée du côté de la source.

JFET à canal N JFET à canal P

Le symbole graphique des JFET à canal P est similaire à celui d’un JFET à canal N, sauf que la flèche de la grille est orientée
dans une direction opposée. Le fonctionnement d’un canal P est complémentaire à celui d’un canal N; les tensions et les
courants sont inversés et les porteurs de charge sont des trous.

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1.3. Principe de fonctionnement du JFET à canal N

Avant polarisation (VGG=0V et VDD=0V), la mise en contact des zones N et P donne naissance à des zones de déplétion, ce qui
diminue la largeur effective du canal. Ces zones viennent de la diffusion des électrons libres de la région N vers les régions P.
En fonctionnement normal, le drain sera polarisé positivement par rapport à la source, c.à.d. on applique une d.d.p VDD > 0
entre le drain et la source. Cela a pour effet de créer un courant électrique ID dans le circuit extérieur.

La grille sera polarisée négativement par rapport à la source, ce qui polarisera en inverse la
jonction grille-canal et permet d’augmenter les zones de déplétion autour des jonctions PN.
La taille des zones de déplétion détermine la largeur du canal et donc la conduction du
courant à travers le canal.
L’application d’une d.d.p VGG permet de faire varier l’intensité du courant ID; lorsque la
tension inverse VGG est appliquée entre la grille et la source, la largeur de la zone de déplétion
augmente. Par conséquent, le courant allant de la source au drain diminue.
On dit que le JFET est un composant commandé en tension car une tension d’entrée contrôle
un courant de sortie.

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1.3. Principe de fonctionnement du JFET à canal N

La grille de type P et la source de type N forment une diode grille-source. Dans un JFET, cette diode est toujours polarisée en
inverse. De ce fait, le courant inverse ou le courant grille IG vaut approximativement zéro, ce qui revient à dire que le JFET
possède une impédance d’entrée presque infinie et ID ≈ IS.
Un JFET classique possède une impédance d’entrée de l’ordre de centaines de MΩ. C’est un énorme avantage par rapport au
transistor bipolaire. Par conséquent, le JFET est idéal pour les applications nécessitant de grandes impédances d’entrée.

a. Cas n° 1 : VGS = 0 V et VDS = 0 V

En l’absence de polarisation, deux zones de déplétion minces se créent autour des jonctions PN.

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1.3. Principe de fonctionnement du JFET à canal N

b. Cas n° 2 : VDS = 0 V et VGS < 0
Pour VGS=0, le barreau atteint sa conductance maximale. Il s’établit un courant dans le canal circulant du drain vers la source.
C’est le courant maximal IDSS.
Lorsque la tension VGS devient négative, les zones de déplétion s’élargissent et le canal conducteur se rétrécit. Plus la grille
devient « négative », plus le courant entre la source et le drain devient faible. Dans ce cas, la résistance du canal augmente.
Si VGS est suffisamment négative (VGS = VGSoff), les zones de déplétion se rejoignent et envahissent tout le canal et le courant
drain devient nul. VGSoff est la tension de blocage. Dans ce cas, la conductance du barreau tend vers 0 (impédance infinie).

D D D

G G
G

VGG VGG

S S S
VGS = 0 VGS < 0 VGS = VGSoff 11
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1.3. Principe de fonctionnement du JFET à canal N

c. Cas n° 3 : VGS = 0 V et VDS > 0
Pour VGS=0, nous augmentons VDS. Pour VDS > 0, le potentiel du drain est supérieur au potentiel de la source. La zone de
déplétion s’élargit plus du côté du drain de transistor (polarisation plus forte du côté drain).
Lorsque VDS augmente, il y aura pincement du canal au niveau du drain. Dans ce cas, la tension VDS est égale à la tension de
pincement VP.
Si VDS augmente plus et dépasse VP, il y aura étranglement du canal au niveau du drain. Le canal se rétrécit et le courant est
limité.
D D D

VDD
G VDD G G
VDD

S S S

VDS > 0 VDS = VP VDS > VP

12
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1.3. Principe de fonctionnement du JFET à canal N

d. Cas n° 4 : VGS < 0 V et VDS > 0
Pour VGS = 0 V et en variant VDS, le courant ID augmente jusqu’à ce que VDS atteigne VP. Dans ce cas, ce courant devient
constant (c’est le cas 3).
Avec VGS < 0, le même phénomène se produit lorsque VDS augmente. Cependant, la valeur non nulle de VGS augmente la
résistance dans le canal en raison de la grande zone de déplétion, et par conséquent, les valeurs de ID sont plus faibles.

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1.4. Caractéristiques du transistor à effet de champ à jonction

1.4.1. Réseau de caractéristiques de sortie ID = f(VDS) RD

La caractéristique de sortie est donnée par le réseau des courbes ID=f (VDS) à VGS constante. VGD
ID
a. Pour VGS =0 VDS VDD
On procède au relevé des caractéristiques en utilisant le montage ci-contre. VGS = 0
Au point A : lorsque la tension drain-source VDS est nulle, le canal est complètement
ouvert. Le courant drain ID = 0.
Entre A et B : pour une faible tension VDS appliquée, le barreau agit comme une simple
résistance semi-conductrice et le courant de drain augmente linéairement avec
B VGS = 0 C
l'augmentation de VDS, jusqu'au point de coude. La zone entre A et B est dite la zone IDSS = 0
ohmique du canal, car dans cette région, le JFET se comporte comme une résistance
ordinaire. Le JFET agit comme une résistance contrôlée en tension, dont la valeur est:
𝑉𝑃
𝑅𝐷𝑆 = Zone
𝐼𝐷𝑆𝑆 ohmique Zone à courant constant Claquage
A
RDS est dite la résistance ohmique du JFET.
VP (tension de pincement)

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1.4. Caractéristiques du transistor à effet de champ à jonction

1.4.1. Réseau des caractéristiques de sortie ID = f(VDS)
Au point B : la valeur de VDS à laquelle ID devient constant est la tension de pincement (Vp).
Entre B et C : au fur et à mesure que VDS augmente du point B au point C, ID devient presque constant.
Lorsque la tension VDS augmente (entre A et B), les zones de déplétion s’élargissent. Quand VDS=VP (point B), elles se touchent
presque, le mince canal conducteur se pince ou empêche tout accroissement ultérieur du courant. C’est pour cela que le courant
drain présente une limite supérieure IDSS (courant de drain à source avec grille en court-circuit).
Cette zone est dite la zone de saturation ou la zone active ou la zone à courant constant. Le JFET agit comme une source de
courant commandée en tension.

B VGS = 0 C
Au point C: le claquage se produit lorsque ID commence à augmenter avec une IDSS = 0
augmentation de VDS au-delà de VP. Dans ce cas, le JFET laisse passer un courant
maximal incontrôlé.
La zone au-delà de C est dite la zone de claquage, elle résulte d'un claquage inverse
Zone
de la jonction drain-grille. Ce claquage est destructeur du dispositif si rien ne limite le ohmique
Zone à courant constant Claquage
courant drain. A

VP (tension de pincement)
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1.4. Caractéristiques du transistor à effet de champ à jonction

1.4.1. Réseau des caractéristiques de sortie ID = f(VDS)
b. Avec polarisation externe (en variant VGS)
A mesure que VGS devient plus négative par l'ajustement de VGG, une famille de courbes caractéristiques de drain est produite.
Lorsque VGG devient plus négative, la largeur des zones de déplétion augmente, cela réduit la conduction et la largeur du canal
jusqu'à ce qu'aucun courant ne circule dans le canal. Dans cette condition, le JFET est dit "pincé". A VGSoff, le canal du JFET se
ferme et ID = 0. Le JFET agit comme un circuit ouvert car la résistance du canal est au maximum. C’est la zone de pincement.

Ohmique Zone de saturation Claquage

RD

VDD VGS
VGG ID
1V

Zone de pincement VGS = VGSoff

Pincement pour VGS = -1 V

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1.4. Caractéristiques du transistor à effet de champ à jonction

1.4.2. Caractéristique de transfert ou courbe de la transconductance ID = f(VGS)
La caractéristique de transfert d’un JFET est déterminée expérimentalement en maintenant la tension drain-source VDS
constante et en déterminant le courant ID pour différentes valeurs de VGS.
Cette caractéristique est non linéaire; le courant diminue plus rapidement quand la tension négative VGS augmente.
Pour une valeur négative suffisante de VGS, dite la tension de blocage VGSoff, le courant ID devient nul car la zone de déplétion
devient plus large et le canal se ferme. Il existe une différence entre la tension de blocage et de pincement : 𝑉𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓 = 𝑉𝑃
En variant VGS entre 0 et VGSoff, il est possible de contrôler ID. Lorsque VGS = 0, ID = IDSS et lorsque VGS = VGSoff, ID = 0.
Lorsque le transistor est dans la zone de saturation (ou zone active), la caractéristique de transfert complète peut être traduite
par l’équation suivante :

2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 1 −
𝑉𝐺𝑆 𝑜𝑓𝑓

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1.4. Caractéristiques du transistor à effet de champ à jonction

1.4.2. Caractéristique de transfert ou courbe de la transconductance ID = f(VGS)
On peut déterminer ID à partir de VGS si IDSS et VGSoff sont connus. Il s’agit de déterminer les valeurs de ID pour chaque valeur
de VGS trouvée à partir de la famille des caractéristiques de sortie au pincement.

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1.5. Paramètres statiques du transistor à effet de champ à jonction

1.5.1. Transconductance directe du JFET
La transconductance directe du JFET (conductance de transfert), gm, est la variation du courant drain pour une variation donnée
de la tension grille-source avec la tension drain-source constante. Il est exprimé comme suit:
∆𝐼𝐷
𝑔𝑚 = , 𝑒𝑛 𝑆𝑖𝑒𝑚𝑒𝑛𝑠 (𝑆)
∆𝑉𝐺𝑆
Ce paramètre est très important pour déterminer le gain en tension d'un amplificateur à base de JFET.
Étant donné que la courbe caractéristique de transfert pour un JFET est non linéaire, la
valeur de gm varie en fonction de l'emplacement sur la caractéristique de transfert tel que
défini par VGS.
Une valeur approximative de gm peut être calculée en tout point de la courbe
𝑉𝐺𝑆
caractéristique de transfert à l'aide de la formule suivante : 𝑔𝑚 = 𝑔𝑚0 1 − 𝑉
𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓

La valeur de gm mesurée à VGS=0 (gm0) est souvent donnée par la fiche technique du JFET.
Si elle n'est pas donnée, il est possible de la calculer en utilisant les valeurs de IDSS et
2𝐼
VGS(off ) : 𝑔𝑚0 = 𝑉 𝐷𝑆𝑆
𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓

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1.5. Paramètres statiques du transistor à effet de champ à jonction

1.5.2. Résistance d’entrée ou résistance grille source
La tension VGS est toujours négative. La jonction grille source est donc polarisée en inverse et IG = 0, ce qui rend la résistance
d’entrée du JFET très élevée. C’est un énorme avantage par rapport au transistor bipolaire. Souvent, cette résistance est donnée
par la fiche technique du JFET à travers le courant grille inverse IGSS, comme suit :
𝑉𝐺𝑆
𝑅𝐸𝑁 =
𝐼𝐺𝑆𝑆
Exemple : Le transistor JFET 2N5486 possède un courant grille de 1 nA pour une tension inverse de grille de 20 V.
20 𝑉
L’impédance d’entrée de ce JFET est : 𝑅𝐸𝑁 = 1 𝑛𝐴 = 20 000 𝑀Ω
1.5.3. Résistance de sortie ou résistance drain source
D’après la caractéristique de sortie du JFET, le courant drain est relativement constant au delà de VP pour une variation de VDS.
Le rapport entre la grande variation de VDS et la variation de ID ( qui est très faible) définit cette résistance :
∆𝑉𝐷𝑆
𝑟𝑑𝑠 =
∆𝐼𝐷

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Question 1 :
Soit un transistor caractérisé par: IDSS = 10 mA et VP = 4 V.
1. Quelle est la valeur de la tension de blocage VGSoff ?
2. Calculer le courant drain pour:
a) VGS = 0
b) VGS = - 1 V
c) VGS = - 2 V
3. Conclure.

Question 2 :
Déterminer la valeur minimale de VDD pour que le transistor représenté
ci-contre fonctionne dans la zone active.
On donne RD = 560 Ω, VGSoff = - 4 V et IDSS = 12 mA.

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1.6. Polarisation du transistor à effet de champ à jonction

L’objectif de la polarisation du transistor est de fixer les valeurs des tensions VGS, VDS et du courant ID pour l’utilisation du
transistor en alternatif. Un JFET peut être polarisé en zone ohmique ou en zone active. Dans le premier cas, il est équivalent à
une résistance. Dans le second, il se comporte comme une source de courant.
1.6.1. Polarisation par la grille
On applique une tension négative –VGG sur la grille par l’intermédiaire d’une résistance RG. Elle
provoque un courant drain inférieur à IDSS; lorsque ce courant traverse la résistance RD, il donne une
tension drain telle que : 𝑉𝐷 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝑅𝐷 𝐼𝐷

L’équation de la droite d’attaque statique: 𝑉𝐺𝑆 = −𝑉𝐺𝐺

𝑉𝐷𝐷 −𝑉𝐷𝑆
L’équation de la droite de charge statique: 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝑅𝐷 𝐼𝐷 donc 𝐼𝐷 = 𝑅𝐷

La polarisation par la grille est la plus mauvaise méthode pour faire fonctionner un JFET dans la région
active, car le point Q est trop instable. En revanche, elle est parfaite pour une utilisation du JFET dans la
région ohmique, car la stabilité du point Q n’a plus d’importance.

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1.6.1. Polarisation par la grille

ID

IDSS

Q1
Q1
Droite de charge statique
Droite d’attaque ∆ID
statique
Q2
Q2
VGS VDS
-VGG

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Les amplificateurs à JFET ont besoin d’un point de fonctionnement stable. À cause de la grande dispersion des
paramètres du JFET, d’autres méthodes de polarisation similaires à celles employées pour les transistors bipolaires sont
utilisées.
1.6.2. Polarisation automatique ou auto-polarisation
Un courant drain traverse la résistance de source, donc une tension apparaît entre la source et la masse,
donnée par :
𝑉𝑠 = 𝑅𝑠 𝐼𝐷
La grille est reliée à la masse par une résistance RG de forte valeur. Comme le courant grille est nul, le
potentiel de grille est nul. Donc : 𝑉𝐺𝑆 = −𝑅𝑠 𝐼𝐷
Cela signifie que la tension grille-source est égale à la tension sur la résistance de source changée de
signe. Fondamentalement, le montage crée sa propre polarisation (automatique) en utilisant la tension
apparaissant aux bornes de RS pour polariser en inverse la grille.
𝑉𝐺𝑆
L’équation de la droite d’attaque statique: 𝑉𝐺𝑆 = −𝑅𝑠 𝐼𝐷 donc 𝐼𝐷 = − 𝑅𝑆
𝑉𝐷𝐷 −𝑉𝐷𝑆
L’équation de la droite de charge statique: 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝑅𝑆 + 𝑅𝐷 𝐼𝐷 donc 𝐼𝐷 =
𝑅𝑆 +𝑅𝐷

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L'intersection de ID = – VGS/RS avec la caractéristique de transfert définit la tension VGS et la valeur de ID.
L’intersection de la droite de charge et de la caractéristique de sortie qui correspond à VGS donne la valeur de VDS. Si le courant
drain augmente, la chute de tension dans la résistance de source augmente ce qui diminue la conduction du canal et donc le
courant drain. Il y a une contre-réaction qui stabilise le point de fonctionnement.

Pour un fonctionnement dans la région linéaire, on polarise le JFET près du

milieu de sa caractéristique de transfert, là où ID = IDSS / 2. RS petite
IDSS
ID = IDSS / 2 lorsque VGS = VGSoff / 3.4.
Droite d’attaque

RS moyenne
𝑉𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓 2
2
𝑉𝐺𝑆
Car : 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 1 − = 𝐼𝐷𝑆𝑆 1 − 3.4
= 0.5 𝐼𝐷𝑆𝑆
𝑉𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓 𝑉𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓 IDQ
RS grande

ID = IDSS / 4 lorsque VGS = VGSoff / 2.

VGSoff VGSQ

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1.6.3. Polarisation par pont diviseur

On utilise comme pour les transistors bipolaires une polarisation par pont de base et résistance de source. Le diviseur
fournit une tension grille VG qui est une fraction de la tension de l’alimentation.
𝑅2
Le potentiel appliqué à la grille est : 𝑉𝐺 = 𝑅 𝑉𝐷𝐷
1 +𝑅2

Le potentiel de la source est: 𝑉𝑆 = 𝑅𝑆 𝐼𝑆 = 𝑅𝑆 𝐼𝐷

Comme 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆 , donc 𝑉𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝐺𝑆
La valeur du courant drain est donc :
𝑉𝐺 − 𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 =
𝑅𝑆
𝑉𝐺 1
L’équation de la droite d’attaque statique: 𝐼𝐷 = − 𝑅 𝑉𝐺𝑆
𝑅𝑆 𝑆
𝑉𝐷𝐷 −𝑉𝐷𝑆
L’équation de la droite de charge statique: 𝑉𝐷𝑆 = 𝑅𝑆 +𝑅𝐷

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1.6.3. Polarisation par pont diviseur

L’intersection de la droite d’attaque et de la courbe de la caractéristique de transconductance nous donne le point de repos Q
(VGSQ, IDQ).

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1.6.4. Stabilité
Les courbes caractéristiques peuvent varier beaucoup d’un composant à l’autre. Si on remplace un JFET par un autre dans un
circuit de polarisation donné, la caractéristique de transfert peut varier considérablement. Bien que VGS varie pour les deux
types de polarisation, ID est beaucoup plus stable avec la polarisation par diviseur de tension (pente de la courbe plus faible).
La polarisation par diviseur de tension, utilisant une RS généralement plus grande, est moins affectée par ces variations.

Polarisation automatique Polarisation par pont diviseur

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