Cours d’électronique

de puissance
Chapitre I : Introduction à
l’électronique de puissance

Généralités et genèse de l’électronique de

puissance
 Genèse
 Exemple
 Notion de rendement
 Les semi-conducteurs : leur rôle et les
pertes
Les fonctions réalisées en E.P.

Les redresseurs
 Les redresseurs à diodes
• Définition / Fonction réalisée
• A partir d’une ou de plusieurs tensions
alternatives, nous allons obtenir en sortie du
montage une tension redressée ou encore
mieux continue.
• Ces redresseurs sont dits unidirectionnels ou
irréversibles
Les fonctions réalisées en E.P.

 Les redresseurs à thyristors

• Variation du rapport de transformation
alternatif/continu
• Action sur la commande des thyristors
• Redresseurs bidirectionnels ou réversibles.
• Fonctionnement en onduleur non autonome
ou onduleur assisté
Les fonctions réalisées en E.P.
 Symbolisation de la fonction redressement :

Entrée
~ Sortie

 Utilisation des redresseurs :

• Alimentation des moteurs à courant continu
• Charge des batteries
Les gradateurs ou cycloconvertisseurs

 Fonction réalisée par le gradateur / par le

cycloconvertisseur
 Symbolisation de cette fonction :
Entrée
~ Sortie

 Utilisation :
• Réglage d’éclairage / de chauffage
• Démarrage des moteurs à courant alterna tifs
• Production des vitesses variables en alternatif (levage,
machine-outil)
Les hacheurs

 Fonction réalisée par le hacheur

 Symbolisation de cette fonction :

Entrée
= Sortie

 Utilisation :
• Commande des moteurs à courant continu
• Alimentations à découpage
Les onduleurs

 Fonction réalisée par les onduleurs

 Symbolisation de cette fonction :
Entrée
= Sortie

 Utilisation :
• A fréquence fixe : source de secours à partir d’accumulateurs
• A fréquence variable : variation de vitesse des moteurs
asynchrones triphasés
Les variateurs de vitesse

 Rôle : variation de vitesse des MCC et des MCA.

 Pour les MCC : utilisation de variateurs à base de

hacheurs ou de redresseurs selon le type de la
source.
 Pour les MCA : utilisation de variateurs à base
d’onduleurs.
Les applications de
L’électronique de puissance

 Variateurs de vitesse pour MCC (convoyeurs, robots,…)

 Variateurs de vitesse pour MCA (Trains TGV,

Alternateurs de bateaux, Métro (Rouen), voiture
électrique, laminoirs,…)

 Alimentations de secours sans coupures

 Alimentations à découpage.

 Chauffage par induction

Chapitre II : Les Semi-conducteurs
utilisés en E.P.

Introduction
• En E.P. : utilisation de semi – conducteurs fonctionnant
en interrupteurs
• Un semi-conducteur = un interrupteur mécanique.
• Ceux-ci sont équivalents à une résistance positive :
• très faible lorsque l’interrupteur est fermé,
• très forte lorsque l’interrupteur est ouvert.
Chapitre II : Les Semi-conducteurs
utilisés en E.P.

Semi-conducteurs utilisés dans les convertisseurs :

• La diode
• Le thyristor
• Le diac et le triac
• Le thyristor GTO (Gate Turn Off)
• Les transistors de puissance :
• Le transistor bipolaire à jonction
• Le transistor MOS (Metal Oxyde Semi-conductor)
• L’IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor
= Transistor bipolaire à grille isolée)
• L’IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor)
= exclusivité ABB.
La diode
Représentation
i
Sens passant Sens inverse
A K

v
Interrupteur fermé Interrupteur ouvert

Anode Cathode

A K
P N
Anode Cathode
La diode
Fonctionnement
Le sens direct (ou sens passant)
* Diode conductrice
* Faible tension à ses bornes(0.5 à 1.5V)
* Assimilable à un interrupteur fermé.

Le sens inverse (ou sens bloqué)

* Diode isolante
* Faible courant résiduel (quelques mA)
* Assimilable à un interrupteur ouvert.
Caractéristiques statiques (directe
et inverse)

Id(mA) Id(mA)

100
Sens passant

50
Vinv(V)

-400 -200
0.5 1 Vd(V) Vd(V)

-0.5

-1
Sens inverse
Iinv(mA)

Courbe réelle Courbe idéale

La diode

Une diode considérée parfaite c’est :

• une chute de tension nulle
• un courant inverse nul

Une diode est essentiellement caractérisée par :

• le courant direct moyen qu’elle peut écouler
• la tension inverse maximale qu’elle peut supporter.
• Au-delà de cette tension il y a emballement thermique
et donc claquage.
Le thyristor
Représentation
G
A K
P N P N i
Anode Cathode A K

G
v
Gâchette
Caractéristiques du thyristor

Id Id

Amorçage par la gâchette

IG
IG  0
IH
V RSM d

VT V DSM Vd VRSM V DSM Vd

IR

Courbe réelle Courbe idéale

Principe de fonctionnement

 A courant de gâchette nul (IG=0) :

• Le thyristor reste bloqué lorsque la tension appliquée
évolue entre VRSM (valeur maximale inverse) et VDSM
(valeur maximale directe).
• Il s’amorce et se comporte comme une diode conductrice si
la tension directe appliquée dépasse VDSM.

 A courant de gâchette > IGT :

• Le thyristor est conducteur (amorçage par la gâchette) ; il
reste conducteur même si IG=0 par la suite et ne se bloque
que si le courant direct < IH (courant de maintien).
Principe de fonctionnement

Remarque :
 Pour avoir un bon amorçage, il faut :
VAK>0 et VGKmin<VGK<VGKmax
 En alternatif, le thyristor se bloque naturellement sur
l’alternance négative (VAK<0 ) ou quand I=0.

 En continu, il faut prévoir un circuit d’extinction du

thyristor car sinon une fois amorcé, il conduit tout le
temps : on utilise pour cela des circuits oscillants.
 Protection des thyristors
contre les surintensités :
 La protection peut être assurée par un fusible rapide :

Fusible
Rapide

contre les amorçages trop rapides di/dt

 Une inductance montée en série avec le thyristor limite le di/dt :

L
Protection des thyristors

contre les blocages trop rapides dV/dt :

Soit un condensateur soit un condensateur avec une résistance pour limiter le pic
de courant traversant le condensateur :
C C Résistance
de limitation
R du courant
dans C

contre les surtensions :

On peut mettre en parallèle avec le thyristor un ensemble de deux diodes
suppresseuses montées « tête-bêche » au sélénium. Cet ensemble est appelé
Thyrector.
Avantages & Inconvénients des
thyristors
 Avantages :
• faible encombrement
• bonne résistance mécanique
• longue durée de vie
• puissance importante

 Inconvénients :
• Très sensibles aux dV/dt
• Vitesse de commutation limitée : les thyristors sont
utilisables pour des fréquences de commutation < à
1KHz.
Le thyristor GTO (Gate Turn Off)
 C’est un thyristor avec une fonction en plus : le blocage par la
gâchette (ou ouverture par la gâchette).

 Son symbole est le suivant :

i
A K

v
Caractéristique statique
Id

IG  Fonctionnement

Vd
• Inconvénients :
C B
• courant de blocage non négligeable
O • pertes plus importantes que thyristor.
 Les transistors de puissance
Le transistor bipolaire

Caractéristique Ic=f(Vce) :
Ic
Vcc

I B5 Courbe de
B limitation de
Ic Rc puissance

Ib

Vce
Rb
I B0 A

0V
Vce
Le transistor bipolaire

En commutation, on retient deux points de fonctionnement A et B :

A : Transistor bloqué
B : Transistor saturé
Commutation
 Passage à l’état saturé :
transistor bloqué à l’état initial : Vce=Vcc et Ic=0
En appliquant une tension sur la base, Ib donc Ic augmente et
Vce=0 lorsque Ic=I2 à t=tON.
 Passage à l’état bloqué :
au départ le transistor est saturé (passant) : Vce=0 et Ic=I2.
Au début du blocage Vce=Vcc et Ic diminue pour s’annuler pendant t= tOFF.
Vce

Vcc Vce
Ic
I2

t
tON : temps de tOFF : temps de
montée descente
Commutation
Vcc * I 2
 Résultats : P (t ON  t OFF )
2

• Lorsqu’un transistor doit couper une charge assez

inductive, il en résulte une puissance de commutation non
négligeable.
 Pour augmenter le rendement de la commutation, on fait
appel à des circuits d’aide à la commutation (CALC)
 L’inconvénient majeur du transistor bipolaire de
puissance c’est qu’il nécessite une source de courant
pour le commander (IB).
 Utilisation : Hacheurs, onduleurs et alimentations à
découpage
Le transistor MOS (Metal Oxyde
Semi-Conductor)

Représentation :
D
i
D : Drain
v S : Source
G
G : Grille

VGS S
Le transistor MOS (Metal Oxyde
Semi-Conductor)

 La grille est l’électrode de commande. Elle est isolée du

reste du composant par une couche d’oxyde.
 Le MOS est commandé par la tension .
 La vitesse de commutation est 10 fois supérieure à celle
des transistors classiques.
 Mais une chute de tension à l’état fermé plus importante.
 Utilisation assez vaste :
• Alimentation à découpage
• Commande des moteurs
• Générateurs d’impulsions…
L’IGBT : Insulated Gate Bipolar
Transistor

Représentation :
C
i

G
v

VGE
E
L’IGBT : Insulated Gate Bipolar
Transistor

Dans le même composant, il réunit les avantages :

 du bipolaire (chute de tension faible à l’état passant,
tension directe au blocage très élevée)
 du transistor MOS (commande en tension, vitesse de
commutation élevée).

Ce composant supporte des tensions de plusieurs kV

Le courant dépasse le millier d’Ampère
La fréquence de commutation va de 5kHz à plusieurs
dizaines de kHz.
L’IGCT : Integrated Gate
Commutated Thyristor
Exclusivité développée par la société ABB.

Représentation :
A K

Commande par fibres optiques

Commutation de très fortes puissances
Séparation physique entre commande et puissance.
Combine les avantages de l’IGBT avec ceux du GTO
C’est le composant le plus performant actuellement
 Le triac (Triode Alternative
Current)

 Composant constitué comme deux thyristors montés

«tête-bêche», mais ne comportant qu’une seule
gâchette :essentiellement utilisé dans les gradateurs.
Le triac (Triode Alternative
Current)

Représentation : I
U 12 Commande
de gâchette
A1 A2
V

iG Commande
de gâchette

Utilisation :
-Gradateurs de lumière
-Alimentations de radiateurs de chauffage électrique
-Commande de petits moteurs universels alimentés en courant alternatif.
Le DIAC (Diode Alternative
Current)

Semi-conducteur composé de deux diodes montées

« tête-bêche » mais ce ne sont pas de simples diodes :
elles se comportent comme des diodes Zener.
Le DIAC (Diode Alternative
Current)
Symbole et caractéristique :
I

E1 E2
 35V
V
 35V

S’amorce automatiquement dés que sa tension atteint environ 35V

(de 32 à 42V selon les modèles).
Dés qu’il est amorcé la tension baisse à ses bornes de quelques volts.
Chapitre III : Redresseurs non
commandés (par diode)

Généralités

 Redresseur non commandé utilise seulement des

diodes.
 Souvent, nécessité de disposer de courant continu
à partir du réseau de distribution alternatif à 50Hz :
Solution la plus courante fait appel aux redresseurs.
 Redresseur a pour rôle de fournir, à partir du
courant alternatif, un courant continu sous une tension
fixe ou réglable.
Constitution générale d’un
redresseur

Départ

Contrôle et
Stabilisation
Constitution générale d’un
redresseur
• Le transformateur :
• Adapte la tension d’entrée à la tension de sortie du redresseur
• Est déterminé en fonction de la puissance et de la tension de
sortie.
• Le redresseur
• Redresse le courant alternatif en un courant variable mais
unidirectionnel.
• Le filtre : ensemble LC.
• L permet de lisser le courant et de se rapprocher d’un courant
continu.
• C permet de lisser la tension et de se rapprocher d’une
tension continue.
• Contrôle et stabilisation
• Pour un redresseur commandé à thyristors, on peut réaliser
une tension continue variable en sortie.
Les différents montages
redresseurs :

 Les montages à commutation parallèle : P

 Les montages à commutation parallèle double : PD
 Les montages à commutation série : S

 Indication du mode de commutation suivie du nombre

n de phases du circuit :
• n=2 pour le monophasé
• n=3 pour le triphasé.
 Exemple : montage PD3.
Assemblage de diodes : principe
du redressement

Soit n tensions alternatives à redresser :

=> on peut utiliser 1 ou 2 groupes de n diodes qui sont à
anodes communes ou à cathodes communes.
Le commutateur « plus positif » ou
commutateur à cathodes communes
 Les cathodes sont équipotentielles.

D1

D2

D3

V1 D4
V2 Rs Vs
V3
V4
Le commutateur « plus positif » ou
commutateur à cathodes communes

A tout instant, la tension Vs est égale à la tension la plus positive.

D1 conduit quand : V V 
1 2

V1  V3   VS  V1
V1  V4 

Les tensions des diodes autres que D1 sont négatives. En effet :

VD 2  V2  VS  V2  V1  0
VD 3  V3  VS  V3  V1  0
V D 4  V 4  V S  V 4  V1  0
Donc D2, D3 et D4 sont bloquées.
NB
VD1  0 quand D1 conduit car toutes les diodes sont supposées parfaites.
Le commutateur « plus négatif » ou
commutateur à anodes communes
Les anodes sont équipotentielles.

D1

D2

D3

V1 D4
V2 Rs Vs
V3
V4
Le commutateur « plus négatif » ou
commutateur à anodes communes

A tout instant, la tension Vs est égale à la tension la plus négative.

D1 conduit quand : V V 
1 2

V1  V3   VS  V1
V1  V4 

Les tensions des diodes autres que D1 sont négatives. En effet :

VD 2  VS  V2  V1  V2  0
VD 3  VS  V3  V1  V3  0
VD 4  VS  V4  V1  V4  0
Donc D2, D3 et D4 sont bloquées.
Redresseurs monophasés mono-
alternance avec charge R

D
A K I

V V AK U R

La loi des mailles s’écrit V= VD +RI.

 Redresseurs monophasés mono-
alternance avec charge R
La diode D n’est passante
V 2
que pendant l’alternance positive U
Umoy
de la tension V. En effet, il faut
 2

que : 0

V= V A  VK  RI  0 V

alors V=U=RI avec V AK  0 I


Au contraire, pendant 0  2

l’alternance négative, la diode

D est bloquée: V= V AK avec I=0 V AK
et U=0
Pour conclure :
* U recopie V>0  2 
0
* V AK recopie V<0.
V 2
Redresseurs monophasés mono-
alternance avec charge R

Tension moyenne de sortie :

1T 1 T /2
1  Vm
U   V ( ) d   0 V ( ) d    Vm sin(  ) d    cos(  ) 0
T 0 T 2 0 2
Vm
U  1  1  Vm U 
Vm

V 2
2   

Tension inverse max de la diode :

VAK _ inv _ max  V 2  Vm

Courant moyen dans la diode ou courant moyen de charge :

U Vm V 2
I  
R R R
Redresseurs monophasés mono-
alternance avec charge R
 Courant efficace dans la diode ou courant efficace dans la charge :
T
1
  I ( ) d
2 Im Vm V 2
I 2
EFF I EFF   
T 0 2 2R 2R

 Inconvénients du montage :
• L’ondulation est importante car U varie entre 0 et V 2
• Pour être utilisé en puissance, il faudrait de forts circuits de
lissage tension/courant.
• Puissance très limitée

 Utilisation :
• Alimentation ponctuelle de quelques mA
• Traitement de signal.
Redresseurs monophasés mono-
alternance avec charge inductive

D
I
A cause de l’inductance L, le
L courant I n’aura pas la même allure
V VD U que précédemment : La conduction
R de D va être prolongée même si la
tension d’entrée passe par 0.
Redresseurs monophasés mono-
alternance avec charge inductive
V 2
Tant que D conduit U=V. U U
Umoy
L’équation de I est assez 
0  2
compliquée : nous l’établirons en
Travaux Dirigés. V

Quand D conduit, V D =0. I

0  2

Dès que le courant s’annule U=0.
VD
Dès que D est bloqué, VD = V
car I=0. 0  2 

V 2
 Redresseur mono alternance avec
charge inductive et diode de roue libre

D
I
I U

L
V DRL U 
0  2
R
V

Quand U passe par 0, DRL devient passante => U=0 et D bloquée.

L’énergie emmagasinée dans la bobine (quand D conduit) est restituée à la charge
quand DRL conduit.
Courant de charge ininterrompu.
Le courant I présente un lissage convenable.
Redresseur mono alternance : charge
avec force contre-électromotrice

D
I

V VD U

E
 Redresseur mono alternance :
charge avec force contre-
électromotrice
U V
  0; 0  : V 2
E
au démarrage du montage on a I=0. On a V<E et 
0  2
U=E donc V<U donc V D  0: la diode est bloquée. 0
I=0 pendant toute cette phase et V D  V  E

   0 ;    0  : I
V 2E
I MAX 
on a V>E donc VD  0 (tension de seuil atteinte) : R

la diode conduit donc V D s’annule. 

V ( )  E
Du coup U=V=E+RI => I ( ) 
R
V 2E VD
et I MAX 
     0 ;2   0  : R  0 2   0 3   0
V<E à nouveau donc à U car I>0 :VD  0
0
=> la diode est bloquée. Donc I=0 et U=E 
=> V D =V-U=V-E
Tension inverse maxi aux bornes de la diode : -E
=> VD _ inv _ max  V 2  E
V 2  E
 Redresseurs monophasé double
alternance
Redressement parallèle à point milieu : montage P2
D1
I

D1
V1 VD1
V1
I
V V
-V1 V2 U
D2

VD2 D2

Le point milieu du transformateur est situé à la moitié de l’enroulement secondaire. Ceci permet d’avoir
V1  V2 soit V2 déphasé de p par rapport à V1 => V2 = - V1.
La tension V au primaire du transformateur est liée à la tension totale du secondaire par le rapport de
transformation :
V 2V
m  sec  1
V primaire V
Redressement parallèle à point
milieu : montage P2
D1 U V1
V1
I
V
V2 U
0  2 

D2
  0;   : V2 = -V1
V D1
V1 > V2 donc D1 conduit (commutateur
« + positif ») et D2 bloqué => VD1 = 0 et U= V1
VD2 = V2 – U = V2 – V1 =-2 V1 < 0 (D2 bloqué)

   ;2  :
V2 > V1 donc D2 conduit (commutateur
« + positif ») et D1 bloqué => VD2 = 0 et U= V2  2V1eff 2
VD1 = V1 – U = V1 –V2 =-2 V2 < 0 (D1 bloqué)
Tension inverse maxi de chaque diode :
VD _ inv _ max  2V1eff 2
Redressement parallèle à point
milieu : montage P2
 Calcul de la tension moyenne en sortie :

On a V1 = V1M.sin() V1M.sin(wt)

U est de période .
1 V1M V1M
U   V1M sin( )d   cos( )

 (1  1)
  
0
0

2V1M
U 

Généralisation dans le cas d’un
montage Pn :

 La tension de sortie Vs est obtenue à partir de n tensions alternatives de

période T. T
 Elle est formée de n sommets de sinusoïdes dont la période est .
n
 Si sur l’intervalle T  T    T  T , VS  V1 telle que V1 est la plus grande
4 2n 4 2n

des tensions alternatives alors on peut généraliser le calcul de VS .

Exemple : pour un montage P2: 0  

Généralisation dans le cas d’un
montage Pn :
Calcul de VS :
T T

4 2n
1
VS  
V1M sin( )d
T /nT T
V1  V1M sin( ) VS


4 2n
T T

4 2n T T
n n 


VS  V1M sin( )d  V1M  cos( )
[ ]
4 2n
T T
T T T T 
4 2n t

4 2n

n  T T   T T  T T
 T T
VS  V1M cos    cos   
T   4 2n   4 2n   4 2n 4 2n

2n T   T 
VS  V1M sin  sin   T  2
T  4   2n 
n  
VS  V1M sin    le montage de type Pn.
 n
 Généralisation dans le cas d’un
montage Pn :
 Calcul du facteur d’ondulation :
Ce facteur permet de quantifier la qualité de la tension redressée. Plus cette tension est proche
d’une tension continue plus ce facteur est faible. Plus l’ondulation de la tension est élevée plus ce
facteur est élevée. Un bon montage redresseur doit donc avoir un facteur d’ondulation faible.

 Définition : V V Exemple pour le P2 : K0 

V1 max  0 

K  S max S min 2V1 max 4
0 2.V 2*
S 

Revenons à la généralisation :
T T      
VS max  V1M VS min  V1M * sin     V1M * sin     V1M * cos 
 4 2n  2 n n
   
V V * cos  1  cos 
1M 1M n  n
K  K  *
0 n   0 2n sin  
2. V sin 
 1M n n
Généralisation dans le cas d’un
montage Pn :
Calcul du facteur de puissance :

 Calculé au secondaire du transformateur.

 Il permet de connaître le rendement du montage redresseur.
 En effet, l’énergie apportée à l’entrée du montage est la puissance apparente mesurée au
secondaire du transformateur.
 Et Puissance transmise à la sortie du montage = Puissance active mesurée sur la charge.

P Pactive (charge)
FPS  
S S apparente ( secondaire_transfo )
Calcul du facteur de puissance
pour le montage P2 : charge R
V1M
S  2.VSeff .I Deff  2.V1eff .I D1eff  2. .I D1eff
2
P  Pins tan tan ée  Vch .I ch avec Vch : Tension de charge et Ich : Courant dans la charge.

cas d’une charge résistive pure :

2 
Vch 1 1
 *  (V1M .sin( ) ) .d
V
P  Vch .I ch 
2
I CH  CH
R R R  0
 
 1  cos( 2 ) 
2 2
V V
P  1M *  (sin( ) ) .d  1M *   .d
2

R 0 R 0  2 
2  2
V  1  V
P  1M *   sin( 2 )  1M * 
2R  2  0 2R

2
V 1M
P 
2 R
Calcul du facteur de puissance
pour le montage P2 : charge R
V1M
S  2. .I D1eff
2
T
1
  (i D1 ( ) ) .d
2 2
I D1eff (D1 conduit uniquement de 0 à  un courant qui vaut Vch/R soit V1/R.)
T0
 2  2 2 
1  V1 ( )  1  V1M .sin( )  V1M
I D1eff
2
    .d     .d   (sin( ))2 .d
2 0  R  2 0  R  2R ² 0


2
2 V V1M
I D1eff  1M * I D1eff 
2R ² 2 2R 2
V1M
2
V V V V1M P 2
S  2. 1M .I D1eff  2. 1M . 1M S FPS   2 R2   0.707
2 2 2R 2R S V1M 2
2R

FPS=0.707 pour un montage P2

Calcul du facteur de puissance pour
le montage P2 : charge inductive

 On va considérer que la charge possède (en plus d’autres éléments) une

inductance L suffisamment grande pour qu’on puisse considérer le courant dans la
charge continu.

dI ch dI V
En effet, si L est très grande : VL  L  ch  L  0  I ch  cte
dt dt L
ID1

ICH
2V1M
P  Vch .I ch  Vch .I ch  .I ch


0  2
 I ch
1 1 I ch I D1 
2 0
Courant de diode moyen : I D1  I .d  .I . 
2
ch ch
2 2

Pour n tensions alternatives : I ch

I Di 
n
Calcul du facteur de puissance pour
le montage P2 : charge inductive

Courant de diode efficace :

 2 I ch
1 1 I ch I D1eff 
2 0
I D1eff
2
 I
2
.d  .I
2
. 
2
ch ch
2 2

I ch
Pour n tensions alternatives : I Dieff 
n

Calcul du facteur de puissance du montage P2 avec charge inductive:

2V1M
.I ch
FPS
P
   
2
 0.64 FPS  0.64
S V I 
2. 1M . ch
2 2
Calcul du facteur de puissance pour
le montage P2 : charge inductive

Généralisation du calcul du facteur de puissance pour des montages de type Pn

(le courant dans la charge étant continu) :

n  
P  Vch .I ch  V1M sin   * I ch  
 n 2n . sin  
FPS 
P
 n
V V I 
S  n. 1M .I Dieff  n. 1M . ch S
2 2 n
Pont de Graëtz : montage PD2

Il s’agit d’un montage à 4 diodes. C’est l’association d’un commutateur « + positif »
et d’un commutateur « + négatif ».
Pont de Graëtz : montage PD2
Schéma du montage PD2 avec
transformateur sans point milieu : Schéma avec transformateur à point milieu :

D1
I D1

D1 VD1 D
2
Ich D3 Ich

V1
V -V Charge
Vch Vch
-V1
D4

D3 D4

D2

On a V1  1 V (comparaison des 2 montages précédents).

2
 Fonctionnement du PD2

  0;  I D1
Ich
Vch
VD1 D V -V
D1 2

1
V1  V  0
2 V -V Vch

1 0  2
 V1   V  0
2
D3 D4

-V V
 D1 conduit et D2 bloqué VD1
(commutateur « + positif ») V -V

 D4 conduit et D3 bloqué
(commutateur « + négatif ») 
0  2

V D1  0 VD 4  0 V

-V V
Vch  V1  V1  2V1  V
 Fonctionnement du PD2

   ;2  I D1 Vch
VD1 D Ich V -V
1 D1 2
V1  V  0
2
1 V -V Vch
 V1   V  0 
2 0  2

 D2 conduit et D1 bloqué D3 D4
(commutateur « + positif ») -V V
VD1
 D3 conduit et D4 bloqué V -V
(commutateur « + négatif »)
VD 2  0 VD 3  0

0  2
Vch  V1  V1  2V1  V
V
D2 conduit => VD 2  0 (fil) -V V

VD1  V1  (V1 )  2V1  V  0

 Formules pour le PD2 / PDn
Calcul de la valeur moyenne de la tension aux bornes de la charge :

1 2.V1M 4.V1M 2.VM
Vch   2.V1M . sin( ).d   cos( )0  
 0
  
4.V1M 2.VM
Vch  
 

On double la tension redressée par rapport au montage P2.

Généralisation : Tension moyenne de charge pour un montage PDn :

2n  
Vch  .V1M . sin 
 n

Attention : V1M est la tension crête au secondaire par rapport au point milieu !
Formules pour le PD2 / PDn
Facteur de puissance pour un montage PDn :

2 n   2 2
FPS  . sin  Ici n=2 : FPS   0.9
 n 

Facteur d’ondulation pour un montage PDn :

 
1  cos   
  p  1  cos 
 2     0.78
K  * Ici n=2 : K 0  *
0 2 p sin  
 p 4 sin   4
  2

avec p=n si n est pair

et p=2n si n impair
Avantages du montage PD2 par
rapport au P2

 Meilleur facteur de puissance

 Transformateur pas obligatoire
 Tension redressée double
Redressement triphasé simple
alternance : montage P3
V1
i p1 is1 D1 Ich

V2
i p2 is 2 D2
3
V3 D3 Vch
i p3 is 3

 Ce montage est alimenté par une source de


tension triphasée équilibrée. Il s’agit d’un V  V . sin(wt )
commutateur « + positif ».  1 M

  2 
On a : V2  VM . sin  wt  
 D1 conduit quand sa tension d’anode est   3 
  4 
supérieure aux tensions d’anode des autres V3  VM . sin  wt  
diodes (commutateur à cathodes communes).   3 
 Tension aux bornes de Vch
  5  V1  V2
 6 ; 6  : V1  V3 U32 U12 U13 U23 U21 U31 U32 U12 U13 U23

D1 conduit
V1 V2 V3 V1
VD1  0 Vch  V1

 5 9  V2  V1
 6 ; 6  : 
V2  V3
      
D2 conduit
   
VD 2  0 Vch  V2

 9 13  V3  V1
 6 ; 6  : V  V
 3 2

D3 conduit
VD3  0 Vch  V3
 Tension aux bornes de D1
  5 
 6 ; 6  : D1 conduit U32 U12 U13 U23 U21 U31 U32 U12 U13 U23
VD1  0

V1 V2 V3 V1

 5 9 
 6 ; 6  : D2 conduit
VD 2  0
VD1  V A  VK
VD1  V1  V2  U 12       
   
VD1  U 12

 9 13 
 6 ; 6  : D3 conduit
VD3  0
VD1  VA  VK
VD1  V1  V3  U13

VD1  U 13
Formules pour le montage P3
 Tension moyenne de charge :

n   3   3 3 3VM 3 3U M
VCH  VM sin   Ici n=3 VCH  VM sin    VM  
 n   
3  2 2 2
3U M
VCH 
2

 Taux d’ondulation :

   
1  cos  1  cos 
 n   3    * 1  0.5  0.3
K  * Ici n=3 K  *
0 2n sin   0 6 sin   6 3
n  
3 2
Formules pour le montage P3
 Facteur de puissance :

2n   6   3 2
FPS  .sin   Ici n=3 FPS  . sin     0.675 (moins que le PD2)
 n   3  2

 Relations entre courants primaires et secondaires :

Soit m le rapport de transformation du transformateur

N2 avec N2 : nombre spires enroulement secondaire transformateur

m
N1 N1 : nombre spires enroulement primaire transformateur

i p1  m(i s1  i s1 ) i p 2  m (i s 2  i s 2 ) i p 3  m (i s 3  i s 3 )
Redressement double alternance
Montage PD3 : Pont de Graëtz
Redressement double alternance
Montage PD3 : Pont de Graëtz

D1 D2 D3 Ich
V1

V2
3 Vch
V3

D4 D5 D6
Redressement double alternance
Montage PD3 : Pont de Graëtz

 Fonctionnement du montage :
Le commutateur « + positif » (à cathodes communes) est formé de D1, D2, D3.
 
0; 6  : V3 « + > 0 » : D3 conduit U32 U12 U13 U23 U21 U31 U32 U12 U13 U23
D et D bloquées
1 2

V1 V2 V3 V1
  5 
 6 ; 6  : V1 « + > 0 » : D1 conduit
2D et D bloquées
3

 5 9 
 6 ; 6  : V2 « + > 0 » : D2 conduit       
D et D bloquées
1 3
   

 9 
 6 ;2  : V3 « + > 0 » : D3 conduit
1D et D bloquées
2
Redressement double alternance
Montage PD3 : Pont de Graëtz

 Fonctionnement du montage (suite):

Le commutateur « + négatif » (à anodes communes) est formé de D4, D5, D6.
 
0; 2  : V2 « + < 0 » : D5 conduit U32 U12 U13 U23 U21 U31 U32 U12 U13 U23
  D et D bloquées
4 6

V1 V2 V3 V1
  7 
 2 ; 6  : V3 « + < 0 » : D6 conduit
  D et D bloquées
4 5

 7 11 
 6 ; 6  : V1 « + < 0 » : D4 conduit       
  D et D bloquées   
5 6 

11 
 6 ;2  : V2 « + < 0 » : D5 conduit
  D et D bloquées
4 6
 Tension de charge Vch
 
0; 6  : D3 et D5 conduisent
Vch  V3  V2  U 32
U32 U12 U13 U23 U21 U31 U32 U12 U13 U23
  
 6 ; 2  : D1 et D5 conduisent
Vch  V1  V2  U 12 V1 V2 V3 V1

  5 
 2 ; 6  : D1 et D6 conduisent Vch  U 13

 5 7  
 6 ; 6  : D2 et D6 conduisent Vch  U 23
     
   
 7 9 
 6 ; 6  : D2 et D4 conduisent Vch  U21
 9 11 
 6 ; 6  : D3 et D4 conduisent Vch  U 31

11 
 6 ;2  : D3 et D5 conduisent Vch  U 32
Formules pour un montage PDn
 Tension moyenne de charge pour un montage PDn:

2n   6   6 3 3.U M
Vch  .VM . sin  Ici n=3 Vch  .VM . sin   .VM . 
 n  3  2 

Remarque : On double la tension redressée par rapport au montage P3

 Facteur d’ondulation pour un montage PDn:

 
1  cos 
  p Ici n=3 donc p=6
K  *
0 2 p sin  
 p   3
1  cos  1
    
6 
K  * * 2  0.07
0 12 sin   12 1
avec p=n si n est pair  
6 2
et p=2n si n impair
Formules pour un montage PDn

 Facteur de puissance :

2 n   2 3 3
FPS  . sin   Ici n=3 FPS  .  0.955
 n  2
Particularités du PD3

 La tension redressée comporte 6 calottes qui représentent une

fréquence d’ondulation 6 fois plus grande que la fréquence d’alimentation
mais avec un taux d’ondulation très faible.

 Bon facteur de puissance (0.955) => on n’a quasiment pas besoin de

filtrer le signal de sortie.

 Pendant chaque sixième de période, deux diodes seulement laissent

passer le courant dans un seul sens.
Bibliographie

Titre Auteur Edition

Electronique de Puissance : Guy Séguier Dunod
Structures, fonctions de base, principales Francis Labrique
applications - Cours et exercices corrigés Robert Bausière

Machines Electriques / Electronique Alain Hébert Dunod

de Puissance
Electronique de Puissance Cyril W. Lander McGraw-Hill
Bibliographie (suite)

Titre Auteur Edition

Électronique de Puissance - Jacques Laroche Dunod
convertisseurs
Cours et exercices corrigés

Electronique de Puissance / J.L. Dalmasso Belin

Commutation

Electronique de Puissance H. Bühler Presses

polytechniques
romandes