Chapitre 1 : Eléments semi conducteurs en électronique de puissance

I- Electronique de puissance :

L'électronique de puissance est une branche de l'électrotechnique qui concerne les

dispositifs permettant de changer la forme de l'énergie électrique (convertisseurs).

L'électronique de puissance comprend l'étude, la réalisation et la maintenance :

 des composants électroniques utilisés en forte puissance;

 des structures des convertisseurs;
 de la commande de ces convertisseurs;
 des applications industrielles de ces convertisseurs.

On distingue généralement quatre grandes fonctions de convertisseurs dans l'électronique

de puissance :

Redresseur
E1 (continu) V1 (alternatif)

Gradateur
Hacheur

E2 (continu) V2 (alternatif)
Onduleur

L’électronique de puissance est une électronique de commutation, où les composants

employés ne fonctionnent qu’en interrupteurs ouverts ou fermés, on cite :
 La diode
 Le thyristor ordinaire
 Le thyristor GTO ( Gate Turn Off)
 Le triac
 Le transistor bipolaire
 Le transistor MOSFET (Transistor a effet de champ à grille isolée)
 Le transistor IGBT ( insulated gate bipolar transistor)
II – Interrupteurs d’électronique de puissance
II-1- La diode
La diode est un interrupteur électronique composée de 2 électrodes : Anode A et cathode K
elle est :
- unidirectionnel en courant (un seul sens de conduction de A vers K)
- non commandable (la conduction et le blocage sont imposés par le reste du circuit)

Anode A Cathode K
IAK
VAK

Symbole de la diode
Mme YOUSFI Safia Page
1
Chapitre 1 : Eléments semi conducteurs en électronique de puissance

a) Le fonctionnement de la diode
La diode est soit :
 Passante : si le courant est le sens anode cathode donc la tension anode – cathode
est nulle
 Bloquée : si le courant est le sens anode cathode est nul

IAK

Caractéristique
Caractéristique
directe
inverse

VAK

Caractéristique de la diode parfaite

Dans le cas de la diode parfaite les commutations sont exclusivement spontanées

IAK

Diode passante

Diode bloquée

V seuil VAK

Caractéristique réelle de la diode

Diode bloquée VAK ¿ Vseuil et IAK = 0

Diode passante VAK ≥ Vseuil et IAK ≠ 0

Lorsque la diode est bloquée, IAK n’est pas complètement nul mais vaut quelque nano
ampère (courant de fuite)
Vseuil est une donnée fournie par les constructeurs et varie entre 0.3 te 0.7 volte

b) Critères de choix d’une diode

Le choix d’une diode se fait selon les valeurs extrêmes des grandeurs VAK et IAK tel :
 La tension inverse maximale de VAK à l’état bloquée (VDinvmax)
 Le courant moyen de IAK à l’etat passant (IDmoy)
 Le courant maximal répétitif (IDeff)
Mme YOUSFI Safia Page
2
Chapitre 1 : Eléments semi conducteurs en électronique de puissance
c) Diode de roue libre
En dehors des applications de redressement, la diode est utilisée comme diode de roue libre.
di
Le but de ces diodes est d’empêcher l’apparition de surtensions e=L dues aux brusques
dt
variations d’intensité dans les charges inductives.

II-2- Le thyristor ordinaire :

Le thyristor est un composant commandé à la fermeture, mais pas à l’ouverture. Il est
constitué de 3 électrodes : Anode A, Cathode K et Gâchette G
Gâchette

Anode Cathode

VAK

Symbole du thyristor
a) Le fonctionnement du thyristor

 Pour qu’un thyristor conduise, il faut que la tension VAK ¿ 0 et envoyer une impulsion
(courant iG) dans la gâchette pour amorcer le thyristor
 Le thyristor se bloque lorsque le courant IAK s’annule et lorsqu’on applique une
tension VAK négative.
 Lorsqu’il est bloqué, le thyristor est réversible en tension (supporte des tensions VAK
aussi bien positives que négatives). Mais il n’est pas réversible en courant, lorsqu’il est
passant ( il ne permet que des courants IAK positifs)

IAK
Fonctionnement Fonctionnement
en inverse en direct

Thyristor passant
VAK

Thyristor bloqué

Caractéristique du thyristor

d) Critères de choix du thyristor

Le choix d’un thyristor se fait selon les valeurs extrêmes suivantes :
 La tension inverse maximale de VAK à l’état bloquée (VThinvmax)
 Le courant moyen de IAK à l’etat passant (IThmoy)

II-3- Le thyristor GTO « GateTurn Off » :

Le thyristor GTO est un thyristor à extinction par la gâchette (blocable par la gâchette)
il est commandable en ouverture et en fermeture.

Mme YOUSFI Safia Page

3
Chapitre 1 : Eléments semi conducteurs en électronique de puissance
Le GTO est structurellement identique à un thyristor ordinaire, il est constitué de 3
électrodes : Anode A, Cathode K et Gâchette G . La différence principale est que la
gâchette dans le GTO est divisée en un réseau de mini-gâchettes.

Symbole du thyristor GTO

a) Le fonctionnement du thyristor GTO

Le thyristor GTO conduit si VAK ¿ 0 et iG ¿ 0 (amorçage), pendant la conduction la gâchette

doit être alimentée de façon permanente.
Le thyristor GTO se bloque de 2 manières :
 lorsque le courant d’anode s’annule (VAK négative).
 Le mode de blocage spécifique consiste à appliquer une tension négative sur la
gâchette (VGK négative). C'est-à-dire que l’impulsion est négative. Cette opération
doit avoir une durée minimale pour assurer un blocage fiable et non dangereux
(typiquement 100µs)

II-4- Le Triac:
Le Triac (triode alternating current) est un semi conducteur bidirectionnel. Il peut
conduire dans les deux sens, il est fait comme 2 thyristors montés tête-bêche (antiparallèle). Il
est constitué de 3 électrodes : Anode A1, Anode A2 et la Gâchette G

Symbole du triac
a) Le fonctionnement du triac
Il existe 4 manières d’amorcer un triac. On considère l’anode A1 comme référence des
potentiels. On construit les 4 quadrants suivants :
 Quadrant 1 : VA2 > VA1 et VG > VA1 (le courant de gâchette est injecté dans G et
ressort par A1) c'est-à-dire on envoie une impulsion positive. Dans ce cas le courant
principal traverse le composant de A2 vers A1.
 Quadrant 2 : VA2 > VA1 et VG < VA1 (le courant de gâchette est injecté dans A1 et
ressort par G) c'est-à-dire on envoie une impulsion négative. Le courant principal
traverse le composant de A2 vers A1.
 Quadrant 3 : VA2 < VA1 et VG < VA1 (le courant de gâchette circule de A1 vers G )
c'est-à-dire une impulsion négative. Dans ce cas le courant principal traverse le
composant de A1 vers A2.
Mme YOUSFI Safia Page
4
Chapitre 1 : Eléments semi conducteurs en électronique de puissance
 Quadrant 4 : VA2 < VA1 et VG > VA1 : le courant de gâchette circule de G vers A1 (une
impulsion positive). Le courant principal circule de A1 vers A2.
II-5- Transistor bipolaire:
Un transistor bipolaire est un interrupteur commandé à la fermeture et à l’ouverture.
Son principe de fonctionnement est basé sur 2 jonctions PN l’une en directe et l’autre en
inverse

a) Types et symboles :

b) Fonctionnement :

 Transistor bloqué : cet état est obtenu en annulant le courant de commande I B

ce qui induit un courant IC nul et une tension VCE positive. C’est l’équivalent
d’un interrupteur ouvert entre le collecteur et l’émetteur.
 Transistor saturé ou fermé : Le courant de commande IB n’est pas nul, il
impose une tension VCE nulle. Tandis que le courant IC atteint une valeur limite
dite de saturation ICsat. C’est l’équivalent d’un interrupteur fermé.
IC

Transistor
saturé

Transistor
bloqué
VCE

Caractéristique d’un transistor bipolaire

c) Choix d’un transistor :

Le choix d’un transistor se fait selon :

 La tension maximale à l’état bloqué

Mme YOUSFI Safia Page

5
Chapitre 1 : Eléments semi conducteurs en électronique de puissance
 Le courant maximal à l’état passant

II-6 Transistor à effet de champ à grille isolée (MOSFET) :

Un MOSFET (Metal oxyde semi conductor field effect transistor) est commandable en
fermeture et à l’ouverture. C’est le composant le plus rapide ( en fermeture et à l’ouverture)

Symbole du transistor MOSFET

La grille est isolée du reste du transistor

a) Fonctionnement :

 Etat ouvert ou bloqué : cet état est obtenu en annulant la tension de

commande VGS procurant une impédance drain – source très élevée, ce qui
annule le courant de drain ID. La tension VDS est positive, elle est fixée par le
circuit extérieur. C’est l’équivalent d’un interrupteur ouvert.
 Etat saturé : état obtenu en appliquant une tension de commande V GS positive,
ce qui rend VDS très faible et permet au courant I D de croitre. C’est l’équivalent
d’un interrupteur fermé.
ID

Transistor
saturé

Transistor
bloqué
VDS

Caractéristique d’un transistor MOSFET

II-7 Transistor IGBT :

Le transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) est l’association d’un transistor
bipolaire et d’un transistor MOSFET. C’est un MOSFET à l’entrée et un bipolaire à la sortie.

Mme YOUSFI Safia Page

6
Chapitre 1 : Eléments semi conducteurs en électronique de puissance
Il combine l’avantage du transistor bipolaire qui est la faible chute de tension en conduction et
les avantages du MOSFET qui soit la rapidité de commutation et la grande simplicité de
commande

C’est caractéristique sont reprises de celles du transistor bipolaire

Mme YOUSFI Safia Page

7