FILIERE : ELETROTECHNIQUE ELN205 : ELECTRONIQUE DE PUISSANCE I & II 1

CHAPITRE I : ETUDE DES COMPOSANTS DES CONVERTISSEURS

STATIQUES DE L’ELECTRONIQUE DE PUISSANCE

Introduction
L’électronique de puissance étudie les convertisseurs statiques d’énergie électrique. Ils utilisent
des composants de l’électronique de base à semi-conducteurs et des éléments linéaires. Pour contrôler
des puissances électriques importantes, les composants sont parcourus par des courants élevés
atteignant le kilo ampère sous des tensions importantes avoisinant aisément le kilovolt.
Dans un convertisseur, le choix d’un type de composant est basé sur sa commandabilité à
l’ouverture et à la fermeture, en tension ou en courant, et sa réversibilité.
La réversibilité en tension est l’aptitude à supporter des tensions directes et inverses à l’état
bloqué, tandis qu’en courant, il s’agit de l’aptitude à laisser passer des courants directs et inverses à
l’état passant.
L’étude des convertisseurs statiques est d’abord réalisée en considérant les commutateurs
parfaits, puis vient l’approfondissement en tenant compte des imperfections des composants.

I- Diode de puissance
I.1. Définition et Présentation
La diode de puissance est un semi-conducteur constitué par une
seule jonction PN (la jonction P est appelée Anode et la région N est
appelée Cathode) c’est un composant non commandable (ni à la
fermeture ni à l’ouverture). Elle n’est pas réversible en tension et en
courant.
Figure 1 : Diode de puissance.
I.2. Fonctionnement du composant parfait
a- Etat passant
Quand le circuit dans lequel la diode est placée tend à faire passer un courant dans le sens
direct ou perméable, c’est-à-dire de l’anode A vers la cathode K, la diode des conductrice ou passante.
b- Etat bloqué
Quand une tension négative aux bornes de la diode tend à faire passer le courant dans le sens
imperméable, la diode est bloquée ou isolante.
c- Caractéristique tension-courant simplifiée

Le fonctionnement de la diode s’opère suivant deux modes :

• diode passante (ou ON), tension vAK = 0 pour iAK > 0
• diode bloquée (ou OFF), tension iAK = 0 pour vAK < 0
On dit aussi que la diode a une caractéristique à deux
segments.

Figure 2 : Caractéristique de la diode parfaite.

En résumé, une diode se comporte comme un interrupteur parfait dont les commutations sont
exclusivement spontanées :
• il est fermé ON tant que le courant qui le traverse est positif
• il est ouvert OFF tant que la tension à ses bornes est négative.

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I.3. Composant réel et ses imperfections

Le fonctionnement réel est toujours caractérisé par ses deux états :
• à l’état passant : vAK ≈ 0, le courant direct est limité au courant direct maximal ;
• à l’état bloqué : iAK ≈ 0, la tension inverse est limitée (phénomène de claquage par avalanche) à la
tension inverse maximale.

Figure 3 : Caractéristique de la diode réelle

I.4. Protection du composant

a- Protection contre les surintensités
Cette protection est assurée par un fusible ultra rapide (UR) dont la contrainte thermique (I 2.t)
est plus faible que celle de la diode. (Si bien qu’il « fond » avant la diode.)
b- Protection contre les surtensions

Les surtensions peuvent être atténuées en insérant un circuit

RC-série en parallèle avec le commutateur (Figure 4)

Figure 4 : Protection avec circuit RC.

c- Protection en dv/dt et di/dt
Les semi-conducteurs sont très sensibles aux variations
brutales de tension et de courant qui apparaissent lors des
commutations. Contre les variations de courant, on utilise une
inductance (qui retarde le courant) tandis que le condensateur
retarde la tension (Figure 5). Figure 5 : Protection en dv/dt et di/dt

II- Le Thyristor
II.1. Définition et Présentation
Le thyristor est un semi-conducteur à trois jonctions. Outre
l’anode A et la cathode K, ce composant est muni d’une électrode
de déblocage ou gâchette G (Figure 6). C’est un composant
commandé à la fermeture, mais pas à l’ouverture. Il est réversible
en tension et supporte des tensions vAK aussi bien positives que
négatives. Il n’est pas réversible en courant et ne permet que des
courants iAK positifs, c’est à dire dans le sens anode cathode, à
l’état passant.

Figure 6 : Symbole du thyristor.

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II.2. Fonctionnement du composant parfait

II.2.1. Caractéristique et fonctionnement
 Le composant est bloqué si le courant iAK est nul (quelque soit la tension vAK) ou si la tension vAK
est négative. Si la tension vAK est positive, le thyristor est amorçable.
 Lorsque vAK est positive, si l’on fait passer entre la gâchette et la cathode une impulsion positive
de courant, le thyristor devient passant (conduit)
 Quand il conduit, le thyristor se comporte comme une diode (la tension vAK nulle et un courant iAK
positif), la gâchette perd son pouvoir de contrôle.
 Le blocage apparaît dès annulation du courant iAK. On ne peut pas commander ce changement,
mais on en distingue deux types : La commutation naturelle par annulation du courant iAK ou la
commutation forcée par inversion de la tension vAK.

II.2.2. Caractéristique tension-courant simplifiée

La caractéristique du thyristor comporte trois branches : C

OA, tension négative : thyristor bloqué

OB, tension positive, pas d’impulsion sur la gâchette depuis
que vAK est devenu positif : thyristor bloqué,
OC, après envoi d’une impulsion alors que vAK était positif :
A O B
thyristor conducteur.

Figure 7 : Caractéristique du thyristor.

On peut remarquer que le thyristor, à la différence de la diode, a une caractéristique à trois
segments, c’est à dire qu’une des grandeurs est bidirectionnelle (ici la tension).

II.2.3. Blocage par commutation naturelle

Ce blocage intervient par extinction naturelle du courant anode-cathode.
Le montage de la Figure 8 fournit un exemple de commutation naturelle qui se
traduit par les chronogrammes de la Figure 9.

Figure 8

Figure 9 : Chronogrammes illustrant d’une commutation naturelle.

II.2.4. Blocage par commutation forcée
Ce blocage est imposé par la mise en conduction d’un
autre composant, qui applique une tension négative aux bornes
du thyristor, provoquant donc son extinction. Les deux
thyristors sont initialement bloqués. Dès que ThP est amorcé,
il conduit et assure le courant iP dans la charge.
Dès l’amorçage de ThE, la tension vAK = –uC est donc
négative et bloque ThP. Figure 10 : Montage avec circuit d'extinction.

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Figure 11 : Chronogrammes issus d'une commutation forcée.

II.3. Composant réel

Le fonctionnement réel est, comme pour une

diode, caractérisé par ses deux états (Figure 12) :
• à l’état passant, vAK ≈ 0, le courant direct est limité par
le courant direct maximal.
• à l’état bloqué, iAK ≈ 0, la tension inverse est limitée
(phénomène de claquage par avalanche) par la
tension inverse maximale.

Figure 12 : Caractéristique du thyristor réel.

II.4. Choix d’un thyristor
Les paramètres qui permettent le choix d’un thyristor sont les suivants :
• la tension inverse VRRM ou directe VDRM maximale de vAK (à l’état bloqué) ;
• le courant moyen I0 (= <iAK> à l’état passant) ;
• le courant efficace IAKeff (à l’état passant).

II.5. Protection du composant

Protection contre les surintensités, les surtensions, les variations brusques et thermique
Pas de différence avec celles d’une diode

Exercice d’application : Etude d’un dispositif de commutation forcée

A l’état initial, le condensateur étant déchargé, la diode D supposée idéale, on amorce le thyristor TH1,
le thyristor TH2 restant bloqué.

a) Lorsque le courant ic est devenu nul, quel est le potentiel du point B ?

b) On amorce ensuite TH2, montrer qu’il y a blocage du thyristor TH1.

Solution :
a) Lorsque le thyristor TH1est amorcé, la tension appliquée aux bornes de l’ensemble série (L, D,
C) est égale à E. L’énergie fournie par l’alimentation à un instant t est égale à q(t)E, où q(t) est
la charge qui traverse le circuit à l’instant t.

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Cette énergie est égale à la somme de celle emmagasinée par le condensateur : 2 𝑞(𝑡). 𝑢𝑐 (𝑡)
1
Et celle emmagasinée par l’inductance : 2 𝐿. 𝑖𝑐2 (𝑡)
Lorsque le courant ic est redevenu nul :
1
𝑞(𝑡)𝐸 = 2 𝑞(𝑡). 𝑢𝑐 (𝑡) Ce qui entraine : uc = 2E
b) Si l’on amorce le thyristor TH2, la cathode du thyristor TH1 est portée à un potentiel égal à u C
=2E, alors que l’anode reste au potentiel E. Il vient donc 𝑣𝐴𝐾 = −𝐸
Le thyristor TH1 est mis en polarisation inverse : il se bloque.

III. Transistor bipolaire de puissance

III.1. Définition et Présentation
Parmi les deux types, NPN et PNP, le transistor de
puissance existe essentiellement dans la première catégorie
(Figure 13). Le transistor est un composant totalement
commandé : à la fermeture et à l’ouverture. Il n’est pas réversible
en courant, ne laissant passer que des courants de collecteur ic
positifs. Il n’est pas réversible en tension, n’acceptant que des
tensions vCE positives lorsqu’il est bloqué. Figure 13 :
Transistor NPN de puissance.

III.2. Fonctionnement du composant parfait

Le transistor possède deux modes de fonctionnement : le mode en commutation (ou non linéaire) est
employé en électronique de puissance tandis que le fonctionnement linéaire est plutôt utilisé en
amplification de signaux.
III.2.1. Fonctionnement et états du transistor

 Transistor bloqué (B ou OFF) : état obtenu en

annulant le courant iB de commande, ce qui induit
un courant de collecteur nul et une tension vCE non
fixée. L’équivalent est un commutateur ouvert.
 Transistor saturé (S ou ON) : ici, le courant iB est
tel que le transistor impose une tension vCE nulle
tandis que le courant iC atteint une valeur limite
dite de saturation, iCsat. L’équivalent est un Figure 14 :
commutateur fermé. Caractéristique du transistor parfait.

IV. Transistor MOS et MOSFET de puissance

IV.1. Définition et Présentation
Le transistor MOS est un composant totalement commandé : à la
fermeture et à l’ouverture. Il est rendu passant grâce à une
tension vGS positive (de l’ordre de quelques volts). La grille (G) est
isolée du reste du transistor, ce qui procure une impédance grille
(G)-source (S) très élevée. La grille n’absorbe donc aucun
courant en régime permanent. La jonction drain (D)-source (S)
est alors assimilable à une résistance très faible : RDSon de
quelques mΩ.
On le bloque en annulant vGS, RDS devient alors très élevée.
Figure 15 : Transistor MOS.

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IV.2. Fonctionnement et modèles du composant parfait

 Transistor ouvert (OFF) : État obtenu en annulant la tension
vGS de commande, procurant une impédance drain-source
très élevée, ce qui annule le courant de drain iD. La tension
vDS est fixée par le circuit extérieur. L’équivalent est un
interrupteur ouvert.
 Transistor fermé (ON) : Une tension vGS positive rend RDS
très faible et permet au courant iD de croître. L’équivalent est
un interrupteur fermé. Figure 16 :
Caractéristique du transistor MOS.

Remarque : A l’instar du transistor bipolaire, le transistor MOS possède également un mode de

fonctionnement linéaire mais qui n’est pas utilisé en électronique de puissance. Il se comporte
alors comme une résistance (RDS) commandée en tension (vGS).

V. Réversibilité en courant des transistors

V.1. Représentation par segments
Les états d’un composant parfait fonctionnant en commutation sont représentés par des demi droites
coïncidant avec un axe (puisque soit le courant, soit la tension sont nuls). La caractéristique tension-
courant du composant se résume à un ensemble des segments représentatifs du nombre d’états. On
distingue deux états au minimum et quatre au maximum. Cette représentation procure l’avantage de
décrire la réversibilité en tension et en courant en fournissant une indication claire de la « fonction »
réalisée par le composant. De plus, suivant le nombre de segments, on peut réaliser une classification
des commutateurs. Enfin, elle aide à la recherche de la fonction « hybride » obtenue par assemblage
de composant élémentaires. Les trois types de composants étudiés précédemment peuvent être
représentés par les caractéristiques de la Figure 17. On voit alors très bien la réversibilité des grandeurs
: Aucune pour la diode et le transistor (courant et tension unidirectionnels) et une réversibilité en tension
pour le thyristor.

Figure 17 : Représentation des caractéristiques tension-courant à l’aide de segments

V.2. Recherche de la réversibilité en courant

Les transistors bipolaires et MOS sont des composants deux segments que l’on pourrait aussi qualifier
de « un quadrant » : La tension et le courant sont exclusivement positifs. On cherche à étendre leurs
caractéristiques en les associant à d’autres éléments pour en faire des commutateurs réversibles en
courant. L’usage des caractéristiques par segments aide à cette recherche. Sur la Figure 18,
l’assemblage réversible en courant contient le transistor (à gauche) et un élément (au centre) qui se
trouve être par inversion du sens des grandeurs une diode placée en parallèle inverse (antiparallèle).
Le schéma résultant est indiqué à la Figure 19 pour le bipolaire et à la Figure 20 pour le MOSFET. Il est
à noter que le groupement résultant n’est pas réversible en tension.

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Figure 18 : Construction de l’assemblage.

Figure 19 : Transistor bipolaire rendu réversible en courant. Figure 20 : Transistor MOSFET rendu
réversible en courant.

V.3. Cas du thyristor

Un raisonnement similaire avec le thyristor (Figure 21) est
illustré par les caractéristiques de la Figure 22.
On notera qu’il s’agit bien d’un interrupteur à trois
segments bidirectionnel en courant et pas en tension car
la diode impose une tension nulle lorsque le courant est
négatif : le segment vcom < 0 ne peut apparaître (pour
ajouter ce segment, il faudrait placer une diode en série
avec le thyristor).

Figure21 : Thyristor–diode antiparallèle.

Figure 22 : Association des caractéristiques par segments.

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Exercice de consolidation
L’interrupteur H (figure 1.1) est un thyristor blocable par la gâchette (GTO) pour lequel il est nécessaire
de limiter les surtensions dues aux inductances parasites lors de son ouverture.
Pour cela on utilise le dispositif d’aide à la commutation représenté sur la figure 1.1 constitué de la diode
D’’, supposée parfaite, de la résistance R’ et du condensateur C.

On suppose dans cette étude que :

- Le courant I0 appelé par l’induit de la machine à courant continu est constant ;
- L’ouverture et la fermeture du GTO sont toujours instantanées.
On se limite à l’étude de la commutation à l’ouverture.
Juste avant l’ordre d’ouverture du GTO, le condensateur C est déchargé. On considère maintenant
comme instant origine t = 0, l’instant où le GTO cesse de conduire.
1. Montrer qu’à l’instant t = 0+ (instant suivant immédiatement l’ouverture du GTO), la diode D ne
peut pas entrer en conduction.
2. En déduire que la conduction est alors assurée par la diode D’’. Montrer que le courant ic
traversant le condensateur vaut I0. Donner l’expression de la tension u(t) aux bornes du
condensateur pour t > 0.
3. Donner l’expression de la tension uD(t) aux bornes de la diode D en fonction de V et de uc(t).
Montrer que lorsque uc(t) atteint la valeur V, la diode D entre en conduction et la diode D’’ se
bloque ; on désignera par t01 cet instant. Calculer t01.
4. Donner l’expression de l’énergie W C qui est alors emmagasinée dans le condensateur en
fonction de C et V.
5. Montrer que la tension uc(t) reste constante et égale à V de l’instant t01 jusqu’à l’instant t02 de
fermeture du GTO
6. Tracer sur document réponse l’évolution de la tension uc(t) de t = 0 à t = t02.

Document réponse

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