Centre Universitaire Amine Elokkal El

hadj Moussa Eg Akamouk

Tamanghasset

les semi-conducteur
MODULE : Electronique de puissance

Préparé par : Professeur :

BELKACEM Nadir. LATRACH Marzak.
BOUZID Chems Eddine.

2019/2020
 Introduction :
Définition :
Un semi-conducteur est un matériau qui a les caractéristiques
électriques d'un isolant, mais pour lequel la probabilité
qu'un électron puisse contribuer à un courant électrique, quoique faible, est
suffisamment importante.
En d'autres termes, la conductivité électrique d'un semi-conducteur est
intermédiaire entre celle des métaux et celle des isolants.
La conductivité électrique des semi-conducteurs peut être contrôlée
par dopage, en introduisant une petite quantité
d'impuretés dans le matériau afin de produire
un excès d'électrons ou un déficit. Des semi-
conducteurs dopés différemment peuvent être
mis en contact afin de créer des jonctions,
permettant de contrôler la direction et la
quantité de courant qui traverse l'ensemble.
Cette propriété est à la base du fonctionnement
des composants de
l'électronique moderne : diodes, transistors, etc.
01/ LA DIODE :
A. Présentation :
La diode est un dipôle à semi-conducteur (jonction PN). Les 2
bornes sont repérées anode « A » et cathode « K ».
 Une diode est un élément ayant la propriété d’être conducteur pour un
certain sens du courant et non conducteur pour l’autre sens.
La surface de séparation des régions de type P et N s’appelle une
jonction PN. Symbole électrique :

B. Fonctionnement :
La diode est un composant dit de commutation qui possède 2 régimes de
fonctionnement :
• Diode à l’état : Passant.
• Diode à l’état : Bloqué.
La diode peut ainsi commuter de l’état passant à l’état bloquée.
Polarisation de la diode en sens direct Polarisation de la diode en sens indirect

D passante D bloquée
Loi des mailles : Valim – VD – VR = 0 Aucun courant ne circule : I = 0
VR = Valim – VD
R.I = Valim – VD
𝐕𝐚𝐥𝐢𝐦 – 𝐕𝐃
𝑰=
𝐑
 C. Caractéristiques :
Le tableau suivante montre 4 caractéristiques de ID = f(VD).
• Caractéristique Réelle.
• Caractéristique Semi-réelle.
• Caractéristique Classique.
• Caractéristique Idéale.
 02- LE THYRISTOR :
A. Présentation :
Le thyristor est un élément commandé en courant. Il est composé de
quatre couches PNPN formant trois jonctions Ja, Jc et Jk.
Les symboles d’un thyristr sont donnés les suivants :

Symboles d’un thyristor

B. Caractéristiques statiques :
En inverse, ces caractéristiques sont identiques aux caractéristiques de
la diode En direct :
 Si le courant de la gâchette est Ig = 0 et on applique certaine tension
assez importante Vak0,
le thyristor s’amorce effectivement et on aura VD = 0.8 V en conduction.
 Pour Ig = Ig1 > 0 le thyristor s’amorce pour une tension directe
Vak1 < Vak0.
 Pour Ig = Ign suffisant, VakN est très faible (conduction comme une
diode).

Caractéristiques statiques d’un thyristor

 03/LE TRANSISTOR :
A. Présentation :
En 1947, les physiciens américains John Bardeen, Walter Brain et
William Shockley ont inventé le transistor chez Bell Telephone
Laboratories. Ils ont reçu le prix Nobel de physique en l'année 1956.
En 1954, Texas Instruments a produit le transistor au silicium pour la
première fois. L'utilisation du transistor est d'amplifier et commuter des
signaux électroniques.
Un transistor est constitué de 2 jonctions PN (ou diodes) montées en sens
inverse. Selon le sens de montage de ces diodes on obtient 2 types de
transistors :
 B. Caractéristiques d’un transistor :
Les constructeurs donnent en général les valeurs ci-dessous à ne
pas dépasser afin d'éviter la détérioration du transistor :
• VCE0 ou VMAX : tension collecteur/émetteur maxi (à VBB = 0V).
• VBE0 : tension base/émetteur maxi.
• IC max : courant maxi dans le collecteur.
• P: puissance maxi que peut dissiper le transistor (avec P = VCE.IC).
C. Fonctionnement :
C’est un petit courant dans la base (Ib) qui permet le passage d'un
courant beaucoup plus fort du collecteur vers l'émetteur (Ic). Le courant
de base est multiplié par un coefficient β :

Ic = β.Ib

 Dans le cas présent le

courant dans le moteur est égal
à 200 fois le courant de base.