Analyse des circuits électronique analogique

Spécialité : GE 101
Niveau : TS

Préparé et présenté par :

AMANA Mohamed Année : 2021/ 2022
  Introduction
conducteur d'électricité est un corps capable de laisser passer un courant électrique

un isolant électrique est un corps qui ne laisse pas passer le courant électrique

Matériaux isolants les matières plastiques sont des isolants

le bois sec est un isolant
l'air (sec) est un excellent isolant

Matériaux conducteurs généralement, les métaux sont conducteurs d’électricité,

les meilleurs étant l'argent, le cuivre et l'or
 Introduction
Semi-conducteurs
Le semi-conducteur est un composé chimique solide, qui peut conduire
l'électricité dans certaines conditions mais pas dans d'autres, ce qui en fait un bon
moyen de contrôler un courant électrique

Exemples de semi-conducteurs

Le silicium est le matériau semi-conducteur le plus utilisé, du fait de ses

bonnes propriétés et de son abondance naturelle. Mais il existe également
des dizaines d'autres semi-conducteurs, comme le germanium
NOTIONS SUR SEMICONDUCTEURS
Semi conducteur intrinsèque: Un semi-conducteur intrinsèque est un semi-conducteur complètement
pur sans aucune espèce de dopant significative présente
Semi-conducteurs extrinsèques
Un semi-conducteur extrinsèque est un semi-conducteur intrinsèque dopé par des impuretés spécifiques
lui conférant des propriétés électriques adaptées aux applications électroniques (diodes, transistors, etc...) et
optoélectroniques (émetteurs et récepteurs de lumière, etc...).

Dopage N: Dans le cas d'un semi-conducteur

extrinsèque de type n, les impuretés sont
appelées donneurs car chacune d'entre elles
donne un électron libre.
Dopage P:
dans un semi-conducteur extrinsèque de type p.
sont appelées accepteurs au vu de leur propriété
d'accepter un électron situé dans un lien de
valence.
Jonction P-N

On appelle jonction P-N la surface de contact entre deux semi-conducteurs dopés

différemment, l'un ayant subi un dopage (positif) de type P (avec du bore ou de
l'aluminium), l'autre ayant subi un dopage (négatif) de type N (avec du phosphore
ou de l'arsenic), l'ensemble constituant une diode, c'est-à-dire un composant qui ne
laisse passer le courant que dans un seul sens.
Diode de redressement
Caractéristique courant/tension.

Le seuil Vo (barrière de potentiel) dépend du semi

conducteur intrinsèque de base utilisé. Il est
d'environ 0,2V pour le germanium et 0,6V pour le
silicium.
 Schéma équivalent.

Diode idéale Diode avec seuil. Diode avec seuil et résistance

Dans ce cas, on néglige la tension de
seuil et la résistance interne de la
diode
On peut continuer à négliger la Ici, on prend en compte la
résistance interne, mais tenir résistance de la diode
compte du seuil de la diode
Ce schéma est le plus utilisé pour
les calculs
Redressement simple alternance.

V = Vmax sin αt = V 2 sin αt avec w = 2πf

Umoy=Vmax/π
Ueff=Vmax/2 Fr=fe
Tension maximale supportée par la diode (TIC): Vdmax=Vmax
Redressement double alternance.

Avec transfo double enroulement.(Transformateur à prise médiane)

V = Vmax sin αt = V 2 sin αt avec w = 2πf

Umoy=2Vmax/π
Ueff=Vmax/ 2 Fr=2fe
Tension maximale supportée par la diode (TIC): Vdmax=2Vmax
Redressement double alternance.

Redressement avec pont de diodes. (Avec pont de Grætz)

V = Vmax sin αt = V 2 sin αt avec w = 2πf

Umoy=2Vmax/π
Ueff=Vmax/ 2 Fr=2fe

Tension maximale supportée par la diode (TIC): Vdmax=2Vmax

 Le Filtrage
Le circuit de filtrage le plus répandu est le celui utilisant un condensateur. Ce dernier est branché à la suite du
redressement. Grâce au condensateur, on retrouve une tension CC fixe à la sortie du bloc d'alimentation. Le
circuit est représenté à la Figure 4-1.

Figure 4-2 Forme d'onde au condensateur et à la charge

En 1: Lors du premier cycle, le condensateur se charge
jusqu'à es crête - 0,7 V et accumule ainsi de l'énergie.
En 2: Le condensateur se décharge ensuite dans la charge
dépensant ainsi d'une manière étalée l'énergie accumulée
auparavant.
En 3: Le condensateur se recharge en récupérant l'énergie
dépensée en 2
 Le Filtrage
Ronflement
La variation de tension aux bornes du condensateur causée par la charge et la décharge est appelée
ronflement. La tension de sortie sera la tension moyenne. La fréquence du ronflement dépendra du
type de redressement utilisé. On exprime la valeur de la tension de ronflement en volts crête-à-crête
(er).

U moy. = (Vmax- UD) - er / 2

où:
Vmax = la tension crête au secondaire du transformateur.
UD = la tension chutée par la ou les diodes du
redressement.
er = tension de ronflement crête-à-crête
Indice de ronflement:
h = er / U max.
% de ronflement = h x 100%
 Le Filtrage
Calcul du condensateur
Afin d'évaluer la capacité du condensateur à installer, il faut connaître les besoins du
circuit qui sont:
a) La tension et le courant désirés à la charge (U moy. et I moy.).
b) La quantité minimale de ronflement (er).
c) Le type de redressement utilisé (pleine-onde ou demi-onde).

On a : C = Q / V

I = Q / t => Q = I x t

Donc C = I x t / V
 Le Filtrage

En reprenant la formule vue précédemment:

C = I x Dt / DV
où:
I = I moyen (courant qui décharge le condensateur)
Dt = La période entre deux recharges (1/f ronfl.).
DV = La variation de tension aux bornes du condensateur (er).
On trouve ainsi cette formule simple:

C = I moy / ( er x f ronfl. )
f ronfl. = 50 Hz en demi-onde.
= 100 Hz en pleine-onde
Exemple

 On applique au transformateur une tension sinusoïdale de 220V et 50Hz.

 La charge résistive R = 100 Ω. Le rapport de transformation NS/NP = 1/20.
 1. Calculer les valeurs maximale, moyenne et efficace du courant circulant
dans la charge. La diode est considérée comme parfaite.
 2. Même question mais on considère que la tension directe de la diode est :
VD = 0,6V
 3. Calculer les courants efficaces IP et IS et la puissance apparente fournie
par le transformateur.
Exemple 1

Soit le montage suivant :

1. Que vaut la tension maximale aux bornes de la

résistance R (URmax)
2. Que vaut la tension de ronflement
3. Que vaut la tension moyenne aux bornes de la
résistance R (URmoy)
4. Quelle est la valeur de la capacité C
Exemple 2

Soit le montage suivant :

Questions:
a)URmax. = ?
b)er = ?
c)UR moyen = ?
d)C = ?
 STABILISATION DE TENSION
Diodes ZENER.
La diode Zener est un composant électrique dont les propriétés sont
semblables à une diode conventionnelle, à la différence que la diode
Zener laisse passer le courant inverse lorsque celui-ci dépasse le seuil
de l'effet d'avalanche.

Utilisation
La diode Zener est donc utilisée pour sa propriété
très spécifique lorsqu'un courant inverse la
parcours. Un usage classique consiste à utiliser la
diode Zener dans un circuit électrique pour réguler
la tension.
Régulation de tension.
Régulation de tension avec diode zener

La résistance R1 permet de limiter le courant maximum qui circule dans la diode

zener.

Régulation à transistor
La tension de sortie du stabilisateur est égale à la
tension de la diode Zener moins la tension base-
émetteur du transistor, U Z - U BE , où U BE est
généralement d'environ 0,7 V pour un transistor au
silicium, en fonction du courant de charge
 Régulateurs de tension

Un régulateur de tension est un élément qui permet de stabiliser une tension à une
valeur fixe

Régulateurs fixes
Les régulateurs fixes sont appelés ainsi parce qu'ils ont été conçus pour délivrer une
tension continue d'une valeur donnée, qui ne peut pas être modifiée sans artifice. Il en
existe de multiples sortes, mais les plus courants sont sans aucun doute ceux de la série
LM78xx (ou uA78xx) et LM79xx (ou uA79xx).
LM = préfixe utilisé par le fabricant. Il peut aussi
s'agir de uA, ou MC.
78 = signifie qu'il s'agit d'un régulateur positif
79 = signifie qu'il s'agit d'un régulateur négatif
xx = tension de sortie fixe (valeur entière)
Valeurs courantes disponibles : 5V, 6V, 9V, 10V, 12V, 15V,
18V, 24V
Ue ≥ Urégulateur + 2 à 3V
Le type de régulateur utilisé permet en théorie de fournir un courant maximum
de 1,5 A
 Régulateurs de tension
Régulateur de tension variable

Les régulateurs ajustables ont été conçus afin de

pouvoir fournir une tension de sortie pouvant
prendre une valeur quelconque dans une plage
bien déterminée
I=1,5 A sous une tension de sortie allant de 1,2 V à 37V.

la tension différentielle (entre l'entrée et la sortie) qui

devra être comprise entre 3V mini et 40V maxi.
Alimentation linéaire

Régulation de tension avec diode zener

Régulateurs fixes 5 VDC
Alimentation linéaire
Alimentation symétrique
 Le transistor bipolaire
Description
Le transistor est un composant semi-conducteur qui comporte trois électrodes : la
base (B), le collecteur (C) et l’émetteur (E).
Le collecteur et l’émetteur constituent le circuit principal, la base et l’émetteur
constituent le circuit de commande. Il existe deux sortes de transistors : le
transistor PNP et le transistor NPN. Ces deux types de transistors fonctionnent de
façon similaire, seules les polarités des courants et des tensions diffèrent.
Trois courants :
• courant de collecteur « iC »
• courant de base « iB »
• courant d’émetteur « iE»

Trois tensions :
• tension base - émetteur « vBE »
• tension collecteur - émetteur « vCE »
• tension collecteur – base « vCB »
"Package" signifie "boîtier": il existe de nombreuses formes de boîtier, qui sont codifiées.
 A titre d'exemple, voici ce qu'on peut trouver dans un catalogue de fabricant
•Transistor NPN 2N2222
•Boitier: TO-92
•Tension Collecteur - Emetteur Vce: 40V (max)
•Intensité Collecteur DC: 600mA (max)
•Tension Emetteur - Base Veb: 6V (max)
•Tension Collecteur - Base Vcb: 75V (max)
•Dissipation de puissance: 625mW max
•Température d'utilisation: -55°C à 150°C
•Type – NPN
•Tension collecteur-émetteur: 250 V
•Tension collecteur-base: 400 V
•Tension de base émetteur: 5 V
•Courant de collecteur: 16 A
•Dissipation du collecteur – 250 W
•Gain de courant CC (h fe ) – 15 à 60
•Fréquence de transition – 4 MHz
•Plage de températures de jonction de fonctionnement et
de stockage -65 à +200 ° C
•Forfait – TO-3
 A titre d'exemple, voici ce qu'on peut trouver dans un catalogue de fabricant

•Type – NPN
•Tension collecteur-émetteur: 100 V
•Tension collecteur-base: 100 V
•Courant de collecteur: 12 A
•Dissipation du collecteur – 80 W
•Gain de courant CC (h fe ) – 750 à 2000
•Plage de températures de jonction de
fonctionnement et de stockage -65 à
+150 ° C
•Paquet – TO-220
La flèche sur le symbole indique l’émetteur et le type du transistor. Un transistor
est un semi-conducteur contrôlable permettant deux types de fonctionnement :
• un fonctionnement bloqué – saturé (en commutation).
• un fonctionnement en amplificateur en courant
fonctionnement

fonctionnement en amplificateur en courant

Utilisation en TOR: Fonctionnement bloqué – saturé (commutation)

• Le transistor saturé est comparable à un interrupteur

fermé (IB = IBsat).

• Le transistor bloqué est comparable à un

interrupteur ouvert (IB = 0).
Exemple: Commande de relais

Le transistor permet de commander le relais en tout ou rien à partir du signal Ve.

 Ve = Vcc → IB = IB sat → IC = IC sat alors le relais est enclenché.
 Ve ≈ 0 → IB = 0 → IC = 0 alors le relais revient à l’état initial.
fonctionnement

Relations fondamentales

Ic=βiB
iE=IB+IC
iE=(β+1)iB=βiB
 Polarisation d’un Transistor
Introduction
La polarisation a pour rôle de placer le point de fonctionnement du transistor dans la zone
linéaire de ses caractéristiques.

• Le point de fonctionnement est fixé par les valeurs de

IB et VBE (caractéristiques d'entrée)
• Les valeurs de IC et VCE (caractéristiques de sortie)
 Polarisation d’un Transistor
Point de fonctionnement
A partir du réseau de caractéristique, on peut déterminer le point de fonctionnement. La
connaissance du point de repos à l'entrée N, permet de déduire, via la caractéristique de
transfert en courant IC= f (IB)la valeur du courant de sortie et donc le point de repos en sortie
M
Maille de sortie : détermination du point M
Maille d'entrée : détermination du point N La connaissance du point (VBE ,IB) permet
La loi des mailles à 1'entrée donne : la détermination du courant ICo.
EB=RB IB+VBE . Le point N est définit par L'équation de la droite de charge statique
l' intersection de la caractéristique est définie, à partir de la maille de sortie,
d'entrée du transistor VBE=f(IB) et de la par :VCE=EC-RC IC .L'intersection de cette
droite d'équation VBE= EB -RB IB appelée droite avec la caractéristique de sortie du
droite d'attaque statique. transistor (correspondant au courant IB0
d'entrée) définit le point de repos en
sortie M caractérise par IC0 et VCE0.
Polarisation d’un Transistor
 Polarisation d’un Transistor

Polarisation par résistance de base

La loi des mailles à l'entrée permet d'écrire :

E=RB.IB+VBE Avec VBE=0,7V
Pour la maille de sortie, on peut écrire :
E=RC.IC +VCE Donc VCE=E-RC.IC avec IC =β.IB
 Polarisation d’un Transistor

Polarisation par réaction d'émetteur Polarisation par réaction de collecteur

 Polarisation d’un Transistor
Polarisation par pont de base et résistance d'émetteur

Pour rendre indépendant le courant collecteur

des variations du gain, on utilise un diviseur de
tension nomme « pont de base ».

On suppose que le courant de base est négligeable par

rapport au courant qui circule dans les résistances du
pont de base.
IB << IP

Dans ces conditions, le pont diviseur maintient constant

le potentiel VB de la base (par rapport à la masse)
VBM=R1.IP
VBM=VBE+RE.IE
Exercices d'applications

β = 100
VBE = 0,7V
VCC = 15V
R1 = 100k
R2 = 10k
Rc = 10k
RE = 1k

1. Calculer : IB, IC, URC, VCE et IE

2. Pour une variation de β de 10%, calculer la 1) Faire la transformation du circuit de polarisation vu

variation de IE. de la base du transistor en son équivalent de
Thévenin et calculer Eth et Rth
β =100 VBE = 0,7V VCC = 15V 2) Etablir l’expression de IE.
3) Calculer IE pour β = 100 et β’=110.
4) Calculer IC, VE, VC, VCE et VB (β = 100).
 Transistor Bipolaire en Régime Variable
Schéma équivalent d’un amplificateur :

Le schéma synoptique d’un amplificateur. C’est un circuit électronique à transistors

destiné à amplifier la puissance d’un signal. Le signal est appliqué à l’entrée d’un
amplificateur par une source représentée par un générateur de tension eg ayant une
résistance interne Rg
Le générateur d’entrée (eg,Rg) est appelé générateur de commande ou générateur
d’attaque.
La charge est représentée par la résistance Ru (résistance de charge ou d’utilisation). Elle
peut être, par exemple, un haut parleur
 Transistor Bipolaire en Régime Variable

 Le gain en tension AV0 à vide (sans charge) : AV0 = Vs / V

 L'impédance d'entrée : Ze =Ve / ie : C’est la charge que cet amplificateur va représenter
pour la source de signal ou l'étage amplificateur précédant.
 L'impédance de sortie : Zs = Vs / is : Elle représente la résistance interne équivalente
présente à la sortie.
Schéma équivalent simplifié d’un transistor en petits signaux
On peut modéliser le fonctionnement du transistor par les équations hybrides suivantes :
vbe = h11.ib + h12.vce = hie.ib + h12.vce
ic = h21.ib + h22.vce = hfe.ib + h22.vce
En alternatif, et pour les petits signaux, ces équations se simplifient et deviennent :
vbe ≈ h11.ib = hie.ib ic ≈ h21.ib = hfe.ib
 Transistor Bipolaire en Régime Variable
Remarque : on utilise plusieurs notations
 rbe = hie = h11
 β = hfe = h21
 ρ = 1/h22 vbe = h11.ib + h12.vce
ic = h21.ib + h22.vce
 Transistor Bipolaire en Régime Variable
Les trois montages fondamentaux :

1. Le montage émetteur commun :

Les condensateurs C1 et C2 sont

appelés des condensateurs de liaison
Le condensateur C 3 est un
condensateur de découplage.
 Le modèle statique est utilisé pour la polarisation du transistor. Et le modèle
dynamique est utilisé pour étudier le signal variable.
 Pour déterminer Q (IC, VCE), on utilise le  Pour le calcul de Ze , Zs et AV, on utilise le
modèle statique modèle dynamique

Modèle statique
Modèle dynamique
CONDENSATEURS EN ALTERNATIF ET EN CONTINU

EN ALTERNATIF EN CONTINU
 Transistor Bipolaire en Régime Variable
Le schéma équivalent dynamique
 Transistor Bipolaire en Régime Variable

Résistance d'entrée
Transistor Bipolaire en Régime Variable
Soit le montage suivant :

R1 = 100kΩ R2 = 10kΩ
Rc = 10kΩ Rg = 1kΩ
RE = 1kΩ Rch = 10kΩ

C1 = 1µF C2 = 1µF Vcc = 15V

β= 100 VBE = 0,7V

1. Déterminer le point de fonctionnement du montage.

2. Calculer l’impédance d’entrée (Ze), l’impédance de sortie (Zs) et le gain du montage (AV).
 Transistor Bipolaire en Régime Variable
Les trois montages fondamentaux :

2.Le montage collecteur commun :

 Transistor Bipolaire en Régime Variable
Les trois montages fondamentaux :

2.Le montage collecteur commun : Le schéma équivalent dynamique

𝐑𝟏𝐱𝐑𝟐
Rb=
𝐑𝟏+𝐑𝟐
 Transistor Bipolaire en Régime Variable
Les trois montages fondamentaux :

2.Le montage collecteur commun : Résistance d’entrée :

 Transistor Bipolaire en Régime Variable
Les trois montages fondamentaux :

2.Le montage collecteur commun : Résistance de sortie

 Transistor Bipolaire en Régime Variable
Les trois montages fondamentaux :

2.Le montage collecteur commun : Gain en tension

 Transistor Bipolaire en Régime Variable
Les trois montages fondamentaux :
3. Le montage base commune
 Transistor Bipolaire en Régime Variable
Les trois montages fondamentaux :
3. Le montage base commune Le schéma équivalent dynamique

Par transformation du générateur de Norton (h21.IB ,1/h22) en son générateur

de Thévenin
 Transistor Bipolaire en Régime Variable
Les trois montages fondamentaux :
3. Le montage base commune Le schéma équivalent dynamique

Par transformation du générateur de Norton (h21.IB ,1/h22) en son générateur

de Thévenin
 Transistor Bipolaire en Régime Variable
Les trois montages fondamentaux :
3. Le montage base commune Résistance d’entrée :
 Transistor Bipolaire en Régime Variable
Les trois montages fondamentaux :
3. Le montage base commune Gain en tension :

A partir du schéma, on a :
 Transistor Bipolaire en Régime Variable
Les trois montages fondamentaux :
3. Le montage base commune Gain en tension :
 Transistor Bipolaire en Régime Variable
Les trois montages fondamentaux : Tableau comparatif des différents montages :