Vous êtes sur la page 1sur 134

Anne 2010-2011

ELECTRONIQUE DE PUISSANCE
A.NAAMANE

Ce cours traite l'tude des convertisseurs de puissance. Le chapitre 1 dcrit les principaux composants utiliss 1.1 les diodes 1.2 les transistors bipolaires 1.3 les transistors MOS ,et thyristors

Le chapitre 2 dcrit les redresseurs 2.1 les principes 2.2 les redresseurs base de diodes 2.3 les redresseurs base de thyristors Le chapitre 3 dcrit les convertisseurs continu-continu 3.1 les structures 3.2 le hacheur srie (Buck) 3.3 le hacheur parallle (Boost) 3.4les hacheurs rversibles Le chapitre 4 dcrit les convertisseurs alternatif- continu 4.1 les structures 4.2 les mthodes d'analyse 4.3 les structures monophases 4.4 les structures triphases

Le chapitre 5 dcrit les convertisseurs continu-alternatif 5.1 les principes 5.2 les onduleurs monophass de tension 5.3 le onduleurs monophass de courant 5.4 les onduleurs triphass

INTRODUCTION
Dfinition de l'lectronique
Plus les applications de l'lectronique se diversifient, plus il est difficile d'en donner une dfinition exacte et de circonscrire son domaine. On peut dire qu'elle est l'ensemble des techniques et des sciences utilisant les proprits des courants d'lectrons et, plus gnralement, de certaines particules charges en vue de saisir, de traiter, et de transmettre des donnes. l'lectronique est l'ensemble des techniques qui utilisent des signaux lectriques pour capter, transmettre et exploiter une information. Une exception est l'lectronique de puissance utilise pour la conversion lectrique-lectrique de l'nergie

La principale diffrence entre l'lectronique et l'lectricit rside dans le fait que les composants lectroniques (diodes, transistors, circuits intgrs...) sont raliss l'aide d'un matriau conducteur

particulier, appel semi-conducteur (silicium pour l'essentiel), au lieu des mtaux et alliages traditionnels utiliss en lectricit (cuivre...)

Systme Systme Energie Electrotechnique Energie


Signal Information

lectronique
Signal Information

Information de contrle

Support energtique

Fonction

Objectif choisir le composant ayant : Tenue en tension infinie Tenue en courant infinie Temps de commutation nulle Courant de fuite nul Pertes par commutation et conduction nulles Puissance de commande nulle Faible cot

Les diodes
1 Constitution de la diode jonction PN
Une diode est forme d'une jonction PN accessible par deux contacts ohmiques : le contact reli la zone P est appel anode et celui reli la zone N cathode. L'ensemble est enferm dans un botier; pour les faibles puissances, celui-ci se rduit un enrobage de rsine. Pour les fortes puissances, la jonction est presse entre deux plaques de cuivre pour assurer une rpartition rgulire du courant dans toute la section; l'ensemble est plac dans un botier mtallique pour faciliter les changes thermiques entre la jonction et l'air ambiant.
Plusieurs technologies sont utilises pour raliser la jonction.

Le mode de fabrication influe sur les caractristiques de la diode tant en rgime statique (tension de seuil, tenue en tension inverse, courant de fuite inverse...) qu'en rgime dynamique.

2 Etude statique de la diode jonction


Nous tudions la diode en rgime continu, toutes les grandeurs tant constantes dans le temps.

2.1 Caractristique statique


Une diode D est polarise par une source de tension continue variable Vp en srie avec une rsistance R. Soit V la d.d.p anode-cathode de la diode et I l'intensit du courant direct.

Lorsque la tension Vp est ngative, la jonction PN est bloque; le courant


inverse Ir = - I est thoriquement gal au courant de saturation Is tant que la tension n'atteint pas la valeur critique de la jonction. En ralit ce courant augmente avec la tension en raison de la gnration de paires dans la zone de dpltion. Le volume cette zone augmentant avec la tension inverse, il s'ajoute au courant de saturation un courant d la gnration de porteurs; ce courant est proportionnel |V|. Lorsqu'on dpasse la tension de claquage, le courant inverse crot rapidement et la jonction est dtruite.

Lorsque la tension Vp est positive, la jonction est traverse thoriquement par le courant direct d'expression I = Is.[exp(V/UT)-1];.

La fig.3.a donne l'allure de la caractristique statique V(I); les fig.3.b et 3.c donnent le dtail de cette caractristique respectivement pour les tensions inverses et pour les faibles tensions directes .

La diode est de type 1N4148 et le trac est fait partir du simulateur SPICE.

Caractristique statique :

Caractristique inverse :

Caractristique directe :

2.2 Modle statique d'une diode


La diode est un diple non linaire; pour pouvoir tudier plus facilement les circuits contenant des diodes, nous allons chercher obtenir un modle linaire par intervalles: Lorsque la diode est en polarisation inverse, le courant inverse est de quelques nA quelques mA suivant le courant direct maximal de la diode; par exemple pour une diode BYX 67-600, le courant direct peut atteindre 30 A alors que le courant inverse ne dpasse pas 10 mA pour la tension inverse maximale. Nous pourrons donc dans la plus part des cas ngliger ce courant et considrer que

une diode polarise en inverse est modlise par un interrupteur ouvert


Lorsque la diode est polarise en direct et que la tension est suffisante, la caractristique de la diode devient quasi linaire. Nous pouvons alors la remplacer par la droite en trait gras de la figure 4.a; la pente de cette droite est 1 / Rs et l'quation de la droite V = Vs + Rs.I; le diple de la fig.4.b forme d'une source de tension continue V s en srie avec la rsistance Rs a la mme quation; il est donc quivalent la diode. Sur la fig.3.c, nous pouvons tracer la droite modlisant la caractristique et lire Vs =0,78 V ; Rs =(0,90-0,78) / 0,1 = 1,2

Nous pouvons adopter un modle plus simple lorsque la rsistance Rs est ngligeable devant les autres rsistances du circuit en srie avec la diode; en ngligeant Rs , nous obtenons la fig.4.c; la diode possde alors deux tats :

elle est bloque tant que V < Vs ; cet tat est caractris par un courant nul; la diode est quivalente un interrupteur ouvert. elle est passante pour I > 0; cet tat est caractris par V = Vs ; la diode est quivalente une f.c..m.
Lorsque la tension de seuil est ngligeable devant les tensions appliques au circuit, par exemple lorsque la diode est alimente par le rseau EDF 220V, nous pouvons ngliger galement la tension de seuil. Nous obtenons la caractristique statique de la fig.4.d; la diode est alors dite idale ou parfaite.

La diode se comporte alors comme un interrupteur ouvert pour V < 0 et comme un interrupteur ferm pour I > 0.
2.3 Limites d'emploi d'une diode
Lorsqu'une diode est polarise en inverse, le courant qui la traverse est ngligeable; la seule limite d'emploi vient alors de la tension de claquage.
Lorsque la diode est polarise en direct, la tension ses bornes est peu diffrente de Vs ; la puissance dissipe dans la diode est P = Vs I ; cette puissance doit tre limite pour que la dissipation de chaleur n'entrane pas une lvation de temprature dtruisant la diode. Nous devons donc limiter l'intensit directe.

Pour lire les caractristiques d'une diode dans un document constructeur, nous devons connatre la norme employe. Les grandeurs sont dsignes par une majuscule, V pour la tension, I pour l'intensit. Ces majuscules sont accompagnes d'une suite d'indices prcisant les conditions de mesure de ces grandeurs.

Le premier indice est : F pour Forward s'il s'agit d'un fonctionnement en polarisation directe et R pour Reverse s'il s'agit d'un fonctionnement en polarisation inverse.
Le deuxime indice indique la caractristique de la grandeur :AV

pour AVerage = valeur moyenne, RMS = valeur efficace, RM = Repetitive Max s'il s'agit d'une valeur maximale que l'on peut rpter priodiquement, SM = Surge Max s'il s'agit d'une valeur maximale accidentelle que l'on ne doit pas rpter. Par exemple pour une diode BYX 67-600, on lira:

VRRM = tension inverse rptitive maximale = 600 V IFAV = courant direct moyen = 30 A IFSM = courant direct accidentel maximal = 300 A pendant 10 ms. IR = courant inverse = 10 mA VRRM VF = tension directe = 1,5 V IF = 30 A On trouve galement dans les caractristiques la contrainte thermique I .t, par exemple 450A.s pour la diode ci-dessus; cette grandeur permet de choisir un fusible de protection de la diode en choisissant une intensit et une contrainte thermique du fusible infrieures celles que peut supporter la diode.

3 Etude dynamique
3.1 Modlisation en "petits signaux" Nous appliquons la diode une tension variable v(t) = Vo+ va(t), Vo tant une tension continue dite de polarisation et va

une tension variable; le courant est alors de la forme i(t)=Io+ia (t). L'hypothse "petits signaux" veut dire que l'amplitude de va est petite devant Vo.
Rsistance

dynamique : le signal variable tant d'amplitude

faible devant le signal de polarisation, la caractristique de la diode peut tre linarise au voisinage de Vo et l'on a va = rd ia ; 1 / rd est la pente di / dv de la caractristique. Pour les faibles courants, la caractristique de la diode est de la forme
; si Vo >> UT, cette quation devient

. Pour des courants forts, la caractristique de la diode est de la forme

; Capacit

de stockage : l'injection de porteurs majoritaires cre

une charge stocke . Dans l'hypothse d'une jonction P+N, on ne considre que la charge Qsn stocke dans la zone N par les trous injects de la zone P+; nous avons vu au chapitre 3, qu'en rgime continu, Qsn = p IDp(0); en polarisation directe, le courant total Io est quasi gal au courant de diffusion des trous donc Qsn = p Io. La variation va de la tension entrane une variation de courant ia = va / rd donc une variation de charge stocke Qsn = p.ia = ( p / rd ). va ; cette variation peut tre modlise par une capacit Cs dite de stockage, telle que Qsn = Cs va ; il vient donc Cs = p / rd .
Modle

de la diode

Pour de petits signaux variables, la diode admet le modle quivalent de la


fig.7:

r modlise la rsistance des zones P+ et N, gnralement ngligeable devant rd. rd est la rsistance dynamique Cs modlise la charge stocke Qsn Ct modlise la charge stocke dans la zone de transition Ces paramtres sont fonction des grandeurs de polarisation Vo et Io. En polarisation inverse, rd est quasi infinie et Cs << Ct ; en polarisation directe r << rd et Ct << Cs .

Commutation de la diode
Le montage utilis pour tester la commutation est reprsent ci-contre

Le gnrateur continu Ed et la rsistance R fixent le courant direct IF l'tat passant. Le gnrateur Ei fixe la tension de blocage. L'inductance L fixe la vitesse de variation di / dt durant les phases transitoires.

Choix d'une diode de commutation


Le circuit extrieur impose la diode les vitesses de croissance et de dcroissance du courant; la mise en conduction, une croissance rapide du courant jusqu' des valeurs leves peut crer une surtension VFP importante. Au blocage, une dcroissance trop rapide du courant cre un courant inverse IRM lev et une forte tension inverse ViM pouvant provoquer le claquage de la diode; pour les diodes douces, la puissance dissipe dans la diode durant le recouvrement est importante; pour les diodes dures, on cre des oscillations parasites dans le montage. Mme si ces phnomnes sont sans danger pour la diode, les phnomnes transitoires en intensit et en tension se reportent gnralement sur d'autres composants du montage et peuvent provoquer leur destruction; il faut donc choisir des composants adapts aux conditions de commutation imposes.

3.3.5 Protection contre les surtensions


Les inductances parasites du montage crent au blocage de la diode des oscillations gnantes et une forte surtension inverse pouvant entraner le claquage de la diode.

Un circuit R - C plac aux bornes de la diode permet d'attnuer ces dfauts:

Le calcul de ce rseau est assez complexe; on doit prendre en compte la tension Ebloc applique au blocage, le courant de recouvrement inverse IRM qui circule dans la diode au moment o se produit la surtension et l'inductance L du circuit.

En posant et , on peut utiliser le graphe de la fig.14 pour dterminer les composants; on se fixe la tension inverse maximale VRM que supportera la diode durant son blocage et on lit k et x sur le graphe et on en dduit R et C.

Par exemple pour une diode BYX 67-600 avec Ebloc = 220 V, IRM = 6 A et L = 1 H, si on veut limiter la tension inverse 400 V, on a

VRM / Ebloc = 1,82 ; sur le graphe on lit x = 1,5 et k = 0,5 . On en dduit R = x. Ebloc / IRM = 55 et C = k.L/ (Ebloc / IRM) = 372 pF. On peut prendre les valeurs normalises 56 et 390 pF.

Diode Schottky
La technologie des diodes Schottky exploite la barrire de potentiel qui se cre au contact entre un mtal et un semi-conducteur gnralement de type N pour obtenir des diodes ayant un faible seuil de conduction et une trs grande rapidit.

Diode Zener : Les diodes Zener sont des diodes au


silicium gnralement utilises pour la rgulation de tension,

Symboles

ou

ancien

CMS

Botier

pour une zner CMS

1.4.2.1.Extrait de fiche technique d'une diode zner CMS :

Utilisations

Dans ce montage on retrouve une diode Zner qui impose une tension de 12V et une diode 1N4004 pour redresser la tension

Ici la diode zner de 15V protge la sortie de U1 au cas ou le transistor Q2 serait en court circuit .

Le transistor bipolaire
I. Le transistor bipolaire

Structure et symbole Modlisation Une vanne de courant Un gnrateur de courant parfait Un gnrateur command via une diode Utilisations : Interrupteur Amplificateur : rle de la polarisation

II. Etude de l'amplification Schma quivalent en petits signaux

III. Applications du transistor bipolaire

Technologie du transistor
Lors de la fabrication du transistor, on doit tenir compte de plusieurs facteurs :

plus la tension de claquage VCEo est leve, plus le collecteur doit tre pais et moins il doit tre dop pour que la jonction JBC tienne la tension. plus la tension de saturation est faible, plus le collecteur doit tre mince et fortement dop pour diminuer la rsistance directe de la jonction. plus nous voulons un gain lev, plus la base doit tre mince et l'metteur fortement dop

plus nous voulons dissiper de puissance, plus la surface de la jonction collecteur base doit tre leve.

Diverses technologies sont utilises :

Structure et symbole.

Un sandwich (Collecteur/Base/Emetteur) semiconducteur

L'autre modle de transistor bipolaire

Premire approximation : la vanne de courant

Essai de reprsentation d'une vanne commande par un courant

Un gnrateur de courant parfait iC Command par un courant iB

Il y a une diode entre la base et l'metteur

L'effet transistor (la commande de iC par iB) n'apparat que si la diode B-E est passante et la diode B-C bloque.

Si uBE < UD0, alors iB = 0, la diode se bloque et iC = 0 : le transistor est BLOQUE (circuit ouvert entre C et E)

Pour bloquer la diode B-C uCE > 0.8 V


Si uCE < 0.8 V, la diode B-C devient passante et l'effet transistor disparat.

iC augmente avec uCE : C'est l'effet Early

Cet effet est d l'augmentation de la tension inverse de la diode BC.

Rseau des caractristiques du bipolaire


Chaque quadrant correspond une proprit intressante du composant

Deux principales utilisations des transistors


Comme un interrupteur command :
En Logique :

En lectronique de puissance :

Comme amplificateur :

Approche graphique de l'amplification

L'amplification est linaire si la sortie a la mme forme que l'entre.

Emetteur Commun :

Collecteur Commun

Base Commune

Polarisation deux sources

Polarisation Instable

Polarisation par pont de base

Polarisation par contre-raction

Une fois le bipolaire polaris, il est possible de sparer le continu des petits signaux

Le transistor bipolaire en petits signaux


rbe : rsistance dynamique de la diode B-E passante.

Modle mathmatique du transistor bipolaire en petits signaux

Le rseau des caractristiques correspond un systme d'quations

Schma quivalent hybride

Valable pour le montage en metteur commun

Trac du schma quivalent d'un montage transistors : Mthode

Remplacer chaque transistor par son schma quivalent

Remplacer chaque source de tension continue par un court-circuit et chaque source de courant continu par un circuit ouvert

Vrifier que chaque noeud est toujours li aux mmes composants.

Cas d'un montage base commune :

Le transistor effet de champ grille isole : le MOSFET

I. MOS enrichissement
Structure et symbole Comportement du MOSFET
Rgime linaire ou ohmique Rgime satur ou transistor

Courbes caractristiques

II. L'amplification avec un MOSFET.


Schma quivalent petits signaux

III. MOS appauvrissement

IV. Portes logiques transistors MOS


NMOS CMOS

Transistor MOS enrichissement (Metal Oxide Semiconductor)


Structure en surface (planar) : "facile" fabriquer en grand nombre

Enrichissement (canal N)

Par dfaut, une telle structure a une rsistance infinie (RDS = 10 G ).

Si une tension est applique, uDS # 0, l'une des deuxdiodes substrat-source ou substrat-drain se bloque. Pourtant, si on applique une tension de grille uGS, le champ lectrique cr sous la grille chasse les trous du substrat et attire les lectrons. Si uGS > UTH, la tension de seuil, une "couche d'inversion" se forme, qui constitue le canal, RDS diminue rapidement. Le canal se forme par "enrichissement" en lectrons.

Rgime Ohmique (rsistance)


Si uDS n'est pas trop leve, uDS << UTH, alors RDS dpend du nombre de porteurs dans le canal, attirs par uGS.

Rsistance variable
En rgime ohmique, RDS diminue si uGS augmente

Rgime pinc (transistor)


Si uDS suffit dpolariser une partie de la capacit M-O-S La couche d'inversion disparat cot drain.

Les porteurs franchissent l'obstacle par effet tunnel. uGS contrle directement le nombre de porteurs dans le canal (# JFET)

Le MOS comme transistor

Le nombre de porteurs du canal augmente avec uGS,donc le courant de drain iD aussi.

Le "gain" du transistor MOS*

La transconductance gm = s est la pente de iD(uGS) gm dpend du point de repos (ID, UGS).

Il est possible d'augmenter le gain en augmentant ID, le courant de drain au repos iD(uGS) est une parabole, ce qui limite le domaine linaire.

Symboles des MOS enrichissement (FET de type C)

La flche indique le sens passant de la diode substratcanal

Symboles usuel du NMOS de type C

1er symbole : Le bulk est le plus souvent reli au drain Le 2me symbole suppose le canal enrichi et pinc Le 3me symbole, utilis en logique, assimile le MOS une rsistance infinie (bloqu) ou faible (passant)

Caractristique du NMOS de type C


Avantage majeur : bloqu si uGS = 0

Symboles usuel du PMOS de type C


Mme remarques que pour le NMOS :
le plus souvent B = S et le canal est enrichi, pinc en logique, il est commode d'assimiler le MOS une rsistance

Toutes les variables (iD, uDS, uGS) sont ngatives

Caractristique du PMOS de type C


Les variables sont ngatives

Utilisations des MOS enrichissement


Interrupteur
C'est la principale utilisation des MOS. Si uDS > UTH : uGS < UTH <=> MOS bloqu <=> iD ~ 0 (le blocage est excellent) uGS > UTH <=> MOS passant <=> iD = IDSS = cte

Amplificateur
La capacit de la grille limite la bande passante du systme. Les progrs actuels repoussent toujours plus loin ce dfaut.

Rsistance commande
RDS est beaucoup plus grande dans un MOS que dans un JFET, aussi ce dernier sera souvent prfr pour cette application.

Amplificateur MOS
* Le montage drain commun est le seul intressant.

Le pont de grille est en sortie ouverte pour le continu. Il fixe UGS au niveau souhait.

Le schma quivalent en petits signaux est le mme pour tous les FET

La capacit MOS est assimilable un circuit ouvert en entre. Les paramtres peuvent s'exprimer sous la forme d'une matrice y. iD augmente faiblement avec uDS, ce qui peut tre modlis par une rsistance de sortie en parallle sur le gnrateur.

A haute frquence, le condensateur MOS reprend ses droits.


Il faut alors en tenir compte.

Les portes logiques base de MOS (C)


L'immense majorit des transistors MOS est utilise dans les circuits logiques haute intgration (VLSI). Les avantages des MOS en logique sont nombreux :
"Faciles" intgrer la surface des wafer Peuvent servir de rsistors, de condensateurs ou d'interrupteurs Il n'y a pas de composant ajout dans une porte MOS

Donc les portes MOS prennent moins de place que les TTL, base de bipolaires L'impdance d'entre trs grande des MOS permet une seule porte de commander beaucoup d'autres portes La moindre lectricit statique dtruit cette impdance Les porte CMOS (Coupled MOS) ne consomme pas de courant au repos

Avantages spcifiques des CMOS


La tension d'alimentation peut tre choisie entre 3 et 15 V La consommation de courant au repos est quasi-nulle

Seul une commutation consomme du courant Donc l'augmentation de la frquence d'horloge augmente la puissance dissipe Toutes les porte MOS ou CMOS sont trs fragiles face l'lectricit statique (ou le erreurs de branchement). Une entre de porte ne doit jamais tre flottante.

Thyristor

Symbole

Conditions d'amorage tension anode-cathode positive et suffisante Vak > 0 courant de gchette (de G vers K) suffisant Ig > Ig(max) catalogue * la notation Ig(max) indique la valeur maximale du courant (continu) de gchette ncessaire l'amorage de tous les thyristors

d'une mme rfrence. Ig(max) est donc la valeur minimale prendre en compte pour le dimensionnement de la rsistance de gchette courant principal Iak suprieur au courant d'accrochage Il (latching current): Iak > Il * dans le cas o le thyristor pilote une charge fortement inductive, le courant principal s'tablit lentement, le courant de gchette doit tre maintenu pendant un temps suffisant (impulsion longue)

Condition de blocage
courant principal infrieur au courant de maintien Iak < Ih (holding

current), pendant un temps suprieur au temps de dsamorage tq. *lorsque le thyristor fonctionne en courant redress (cas du pont mixte ou du pont complet), son blocage est naturel ( chaque priode). Dans le cas d'un fonctionnement en courant continu (hacheur), il faut recourir des dispositifs de blocage (blocage forc). Protection contre les di/dt Au dbut de l'amorage du thyristor, seule une petite partie de la jonction est conductrice. Si la vitesse de croissance du courant principal est trop importante, elle peut entraner des densits de

courant normes qui vont dtruire le composant. Pour limiter ce phnomne, on utilise des petites inductances en srie avec le thyristor. Protection contre les dv/dt Si la tension anode-cathode augmente trop rapidement, elle peut entraner un amorage intempestif du thyristor (sans signal de gchette). Pour neutraliser ce phnomne, on utilise le circuit suivant:

Lorsqu'un front raide se prsente entre les points A et B, le condensateur se charge travers D et l'impdance de la ligne. La tension Vak volue plus lentement (comme aux bornes du condensateur). La rsistance R intervient lors de l'amorage command et limite le courant de dcharge du condensateur dans le thyristor (di/dt). Ce circuit prsente aussi l'avantage d'un amorage plus facile du thyristor, la dcharge du condensateur permettant un tablissement plus rapide du courant d'accrochage . Protection contre les courts-circuits

On utilise des fusibles ultra rapides UR (protistors) choisis en fonction de leur contrainte thermique It (A.s): It fusible < It thyristor.

Spcifications techniques Exemple du thyristor rapide DK2416F (Thomson) 260 Aeff


I0 Vrrm courant moyen tension inverse 165A 1600v

Vdrm

tension directe l'tat bloqu

1600v 4000A

Itsm(10ms) courant de surcharge de pointe di/dt dv/dt Irm Igtmax Vgtmax Vtmmax tq It

vitesse critique de croissance 800A/s du courant vitesse critique de croissance 200V/S de la tension courant inverse courant de gchette d'amorage tension de gchette l'amorage tension de crte l'tat passant temps de dsamorage contrainte thermique 25mA 200mA 3v 2v ( 450A) 60s ( 200A) 80000 As

Application redressement command (en monophas): pont mixte symtrique et pont mixte asymtrique

Redressement command monophas

L'tat conducteur ou bloqu est en gnral dtermin par une lectronique de commande rfrence la cathode

Fonctionnement

Si Vak < 0, le thyristor est bloqu et I=0 (zone 1) Si Vak > 0 sans courant pralable dans la gchette, le thyristor est bloqu (zone 2) Si Vak > 0 et qu'un courant Ig apparat (environ 100mA), la tension Vak s'effondre et le thyristor s'amorce (passage spontan de la zone 2 la zone 3). Ensuite si I > Ih, le courant de gchette Ig peut s'annuler, la conduction entre anode et cathode persiste. Quand I < Ih, le thyristor se bloque (passage en zone 1 ou 2).

Le thyristor peut s'amorcer dans plusieurs cas Si Vak > 0 et Vak = Vrrm avec Ig = 0 le thyristor s'amorce spontanment. Si Vak > 0 et dvak/dt > (dvak/dt)maxi donn par le constructeur, le thyristor s'amorce spontanment. Si Vak > 0 et Ig > 100mA, le thyristor s'amorce spontanment. C'est le fonctionnement normal pour l'utilisateur car il peut matriser l'amorage par une commande lectronique.

Les Fonctions de lElectronique de Puissance

Les sources

Source de tension La tension U est constante quel que soit la valeur du courant i

ui

0 = gnrateur

ui i o ou

0 = rcepteur

0 indique une source rversible 0

En lectronique de puissance souvent i

Source de courant

Le courant i est constant quel que soit la valeur du tension U Difficile trouvermais trs frquente en lectronique de puissance ! En gnral, elle est unidirectionnelle (i 0)

Source transitoire

Condensateur

source de tension

Inductance

source de courant

Les redresseurs

1 2 (3)

Conversion lectrique / lectrique alternatif continu

Il existe deux types de redresseurs simple alternance :

les redresseurs non commands,

constitus d'une diode en srie avec la charge les redresseurs commands, constitus d'un thyristor en srie avec la charge, qui permettent de faire varier les grandeurs lectriques en sortie du convertisseur

Redresseur simple alternance non command

Ce type de redresseur est ralis en mettant simplement une diode en srie avec la charge comme le montre le schma suivant :

Les redresseurs monophass simple alternance non commands conservent la partie positive du signal d'entre et coupent la partie ngative. Leur comportement dpend cependant du type de charge. Nous allons tudier leur comportement avec diffrents types de charges : une charge purement rsistive une charge inductive une charge inductive et une diode de roue libre une charge comprenant une force lectromotrice

Charge purement rsistive Une diode en srie avec une rsistance pure peut jouer le rle de redresseur.

On suppose que de v(t).

et

est la priode

Calcul de la valeur moyenne du courant de sortie du redresseur : Lorsque la diode conduit, on a, d'aprs la loi d'Ohm :

La diode est passante jusqu' ce que le courant qui la traverse s'annule. Or i(t) s'annule pour de cet instant, la diode est bloque. . partir

Par consquent, le courant traversant la charge est :

La valeur moyenne du courant i(t) est donc :

donc

La prsence de la diode impose que le courant ait un signe constant. La valeur moyenne de ce courant est impose par les paramtres de la source et de la charge rsistive. Calcul de la valeur moyenne de la tension de sortie du redresseur : La loi des mailles donne . On a alors, en supposant que vD(t) est nulle lorsque la diode conduit :

La valeur moyenne de la tension vs(t) est donc :

donc

La valeur moyenne de la tension de sortie est positive. On peut galement remarquer que cette valeur moyenne dpend uniquement des paramtres de la tension d'entre.

Calcul du facteur de puissance du redresseur :


La puissance moyenne consomme par la rsistance est :

La puissance apparente de la source d'alimentation est :

On obtient alors la valeur du facteur de puissance :

Le facteur de puissance est infrieur 1. On obtient alors la sortie suivante :

La tension aux bornes de la charge a t redresse.

Charge inductive
Si la charge est de type inductif, la tension de sortie n'est pas correctement redresse si l'on utilise une seule diode.

On suppose que de V(t).

et

est la priode

Calcul du courant traversant la charge


La loi des mailles donne .

Lorsque la diode est passante, on a . L'quation rgissant le comportement du courant dans la charge est alors :

Rsolvons cette quation diffrentielle : avec et

En prenant comme condition initiale .

, on trouve

Le courant i(t) parcourant la charge est donc : Lorsque la diode est passante,

Lorsque la diode est bloque,

La bobine impose la continuit du courant dans la charge. Date partir de laquelle la diode est bloque : La diode se bloque ds que i(t) s'annule. En , on a :

est positif, la diode ne se bloque donc pas en L'introduction de la bobine induit un retard au blocage de la diode. La diode se bloque donc en

Valeur moyenne de la tension de sortie du redresseur : La tension de sortie du convertisseur est :

La valeur moyenne de la tension Vs(t) est donc :

Donc

Comme

, < Vs(t) > est positif.

On obtient alors la sortie suivante :

Dans le cas o l'on a une charge de type inductif, la tension redresse est ngative pendant une partie de la priode. Ce problme est rsolu en ajoutant une diode de roue libre. Charge inductive avec une diode de roue libre Lorsque la charge est de type inductif, la tension ses bornes peut tre ngative en sortie du redresseur. Pour corriger ce problme, on ajoute une diode de roue libre en parallle de la charge. Les deux diodes sont en cathode commune.

On suppose que

et

est la priode de V(t).

D'aprs les rsultats de la fonction Max, une seule des deux diodes peut conduire la fois, celle qui a le potentiel anodique le plus lev. La loi des mailles donne .

Lorsque V(t) > 0, on a VD(t) > VRL(t) et lorsque V(t) < 0, on a VD(t) < VRL(t). Jusqu' , c'est donc la diode D qui conduit. En , la diode de roue libre devient passante et bloque la diode D. Calcul du courant traversant la charge : Lorsque , le montage est quivalent au montage sans diode de roue libre donc . Lorsque , l'quation diffrentielle rgissant le comportement du courant dans la charge est

Le courant tant continu dans une bobine, on a . La solution est donc

Le courant i(t) parcourant la charge est donc : Pour ,

Pour

La bobine impose la continuit du courant dans la charge. Le courant efficace est infrieur celui du montage sans diode de roue libre. Calcul de la valeur moyenne de la tension de sortie : La tension de sortie vaut : Pour Pour , ,

La valeur moyenne de Vs(t) est donc

Donc

La valeur moyenne de la tension redresse est suprieure celle du montage sans diode de roue libre.

On obtient alors la sortie suivante :

Ce montage a permis de corriger le problme survenant avec une charge de type inductif. De plus, la valeur moyenne de la tension de sortie est suprieure. Cependant, la valeur efficace du courant traversant la charge est infrieure au cas sans diode de roue libre.

Charge avec une force lectromotrice Une diode peut redresser la tension aux bornes d'une charge compose d'une rsistance et d'une force lectromotrice.

On suppose que de V(t).

et

est la priode

La loi des mailles donne . Lorsque la diode est bloque, la tension ses bornes est V(t) E. Elle conduit donc ds que V(t) > E. Pendant que la diode conduit, le courant la traversant est rgit par l'quation diffrentielle :

Donc

La diode se bloque ds que ce courant s'annule donc ds que V(t) repasse en dessous de E.

Courant traversant la charge :


Le courant traversant la charge est : Lorsque la diode conduit,

Lorsque la diode est bloque,

Tension aux bornes de la charge :


La tension de sortie aux bornes de la charge est : Lorsque la diode conduit,

Lorsque la diode est bloque,

On obtient alors la sortie suivante :

Conclusion Une diode en srie avec la charge permet de redresser la tension aux bornes de la charge. Si la

charge est de type inductif, il est ncessaire d'ajouter une diode de roue libre pour viter que la tension de sortie soit ngative.

Exo 1. Si la tension d'entre du redresseur est une tension sinusodale de frquence 50Hz. Quelle est la frquence de la tension redresse ?

2. Soit un signal de valeur efficace 330V. En supposant que la charge est une rsistance pure, quelle est la valeur

moyenne de la tension redresse aux bornes de la charge ?

Redresseur lmentaire 1 diode


Charge rsistive :

Charge inductive :

Redresseur lmentaire 2 diodes

Redresseurs lmentaires triphass


Montage cathodes communes :

Cest la diode connecte au potentiel le plus positif qui conduit

Montage anodes communes :

Cest la diode connecte au potentiel le plus ngatif qui conduit

Pont monophas diodes


Vs v

V 2 iD1 vD1 Is=cte D4


T

ie
v D2

Vs D3 Is D1 D3

D2 D4

D1 D3

... ie

Pont triphas diodes


3 2 iD1 vD1 Is D3 D5 Vs D3 D6 Is D1
0
T

V 2

V 6 V 2
0

U13 U23 U21 U31 U32 U12=V1-V2

Vs

i1

D2

D4

D6

D5 D2 D4

D1 i1 iD1

D2

Filtre LC

Inductance de lissage :

L vs

I E
MCC

Pont de diodes triphas Filtre LC :

is L vs C

I E

Cha rge

Linductance lisse le courant La capacit lisse E< vs >la tension Cahier des charges : ondulation de I et/ou E choix de L et C

ond 1 %

Redresseur sur charge capacitive

ie v

is vs

I C

Cha rge aucune D1 + D3 aucune

Pont de diodes monophas

diode diode D2 + D4

Plus la capacit est grande plus la tension est lisse

ond = 1 5 %

2- Redressement command monoalternance

Hypothses : thyristor parfait (vak = 0 en conduction, ih = 0)


u = vak + v v = E + Ldi/dt L'amorage ne peut se produire que si u >E Si vak > 0 et ig = 10mA le thyristor s'amorce et Umsinwt = E + Ldi/dt De 0 j le thyristor est bloqu et i = 0, u = E A j , vak > 0 (car u > E), l'impulsion sur la gchette amorce le thyristor Umsinwt = E+Ldi/dt et i augmente. Il faut que l'impulsion de commande persiste jusqu' ce que i > ih Quand i = 0 le thyristor se bloque et u = E A + le thyristor ne s'amorce pas malgr

l'impulsion de commande car vak < 0 La commande de l'angle permet de rgler la tension moyenne applique sur la charge.

Redresseur lmentaire command

1 2 3

Is = Cte

vs
T

vs

Angle de retard lamorage des thyristors

T1

T2

T3

Instants damorage naturel

< vs > rglable par

Application : alimentation stabilise Redressement

Filtrage

NB : la tension est d'autant mieux "lisse" que la capacit est grande. Mais si l'on choisit un condensateur de valeur trop leve, la charge de celui-ci s'effectue en un temps trs bref, ce qui entrane un courant de crte important dans les diodes, avec risque de destruction de celles-ci.

Application : stabilisation de tension diode Zener

Exemple : alimentation stabilise 5 V. Dans le schma ci-dessous la rsistance R0 est une rsistance de polarisation de la diode Zener, calcule pour que celleci soit traverse par son courant inverse nominal lorsque l'alimentation est vide.

Inconvnient : les diodes Zener tant des diodes de faible puissance, ce genre d'alimentation est rserve aux courants au plus gaux qq 10 mA.

Meilleure solution : stabilisation de tension avec rgulateur

Inconvnient : ce systme de rgulation par abaissement de la tension a un mauvais rendement, puisque l'excdent de tension se solde par des pertes Joule vacues au niveau du rgulateur. Une meilleure solution est assure par un hacheur abaisseur de tension avec rgulation