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2008/2009 Electronique 1 Répartition horaire : cours : 1 H TD : 14H TP :

2008/2009

Electronique 1

Répartition horaire :

cours :

1 H

TD :

14H

TP :

20H

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André Bétemps1 H TD : 14H TP : 20H Auteurs du document : Responsables du document :

Responsables du document :

André Bétempsdu document : André Bétemps Responsables du document : Intervenants André Bétemps Myriam Chesneau Sylvain Boyer

Intervenants

André BétempsResponsables du document : André Bétemps Intervenants Myriam Chesneau Sylvain Boyer Claudine Guérini Jorge Ortiz

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Sylvain BoyerAndré Bétemps Intervenants André Bétemps Myriam Chesneau Claudine Guérini Jorge Ortiz Dernière mise à jour :

Claudine GuériniAndré Bétemps Intervenants André Bétemps Myriam Chesneau Sylvain Boyer Jorge Ortiz Dernière mise à jour :

Jorge OrtizBétemps Intervenants André Bétemps Myriam Chesneau Sylvain Boyer Claudine Guérini Dernière mise à jour : 01/01/2009

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ELECTRONIQUE module 1

Fiches de COURS

Cours n°1: FONCTION DE TRANSFERT

page n°1

Cours n°2: DIAGRAMME DE BODE

page n°2

Cours n°3: AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL

page n°5

Cours n°4: Intégré au TD n°4

Cours n°5: LA DIODE DE REDRESSEMENT

page n°7

Cours n°6: LE TRANSISTOR BIPOLAIRE PREMIERE PARTIE

page n°8

Cours n°7: LE TRANSISTOR BIPOLAIRE DEUXIEME PARTIE

page n°10

Compléments sur la diode et les transistors

TD

TD n°1: FONCTION DE TRANSFERT

page n°1

TD n°2: DIAGRAMME DE BODE

page n°3

TD n°3: AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL

page n°5

TD n°4: MONTAGES à AMPLI OP

page n°7

TD n°5: LA DIODE DE REDRESSEMENT

page n°9

TD n°6: LE TRANSISTOR BIPOLAIRE PREMIERE PARTIE

page n°11

TD n°7: LE TRANSISTOR BIPOLAIRE DEUXIEME PARTIE

page n°12

TP

TP 1 : Diagramme de BODE

page n°1

TP 2 : AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL

page

n° 4

TP 3 : REDRESSEMENT

page n° 6

TP 4 : UTILISATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE

page

n° 10

TP 5 : FILTRES ACTIFS

page n° 14

En fin de poly :

Test 2006/07 sans la solution pour vous forcer à le faire à plusieurs et vérifier vos résultats entre vous.

Test 2007/08 avec correction

IUT d'Annecy Département Mesures Physiques

Bétemps André

MPh1 2008/09

2008-2009

Fiche de cours d'ELECTRONIQUE

MPh 1

Cours N°1

FONCTION DE TRANSFERT

1.

PREREQUIS : à lire AVANT le TD

1.1.

NOTATION COMPLEXE

en régime permanent sinusoïdal :

v(t)

i(t)

= V

= I

cos(
M

cos(
M

t

t)

I
I

V

ω =

)

2 cos(

ω

t)

ω +ϕ =

2 cos(

t

ω +ϕ

)

à chaque grandeur instantanée on associe une grandeur complexe telle que :

v(t)=e(V)

i(t)=e(I)

avec V=V M

avec I=I M

e jwt

=V

e j(wt)

=I

2
2
2
2

e jwt

(si v(t) sinus alors v(t)=m((V))

e j wt

( )

Remarque :

En électrotechnique vu que la fréquence est fixe et que les appareils de mesure fournissent une valeur efficace, on

utilise des expressions simplifiées (amplitudes complexes associées) et ainsi on associe V à v(t) et I e

jϕ

à i(t).

1.2. IMPEDANCE COMPLEXE

on définit : Z = V I pour une pulsation ω donnée, ω = 2πf.
on définit
:
Z =
V I pour une pulsation ω donnée, ω = 2πf.
1
Z
R
Z
=
Z
jL ω
R =
jC ω
L =
C
Faire le 1. de la fiche d'exercices AVANT d'arriver en TD.
2.
FONCTION DE TRANSFERT
quadripôle
v e (t), et v s (t),
sinusoïdales de même pulsation ω = 2πf
régime linéaire,
ni saturation, ni distorsion
linéaire
V
s
H(jω) =
V
e
Exemple :
Physiquement :
Calcul littéral de H(jω):
Filtre passe-haut
si f →0 schéma équivalent
si f → ∞ schéma équivalent
passe les " ………"
coupe les "………."
Vérification cohérence du résultat :
si f →0
H ~ …
si f → ∞
H ~…

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Fiche de cours d'ELECTRONIQUE

MPh 1

Cours N°2

DIAGRAMME DE BODE

1. REPRESENTATION GRAPHIQUE

GainCours N°2 DIAGRAMME DE BODE 1. REPRESENTATION GRAPHIQUE Fonction de transfert → Phase → H Φ

Fonction de transfert

1. REPRESENTATION GRAPHIQUE Gain Fonction de transfert → Phase → H Φ dB = = 20

Phase

H

Φ

dB

=

=

20 log

H
H

en décibels

Arg[H]en deg rés ou radians

en fonction de log (f)

échelle logarithmique : on représente log (f) mais on note en abscisse la fréquence et non son logarithme.

log(f/1) -1 0 123 (Hz) 0,1 1 10 100 1 intérêt de la représentation :
log(f/1)
-1
0
123
(Hz)
0,1
1
10
100
1
intérêt de la représentation :
H
= 20 log
H =
H =
20 log
H
× H
= 20 log
1
H + 20 log
1
H
=
H
+
H
dB
dB
2
2
1dB
2dB
H = H
× H
1
2
Φ=
Arg(H)
=
Arg(H
×
H )
=
Arg H
+
Arg H
1
2
1
2

Les fonctions de transfert sont décomposées en produit de fonctions de transfert bien connues (forme canonique),

puis on somme les diagrammes de Bode de chaque partie, en gain et en phase.

Faire les exercices 2 et 3

2. DIAGRAMMES DE BODE DES FONCTIONS DU PREMIER ORDRE

H 0

HdB f 0
HdB
f
0
Arg H f (log) f (log)
Arg H
f (log)
f (log)

Conclusion : Différence entre H et H dB (>ou <0 ?)

H 1 HdB Arg H f (log)
H 1
HdB
Arg H
f (log)

f (log)

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Fiche de cours d'ELECTRONIQUE

MPh 1

H HdB Arg H 2 f (log) f (log) H 3 HdB Arg H f
H
HdB
Arg H
2
f (log)
f (log)
H
3
HdB
Arg H
f (log)
f (log)

Compléments : Tracé réel de H 3

Calculer H 3dB B

pour f=f

0 /2 puis

puis faire de même

f 0 puis 2f 0 pour arg(H 3 )

Justifier le nom de tracé

asymptotique

HdB Arg H H 4 f (log)
HdB
Arg H
H 4
f (log)

f (log)

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Fiche de cours d'ELECTRONIQUE

MPh 1

3. COMPOSITION DE DIAGRAMMES

H = H' + H" dB dB dB 1 1 H(f) = H' H" ×
H
=
H'
+
H"
dB
dB
dB
1
1
H(f)
=
H' H"
×
=
×
f
f
1
+
j
1
+
j
Φ=Φ+Φ
'
"
10
100
1 10
100
1 k
f (log) Hz
0 dB
- 20 dB
- 40 dB
- 60 dB
calcul de quelques points du diagramme du gain réel:
f = 10 Hz
H dB =
f = 100 Hz
H dB =
1 10 100 1 k 0 ° - 90 ° - 180 °
1
10
100
1 k
0 °
- 90 °
- 180 °

calcul de quelques points du diagramme de phase réel

f = 1 Hz,

Φ =

f = 10 Hz, Φ =

f = 100 Hz, Φ =

f = 1 kHz, Φ=

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Fiche de cours d'ELECTRONIQUE

MPh 1

Cours N°3

AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL

1. ROLE DE L'AMPLI OP EN ELECTRONIQUE

Un amplificateur opérationnel est un composant électronique qui :

+Vcc + ε e + - V s e -Vcc -
+Vcc
+
ε
e
+
-
V
s
e
-Vcc
-

s'alimente par deux sources de tension symétriques Réf/-Vcc et Réf/+Vcc avec la plupart du temps Réf=0V et

Vcc=12V.

Il réalise l'opération V s = A d (e + - e - ) = A d ε, mais A d est si grand que :

o

si on connecte directement les signaux sur les entrées, il se comporte comme un comparateur de tension

o

si on réalise un rebouclage de l'entrée - sur la sortie, on obtient une relation linéaire (amplification) entre le signal qu'on injecte en entrée et celui qu'on recueille en sortie.

o

si on réalise un rebouclage de l'entrée + sur la sortie, il se comporte comme un comparateur de tension à deux seuils.

2. MODELE

Si on veut être capable de prévoir théoriquement l'évolution de la sortie pour un signal d'entrée connu, il faut à partir des caractéristiques essentielles du composant lui associer un modèle qui est l'association de dipôles électriques simples.

Pour l'ampli op d'usage courant, les caractéristiques essentielles sont :

Ad3.10 5 à 10Hz puis diminue quand la fréquence augmente (Ad1 à 3MHz). Pour le modèle on considère que Ad→ ∞ ∀ fréquence

Si on alimente le circuit en -12/0/+12V

i + + ε - i -
i +
+
ε
-
i -

la tension en sortie ne peut pas dépasser +/-11 V On définit alors V s max = V sat 0,9 V cc et

V smin =

- V sat - 0,9 V cc .

Le seul courant que le circuit absorbe est fourni par les alimentations symétriques et on a i + = i - = 0

On en déduit le modèle électrique suivant : ε Ad.ε Rs Rd
On en déduit le modèle électrique suivant :
ε
Ad.ε Rs
Rd

avec Rd= , Rs=0, Ad= d'où

ε

Ad.ε V S
Ad.ε
V S

3. CARACTERISTIQUE ENTREE / SORTIE

montages linéaires en contre réaction : réaction :

A d

montages linéaires en contre réaction : A d → ∞ e + = e - ε

e + = e - ε = 0

montages non-linéaires en boucle ouverte saturation :

si

ε > 0 v s =

Vsat, si ε <0 v s = - V sat

caractéristique statique entrée / sortie

= - V s a t caractéristique statique entrée / sortie IUT d'Annecy Département Mesures Physiques

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Fiche de cours d'ELECTRONIQUE

MPh 1

4. METHODE D'ETUDE SUR LE MONTAGE AMPLIFACTEUR INVERSEUR

R 2 R 1 - v e + v s
R 2
R 1
-
v
e
+
v s

Je constate que la sortie est bouclée sur l'entrée inverseuse, par l'intermédiaire

d'un dipôle donc je pose :

• ε=0 en fléchant directement cette tension sur le schéma.

Vu que i + = i - = 0, je peux déduire que :

le courant qui traverse R 1 est le même que celui qui traverse R 2

Je peux maintenant réaliser ci-dessous un schéma équivalent électrique du montage en enlevant l'ampli op mais en gardant

évidemment toutes les contraintes qu'il a imposées notamment ε=0 donc e - =0V.

Remarque importante :

A partir du schéma électrique équivalent à vous d'utiliser la méthode qui vous convient le mieux :

soit les lois des noeuds et des mailles qui est la méthode de base mais qui ne réserve pas de surprise

soit Millmann qui est une méthode plus systématique donc plus rapide mais où des oublis sont fréquents (impédance cachée ou reliée au 0V)

Méthode Lois des noeuds et mailles

Méthode Millmann

R 1 + v e - R 2 R 1 v s
R
1
+
v
e
-
R
2
R 1
v s

J'en déduis alors que V s = - R

5.

2 V e d'où le nom amplificateur inverseur.

L'AUTRE MONTAGE DE BASE

Amplificateur non inverseur

d'où V s =

Montage suiveur

- + v v s e
-
+
v
v
s
e

R 1 =

Utilité ?

et R 2 =

d'où V s =

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Fiche de cours d'ELECTRONIQUE

MPh 1

Cours N°5

LA DIODE DE REDRESSEMENT

1. PREREQUIS⇒⇒faire le 1 de la fiche d'exercices AVANT d'arriver en TD

2. FONCTIONNEMENT : ANALOGIE HYDRAULIQUE

La diode est comparable à un tronçon de canalisation qui ne laisse passer le liquide que dans un seul sens. Nous considérerons :

Au paragraphe 3. que ce tronçon de canalisation n'entraîne aucune chute de pression (seuil nul)

Au paragraphe 4. que ce tronçon de canalisation introduit une perte de charge (seuil de 0,6V)

3.

DIODE = INTERRUPTEUR UNIDIRECTIONNEL

La diode est un composant électronique qui ne laisse passer le courant que dans un seul sens

La diode ne peut donc prendre que deux états distincts :

Diode conductrice ou passante (fil ou interrupteur fermé)

Diode bloquée (interrupteur ouvert)

I

interrupteur fermé) Diode bloquée (interrupteur ouvert) I U Symbole électrique I>0 U=0 Démarche à suivre :
interrupteur fermé) Diode bloquée (interrupteur ouvert) I U Symbole électrique I>0 U=0 Démarche à suivre :

U

Symbole électrique

I>0

(interrupteur ouvert) I U Symbole électrique I>0 U=0 Démarche à suivre : Hypothèse fausse Diode bloquée

U=0

Démarche à suivre :

Hypothèse fausse

Diode bloquée

I=0 I=0 ou U<0 U
I=0
I=0
ou
U<0
U

Hypothèse :

Diode passante

I=0 I=0 ou U<0 U Hypothèse : Diode passante Calcul de I en remplaçant dans le
Calcul de I

Calcul de I

en remplaçant dans le montage la diode par son schéma équivalent

en remplaçant dans le montage la diode par son schéma équivalent
Calcul de I en remplaçant dans le montage la diode par son schéma équivalent
Calcul de I en remplaçant dans le montage la diode par son schéma équivalent
I >0 ?
I >0 ?

oui

On pourrait supposer au départ la diode bloquée puis vérifier U<0, mais conduit souvent à
On pourrait supposer au départ
la diode bloquée puis vérifier
U<0, mais conduit souvent à
des montages moins intuitifs.
mais conduit souvent à des montages moins intuitifs. Hypothèse exacte Diode passante Et elle conduira tant

Hypothèse exacte

Diode passante

Et elle conduira tant que I>0

Diode passante Et elle conduira tant q ue I>0 Faire le 2. de la fiche d'exercices

Faire le 2. de la fiche d'exercices

4. DIODE = INTERRUPTEUR UNIDIRECTIONNEL AVEC UN SEUIL DE CONDUCTION

Quelquefois un modèle plus complet est nécessaire pour expliquer ou prévoir les formes d’ondes obtenues. On considère alors que lorsque l’interrupteur est fermé il a un seuil de 0,6V. On dit qu’il est équivalent non plus à un fil mais à une fcem de 0,6V.

La diode ne peut donc prendre que deux états distincts :

Diode conductrice ou passante (fcem de 0,6V)

I>0 U=0,6V
I>0
U=0,6V

Diode bloquée (interrupteur ouvert)

I=0 I=0 ou U U<0,6V
I=0
I=0
ou
U U<0,6V

Démarche à suivre :

La démarche est la même que précédemment sauf que dans le schéma équivalent électrique la diode n'est plus remplacée par un fil mais par une fcem de 0,6V. Faire les 3. 4. et 5. de la fiche d'exercices

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Fiche de cours d'ELECTRONIQUE

MPh 1

Cours N°6

LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

PREMIERE PARTIE

1. PREREQUIS⇒⇒faire le 1 de la fiche d'exercices AVANT d'arriver en TD

2. FONCTIONNEMENT : ANALOGIE HYDRAULIQUE

Le transistor est comparable à :

Soit on ouvre plus ou moins la vanne pour contrôler le débit C'est le transistor en régime linéaire

Soit on utilise cette vanne en tout ou rien c'est à dire :

vanne fermée.

vanne ouverte à fond. C'est le transistor en Tout Ou Rien (TOR)

à fond. C'est le transistor en Tout Ou Rien (TOR) 3. LE TRANSISTOR et ses 3

3. LE TRANSISTOR et ses 3 schémas électriques équivalents

A la différence de la diode :

Le transistor possède une broche de plus qui permet de contrôler l'intensité du courant qui le traverse.

Comme la diode :

Le transistor est un composant électronique qui ne laisse passer le courant que dans un seul sens et qui peut être équivalent à un interrupteur ouvert ou fermé (modèle TOR)

Le symbole électrique du transistor est :

Le transistor NPN

C B E
C
B
E

Le petit courant qui circule de B vers E

contrôle le fort courant entre C et E

B Ib
B
Ib

C

E

Ic

La flèche entre B et E est importante car physiquement il y a une diode entre B et E et le sens de la flèche rappelle le sens de

la diode donc du courant (>0).

B
B

E

C

E B C
E
B
C

Le transistor PNP

C'est le petit frère du précédent, la différence

se situant au niveau du sens des courants :

Le petit courant qui circule de E vers B contrôle le fort courant entre E et C

La flèche entre E et B est importante car par rapport au précédent la diode entre B et E est dans l'autre sens. Pour le NPN, le courant entre par la base, pour le PNP, le courant sort de la base.

C C B Les 3 schémas équivalents pour le transistor NPN B V CE I
C
C
B
Les 3 schémas équivalents pour le transistor NPN
B
V CE
I
E
E
B
Ic
I B ≠ 0
OU
Ic=β I B
Ic≠βI B (et Ic<βI B )
V
V
CE >0
CE =0

sont :

I B = 0 Ic=0 V CE
I B = 0
Ic=0
V CE

Transistor passant

Transistor saturé

Transistor bloqué

(régime linéaire)

(fil ou interrupteur fermé)

(interrupteur ouvert)

Pour le transistor PNP,

B

V E C EC

on aura aussi les 3 schémas équivalents avec V EC au lieu de V CE

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2008-2009

Fiche de cours d'ELECTRONIQUE

MPh 1

Démarche à suivre :

Hypothèse 1 :

transistor passant, V BE = 0,6

V

: Hypothèse 1 : transistor passant, V B E = 0,6 V Calcul de I B
Calcul de I B

Calcul de I B

par la maille d’entrée (celle qui passe par V BE )

par la maille d’entrée (celle qui passe par V B E )
Calcul de I B par la maille d’entrée (celle qui passe par V B E )
Calcul de I B par la maille d’entrée (celle qui passe par V B E )

Hypothèse 2 : I C = βI B Calcul de I C

Calcul de V CE

ou V EC pour PNP

oui I B > 0 ?
oui
I B > 0 ?
Hypothèse 1 fausse Transistor bloqué alors I B = 0
Hypothèse 1
fausse
Transistor bloqué
alors I B = 0
oui V CE >0 ? Hypothèse 1 et 2 exacte Transistor passant Hypothèse 1 exacte
oui
V CE >0 ?
Hypothèse 1 et 2
exacte
Transistor passant
Hypothèse 1 exacte
Hypothèse 2 fausse
Transistor saturé
V CE = 0 et I C ≠βI B
Calcul de Ic
par la maille de sortie
(celle qui passe par V CE )
de Ic par la maille de sortie (celle qui passe par V CE ) Montage de

Montage de base et analogie hydraulique :

R C R B Vs Ve
R C
R B
Vs
Ve

Vcc

réservoir Vcc

∅ ≈ Rc
∅ ≈ Rc

On a Vcc=12V,β=150, R B =10kB

Ω; Compléter le tableau suivant :

Ve

R

C

I B B

I C

V CE

État du transistor

De quel élément dépend cet état

0

inconnue

     

0,4

inconnue

     

1

1kΩ

     

1

10kΩ

     

5

1kΩ

     

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Fiche de cours d'ELECTRONIQUE

MPh 1

Cours N°7

LE TRANSISTOR BIPOLAIRE (DEUXIEME PARTIE)

1. PREREQUIS⇒⇒faire le 1 de la fiche d'exercices AVANT d'arriver en TD

Quand on utilise le transistor en régime linéaire, la relation de proportionnalité entre I B et I c permet de réaliser :

une amplification de tension

une amplification de courant

2. CAS OU ON UTILISE UN TRANSISTOR POUR DEBITER PLUS DE COURANT

(SORTIE SUR L'EMETTEUR)

Position du problème :

Soit le montage suivant

Ie Is Ve
Ie
Is
Ve

Vs

Ie 1kΩ Is Ve Vs Faire le 2. de la fiche d'exercices
Ie
1kΩ
Is
Ve
Vs
Faire le 2. de la fiche d'exercices

Vcc

Ve est un générateur de tension qui peut débiter au maximum un courant de 100mA. Les caractéristiques de l'ampoule sont 12V / 4W.

Peut-on allumer l'ampoule ?

Ve est le même générateur que précédemment L'alimentation Vcc vaut 12V et peut débiter jusqu'à 2A. Pour les calculs l'ampoule est simulée par une résistance R. Calculer la valeur de R.

On suppose que le transistor est saturé, calculer la valeur de Is et préciser si l'ampoule peut s'allumer.

Si β=150, calculer la valeur minimum à donner à Ve pour saturer le transistor.

A noter que tout ce qui a été réalisé ici pour le NPN peut être appliqué au PNP par exemple lorsque Ve est inférieur à 0.

3. CAS OU ON UTILISE UN TRANSISTOR POUR AMPLIFIER UNE TENSION

(SORTIE SUR LE COLLECTEUR)

R C R B Vs Ve
R C
R B
Vs
Ve

Vcc

Ce montage doit vous rappeler le montage étudié dans la fiche de cours du TD précédent.

On a Vcc=12V, R B =10kB

Ω, R C =1kΩ et β=150.

Calculer la valeur de Vs pour Ve=0V; 0,4V; 0,7V; 1V; 1,3V; 5V Positionner les points calculés précédemment sur le graphe ci- dessous Vs=f(Ve).

précédemment sur le graphe ci- dessous Vs=f(Ve). Relier les points précédents en supposant que la

Relier les points précédents en supposant que la caractéristique Vs=f(Ve) est constituée de 3 segments de droite. Tracer l'allure du signal Vs si Ve=1+0,3 sin wt et justifier le terme amplification en tension . IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps page n°10

2008-2009

Fiche de cours d'ELECTRONIQUE

MPh 1

Calcul littéral de l'amplification :

On suppose que le transistor fonctionne en linéaire On pose Ve=Ve1, calculer Vs1 en fonction de Ve1 et des éléments du montage. On pose Ve=Ve2>Ve1, calculer Vs2. Déduire l'expression de (Vs2-Vs1)/(Ve2-Ve1).

4. CARACTERISTIQUE DU TRANSISTOR

Dans la pratique on trace la caractéristique Ic=f(Vce) du transistor ce qui permet sur un seul graphe de représenter ses trois modes de fonctionnement.

Ic Ib1 Ib2 Ib=0
Ic
Ib1
Ib2
Ib=0

Ic1=β Ib1

Ic2=β Ib2

5. Pour vous entraîner chez vous

Vce

On donne Vcc = 12 V et β = 200. Pour chaque montage, déterminer l’état de fonctionnement du transistor.

1000 kΩ 4 kΩ
1000 kΩ
4 kΩ

Vcc

at de fonctionnement du transistor. 1000 kΩ 4 kΩ Vcc 100 k Ω 1 k Ω

100 kΩ

1 kΩ

Vcc

4 kΩ 10 kΩ
4 kΩ
10 kΩ

Vcc

100 kΩ

0,5 kΩ

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ELECTRONIQUE

Compléments sur la diode et les transistors

1

De l’atome au matériau

• Le tableau de Mendeleïev :

– Sur une même colonne, même structure électronique externe

– Les colonnes de gauche à droite traduisent le remplissage progressif des couches électroniques d’où une augmentation de l’électronégativité

• Les atomes s’associent en fonction de leur position dans ce tableau :

– Liaison covalente : mise en commun d’un doublet d’électrons entre deux atomes d’électronégativité comparable (« partage équitable d’électrons»)

– Liaison ionique : attraction électrostatique entre deux ions d’électronégativité très différentes (« l’atome le moins électronégatif cède un électron »)

– Liaison métallique : mise en commun d’un nuage d’électrons délocalisé

– Et aussi mais ne nous concerne pas ici,

• Liaison hydrogène (comme dans l’eau, la glace, ciment

• Liaison de Van der Waals (argile, graphite, polymères organiques…)

)

2

Conducteur / Semi-conducteur / Isolant

Conducteur / Semi-conducteur / Isolant B a n d e d e C o n d

Bande de Conduction Bande Interdite (Eg au minimum pour la franchir) Bande de Valence

a: Conducteur b: Isolant c: Semi-conducteur

E f : Energie maximale (Fermi) des états occupés par les électrons au zéro absolu

3

Exemple de conducteur et d’isolant

• Le cuivre – 1e - sur sa couche périphérique

– Cristallise dans le système cubique, réseau faces centrées

• 1e - libre de se déplacer par atome

• D’où un nuage d’électrons libres de se déplacer

– Le niveau de Fermi se situe dans la bande de conduction

• Le diamant

– Carbone cristallisé dans le système cubique, réseau faces centrées

– bande de valence complète quand les atomes s’associent donc bande de conduction vide

– Eg=5,3 eV

4

Le Silicium

Le Silicium • 4 e - sur la couche périphérique, • liaison covalente entre atomes, •

• 4 e - sur la couche périphérique,

• liaison covalente entre atomes,

• cristallise en cubique à faces centrées,

• bande de valence complète quand les atomes s’associent.

• 5.10 22 at./cm 3 Eg=1,1 eV

• Probabilité pour qu’un électron passe dans la bande de

conduction =e -Eg/kT =Ne - BC /Ne - avec kT=26meV à 300K

– Origine thermique, T

– Origine électrostatique Eext=qU

– Origine photoélectrique Ec=hc/λ

• Quand un e - devient libre, il laisse un trou qui n’attend que de capturer à nouveau un e -

– Deux types de porteurs se « déplacent », les e - et les trous.

5

Le dopage

Dopage N

• On insère des atomes pentavalents

Le dopage Dopage N • On insère des atomes pentavalents • (5e - sur la couche

• (5e - sur la couche périphérique)

– Atomes donneurs d’électrons

Dopage P

• On insère des atomes trivalents

• (3e - sur la couche périphérique)

– Atomes accepteurs d’électrons

Dopage N=10 16 at./cm 3 , N+=10 18 at/cm 3 , N++>10 18 at/cm 3 Idem pour P

6

Semi-conducteur dopé N

Dopage N

– 1 e - par atome inséré est libre de circuler

– L’atome inséré devient un ion + donc le siège d’une charge + fixe

par atome inséré est libre de circuler – L’atome inséré devient un ion + donc le
par atome inséré est libre de circuler – L’atome inséré devient un ion + donc le

7

Semi-conducteur dopé P

Dopage P

– Pour s’insérer dans le réseau d’atomes de Si, l’atome récupère l’e - qui lui manque sur sa couche périphérique sur l’atome de silicium voisin

– Apparition d’un trou par atome inséré

– L’atome inséré devient un ion - donc le siège d’une charge – fixe

Apparition d’un trou par atome inséré – L’atome inséré devient un ion - donc le siège
Apparition d’un trou par atome inséré – L’atome inséré devient un ion - donc le siège

8

Jonction PN à l’état initial

• Si on on prend un barreau de Si et que :

– On dope en P d’un coté

– On dope en N de l’autre coté

• On obtient :

P

N

– On dope en N de l’autre coté • On obtient : P N Jonction où

Jonction où les trous coté P capturent les e - libres du coté N. •D’où création d’une zone dépeuplées en porteurs où il ne reste que les charges fixes + coté N et charges fixes - coté P •D’où l’apparition d’un champ Einterne de N vers P qui va tendre à stopper cette migration

9

Conduction de la jonction PN

Zone de transition

• Si on applique Uext

P - + N Eint Uext
P
-
+ N
Eint
Uext

• Uext crée un champ électrique de P vers N donc de sens opposé au champ Einterne

– Si Uext <0 on limite encore plus la migration (diode bloquée) Mais dans la zone de transition tout e - qui réussit se libérer est accéléré par Eint et rejoint le coté N (raisonnement inverse pour les trous). On ainsi l’apparition d’un courant inverse (pA)

– Si Uext>0 on favorise de plus en plus la migration donc le passage d’un courant direct où les e - rejoignent le coté P et inversement pour les trous limiter l ’échange de porteurs entre P et N

10

La jonction PN en inverse

• Non traité cette année

• Très utilisé en optronique

– L’énergie nécessaire pour libérer les e - (et aussi les trous) est apportée sous forme lumineuse.

– Ex : la photodiode

– Pour exploiter davantage ce phénomène :

• on élargit la zone de transition avec un isolant (jonction PIN).

• On la dimensionne de façon à imposer un Eg donné donc une longueur d’onde donnée

11

La jonction PN en directe

• C’est la diode de redressement (et aussi la LED)

• La probabilité pour les porteurs de franchir la zone de transition est e qUext/ηkT et l’expression du courant est I=I 0 (e qUext/ηkT -1)

Pour le Si, I 0 10pA, η=1à2 et ηkT/q50mV à 300K ou 27°C

≈ 10pA, η =1à2 et η kT/q ≈ 50mV à 300K ou 27°C I 0 0,2
I 0 0,2 0,4 0,6
I
0
0,2
0,4
0,6

Uext

η kT/q ≈ 50mV à 300K ou 27°C I 0 0,2 0,4 0,6 Uext 0,8 Il

0,8

Il existe plusieurs approximations :

• soit ignore totalement le seuil de conduction

• soit on considère seulement un seuil (fcem de 0,6V)

• soit on considère le seuil + l’inclinaison de la caractéristique (fcem de 0,6V en série avec une résistance)

12

La jonction PN +

• Au lieu de doper de la même façon les deux bouts du barreau de Si, on insère β fois plus d’atomes donneurs que d’atomes accepteurs d’e - .

• On a ainsi une « jonction PN spéciale » qui quand elle conduit a un courant d’e - β fois plus important que le courant de trous

• Le raisonnement est le même pour une jonction P + N où cette fois ce sont les trous qui sont β fois plus nombreux

13

Le transistor bipolaire

• Le transistor NPN vu en TD :

• Structure interne

Si seule la jonction BE conduit, on a Ib=courant de (trous+e - ) avec e - =β*trous

e -

trous

B

C E
C
E
B Ib
B
Ib

C

E

Ic

Si la jonction BC est en inverse (Vce>>0), Le champ E va attirer les e - si fort qu’ils vont être aspirés vers C sans pouvoir atteindre B Il reste donc Ib faible et apparaît Ic= βIb

N P N+
N
P
N+
C sans pouvoir atteindre B Il reste donc Ib faible et apparaît Ic= β Ib N

U< 0 donc E>0

e -

trous

14

N N+
N N+
N N+
N N+
N N+
N N+
N N+
N N+
N N+
N N+

N

N N+

N+

N N+
N N+

Saturation du transistor

• Quand Vce , puisque Vbe=0,6Valors la jonction BC est de moins en moins en inverse.

• Quand BC en direct des e - sont injectés de C vers B

• B est noyée dans les e - et devient une zone N

• Équivalent d’un barreau dopé N entre E et C

• D’où entre C et E une résistance équivalente faible

• D’où Vce0 V

le PNP fonctionne avec le même principe sauf que c’est le type de porteur en jeu qui change (P + N)

15

Est si on inverse E et C quand on câble ?

e -

Conclusion :

trous

puis

N+ P N e - trous
N+
P
N
e -
trous

On ne grille rien du tout mais tout se passe comme si on avait un β de l’ordre de 1.

16

N+ N
N+ N
N+ N
N+ N
N+ N
N+ N
N+ N
N+ N
N+ N
N+ N

N+

N+ N

N

N+ N
N+ N

Caractéristiques du transistor

Ic Ib1 Ib2 Ib=0
Ic
Ib1
Ib2
Ib=0

Ic1=β Ib1

Ic2=β Ib2

Vce

17

Le transistor FET

• But : commander le passage d’un courant à l’aide d’une tension

le passage d’un courant à l’aide d’une tension G D G Vgs D S Id •

G

D

le passage d’un courant à l’aide d’une tension G D G Vgs D S Id •

G

Vgs

D

S

Id

d’un courant à l’aide d’une tension G D G Vgs D S Id • 4 modes

• 4 modes possibles :

S

– Vgs<Vp (Vp<0), T bloqué et Ids=0 canal pincé

– Vgs>Vp, T conducteur et comme pour le transistor bipolaire il est saturé ou pas en fonction des éléments branchés entre D et S T conducteur mais Vds faible, résistance variable commandée en tension

– Vgs>0,6V, Ids=0, canal coupé.

• Très utilisé en électronique (étage d’entrée des ampli-op) car courant d’entrée Igs=0 donc impédance d’entrée infinie (10 12 Ω)

18

Structure interne

N P P N
N
P
P
N

Entre D et S, on a une zone dopée N que l’on nomme canal

D

G

S

Quand Vgs devient de plus en plus négative la zone de transition de la jonction GS

augmente et réduit ainsi le canal. Et, faire varier la section du canal revient à créer une résistance variable commandée par la tension Vgs Si Vgs devient trop négative (Vpincement) le canal est si réduit qu’il est dit « pincé ».

Si Vgs devient supérieur à 0, la jonction GS tend à conduire et plus elle conduit plus elle tend à couper le canal

19

Montage de base

• Commande en tension avec Ve<0

Ve

R C Vs R S
R C
Vs
R S

Vcc

Polarisation automatique Vgs=-RsId donc <0 avec Id=Idss(1-Vgs/Vp)²

Idss=qq10mA et Vp=-5à-4V selon transistor

R C Vs R S
R C
Vs
R S

Vcc

Il existe évidemment de nombreux montages qui dépassent le cadre de ce cours.

20

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MPh 1

TD N°1

FONCTION DE TRANSFERT

1. PREREQUIS ⇒⇒à faire AVANT d'arriver en TD

1.1. COMPLEXES

Exprimer sous la forme cartésienne et placer sur le cercle trigo Exprimer sous la forme polaire -3, 5j, 2-2j.

e

j0

,

e

/

jπ 4

,

e

/

jπ 2

,

e

/

jπ 2

,

e

jπ

,

e

jπ

.

Quand on veut additionner ou soustraire deux nombres complexes la forme Quand on veut multiplier ou diviser deux nombres complexes la forme

est la mieux adaptée. est la mieux adaptée.

1.2. IMPEDANCE COMPLEXE

Physiquement, quel est le schéma équivalent électrique du condensateur pour les très basses fréquences ? Analytiquement, partant de l'expression générale de son impédance complexe, retrouver la valeur et le schéma équivalent électrique du condensateur pour les très basses fréquences.

Même question pour les très hautes fréquences.

1.3. FORMULE DU DIVISEUR DE TENSION

A Ra Ri Rb B Rappeler l'expression de U Ri en fonction de U, Ra,
A Ra
Ri
Rb
B Rappeler l'expression de U Ri en fonction de U, Ra, Rb et Ri.
U U Ri
U
U Ri

Imaginons que l'on court-circuite Ri avec un fil, en déduire la valeur de l'impédance équivalente entre A et B pour déduire la valeur de U Ri .

2. Impédances complexes d'associations de base

Donner l'expression littérale de l’impédance des dipôles ci-dessous :

littérale de l’impédance des dipôles ci-dessous : Physiquement, quel est le schéma équivalent électrique
littérale de l’impédance des dipôles ci-dessous : Physiquement, quel est le schéma équivalent électrique
littérale de l’impédance des dipôles ci-dessous : Physiquement, quel est le schéma équivalent électrique
littérale de l’impédance des dipôles ci-dessous : Physiquement, quel est le schéma équivalent électrique
littérale de l’impédance des dipôles ci-dessous : Physiquement, quel est le schéma équivalent électrique
littérale de l’impédance des dipôles ci-dessous : Physiquement, quel est le schéma équivalent électrique
littérale de l’impédance des dipôles ci-dessous : Physiquement, quel est le schéma équivalent électrique

Physiquement, quel est le schéma équivalent électrique de ces dipôles pour les très basses fréquences ? Partant de l'expression littérale de l'impédance complexe de ces dipôles, retrouver l'expression et le schéma équivalent électrique de ces dipôles pour les très basses fréquences.

Même question pour les très hautes fréquences.

3. Fonction de transfert

Utiliser la même démarche que dans le cours pour établir la fonction de transfert du filtre passe bas dont le schéma électrique est le suivant :

passe bas dont le schéma électrique est le suivant : IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André

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4. Mise sous forme canonique

Nous verrons au TD suivant comment tracer le diagramme de Bode d'une fonction de transfert.

La première étape est l'obtention de l'expression littérale de la fonction transfert.

La deuxième étape consiste à remettre en forme l'expression de la fonction transfert obtenue afin de la présenter comme l'association de formes simples connues dites formes canoniques.

On utilise 4 formes canoniques et à partir de leur association (multiplication ou division), on peut représenter la quasi totalité des fonctions de transfert des circuits électriques :

,

A j

f

f

1

+

f

f

f

o

,(1

+ j

f

o

),

2 jm

f

o

+ ( j

f

o

)

2

⎟ ⎠

Mettre sous forme canonique le filtre passe bas et le filtre passe haut en rappelant ce que représente f 0 .

Calculer la fonction de transfert du filtre ci-dessous pour R 1 = R 2 = R et la mettre sous forme canonique.

R 2

R 1
R
1

A faire chez soi : reprendre le calcul avec des résistances différentes

5. Fonction de transfert puis forme canonique puis module et phase

Filtre passe haut atténuateur

Donner le schéma équivalent en basses fréquences, puis en hautes fréquences du circuit ci-contre

Calculer

fréquences, application numérique.

Vs/Ve en basses et hautes

R 1 = 82 k Ω C = 100 nF R 2 = 8,2 kΩ
R
1 = 82 k Ω
C = 100 nF
R 2 = 8,2 kΩ
Ve

Vs

Etablir la fonction de transfert du quadripôle ci-dessus et la mettre sous forme canonique en précisant les fréquences remarquables f 1 < f 2 . Vérifier la cohérence des résultats obtenus avec ceux de la question précédente.

Exprimer le module et la phase de cette fonction de transfert.

Pour la fréquence caractéristique f 1 , quelles sont les valeurs numériques de ces grandeurs ?

ATTENTION : Pour vous obliger à faire la question PREREQUIS au début tu texte de TD, pour les prochains TD, un test est à réaliser à l’adresse https://pen.iut-acy.univ-savoie.fr/ AVANT la séance.

Il ne sera évidemment pas possible de faire le test après le TD et un bonus de 0 à 2 sera ajouté à votre note de test théorique.

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TD N°2

diagramme de BODE

1. PREREQUIS⇒⇒à faire AVANT d'arriver en TD

Simplifier les expression suivantes :

log(0,1); log(1); log(10); log(100); 20*log(

1

2
2

); log(2x²)-log(x); log(

25x );

4

log(

25x

)

log( 4 )

.

Donner l'expression du module de la fonction de transfert du circuit suivant :

R 1 = 82 kΩ C = 100 nF Ve Vs R 2 = 8,2
R 1 = 82 kΩ
C = 100 nF
Ve
Vs
R 2 = 8,2 kΩ

2. ECHELLE LOGARITHMIQUE

Sur l’échelle logarithmique ci-dessous, placer les fréquences 100 Hz; 10 kHz; 3,162 kHz; 5 kHz; 20 Hz; 40 Hz. On commencera par calculer et placer log (f).

10 Hz 1 kHz
10 Hz
1 kHz

3. DIAGRAMMES DE BODE ELEMENTAIRES

Soit la fonction de transfert H 0 = 2. Tracer son diagramme de Bode sur la fiche de cours. Soit la fonction de transfert H 0 = - 2. Tracer son diagramme de Bode sur la fiche de cours. Soit la fonction de transfert H 0 = 0,6. Tracer son diagramme de Bode sur la fiche de cours.

H 1 = j f/f o En posant X = log (f), montrer que H 1dB = a X + b Déterminer la pente de cette droite. Pour quelle fréquence le gain H 1dB est-il nul ? Compléter alors la ligne H 1 du tableau de la fiche de cours.

Si H 2 = 1 / H 1 Comment déduire de H 1dB le graphe de H 2dB ? Comment déduire de Arg H 1 le graphe de Arg H 2 ? Compléter alors la ligne H 2 du tableau de la fiche de cours.

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Soit H 3 = (1 + j f/f o ) Lorsque la fréquence tend vers 0, déterminer H dB et Arg H. Lorsque la fréquence tend vers l’infini, déterminer Arg H. Lorsque la fréquence tend vers l’infini, déterminer l’asymptote oblique de H dB . Pour f = f o , calculer H dB et Arg H. Compléter alors la ligne H 3 du tableau de la fiche de cours.

Soit H 4 =

1

1

+

j

f

f

0

. S'inspirer du tracé de H 3 pour compléter la ligne H 4 du tableau de la fiche de cours.

4. CONSTRUCTION :

Déterminer le diagramme de Bode asymptotique (gain) de la fonction de transfert :

5. ANALYSE :

H =

⎛ f f ⎞ ⎜ 1 + j 1 + j ⎟ 1000 10 ⎝
f
f ⎞
1 + j
1
+ j
1000
10
⎞ ⎟ ⎠ ⎛ ⎜ ⎝
f
f ⎞
⎛ ⎜ 1 + j
1
+ j
100
1
⎞ ⎟ ⎠ ⎛ ⎜ ⎝

Déterminer une fonction de transfert associée au diagramme de Bode asymptotique suivant :

100 1 k 10 k 100 k -6 dB -26 dB
100 1 k
10 k
100 k
-6 dB
-26 dB

f (log)

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TD N°3

AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL

1. PREREQUIS⇒⇒à faire AVANT d'arriver en TD

Tracer le diagramme de Bode module seulement de :

(suite Prérequis du TD précédent)

Millmann :

Flécher sur le schéma ci-contre 3 courants I 1 , I 2 , I 3 , qui arrivent au nœud A. Exprimer I 1 en fonction de V,V 1 et R 1 .

S'en inspirer pour déduire les expressions de I 2 et I 3 .

Appliquer la loi des nœuds au point A et en déduire que

Applications :

v

=

R 1 = 82 kΩ C = 100 nF Ve Vs R 2 = 8,2
R 1 = 82 kΩ
C = 100 nF
Ve
Vs
R 2 = 8,2 kΩ
v
2
R
2
A
R
1
R
3
V
v
3
v
1
v
v
v
1
+ +
2
3
R
R
R
1
2
3
1
1
1
+ +
R
R
R
1
2
3

Si R 2 = et V 3 =0V, quelle relation bien connue retrouve-t-on ?

Si R 2 = et V=0V, exprimer V 3 en fonction de V 1.

2.

Montages de base à Ampli Op

(à faire après la fiche de cours)

Les amplificateurs sont supposés idéaux et les alimentations sont symétriques (±12V) d'où des tensions de saturations d'environ ±11V.

2.1. Amplificateur inverseur.

Donner le schéma d'un amplificateur inverseur. Déterminer les résistances pour obtenir une amplification de - 5 et une résistance d'entrée minimum de 10 kΩ. Représenter la caractéristique v s = f(v e ) Quelle est l'amplitude maximum de la tension alternative d'entrée pour un fonctionnement sans distorsion ni saturation Représenter l’allure de la tension de sortie si la tension d'entrée est celle représentée ci-contre.

3 volt 0 10ms 20ms
3 volt
0
10ms
20ms

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t

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2.2. Utilisation d'amplificateurs.

Les résistances normalisées sont à choisir parmi les valeurs suivantes et leurs multiples ( ×10 et ×100 ×1000 ) 100 – 180 – 220 – 330 – 470 – 560 – 820

Voici 3 problèmes indépendants à résoudre :

Un capteur délivre un signal compris entre 0 et 0,2V. Pour en faire l’acquisition avec un ordinateur, il faut qu’il évolue dans la gamme [ 0 ; 10 V]. Proposer une solution.

Je constate que quand je branche le montage n°2 en sortie du montage n°1, la tension de sortie du montage n°1 chute. Donner la raison de ce phénomène et le remède éventuel si je veux que la tension de sortie du montage n°1 reste inchangée.

Mon montage possède une entrée V e et deux sorties V S1 et V S2 telles que V S1 =2*V e et V S2 =-4*V e . Proposer une solution.

Que faire si en plus je veux imposer une impédance d'entrée de 10kΩ ?

2.3. Montages en cascade

Montage soustracteur Ra R - v 1 + v s R v 2 Rb
Montage soustracteur
Ra
R
-
v 1
+
v s
R
v 2
Rb

Exprimer V s en fonction de V 1 , V 2 , R, Ra et Rb.

Donner l'expression simplifiée de Vs lorsque :

Ra=Rb

Ra=Rb=R.

Utiliser tous les résultats précédents pour déduire Vs en fonction de Ve. En déduire une méthode d'analyse quand on a une succession de montages à ampli op et notamment l'intérêt d'avoir une impédance de sortie nulle.

100 kΩ

20 kΩ - + + v e - v s 20 kΩ 11 kΩ 10
20 kΩ
-
+
+
v e
-
v s
20 kΩ
11 kΩ
10 kΩ
1 kΩ

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Cours / TD N°4

MONTAGES A AMPLI OP

1. PREREQUIS⇒⇒à faire AVANT d'arriver en TD

R’ R 1 - R 2 v 1 R 3 + v s v 2
R’
R 1
-
R 2
v 1
R 3
+
v s
v 2
v 3

On a

v s =−

R '

R '

 

R

R

1

v

1 R

R

2

2

v

3

' v

3

A quelle condition a-t-on

v s =−

R

R

'

(

v

1

+ v +

2

v

3

)

?

Application :

On veut transformer un signal carré variant entre -1V et 1V en un signal carré variant entre 5V et 0V. Proposer une solution sachant qu'on impose V 2 =-Vcc=-12V et V 3 inutilisée.

2. Amplificateur dédié à l'instrumentation (ampli d'instrumentation)

2.1. Voici l'étage d'entrée d'un amplificateur d'instrumentation

Nous allons utiliser deux méthodes différentes pour exprimer V S en fonction de V 1 -V 2. Tout d'abord, quelle que soit la méthode utilisée, soient V A le potentiel en A et V B le potentiel en B, exprimer V 1 en fonction de V A et V 2 en fonction de V B.

Millmann:

o Soient V C le potentiel en C et V D le potentiel en D, exprimer V S en fonction de V D et V C. Appliquer Millmann en A puis en B et déduire V S .

Lois des nœuds et des mailles:

+ v 1 - C A 10 kΩ 6,8 kΩ v 10 kΩ s B
+
v
1
-
C
A
10
6,8 kΩ
v
10
s
B
-
D
+
v
2

o Soit I, le courant qui traverse la résistance de 6,8kΩ, exprimer le courant qui traverse les résistances de 10kΩ en fonction de I. En déduire un schéma équivalent électrique où seules les 3 résistances et les 2 tensions (V 1 -V 2 ) et V S apparaissent. Appliquer la formule du diviseur de tension et déduire V S .

2.2. L'inconvénient de ce montage est que

V S n'a pas la même référence de potentiel que V 1 et V 2 , ajouter le montage à ampli op adéquat pour résoudre ce problème.

2.3. Mais 2 montages presque identiques se suivent

Quels sont les avantages du premier montage sur le deuxième ?

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3. Montage intégrateur

3.1. Etude quand le signal d'entrée est quelconque

Quand le signal d'entrée est quelconque c'est à dire aussi bien sinus, que triangle, que carré, que

revenir aux équations différentielles et

oublier les impédances et donc Millmann !

, il faut

Exprimer I en fonction de V e . Exprimer le courant qui traverse le condensateur
Exprimer I en fonction de V e .
Exprimer le courant qui traverse le condensateur en fonction de I.
I
V
c
Exprimer I en fonction de V C .
Exprimer V C en fonction de V S.
-
v
e
+
v
s
En déduire V s en fonction de V e et le nom de ce montage.
Que se passe-t-il si Ve est un signal continu ?
Donner l'allure du signal de sortie si Ve est un signal carré avec une composante continue nulle.
3.2.
Cas particulier du signal sinusoïdal
Lorsque le signal est sinusoïdal, on peut utiliser l'expression des impédances complexes et donc aussi
Millmann
Exprimer V s en fonction de V e .
3.3.
Premiers pas vers le filtrage actif
On place en parallèle sur le condensateur une résistance de valeur 10 fois supérieure à la résistance déjà
présente. En déduire la fonction de transfert et le type de filtre ainsi réalisé.
4.
Montage dérivateur
Suivre le même raisonnement que pour la partie 3. :
dv
-
pour obtenir
v
=− RC
e
s
dt
v
e
+
• puis déduire la fonction de transfert
v s
• puis expliquer comment on peut réaliser un filtre
passe haut sachant que la résistance à ajouter n'est
plus en parallèle mais en

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TD N°5

LA DIODE DE REDRESSEMENT

1. PREREQUIS⇒⇒à faire AVANT d'arriver en TD

Dans le circuit électrique ci-contre, on modifie la valeur de l'impédance de Z, compléter le tableau ci-dessous :

1Ω I 1V Z
I
1V
Z

V

Z

valeur de Z

schéma équivalent électrique de Z

valeur de V

Valeur de I

circuit ouvert

fil

court-circuit

0

Donner la valeur de V si on enlève le dipôle Z dans le circuit puis si on court-circuite Z avec un fil.

fil Application : circuit ouvert 10Ω A 6 Ω interrupteur ouvert interrupteur fermé 2. DIODE
fil
Application :
circuit ouvert
10Ω
A
6 Ω
interrupteur ouvert
interrupteur fermé
2. DIODE = INTERRUPTEUR UNIDIRECTIONNEL

B

R équivalente entre A et B =?

Ud Is Ue R
Ud
Is
Ue
R

Us

Ue= 100V, calculer Is.

Ue= - 10V, calculer Is.

Application : Ue= 220

calculer Is. Ue= - 10V, calculer Is. Application : Ue= 220 2 sin(2 π 50 t)

2 sin(2π 50 t) (Redressement sur le secteur simple alternance)

Déterminer quelle condition sur Ue permet de conserver Is>0 (D passante). Déduire l'allure de Us et Ud.

3. DIODE = INTERRUPTEUR UNIDIRECTIONNEL AVEC UN SEUIL DE CONDUCTION

Application :

Redressement dans le cas où l'amplitude de Ue n'est pas très supérieure au seuil de la diode.

Le montage est le même que précédemment. Suivre le même raisonnement que précédemment pour déduire l'allure de Ud et Us dans le cas où Ue=2 sin wt.

4. DONNER LA VALEUR DE IR DANS LES MONTAGES SUIVANTS EN CONSIDERANT LE MODELE DE LA DIODE DU 4. (SEUIL DE 0,6V)

Ir Ir Ir 1 kΩ 1 kΩ 20V 50 Ω 2A 50 Ω 20V R
Ir
Ir
Ir
1 kΩ
1 kΩ
20V
50 Ω
2A
50 Ω
20V
R
2A

Pour quelles valeurs de R la diode est-elle bloquée ?

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MPh 1

5. CAS OU ON A PLUSIEURS DIODES DANS LE MEME MONTAGE EN CONSIDERANT LE MODELE DE LA DIODE DU 3. (SEUIL NUL)

T héorème :

Quand N diod es ont leur cathode reliée, la diode qui conduit est celle qui a son anode au potentiel le plus élevé.

Et inversement lorsque N diodes ont leur anode reliée, la diode qui conduit est celle qui a sa cathode au potentiel le plus faible.

D1 5 .1. D2 D3 E1 D4 E2 E3 E4 5 .2.
D1
5
.1.
D2
D3
E1
D4
E2
E3
E4
5
.2.

Ir

20 Ω

D1 D'2 Us R Ue D2 D'1
D1
D'2
Us
R
Ue
D2
D'1

Q uelles diodes conduisent quand Ue<0 ? D éduire Us en fonction de Ue dans ce cas.

Déduire l’allure de Us

si Ue= sin(wt).

si Ue= 1+2sin(w t).

On a E1=5V, E2=10V, E3=8V,E4=20V.

Appliquer le théorème pour déduire sans calcul sur quelle diode on doit poser l'hypothèse de conduction pour calculer le courant Ir.

Si Ue >0 :

Entre D1 et D'2, laquelle des deux diodes a le potentiel d'anode le plus élevé ? Entre D2 et D'1, laquelle des deux diodes a le potentiel de cathode le plus faible ? Déduire :

Les deux diodes qu'il faut garder pour la suite pour poser l'hypothèse de conduction.

le schéma équivalent du montage avec cette hypothèse.

L'expression de Us en fonction de Ue

La condition sur Ue qui assure I>0 dans les diodes qui conduisent.

5 .3. Pour vous entraîner chez vous

20V

I 20 Ω
I
20 Ω

10V

C lcul de I. A llure de I, lorsque 20V remplacé par 20 sin(wt) et 10V remplacé par 10 cos(wt).

a

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TD N°6

LE TRANSISTOR BIPOLAIRE (PREMIERE PARTIE)

1. PREREQUIS⇒⇒à faire AVANT d'arriver en TD

Partie 5.3 du TD précédent.

Partie 5.2 du TD précédent avec D'1 remplacée par un circuit ouvert ce qui correspond au cas où une diode grille.

Partie 5.2 du TD précédent avec D'1 remplacée par un fil ce qui correspond à l'allure obtenue en TP en Us quand on essaye d'observer simultanément Ue et Us (donc masse de l'oscilloscope et masse du GBF reliées).

2. NPN

R c =1kΩ R B = 100 kΩ V B
R c =1kΩ
R B = 100 kΩ
V
B

3. PNP

Vcc = 12 V

On a β=150. Donner l'état du transistor dans les cas suivants :

Source de tension V B déconnectée

V B = 0,4V

V B = 1V

V B = 5V

Calculer la valeur de V B au delà de laquelle le

transistor est saturé.

R B = 10 kΩ Vcc = 12 V R c =1kΩ V B
R B = 10 kΩ
Vcc = 12 V
R c =1kΩ
V
B

4. POUR S'ENTRAINER

On a β=150. Donner l'état du transistor dans les cas suivants :

Source de tension V B déconnectée

V

V

V

B

B

B

=0

=12V

=11V

R R C R B Vs Ve Pour vous entraîner chez vous
R
R C
R B
Vs
Ve
Pour vous entraîner chez vous

On a R=100kΩ, R B =10kΩ et R C =1kΩ, β=150.

Donner l'état du transistor dans les cas suivants :

Vcc=12V

Source de tension Ve déconnectée

Ve = 0V

Ve =5V

Calculer les limites de blocage et saturation du transistor en fonction de Ve. IUT d'Annecy Département Mesures Physiques André Bétemps

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TD N°7

LE TRANSISTOR BIPOLAIRE (DEUXIEME PARTIE)

1. PREREQUIS⇒⇒ conseillé pour bien vous préparer au test

Voici quelques exercices typiques donnés en test les années précédentes

a. Fonction de transfert

9R

C Ve C R
C
Ve
C
R

Vs

Montage équivalent pour les très basses fréquences et expression de Vs/Ve.

Montage équivalent pour les hautes fréquences et expression de Vs/Ve.

Donner l'expression complète de Vs/Ve et utiliser les résultats ci-dessus pour contrôler l'exactitude de votre réponse.

b. Diagramme de Bode

Tracer les diagrammes de Bode (module et phase) de

, *

( 1

0 1

(

1

+ j

j

+

f

5a

f

) a

)

H =

c.

Montages à ampli OP

 

R

 
-
-
- + 9R R Ve Vs
+ 9R R
+
9R
R

Ve

Vs

Donner l'expression de Vs/Ve en détaillant bien les calculs.

Donner la valeur de l'impédance d'entrée et de sortie de ce montage.

Y-a-t-il un intérêt à utiliser ici un ampli-op ?

En réalité, on a effectué une erreur de câblage, c'est à dire que la

résistance de 9R devait être connectée sur l'entrée -.

R

On a alors le montage suivant :

Donner l'expression de Vs/Ve en détaillant bien les calculs.

9R
9R
- + R
-
+
R

Ve

Vs

d.

Montage à diode idéale (U d =0 lorsque passante)

 

V e

I R R 1 R
I
R
R
1
R

Flécher le courant I d qui traverse la diode lorsqu'elle est passante.

Donner le schéma équivalent de ce montage quand la diode est

passante. On nomme ce schéma S1.

Déduire de S1, le schéma équivalent du montage lorsque R 1 vaut 0 Ω puis l'infini. Déduire la valeur de Id dans chaque cas.

Reprendre le schéma S1 pour démontrer que I d =Ve/(R+2R 1 ). (Attention, vu que pour vous aider, le résultat est donné, seul le détail des calculs compte).

Vu que lorsqu'on fait l'hypothèse que la diode est passante I d =Ve/(R+2R 1 ), déduire à quelle condition la diode conduit.

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e. Montage à diode (U d =0,6V lorsque passante)

Pour bien s'entraîner reprendre toute la partie précédente avec U d =0,6V.

On obtient alors I d =(Ve-1,2)/(R+2R 1 ).

f. Montages à transistor (β=100 et V BE =0,6V lorsque Transistor passant)

Flécher I B ,B I C , V CE , puis mener tout le raisonnement
Flécher I B ,B I C , V CE , puis mener tout le raisonnement (Hyp1 puis Hyp2
)
pour aboutir à Vs.
100Ω
100Ω
100Ω
1000Ω
Vcc=12V
Vcc=12V
Vs
Vs
Vs
100Ω
Vs =
Vs =
Vs =

g. Montage à transistor

Vcc=12V

Potentiomètre R R 1 Is
Potentiomètre
R
R
1
Is

Flécher V BE , I B B et I C lorsque le transistor est passant.

Vcc=12V

On a β=1000 et V BE =0,6V ce qui nous permet de considérer que Is=I C

pour la suite.

Donner l'expression de Is lorsque R pot vaut 0 Ω puis l'infini

La valeur du potentiomètre vaut R pot , Corriger les deux erreurs qui se sont glissées dans l'équation ci-dessous puis déduire Is en fonction de Vcc, R pot et R 1 .

Vcc=(R pot β Is) - 0,6 + (R 1 Is) La résistance R est en réalité une ampoule. Pour R 1 fixe :

o

préciser quelles grandeurs augmentent quand on diminue la valeur du potentiomètre.

o

la valeur de R 1 a-t-elle une importance ?

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2. CAS OU ON UTILISE UN TRANSISTOR POUR DEBITER PLUS DE COURANT

On sait qu'un amplificateur opérationnel est protégé en sortie contre les court-circuits en limitant le courant débité à une vingtaine de milliampère, dans le montage ci-contre aura-t-on Vs=Ve ?

Ve=10V

100Ω
100Ω

Vs

On propose comme première idée :

Ie Is 100Ω Vs
Ie
Is
100Ω
Vs

Ve

Vcc

La résistance connectée sur la base est-elle indispensable ? Quelle valeur faut-il donner à Ve pour avoir Vs=10V ?

Montage final :

Ve

Ie Is 100Ω Vs
Ie
Is
100Ω
Vs

Vcc

Quelle valeur faut-il donner à Ve pour avoir Vs=10V ? La puissance dissipée par un transistor lorsqu'il fonctionne en régime linéaire vaut Vce*Ic. On suppose que pour ce transistor, la puissance maximale qu'il peut dissiper vaut 0,8W. Calculer P dans le montage précédent lorsque Vcc vaut 12V. Que se passe-t-il si on remplace la résistance de 100Ω par une résistance de 10Ω ?

Expliquer l'intérêt d'avoir modifié le montage précédent de cette façon :

Ve

Ie 3,3Ω Is Vs 100 Ω
Ie
3,3Ω
Is
Vs
100 Ω

Vcc

On diminue lentement la valeur la résistance de 100Ω jusqu'à arriver à une valeur de 10Ω, expliquer ce qui se passe. Déduire à qui on vient de sauver la vie.

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MP1

TP N°1 d’ELECTRONIQUE Diagramme de BODE

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Matériel : R = 1 kΩ, 10 k Ω; C = 100 nF et Papier semi-log 4 décades

1. Préparation sur https://pen.iut-acy.univ-savoie.fr/ AVANT la séance.

1.1. Le module

Méthode pratique :

On se fixe une amplitude pour Ve et on y touche plus jusqu'à la fin des mesures.

Pour chaque valeur de fréquence choisie, on mesure l'amplitude des signaux d’entrée et de sortie, et on calcule

20 × log

Vs Ve
Vs
Ve

Des choix judicieux :

Faut-il choisir l'amplitude de Ve grande ou petite ?

Je viens de réaliser deux mesures de module dont une pour f 1 =100Hz et une pour f 2 =1kHz. Je veux prendre un point de mesure entre ces deux points, la valeur la plus judicieuse est-elle 500Hz ?

Le signal observé est très bruité : Vu que j'effectue un rapport d'amplitude V s /V e , pourquoi ai-je intérêt à faire une mesure d'amplitude en valeur efficace ?

1.2. La phase

Avec un oscilloscope numérique tel celui utilisé en TP la mesure du déphasage est automatique.

Mais quel est le signe de la phase ?

Pour le connaître, il faut déterminer quel signal est en avance sur l’autre. Indiquer sur les signaux ci-contre quel signal est en avance sur l’autre.

1.3. Mesures

quel signal est en avance sur l’autre. 1.3. Mesures • Pourquoi les mesures doivent-elles être effectuées

Pourquoi les mesures doivent-elles être effectuées en régime sinusoïdal permanent exclusivement ?

Prévoir le diagramme asymptotique de Bode module et phase des montages des parties 3. et 4.

2. De la rigueur aussi en TP

En mathématiques vous savez que pour arriver à un résultat correct, il faut être rigoureux que ce soit pour une simple addition ou une intégrale compliquée. Oublier une petite retenue lors d’une addition, c’est comme oublié un petit fil en câblage et dans les deux cas à on aboutit une erreur. En TP c’est la même chose, si vous vous dites que vous câblerez bien le jour où vous aurez un montage compliqué, vous ne câblerez jamais correctement.

Les règles de base sont :

Si j’ai besoin d’un fil de 2cm de long, un fil de 20cm ne fera pas l’affaire d’autant plus qu’étant toujours sur la même table de TP, ne pas prendre la peine une fois préparer des fils c’est ne jamais avoir de fils à la bonne longueur

Un fil dénudé trop court risque de s’enlever tout seul. Il n’y a pas (à court terme) de faux contacts, il n’y a que de mauvais câbleurs.

Un fil dénudé trop long va générer un court-circuit quand l’extrémité dénudée va toucher les pattes des composants

Le montage doit « ressembler » au montage théorique sinon il faut à chaque fois qu’on intervient sur le montage repenser aux petites astuces trouvées pour gagner un fil ou de la place.

Pour les montages avec des circuits intégrés, le montage théorique sur feuille doit comporter le numéro des pattes.

Les deux bornes BNC sont réservées à l’oscilloscope et la borne noire est le 0 de l’oscilloscope donc souvent le zéro du montage

3. Relevé complet d'un diagramme de Bode

Se préparer aux mesures D'après la préparation, dans quelle plage de fréquence est-il

R = 1 k Ω

IUT d'Annecy Département M esures Physiques André Bétemps page n°1 Ve C = 100 nF
IUT d'Annecy Département M esures Physiques André
Bétemps
page n°1
Ve
C = 100 nF
Vs

MP1

TP N°1 d’ELECTRONIQUE Diagramme de BODE

2008-09

astucieux de réaliser des mesures d'amplification et de déphasage.

Prévoir pour commencer 5 points de mesure au total puis multiplier les mesures aux endroits intéressants.

Les points seront relevés dans un tableau de mesures et reportés sur le graphe (papier semi-log) au fur et à mesure. Ceci permet de refaire rapidement un point qui est erroné.

Faire le câblage

Même si la plaque est différente, votre montage devrait ressembler à :

Effectuer un relevé complet du diagramme de Bode, amplitude et phase. Tracer les asymptotes et déterminer la fréquence de coupure :

les asymptotes et déterminer la fréquence de coupure : • grâce à l'intersection des asymptotes (attention

grâce à l'intersection des asymptotes (attention à ne pas en tirer une règle générale car ce n'est pas toujours vrai)

grâce au -3dB du diagramme de Bode en amplitude (toujours vrai)

puis grâce au -45° du diagramme de Bode en phase (attention à ne pas en tirer une règle générale car ce n'est pas toujours vrai) Justifier pour chaque cas les écarts avec la théorie ?

3. Détermination du type de filtre et de sa (ses) fréquence (s) de coupure

Très souvent, le tracé exact du diagramme de Bode n'est pas nécessaire et les informations type de filtre et fréquence de coupure sont suffisantes pour le caractériser.

Détail de la méthode

N'observer que Vs sur l'écran de l'oscilloscope et chercher pour quelle(s) fréquence(s) V s crête à crête ou efficace est maximum.

o

pour un filtre passe bas ce sont des basses fréquences

o

pour un filtre passe haut ce sont des hautes fréquences

o

pour un filtre passe bande c'est dans la plage de fréquence où le signal est le plus élevé

Soit V SM cette valeur. Observer aussi Ve et calculer le gain à cette fréquence (pour ce TP c'est 0 dB mais ce n'est pas toujours le cas).

Calculer V SC = 0,707 V SM . N'observer ensuite que Vs sur l'écran de l'oscilloscope et laisser la mesure de l'amplitude de V S affichée à l'écran. Faire ensuite varier seulement la fréquence du GBF de façon à trouver pour quelle valeur de la fréquence, l'amplitude de V s diminue jusqu'à la valeur V SC. Pour cette fréquence particulière, V s est alors atténuée de 3 dB ( 20log(0,707)=-3) et on appelle cette fréquence, la fréquence de coupure à -3 dB ou bande passante. Pour un filtre passe bande, on obtient les deux valeurs de fréquence qui encadrent la plage de fréquence où le signal est le plus élevé. la différence entre ces deux fréquence se nomme la Bande passante.

Manipulation

Revenir au montage précédent puis vous entraîner à mesurer la bande passante. Faire vérifier à l'enseignant que vous êtes capables de mesurer rapidement la bande passante du filtre.

4. Relevé express d'un Bode en amplitude

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page n°2

MP1

TP N°1 d’ELECTRONIQUE Diagramme de BODE

2008-09

Détail de la méthode

La méthode consiste non pas à se fixer une valeur de fréquence puis à déterminer la valeur du gain correspondant mais à se fixer une valeur de gain puis à chercher la fréquence correspondante.

Le premier point intéressant est celui qui correspond à la fréquence de coupure donc le début de la méthode reprend la méthode du paragraphe précédent.

Les deux points suivants sont ceux qui correspondent à :

o

une atténuation de 10 dB. C’est à dire, à l’aide de la mesure effectuée par l’oscilloscope, déterminer la fréquence pour laquelle V s = 0,316 V SM .

o

une atténuation de 20 dB. C’est à dire, à l’aide de la mesure effectuée par l’oscilloscope, déterminer la fréquence pour laquelle Vs = 0,1 V SM .

On dispose à ce stade de 3 points de mesure et il reste à prévoir 1 ou 2 points de mesure supplémentaires pour rechercher les asymptotes donc l'ordre du filtre. Placer ces 4 points sur le diagramme de Bode, rechercher les asymptotes, compléter au besoin par d’autres points.

C = 100 nF

Manipulation Pour le filtre ci-contre effectuer un relevé rapide du diagramme de Bode en amplitude.
Manipulation
Pour le filtre ci-contre effectuer un relevé rapide
du diagramme de Bode en amplitude.
R = 1 kΩ
5.
Filtre passe bande
Prévoir théoriquement les fréquences de coupure et la bande passante du filtre suivant :
R 1 = 1 kΩ
C = 1 nF
Ve
C = 1 nF
R 2 = 100 kΩ
Vs

Mesurer les fréquences de coupure et la bande passante de ce filtre. Expliquer pourquoi pour la deuxième cellule le couple de valeur 1nF-100kΩ est plus judicieux que le couple de valeur 100nF-

1kΩ.

6. Filtre en régime non sinusoïdal (clin d'œil au module d'électricité)

Rappel théorique

Pour le montage du paragraphe 1, rappeler l'allure du signal obtenu pour une réponse à un signal carré et préciser à quoi correspondent τ, 3τ, 5τ. Comparer l'expression de la fréquence de coupure à la valeur 6