Université sultan Moulay Slimane-faculté

polydisciplinaire de béni Mellal

TP d’Electronique analogique
Dr. Abdessamad Malaoui

TP N 1 : Etude des filtres passifs

I-objectifs de TP :
Notre objectifs de ce TP c’est :
 d’étudier les filtres passifs de 1er ordre et de tracer le diagramme de Bode de
ces filtres .
 Comparer es formules théoriques avec l’expérience .

II-Matériels nécessaires
 Une résistance R = 1kΩ
 Un condensateur de capacité C = 10 μF
 Un oscilloscope à deux voies
 Générateur sinusoïdal GBF .

III-Etude Théorique :
Soit le filtre suivant :
Filtre
Ve Vs

1. Les paramètres hybrides de ce filtre sont : h11 ,h12 ,h21 ,h22

Les équations mathématiques électriques :* Ve = h11.ie + h12.Vs
* Is = h21.ie + h22.Vs
Soit le circuit atténuateur suivant :
10k

i Is=0

Z1
Z2 Vs
Ve

Vs
2. Exprimons la fonction de transfert complexe H = en fonction de Z1 et Z2
Ve
En appliquant la loi de maille on aura : V e −U z 1−U z 2=0
Alors V e =U z 1 +U z 2 d’où : V e =Z 1 . i+ Z 2 .i=( Z 1 +Z 2 ) i
10k
Vs Z2. i Z2
Comme Vs = Z2.i donc H = = =
V e ( Z 1+ Z 2 ) .i Z 1 +Z 2

Pour bien étudier le circuit précédent on utilise les deux types de filtres (passe-bas et
passe-haut) suivants :

R
i
i ZC
ZC R
Ve
Ve V
s
100n

(1) RC (2) CR
100k

3. On exprime H1 et H2 les fonctions de transfert des deux circuits précédent en

fonction de R ,C , ω et la pulsation de coupure ω c
Zc
En effet , d’après le diviseur de tension dans (1) on a V s = V et
Z c+ Z R e
Vs
H 1=
Ve
ω
Zc 1 1 ωc 1
D’où H 1= Z + Z = 1+ j ωCR =¿ H 1= 2
−j 2 , avec ω c =
c R ω ω RC
1+ 2 1+ 2
ωc ωc
 De même pour H2 dans (2) :
R Vs
On a V s = V et H 2= d’où H 2=¿ ¿
Z c+ R e Ve

4. Déterminons le module et la phase de fonction de transfert :

*Pour H1
‖H 1‖=√ ¿ ¿

−ω
φ ( H 1 ) =Arctg ( )
ωc
*Pour H2
‖H 2‖=√ ¿ ¿
ωc
φ ( H 2 ) =Arctg ( )
ω

5. Traçons les fonctions de transfert H1 et H2 dans le diagramme de Bode

On a ‖H‖dB = 20.Log (‖H‖)
*Pour le circuit (1) R-C :

( √22 )
Si ω=ω c =¿‖H‖ dB=20. log

Si ω=2 ω =¿‖H‖dB=20. log ( )

√5
c
5
Si ω=0=¿‖H‖ dB=20. log ( 1 )=0
 (en vert la fonction de transfert H1(ω ) et en rouge φ 1)

*Pour le circuit (2) C-R :

( √22 )
Si ω=ω c =¿‖H‖ dB=20. log

Si ω=2 ω =¿‖H‖dB=20. log (2

5 )
√5
c

Si ω=0=¿‖H‖ dB n' est pas continue en 0

(en vert la fonction de transfert H2(ω ) et en rouge φ 2)

IV-Partie pratique :
après effectuer les mesures on remplie le tableau ci-dessus :
*Pour le circuit (1) :
phase H en dB module H Vs(v) Ve(v) f(Hz)
5.88 1.34 10.2 7.6 10
0.39 1.02 10.2 10 50
0.78 1.04 10.4 10 100
0.39 1.02 10.2 10 300
0.39 1.02 10.2 10 700
0.39 1.02 10.2 10 1K
0.39 1.02 10.2 10 2K
0.39 1.02 10.2 10 3K
0.39 1.02 10.2 10 5K
0.39 1.02 10.2 10 8K
-0.39 1.04 10.2 10.4 10K
20K
50K
-3 . 34 0.84 8.8 10.4 100K
-13.10 0.52 5.4 10.4 200K
-23.57 0.30 3.2 10.4 500K
-35.08 0.17 1.8 10.4 1M
-47.02 0.095 1 10.5 2M

*Pour le circuit (2) :-------------------------------------------------------------------------------

phase H en dB module H Vs Ve (v) f(Hz)
-72.75 0.026 200 mv 7.6 10
-78.24 0.02 200 mv 10 50
-79.78 0.019 200 mv 10.8 100
-65.16 0.038 400 mv 10.4 300
-64.37 0.04 400 mv 10 700
-78.24 0.02 200 mv 10 1K
-64.37 0.04 400 mv 10 2K
-64.37 0.04 400 mv 10 3K
-56.26 0.06 600 mv 10 5K
-50.51 0.08 800 mv 10 8K
-46.05 0.1 1v 10 10K
-40.10 0.13 1.4 v 10.4 20K
-24.86 0.288 3v 10.4 50K
-14.61 0.48 5.2 v 10.8 100K
-6.24 0.73 7.6 v 10.4 200K
-2.45 0.88 9.2 v 10.4 500K
-2.77 0.87 9.4 v 10.8 1M
-2.33 0.89 9.6 v 10.8 2M

- à -3dB fc = 2πω c = 6283.18 Hz

- Les deux filtres sont aux 1er ordre
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Dr. Abdessamad Malaoui

TP N 2 : Etude d’une diode a semi-conducteur

: I. But
.Etude d’une diode à semi-conducteur, en régimes statique et dynamique -
.Déterminer expérimentalement sa caractéristique -
.Visualiser la trace de la caractéristique sur l’écran de l’oscilloscope -
: II. Matériel nécessaire
: Diode de type 1N4148 dont les propriétés suivantes -
Valeur max
Tension inverse )v(75
Tension direct )V(1
Courant direct )mA(300
Courant inverse
a 50(µA) )nA(25
Puissance dissipeé )mW(500
Interval de temperature C a +200 C 65-
Capacite a 1MHz )pF(4

,Alimentation stabilisée a tension variable (E) -

,Multimètres : A et V -
Résistance R=170Ω/8W -
,Oscilloscope -
.Une source de tension alternative (E) -
: III. Régime statique
On se propose de tracer la courbe donnant les variations de l'intensité du
.courant I qui traverse la diode en fonction de V
: Remarques
: Si vous voulez mesurer la tension V et l'intensité I par l'oscilloscope
.L'oscilloscope peut mesurer directement la tension V -
Mais il ne peut pas mesurer directement l'intensite I. On va utilisera, donc, un -
"capteur de courant", c'est-a-dire un dispositif qui fera correspondre a l’intensité I,
.une tension V’ mesurable directement par l’oscilloscope
: Calcul théorique-1
Calculons le courant I circulons dans la résistance R pour E=12V
On a
: D’ après la loi de maille
E =R I+V
E−V 12−1
I= = =0,157 A
R 170
La puissance
P= U*I = R*I^2
2^)0,157(*170=
P=4.19W
Réalisation du montage-2

:Tableau des mesures et traçage de la caractéristique -3

I=Vr/R Vr(v) V(v)
0 0 0
0 0 0,2
0 0 0,4
0,007021 0,006 0,6
0,0140421 0,019 0,62
0,026078 0,20 0,64
 0,0491474 0,29 0,66
0,089267 0,259 0,68
0,1705115 0,37 0,7
0,32698 0,326 0,72
0,63491 0,633 0,74
1,209628 1,206 0,76
3,367101 3,36 0,78
6,894684 6.558 0,8
8,515546 8,49 0,82
17,533606 17,19 0,84
22,962888 23,9 0,85

caractéristique direct du diode -

52

02

51

01

0
0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0

: Exploitation graphique -4
Donc la tension utilise est 0.74
 0,663−0,326
Rd=
0,63491−0,32698
dR = 11.32 Ω
e schéma équivalent est

edoid al rneruoteR-5

I=Vr/R Vr(v) V(v)

4,674022 4,66 -5
4,613841 4,6 -4
4,49647 4,51 -3
4,383149 4,37 -2
4,122367 4,11 -1
2,22668 2,22 0

D’où le diagramme
ni edoid ed emmargaid

9999048316.4
220476.4 9999 74694.4 9999663221.4
941383.4 9999 5
4
86622.2 3
2
)A(I

1
0
6- 5- 4- 3- 2- 1- 0
)v(V

Régime dynamique :-IV.

: Le schéma du montage donne par

d’après l’expérience on a
elantemirépxe noitasilaéR-2.:
egartlif snas ecnanretla elpmis ntemesserfeR-3.
 TP d’Electronique analogique
Dr. Abdessamad Malaoui

TP N 3 : AMPLIFICATEUR A TRANSISTOR EN BASSE

FREQUENCES

I.Objectif :
Le but de ce travail pratique est l’étude et la caractérisation expérimentale
d’un montage amplificateur a base d’un transistor NPN. les mesures seront effectuées
dans les régimes statique et dynamique, avec et sans change, pour déterminer
expérimentalement les paramètres du montage.
II. Matériel nécessaire :
Transistor NPN : 2N2219 dont les propriétés suivantes :
symbole Unit
2N2219 2N2219A ; L
VCEO 30 50 Vdc

VCBO 60 75 Vdc

VEBO 5 6 Vdc

Ic 800 mAdc

Top Tstg -55 to +200 °C

 Un générateur GBF,
 Trois condensateurs : C1=100µF, C2=470µF et C3=100µF
 Quatre résistances : R1=1,8kΩ ; R2=4 ,7kΩ ; R3=680Ω ; R4=1,2kΩ
 Une charge RL,
 Une source de tension continue,
 Oscilloscope analogique a deux voies.

Travaillons avec le montage de la figure 1.

III. Étude théorique
1 .Régime statique
on a Vcc =Vce - Rc Ic
Vce= Vcc + RcIc
Vce−Vcc
Et Ic=
Rc

Vce−VCc
Ic= βIb donc Ib=
Rc β
Et Vbe = Vcc-Rb Ib
2. Régime dynamique.
  Le schéma équivalent du montage avec RL.

le gain en tension Av :
Vs
Av=
Ve
On a : Vs=-R₀.ic=-R₀βib

Ve=h11.ib

−R₀. β
Alors Av=
h 11
Le gain en courant :
is
Ai=
ie
is Vs Ve
AI=
Vs Ve ie
1
Ai=- . Av ¿ //h11))
RL

 Le schéma équivalent du montage Sans R L

Le gain en tension :
Vs
Av=
Ve
On a : Vs=-Rc.ic=-Rc βib
Ve=h11.ib
−Rc . β
Alors Av=
h 11
Le gain en courant :
is
Ai=
ie
is Vs Ve
AI=
Vs Ve ie
1
Ai=- . Av ¿ Rb//h11))
Rb

IV.Mesures.
- Brancher le montage de la figure 1, en prenant Vcc=12V , Rc=1.2v ,
Rb=370kv
- Débrancher le GBF et mesurer les paramètres statiques Ic,Vce ,Ib et Vbe.
- Brancher, maintenant le GBF et régler sa fréquence a 1KHz.
- Augmenter, pas a pas la tension eg et observer la sortie de l’amplificateur
jusqu’à le début de l’apparition des distorsions sur la sortie.
- Noter les valeurs maximales de l’entrée et de la sortie du montage sur la voie
X et Y.
- Tracer .da la même figure les signaux de l’entrée et de la sortie.
- Mesurer le gain en tension Av et comparer le avec la théorie.
- Mesurer le déphasage entre l’entrée et la sortie du montage .conclure
- Mesurer la plage de linéarité de l’amplificateur.
-

 D’après l’oscilloscope on a les valeurs suivantes :

 VE max=124mV
 VS max=1.1V
 Le gain en tension Av est donne par
Vs
Av=
Ve

Donc
 Le déphasage entre l’entrée et la sortie du montage est 184.2
 La plage de linéarité de l’amplificateur : le changement de linéarité après
Ve =196 mV et Vs=1.32 V
 TP d’Electronique analogique
Dr. Abdessamad Malaoui

TP N 4 Etude des Amplificateurs Opérationnels

1. Objectif
 Etudier quelques applications de l’amplificateur opérationnel (A.O).
 Réaliser des montages différents à base de A.O : Amplificateur inverseur, non
inverseur, suiveur…
 Visualiser les tensions à l’entrée et à la sortie de ces montages.
 Mesurer les paramètres de ces montages.
2. Brochage et caractérisation de AOP
 Amplificateur opérationnel µA741

3. Alimentation de l’AOP
Alimentation de l’AO comme indiqué sur la figure
I. Montage Amplificateur inverseur
0.227KΩ= R1
KΩ 10= R2
On branche le montage de la figure 2

a. Etude théorique
Pour un A.o. idéal, le gain A du montage ne dépend que de son
environnement ( R1 et R2)
R2.On la tension de l’entrée V e =-i. R1 et la tension de sortie V s =i
Le gain en tension
−R2 −i. R2 V s
= = =A
R1 i. R1 V e
R2 Le gain pour les valeurs de R1 et
−10
A= = -44.0528
0 .227

b. Mesure en régime variable

Une préparer un signal sinusoïdal de fréquence 200Hz et d’amplitude
,1V

Une mesurer les amplitudes des tensions d’entrée et sortie

36V = V s , V e =80 mv
−v s
45- = A v =
ve
II. Montage amplificateur non inverseur
KΩ 0.227= R1
KΩ 10= R2

a. Etude théorique
R2 Le gain A pour les valeurs de R1 et

vs
44.05 = A v =
ve

b. Mesure en régime variable

 l’oscillogramme obtenu dans le cas d’amplificateur non inverseur

 Le gain en tension

vs
41.6 = A v =
ve

 L’oscilloscope en mode XY, l’oscillogramme obtenu

 . On constate qui aparté de valeur (V e =0 . 46 v ) l’allure n’est pas linaire
 Le montage suiveur
.La résistance en entrée du montage est infinie
Le suiveur de tension permet de prélever une tension sans la perturber,
car il possède un courant d'entrée nul. On le rencontre donc
.régulièrement lors de la présence de sonde

III. Montage Intégrateur

Le montage d’intégrateur

 Le gain en tension

vs
A v=
ve
 v −i , v e=i . R Ona la tension d’entrée et de sortie respectivement
s=
jc ω

−i
j
= jc ω
c ω R A v=
iR
 L’allure de la sortie pour des tensions d’entrée
Sinusoïdale

Triangulaire

Carré
!------------------------------------Fin