Chapitre II La commutation des semi-

conducteurs

1. Introduction :

Les convertisseurs statiques ont pour rôle de convertir ou de moduler des signaux
électriques de forme et de fréquence données à d’autres (DC-DC, DC-AC, AC-DC, AC-
AC), ceci dans le but de commander la puissance électrique transitée. Pour réaliser ces
objectifs, les composants semi-conducteurs sont appelés constamment à passer d’un état
conducteur à un état bloqué et vice-versa, on dit qu’ils commutent. Ces transitions
rapides s’accompagnent de contraintes électriques (surtensions, surintensités) et
thermiques (pertes). Ces commutations doivent donc être aussi douces et aussi peu
dissipatrices que possible.
L’objectif du présent chapitre est donc de décrire les outils à mettre en œuvre pour
la bonne compréhension des mécanismes intervenant dans la commutation. Le support
d’étude la cellule de commutation et les pertes à base de la diode PiN , du transistor de
puissance IGBT et du thyristor. [6]

2. Analyse des phénomènes de commutation :

2.1. La cellule de commutation :
La commutation concerne le passage de l’état passant à l’état bloqué et
inversement. Il y a deux commutations par période de découpage, celles-ci étant induites
par la commande du transistor.
Sachant que la fermeture ou l’ouverture d’un semi-conducteur entraîne
nécessairement la commutation opposée d’un autre composant, on peut analyser ces
phénomènes de commutation, au sein de "la cellule de commutation" représentée figure
39. Ce schéma de base se retrouve dans tous convertisseurs statiques ; il associe une
source de tension à une source de courant. Par exemple, un hacheur série ne possède
qu’une cellule et ce qui suit montrera que K1 est nécessairement un transistor
commandable à l’amorçage et au blocage et K2 une diode.[14][11][2]

Figure 2.1 : La cellule de commutation

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Chapitre II La commutation des semi-
conducteurs

Les commandes de K1 et K2 sont obligatoirement complémentaires car la source de

tension ne peut être court-circuitée et la source de courant ouverte. Par ailleurs, la loi des
noeuds et la loi des mailles correspondantes à ce circuit s’écrivent :

vK1 + vK2 = Ve (2-1)

iK1 – iK2 = I (2-2)

2.1.1 Structure, orientation des grandeurs, notion de signe de commutation :

On a constaté que compte tenu des règles d’association des sources et des
interrupteurs ceux-ci ne pouvaient être qu’associés par deux, d’où la notion fondamentale
de cellule de commutation. Aux extrémités, on trouve une source de tension, à son point
milieu, on trouve une source de courant, comme représenté sur la figure suivante. On
rappelle que les interrupteurs sont orientés en convention récepteur.[14][17]

Figure 2.2: Représentation et orientation d’une cellule de commutation

2.1.2 Elaboration des règles de fonctionnement de la cellule par observation

des grandeurs extérieures, signe de la commutation et du courant :
Le fonctionnement de la cellule de commutation associée aux sources précédemment
définies impose que :

(2.3)

Ces lois sont vraies quel que soit l’état des interrupteurs et notamment durant le
régime transitoire de la commutation. Ainsi, si E>0 et I>0, la trajectoire des points de
fonctionnement est celle représentée ci-dessous :
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Figure3.3: Trajectoire des points de fonctionnement des interrupteurs

On constate donc qu’à la commutation commandée (K1) qui est dissipative

(trajectoire dans le premier quadrant) est obligatoirement associée une commutation
spontanée (K2).

De cette remarque, on peut tirer les constatations suivantes concernant l’un

quelconque des interrupteurs Ki de la cellule :

- (1) si les signes de iKi et vKi sont identiques avant et après la commutation, on a
affaire à la commutation commandée de cet interrupteur,
- (2) dans le cas contraire, on a affaire à la commutation spontanée de cet interrupteur.

On adopte la convention de vocabulaire suivante :

• Une commutation sera dite >0 lorsque la variation de la tension de sortie est :
dV K 2/dt >0
• Une commutation sera dite <0 dans le cas contraire.

En observant le signe de la commutation, le signe du courant de sortie de la cellule et

en appliquant les remarques précédentes (1) & (2), on en déduit que :
-(3) si la commutation et le courant I sont de mêmes signes, il y a commutation
commandée à l’amorçage de l’interrupteur ouvert de la cellule de commutation.
- (4) si la commutation et le courant I sont de signes contraires, il y a commutation
commandée au blocage de l’interrupteur fermé de la cellule de commutation. [28]

Par ailleurs, l’observation de la réversibilité des sources d’entrée et de sortie permet

de déterminer le nombre de segments des interrupteurs :
• I bidirectionnel et E unidirectionnel implique que K1 et K2 soient
bidirectionnels en courant : interrupteurs 3 segments, 2 en courant 1 en tension.

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• E bidirectionnel et I unidirectionnel implique que K1 et K2 soient

bidirectionnels en tension : interrupteurs à 3 segments, 2 en tension et 1 en
courant.
 Exemple 1 :
On considère sur la figure suivante un convertisseur connectant une source de tension
à une source de courant. Cette dernière est bidirectionnelle en courant mais
unidirectionnelle en tension. Les flèches à côté de la source E montrent qu’elle est
réversible en courant.

Figure 2. 4: Structure bidirectionnelle en courant

La bidirectionnalité de I implique donc celle des interrupteurs, leur caractéristique

est représentée ci-dessous :

Figure2.5: Définition des trajectoires des interrupteurs

Admettons qu’on souhaite obtenir le cycle de fonctionnement représenté ci-dessous :

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Figure2.6: Cycle de fonctionnement souhaité en sortie de la cellule de commutation

Examinons le cas où I est >0. la tension VI permet de déterminer le signe de la

commutation : pour obtenir une commutation >0, on doit donc réaliser la commutation à
l’amorçage de l’interrupteur ouvert (règle (3)) dans ce cas K1, la commutation de K2 est
donc spontanée ; ce cas est repéré par I>0 sur les caractéristiques des interrupteurs.
Lorsque I devient <0, à la commutation >0 correspond maintenant un courant I<0, il
s’agit donc d’opérer le blocage de l’interrupteur fermé, K2 en l’occurrence. Il en résulte
que K1 commute spontanément ; ce cas est identifié par I<0 .
Le fonctionnement dans les deux cas implique donc que K1 et K2 soient
bidirectionnels en courant, unidirectionnels en tension, commandables à l’amorçage et au
blocage.

• Exemple 2 :
On considère à présent une structure de conversion dans laquelle on souhaite que la
tension de sortie soit bidirectionnelle en tension à partir d’une source unidirectionnelle E.
La solution consiste soit à utiliser une cellule de commutation et une source à point
milieu, soit à associer deux cellules de commutation comme représenté à la figure
suivante :

Figure2. 7 structure bidirectionnelle en à source à point milieu

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 Chapitre II La commutation des semi-
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Figure2.8: structure bidirectionnelle en tension à deux cellules de commutation

On souhaite que les formes d’onde de la tension V sur la charge soient telles que
représentées sur la figure ci-dessous, deux cas de déphasage ont été représentés.

Figure 2.9: formes d’onde appliquées à la charge par le convertisseur (haut),

Formes d’onde de la cellule de commutation 1

A noter que si la tension aux bornes de la source de sortie est rectangulaire et

alternative, et si celle-ci est linéaire, le courant doit être également alternatif, déphasé
(avance ou retard) et de forme quelconque (on a fait le choix d’une onde quasi-
sinusoïdale ici), dépendant de la nature de la charge et de sa capacité à filtrer les
harmoniques de tension.
Les courbes inférieures sur la figure représentent l’évolution de la tension de sortie
de la cellule de commutation 1 et le courant dans l’interrupteur K1.
L’observation de i(t) et v(t) permet de conclure que :
Lorsque le courant est en avance (1 er cas), lorsque la commutation est positive, le
courant l’est aussi et de même pour la commutation négative. Dans les deux cas, nous
avons à réaliser des commutations d’amorçage, les interrupteurs sont donc identiques, à 3

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 Chapitre II La commutation des semi-
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segments dont 2 en courant et à commande d’amorçage. L’interrupteur physique qui

correspond à cette situation est le thyristor muni d’une diode anti-parallèle, ou une
fonction thyristor bidirectionnelle en courant synthétisée avec tout type d’interrupteur
commandé.

Figure2.10  : Caractéristique statique et dynamique de l’interrupteur adapté

et choix possible
- Lorsque le courant est en retard (2 ème cas), lorsque la commutation est >0, le
courant i est <0, idem pour la commutation <0 avec un courant i>0. Dans les deux cas,
nous avons à réaliser des commutations de blocage, les interrupteurs sont à nouveau
identiques, à 3 segments dont 2 en courant et à commande de blocage. Il n’existe pas de
composant naturel ayant cette caractéristique dynamique, il doit être synthétisé avec tout
type d’interrupteur commandé et une logique de commande adéquate : on parle de
thyristor dual bidirectionnel en courant .

Figure2.12 : Caractéristique statique et dynamique de l’interrupteur adapté et choix

possible, la diode de structure du MOSFET peut être utilisée dans ce cas (blocage à tension
nulle).

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Chapitre II La commutation des semi-
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2.1.3 Fonction de modulation

On appelle fonction de modulation d’une cellule de commutation une fonction
binaire fm(t) qui détermine son état en fonction du temps : lorsque la cellule connecte la
source d’entré à la source de sortie elle vaut 1 sinon 0. La fonction de modulation permet
de relier les grandeurs d’entrée (I K1) et de sortie (VK2) de la cellule de commutation à la

loi de commande et considérer son fonctionnement indépendamment de l’étude détaillée

de chaque interrupteur. Ainsi on en déduit que[22] :

VK2=Fm(t).E

IK1=Fm(t).I (2-4)

Cette représentation permet de modéliser facilement un convertisseur statique sous forme

de multiplieur, ainsi que représenté ci-dessous.

Figure2.13 : Modèle de la cellule de commutation

Dans un convertisseur composé de plusieurs cellules de commutation, on

détermine facilement la tension de sortie du convertisseur par différence de tension entre
les tensions issues des différentes cellules. Dans le cas du convertisseur bidirectionnel en
tension à deux cellule de commutation, la tension de sortie est donc donnée par :
V=E.[fm1(t)-fm2(t)]=E.FmO(t)

Ie=I.[fm1(t)-fm2(t)]=I.FmO(t) (2-5)

Ie le courant absorbé à l’entrée du convertisseur, fm1(t) et fm2(t) sont les fonctions

de modulation des cellules 1 et 2, FmO(t) est la fonction de modulation résultante, ses
valeurs peuvent être –1, 0 et 1 ; la fonction de modulation globale n’est donc plus une

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Chapitre II La commutation des semi-
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fonction binaire, elle devient une fonction à valeurs entières dépendant de la façon dont
les cellules de commutation sont agencées entre elles (différentiel, cascade, série, etc..).

En pratique, on connaît (ou on définit) les grandeurs externes du convertisseur, c’est

donc la fonction Fm(t) qui est déterminée. Selon le mode d’association des cellules de
commutation, on doit donc identifier les fonctions élémentaires fmi(t).

Exemple
On souhaite alimenter une source de courant constant avec l’onde de tension
représentée ci-dessous (1ere courbe). On constate donc la nécessité de sommer deux
fonctions de modulationfm et fm . comme représenté sur la figure (2eime)et
1(t) 2(t)

(3eme)courbe.

Figure2.14  : Exemple de définition de tension de sortie d’un convertisseur.

Il en résulte une structure possible du convertisseur comme représenté ci-dessous,

elle nécessite la mise en série de deux cellules élémentaires alimentées par des sources de
tension E/2 :

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Chapitre II La commutation des semi-
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Figure2.15 : Exemple de structure de convertisseur

On applique ensuite à chaque cellule les règles qui permettent finalement d’identifier
la nature des interrupteurs ; dans ce cas K1 et K’1 sont des interrupteurs commandés à
l’amorçage et au blocage et K2 et K’2 sont des diodes.

2.1.4 Modes de fonctionnement des cellules avec hypothèse de courant sinus

en sortie
On suppose que les interrupteurs sont commandés en pleine onde (fréquence de la
tension de sortie = fréquence du courant de charge) et que la charge filtre suffisamment le
courant de sortie pour qu’il soit quasi-sinusoïdal, c’est par exemple le cas d’un récepteur
fortement inductif. Dans ce régime, l’onde de courant peut être en avance ou en retard de
phase par rapport à l’onde de tension. Les interrupteurs étant bidirectionnels en courant,
ils possèdent une commande d’amorçage lorsque le courant est en avance, au blocage
pour le courant en retard et mixte lorsque le déphasage peut changer de signe [8][15]

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Chapitre II La commutation des semi-
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Figure2.I6 : exemple de commande pleine onde avec courant en avance (a) et en retard (b)

Certaines applications utilisent ce mode de fonctionnement dans des applications à

haute fréquence où il serait difficile d’ajouter de sur-moduler la commande, c’est par
exemple le cas en chauffage par induction.

En régime de modulation de largeur d’impulsion, la fréquence de l’onde de tension

est différente de la fréquence du courant de charge (voir figure ci-dessous). Ce mode de
commande est utilisé généralement quand l’onde de courant doit être à basse fréquence. Il
en résulte que les interrupteurs doivent obligatoirement posséder une commande
d’amorçage et de blocage.

Exemple :

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Chapitre II La commutation des semi-
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Figure 2.I7: exemple de commande en modulation de largeur d’impulsion

On rappelle que la tension de sortie et le courant absorbé peuvent s’exprimer grâce

à la fonction de modulation de:

Vs(t)=E.Fm(t)

Ie(t)=Is.Fm(t) (2-5)
La fonction Fm est définie par :

Fm(t) = fm1(t)-fm2(t) (2-6)

Où fm1(t) et fm2(t) sont les fonctions de modulation de chaque cellule de commutation.
Pour un convertisseur constitué de deux cellules de commutation, on définit :
• la commande bipolaire si fm2=1-fm1
• la commande unipolaire si fm2>fm1 ou fm2<fm1

La figure suivante présente ces deux principes de modulation.

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Chapitre II La commutation des semi-
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Commande pleine onde bipolaire Commande pleine onde unipolaire

Figure2.I8: la commande pleine onde unipolaire et bipolaire

L’intérêt de la commande unipolaire est de permettre la variation de la valeur

efficace de la tension de sortie par décalage des deux fonctions de modulations fm 1 et
fm2.

2. définition de la commutation

La commutation consiste, par l'utilisation de composants actifs utilisés en tant

Qu’interrupteurs, en une succession de phases de liaison directe et de phases d'isolation
des sources entre lesquelles on souhaite assurer un transfert d'énergie. [6][1][4]

2.1. Illustration de la commutation :

Les dispositifs qui vont servir d'interrupteur en électronique de puissance doivent

travailler dans l'un des états stables suivant :
- Etat ouvert (bloqué) noté OFF
- Etat fermé (conducteur) noté ON

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Chapitre II La commutation des semi-
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2.2. La commutation d’une diode

2.2.1 Commutation à la fermeture :

Pendant la phase de fermeture (figure 2.19), la vitesse de montée du courant est

imposée par le transistor principal qui supporte une tension importante, la diode étant
toujours conductrice. Cette tension est réduite par rapport à Ve du terme (lc.diT/dt)
correspondant à la chute de tension dans l'inductance parasite. [2] L'énergie de
commutation perdue pendant Ton s'exprime par :

(1-7)
En remarquant que

(1-8)

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Chapitre II La commutation des semi-
conducteurs

Figure 2.I9 : Formes d’ondes à la fermeture (blocage de la diode)

La diode est conductrice jusqu'à Ton puis retrouve son pouvoir de blocage, autorisant
ainsi le transistor à se saturer. Les pertes dans la diode n'existent que pendant le temps t2
et s'expriment par :

(2-9)

Pour de faibles valeurs de lc, le terme (lc.diT/dt) est négligeable devant Ve, ce qui conduit
à:

Inversement, pour de fortes valeurs de lc, le gradient de courant peut être limité par
Ve/lc. Dans ce cas de figure, ETON est nulle et EDOFF s'exprime par :

(2-10)

La charge stockée QRR est un paramètre important pour les pertes car elle est fortement
dépendante de la vitesse de commutation. Par ailleurs, le courant de recouvrement
inverse IRM induite une surintensité dans le transistor, aggravant ainsi le niveau de pertes.

2.2.2 Commutation à l'ouverture 

La phase d'ouverture du transistor (figure2.20) induit une surtension aux bornes de

celui-ci et il est impératif de réduire au maximum l'inductance parasite lc de la maille de
commutation. Pour cela, on place un condensateur de découplage au plus près des semi-
conducteurs de la cellule. La tension vT(t) doit au préalable atteindre Ve pour que la
diode commence à conduire. [12] Il s'en suit le blocage du transistor sous la tension Ve
augmentée de la surtension. L'énergie de commutation perdue pendant Toff s'exprime par
:

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Chapitre II La commutation des semi-
conducteurs

(2-11)

Figure 2.20: Formes d’ondes à l’ouverture

Il n'y a pas de pertes par commutation dans la diode pendant cette phase car
courant et tension n'existent pas simultanément : EDON = 0 .

2.2.3. Pertes de commutation 

Dans la mesure où les pertes à la fermeture sont très faibles par rapport aux pertes
à l'ouverture, seules ces dernières sont généralement prises en compte pour le calcul des
pertes de commutation.[2]

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Chapitre II La commutation des semi-
conducteurs

Figure 2.21 : Caractéristique de recouvrement

2.2.4 Pertes à l'état passant et à l'état bloqué 

• Pertes par conduction 

Pour les valeurs normales du courant direct[2], on a vu qu'on pouvait assimiler la
caractéristique statique à une demi-droite d'équation En un point de fonctionnement
donné, la puissance instantanée p dissipée dans la diode est donc:

(2-12)

En prenant la moyenne sur une période, on obtient les pertes par conduction [17]

(2-13)

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Chapitre II La commutation des semi-
conducteurs

Lorsque la température augmente, VF0 diminue mais rd augmente. On peut en tenir

compte en mettant vF sous la forme

(2-14)
'

où a et b sont des paramètres déterminés à partir des caractéristiques.

• Pertes à l'état bloqué :

Comme on l'a indiqué, le courant de fuite à l'état bloqué est très faible. Ainsi, les
pertes à l'état bloqué, égales au produit de ce courant par la tension inverse appliquée à la
diode, sont généralement négligeables devant les pertes à l'état passant.

2.3. Les transistors IGBT 

2.3.1 Les commutations :

Deux mécanismes interviennent lors des commutation d’un IGBT :

 le premier correspondant à la création ou à la suppression des canaux induits
par la polarisation de la grille, comme dans un MOSFET.
 le second est lié à la charge stockée Q S dans la zone N- pendant la conduction.
[1]

2.3.1.1 commutation à l a fermeture :

La commutation à la fermeture d’un IGBT est identique à celle d’un MOSFET  :la
figure2 .22 a montré l’évolution de vGE ,iC ,vCE et du produit vCE iC .
- Pour t=0,on applique une tension positive de commande VG .
- De t=0 à t=t1 ,vGE étant inferieur à VT ,vGE augmente ,vCE restant égal à U,iC reste
nul.
- De t=t1 à t=t2 ,vGE continue à croitre,vCE reste égale à U ,iC croit très rapidement
de zéro à I.
- De t=t2 à t=t3 ,vGE reste constant(effet miller),la tension vCE décroit.
- Après t=t3 ,vCE termine sa décroissance ,vGE tend vers sa valeur finalVG.
- Les caractéristiques de transfert de charge( Figure 2.23) donne la variation
de
tension en fonction de la charge de grille Q G pour une valeur donnée de I et différentes
valeurs de U.
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Chapitre II La commutation des semi-
conducteurs

- En traits interrompus, on a indiqué sur la (figure23) à les modification des

formes d’onde de vGE et de iC dues au courant de recouvrement inverse de la diode de la
cellule de commutation .la même façon ,on a montrés ur la forme d’onde de v CE l’effet de
l’inductance parasite totale de la maille U + transistor + diode.

2.3.1.2 Commutation à l’ouverture :

Pour bloquer le transistor on fait passer ,à l’instant t=0,la tension de commande de

grille de VG à zéro ou, le plus souvent , à une valeur négative pour accélérer la décharge
de la capacité d’entrée .cette valeur négative est d’ailleurs maintenue pendant toute la
phase de blocage de l’IGBT pour accroitre l’immunité au bruit. Les formes d’onde de
vGE ,iC ,vCE et du produit vCE iC à l’ouverture sont représentées à la (figure 2.22.b). Leur
tracé nécessite la prise en compte des capacités parasites C GE et CCG entre grille et
émetteur, entre grille et collecteur. Cette commutation à l’ouverture s’opère en deux
phase :
- durant la première phase , on retrouve les même étape que lors de l’extinction d’un
MOSFET :
- De t= 0 à t=t1 ,la capacité CGE commence à se décharger à travers RG tandis que
vCE et ic restent constants.
-De t=t1 à t=t2 ,la capacité CCG se charge et la tension vCE augmente ,d’abord
lentement
puis de plus en plus vite au fur et à mesure que la valeur de C CG diminue. le courant
iC reste égale à I , tant que vCE n’ayant pas atteint U la diode reste bloquée.
- De t=t2 à t=t 3 ,le courant dans la diode augmente tandis que i C diminue .cette
premier partie de la descente de i C correspond à l’interruption du courant d’électron
qui passait par les canaux .le di/dt est très élevé et le temps de descente t𝑓 ,égal à
t3-t2, varie peu avec I.
- Le tracé en traits interrompus sur la forme d’onde de v CE montre l’effet de
l’inductance parasite de la maille U+transistor+diode.
- A noter que cette inductance comprend l’inductance parasite du boitier qui souvent
n’est pas négligeable .en effet ,des que les calibres en courant sont importants ,les
IGBT sont réalisés par association de puces élémentaires dans le même boitier,
comme le MOSFET,IGBT a des caractéristique thermique qui favorise l’équilibrage
du courant entre puces. mais les liaisons entre puces sont à l’origine d’une
inductance de iC les surtensions correspondantes peuvent nécessiter l’utilisation de
circuit d’aide à la commutation ou de circuit excréteurs.
- A la fin de cette première phase ,le courant dans le transistors ne constitue plus
qu’une petite fraction de I mais reste nettement plus grand que le courant de fuite à
l’état bloqué.

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Chapitre II La commutation des semi-
conducteurs

- Durant la première phase ,qui va de t=t3 à t=t4,le courant subsistant dans le

transistors, qu’on appelle courant de queue(taille curent )décroit progressivement au
fur et à mesure que la charge stockée dans la région N- disparait par recombinaison
des paires électron-trou.
Le courant de queue dépend de la température, du courant commuté I et de la
tension réappliquée U.son extinction peut être relativement longue car elle dépend de la
durée de vie moyenne des porteurs de charge dans cette région ;or cette durée de vie ne
doit pas être trop faible pour que la chute de tension à l’état passant soit réduite .
A l’instant t=t4, le courant ,iC a retrouvé sa valeur de régime à l’état bloqué. C’est durant
la phase t3-t4 qu’apparait La part la plus importante des pertes par commutation à
l’ouverture .l’existence de cette phase est la principale cause qui limite la fréquence
maximale de commutation d’un IGBT par rapport un MOSFET.
• Les temps de commutation augmentent avec la résistance de grille.[1]

Figure2.22  :La commutation à la fermeture d’un IGBT

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Chapitre II La commutation des semi-
conducteurs

Figure 2.23 : variation de tension en fonction de la charge de grille QG

2.3.1.3 Les pertes de commutation dans les transistors : [1][17]

La (figure 2.23) montre les variations de la puissance instantanée vCE iC pendant

les commutations : les surfaces hachurées correspondent aux énergie W ON et WOFF
dissipées dans le transistor à la fermeture et à l’ouverture .
Comme les temps de commutation, ces énergies augmentent avec la température, le
courant commuté I la tension de rétablissement U et la résistance de grille R G . Les
constructeurs indique les valeurs de WON et WOFF pour des valeurs données VCE et IC de U
et I et un signal de commende et une valeur de R G données. Pour la même commande et
des valeurs de U et I différentes, on peut obtenir les valeurs approchées de W ON et WOFF
par :
Pour obtenir les pertes totales ,il faut ajouter les pertes de conduction (qui se calculent
comme pour une diode )et éventuellement les pertes de conduction et de commutation de
la diode antiparallèle associée à l’IGBT dans le même boitier.

2.4. Les thyristors :

2.4.1 Commutation à la fermeture :
Pour que le thyristor passe de l’état bloqué à l’état passant ,il faut réunir
simultanément deux conditions :

• La tension vAK doit être positive ,tout en restant inferieur à VBO

-55 -
Chapitre II La commutation des semi-
conducteurs

• La gâchette doit être polarisée positivement par rapport à la cathode par une
source capable de fournir un courant IG suffisant pour provoquer l’amorçage.

Dans un premier temps ,i G alimente la base P2 du transistor T2 dont le collecteur

alimente la base N1 de T1,entrainant l’augmentation du courant iA qui reste faible .ce n’est
qu’avec un temps de retard td (delay time)que ,iA étant devenu suffisant pour que α1+ α2
soit voisin de l’unité ,l’amorçage se produit et que le courant i A se met à croitre tres
rapidement. L’évolution de la tension vAK dépend du circuit dans lequel le thyristor est
inséré.si on prend comme origine des temps l’instant d’application de l’impulsion de
gâchette ,en désignant par tiON le temps mis par Ia pour atteindre 90 de sa valeur final I,et
par tvON celui mis par VAk pour tomber à 10 de sa valeur initial U ,on peut distinguer
trois cas correspondant aux circuit de charge les plus usuel pour le thyristor[1][17]

2.4.2 Commutation à l’ouverture

Le symbole électrique pour un GTO est donné sur la figure 23 a et sa caractéristique
statique i-v . Comme le thyristor, le GTO peut être commandé de l'état off à l'état on par
une impulsion de courant brève appliquée sur la gâchette. Le GTO peut en plus être
commandé de l'état on à l'état off par application d'une tension Gâchette-Cathode
négative, créant un fort courant négatif de gâchette. Ce fort courant négatif de gâchette
doit seulement être maintenu pendant quelques microsecondes (durant le temps de
commutation on-off), mais il doit avoir une amplitude importante, typiquement un tiers
du courant d'anode devant être annulé. La caractéristique statique i-v idéalisée pour un
GTO fonctionnant en interrupteur.

Figure 2.24 : Thyristor. (a) Symbole électrique (c) caractéristique i-v idéalisée.

a) A la fermeture, l’energie dissipée dans le GTO

• Diminue avec l’amplitude maximale de l’impulsion de courant de gâchette IGM ;

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Chapitre II La commutation des semi-
conducteurs

• Augmente avec la tension VAK OFF avant la fermeture, le courant IA ON après

la fermeture ,la vitesse diA/dt d’établissement de ce courant

b) A l’ouverture ,l’énergie dissipée dans le GTO augment avec le courant à couper, la

tension directe maximale à supporter pendant l’ouverture et la vitesse
d’établissement du courant négatif de grille.

2.5. Les Pertes de conduction des semi conducteurs 

Contrairement au thyristor ordinaire, le signal de gâchette du GTO doit être
maintenue pendant l’intervalle de conduction .en outre, le nombre important de centre de
recombinaison de la couche de blocage ,destiné à réduire le courant de queuse ,augmente
la chute de tension à l’etat passant des GTO symétrique. Nous parlons de pertes par
commutation lorsque nous nous intéressons à l’évaluation de l’énergie dissipée lors de la
fermeture ou de l’ouverture d’un semi-conducteur. Ces pertes dépendent à la fois des
composants utilisés, du type de la commutation et des éléments parasites utilisés de la
maille de commutation. Les pertes par commutation qui se traduisent par une puissance
dissipée qui croit avec la fréquence, s’ajoutent à la puissance dissipée dans les états
passants et bloqué et impose donc des limitations de nature thermique à la tension ou au
courant commuté, ou à la fréquence du cycle. Ces pertes de commutation, comme les
temps de fermeture et d’ouverture auxquelles elles sont liées, dépendent étroitement des
conditions de commande et de charge [6][15][11][8][14].

Dans le cas de commutation naturelle de composants bipolaires, l’exemple étant

celui de la diode, les pertes liées à l’ouverture sont souvent les plus importantes, elles
dépendent, d’une manière plus au moins linéaire, du produit de la tension bloquée en
inverse et de la charge recouvrée.
Cette dernière représentant une fraction de la charge Qs initialement stockée
d’autant plus grande que le basculement est plus rapide, c’est à dire que le taux di/dt de
variation du courant imposé par le circuit est plus élevé. Les pertes de commutation d’un
même composant sont donc variables dans de larges limites selon les conditions de
fonctionnement.
Dans le cas des commutations commandées, malgré l’extrême diversité des formes
d’ondes, on peut souvent admettre que les pertes sont d’autant plus grandes que la tension
V et le courant I commutés sont élevés et le temps de commutation, tc(on) à la fermeture
et tc(off) à l’ouverture, plus longs.
Pour les transistors bipolaires, et plus encore pour les transistors MOS, se sont les
phases de montée et de descente du courant et de la tension qui interviennent avec le plus
de poids dans le bilan énergétique. Pour les thyristors GTO et les IGBT, c’est par contre
souvent la queue du courant à l’ouverture qui engendre la part la plus importante des

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Chapitre II La commutation des semi-
conducteurs

pertes de commutation. Les pertes en commutation s’ajoutent aux pertes statiques des
états passant et bloqué.
En effet, pour des raisons inhérentes aux mécanismes physiques mis en jeu, la
réalisation par des éléments semi-conducteurs des fonctions d’interrupteurs qu’exige
l’électronique de puissance est imparfaite. Les états passant et bloqué sont bornés par des
valeurs limites de courant et de tension et dégradés respectivement par une chute de
tension et un courant de fuite, ce qui implique, notamment, la dissipation de puissance et
échauffement du cristal. De même, le basculement d’un état à l’autre, qui nécessite des
conditions de commande adaptées, n’est pas instantané, soumis à la dynamique des
porteurs de charge dans le cristal, avec comme conséquence l’existence des pertes de
commutation et la limite de fréquence de fonctionnement

3. Étude plus particulière des convertisseurs classiques 

3.1 Problème de la commande :

On s’intéresse ici au cas des convertisseurs classiques. Ils permettent le contrôle du

transfert de la puissance vers les (ou en provenance des) machines électriques. L’étude de
la matrice de connexion d’un convertisseur introduit sur le graphe informa- tionnel de
causalité (GIC) un modulateur caractérisé par une matrice ou un vecteur de conversion ou
de modulation [m] (voir annexe mathématique). En définissant complètement les graphes
de causalité du processus de la commande du convertisseur, il est alors possible d’utiliser
la règle du modèle inverse pour obtenir un contrôle complet de la commande (ou un
asservissement).[14][15][16]

3.2. Convertisseurs continu-continu :

Pour la commande des moteurs, on utilise surtout des hacheurs série ou des
hacheurs à quatre quadrants. On admet ici que la source de tension Vs et la source de
courant Is sont à courant continu de valeur constante. On considère le hacheur série
(dévolteur) représenté par le schéma de la figure 2.25.
On désigne par m(t) = f 1, l’indice de modulation. Les interrupteurs et les sources
sont supposés parfaits. On commande périodiquement, à la période T, la ferme- ture de
l’interrupteur transistor T1 de fonction de connexion f1 = 1 durant αT, et son ouverture ( f 1
= 0) durant (1 – α)T. Le réseau de Pétri est alors le suivant ( figure 25). Les rôles des
interrupteurs f1 et f2 sont inversés, soit f1 + f2 = 1. On a f1 = 1 dans le cas où v m = Vs et im
= Is. L’indice de modulation est alors m = 1.
Dans l’autre cas, m = 0, la diode D2 est en état de conduction, et vm = 0 et im = 0
(effet roue libre). On indique figure 2.25 l’allure de m(t). On obtient en valeur moyenne
< m > =α . En définitive, la relation de commande est u 2 = m u1 et i1 = m i2. Le transfert
de puissance est réglé par m : p(t) = m(t) Vs Is et en valeur moyenne P =< p >= α Vs Is
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Chapitre II La commutation des semi-
conducteurs

Le hacheur série est utilisé pour la commande en vitesse ou en position des moteurs
à courant continu à flux constant. C’est un convertisseur à un seul quadrant de
fonctionnement, ce qui impose un seul signe pour le couple du moteur et pour la vitesse.
On considère maintenant le hacheur quatre quadrants représenté par le schéma de la
figure 26.
On désigne par m(t) = f11 – f21 l’indice de modulation. Les interrupteurs et les
sources sont parfaits. On a pris dans l’exemple pour l’interrupteur K ij, un transistor IGBT
noté Tij et une diode Dij en antiparallèle pour former un transistor «dual».
On commande périodiquement, à la période T, la fermeture des interrupteurs transis-
tors duaux K11 et K22 durant αT (alors m = 1) et l’ouverture durant (1 – α)T, durée
pendant laquelle les transistors duaux K 21 et K12 sont fermés (alors m = – 1). Si Is est > 0,
et m = 1, la conduction s’effectue par les transistors T 11 et T22. Pour m = – 1, le courant
circule par les diodes D21 et D12.
Si Is courant circule par les transistors T 21 et T12. Le réseau de Pétri et l’allure de m(t)
sont alors les suivants : figure 2.26. On obtient finalement en valeur moyenne
< m > = 2α – 1. La relation de commande est encore vm = m Vs et im = m Is. Le
transfert de puissance est réglé par m : p(t) = m(t) Vs Is et en valeur moyenne
P =< p >= (2α−1)Vs Is

Figure2.25:GIC et réseau de pétri relatifs à un hacheur série.

puissance est réglé par m : p(t) = m(t) Vs Is et en valeur moyenne P =< p >= (2α−1)Vs Is

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Chapitre II La commutation des semi-
conducteurs

Figure2.26 – GIC et réseau de Pétri relatifs à un hacheur quatre quadrants.

Fonctionnement, ce qui impose un seul signe pour le couple du moteur et pour la

vitesse. On considère maintenant le hacheur quatre quadrants représenté par le schéma de
la figure2. 26. On désigne par m(t) f11 – f21 l’indice de modulation. Les interrupteurs et
les sources sont parfaits. On a pris dans l’exemple pour l’interrupteur Kij, un transistor
IGBT noté Tij et une diode Dij en antiparallèle pour former un transistor « dual ». On
commande périodiquement, à la période T, la fermeture des interrupteurs transistors
duaux K11 et K22 durant αT (alors m 1) et l’ouverture durant (1 – α)T,
durée pendant laquelle les transistors duaux K21 et K12 sont fermés
(alors m – 1).
Si Is est 0, et m 1, la conduction s’effectue par les transistors T11 et T22. Pour m
– 1, le courant circule par les diodes D21 et D12.
Si Is est 0, et m 1, la conduction s’effectue par les diodes D11 et D22.
Pour m – 1, le courant circule par les transistors T21 et T12.
Le réseau de Pétri et l’allure de m(t) sont alors les suivants : figure2. 4.7.
On obtient finalement en valeur moyenne m 2α– .
La relation de commande est encore vm m Vs et im m Is. Le transfert de
puissance est réglé par m :
p(t) m(t) Vs Is et en valeur moyenne P p (2−1Vs Is
Le tableau de commande des interrupteurs est représenté au tableau 2.1.

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Chapitre II La commutation des semi-
conducteurs

Tableau 2.1 – Commande du hacheur à quatre quadrants.

Le hacheur à quatre quadrants est utilisé pour la commande en vitesse ou en

position des moteurs à courant continu à flux constant.

3.3 Convertisseurs alternatif-continu :

Pour la commande des moteurs, on utilise surtout des redresseurs type « pont-
mixte » monophasé ou triphasé. L’interrupteur « commandable » est le thyristor dont on
contrôle la fermeture par la commande de la gâchette, en désignant par  l’angle de
retard à l’amorçage, la référence étant :

– t 0, ou  t 0, c’est-à-dire le passage par 0 de vs(t) en valeur croissante

dans le cas du redresseur monophasé; – t T/12, ou  t /6, c’est-à-dire le passage
par 0 de uac(t) va – vc en valeur croissante dans le cas du redresseur triphasé.

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Chapitre II La commutation des semi-
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Figure2.27– GIC et réseau de Pétri relatifs à un redresseur pont mixte monophasé.

La fermeture de chaque thyristor s’effectue en « commutation naturelle » de deux

manières :
– soit par le passage de l’état de conduction d’un couple thyristor-diode à celui
des deux diodes en « effet roue libre »; le courant devient nul dans le thyristor
qui se bloque :
– soit par le passage de l’état de conduction d’un couple thyristor-diode (ou thyristor
-thyristor) à un autre couple thyristor-diode (ou un autre couple thyristor thyristor); le
courant devient nul dans le thyristor en état de conduction qui se bloque.

– soit par le passage de l’état de conduction d’un couple thyristor-diode (ou thyristor-
thyristor) à un autre couple thyristor-diode (ou un autre couple thyristor thyristor); le
courant devient nul dans le thyristor en état de conduction qui se bloque. On se limite ici

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Chapitre II La commutation des semi-
conducteurs

au cas du redresseur pont mixte monophasé représenté par le schéma de la figure 2.27. La
source de tension est telle que :
La source de courant Is est à courant continu de valeur constante.
On introduit m(t) =f11 – f21 l’indice de modulation. Les interrupteurs et les sources sont
parfaits. Au départ, de 0 à , les interrupteurs diodes D21 et D22 sont à l’état fermé (état
roue libre). Alors m 0. On commande périodiquement, à la période T (ou 2T), la
fermeture du thyristor Th11 qui dure de à . La conduction s’effectue alors par les
composants Th11 et D22, et m 1. Ensuite, de à , les diodes D21 et D22 sont de
nouveau à l’état fermé (état roue libre) et m 0.
On commande périodiquement, à la période T, la fermeture du thyristor Th12 qui
dure de à 2. Le courant passe par les composants Th12 et D21, et
m – 1. Le réseau de Pétri indique les trois états possibles et, en particulier, l’état roue
libre, central, où seules les diodes conduisent. L’état de démarrage du pont n’est pas
représenté ici, car il correspond à un fonctionnement en débit discontinu qui n’est pas
considéré pour ce réseau. En particulier, un départ de commande en vitesse de moteur
s’effectue toujours à valeur de  proche de 180°, pour obtenir un démarrage progressif,
même en débit discontinu.
Les allures de m() et de vm() sont représentées à la figure 27.
La relation de commande est alors vm(t) m vs(t) et is m Is.
Le transfert de puissance est réglé par m : soit p(t) m(t) vs(t) Is, et, en valeur moyenne,

(2-14)

3.3.1. Cas des alimentations à découpage :

3.3.1.1 Présentation :
Il est possible de considérer les alimentations à découpage comme un convertisseur
de puissance particulier. On introduit des indices de modulation pour mettre en évidence
la commande.
On présente alors le réseau de Pétri et le graphe informationnel de causalité (GIC)
expliquant la commande des convertisseurs. On se limite ici au cas le plus simple, celui
de l’alimentation à découpage Fly-Back.

3.3.1. 2. Hacheur à accumulation inductive :

L’interrupteur transistor Tr est fermé durant αTe et bloqué durant (1 – α)Te, et cela
périodiquement, de période Te. On introduit deux indices de modulation, m1 et m2
tels que :

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Chapitre II La commutation des semi-
conducteurs

u2 m1 u11 m2 u12 (2-15)

i11 m1 i2
i12 m2 i2

L’écriture précédente peut se mettre sous forme matricielle :

u2 [m] [u1] (2-16)

[i1] [m]t i2

La matrice [m] sera alors une matrice ligne [m] [m1 m2].
Le réseau de Pétri de ce hacheur est voisin de celui du hacheur série (voir figure 28).

Figure 2.28 – Réseau de Pétri et GIC du hacheur à accumulation

Les formes d’onde du hacheur à accumulation sont aussi indiquées à la figure 4.9. On
obtient les relations suivantes entre valeurs moyennes :

(2-17)

3.3.2 Alimentation à découpage Fly-Back :

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Chapitre II La commutation des semi-
conducteurs

On applique ce qui a été étudié précédemment au cas de l’alimentation à

découpage Fly-Back. Le transfert de puissance s’effectue grâce à un montage à circuit
magnétique couplé, dont la réluctance est ℜ( figure 2.29).

On obtient les équations du modulateur.

(2-18)
La première équation caractérise l’effet de couplage au niveau du flux magnétique en
fonction des tensions u11 et u12. Les deux dernières équations caractérisent le théorème
d’Ampère.

Figure2. 29 : Réseau de Pétri et GI de l’alimentation à découpage Fly-Back.

Cela donne le réseau de Pétri de la figure 2.29.

Le fonctionnement est analogue à celui du hacheur à accumulation puisqu’il
s’agit d’emmagasiner de l’énergie pendant la durée où le transistor est saturé, et de

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Chapitre II La commutation des semi-
conducteurs

« déstocker » cette énergie durant le blocage du transistor et la conduction de la diode.

La seule différence est que cette fois l’énergie est emmagasinée dans un circuit
magnétique à plusieurs bobinages. Le GIC est également représenté à la figure. On
obtient alors les relations entre les valeurs moyennes.

(2-19)

3.4. Convertisseurs continu-alternatif :

3.4.1 Commande numérique de l’onduleur triphasé de tension :

Rappelons qu’une commande numérique consiste à envoyer une suite d’ordres, où

le temps est remplacé par un numéro n entier.
Considérons une commande numérique de période de découpage Te qui consiste à
imposer sur la phase « 1 » pour une « séquence numérotée n »
– la fonction f11=1 durant un temps T1 αa(n)Te, alors v1 U/2.
– f11 =0 durant un temps T2 [1 – αa(n)]Te, alors v1 – U/2.

La valeur moyenne locale v1(n) n sur la séquence numérotée n est alors :

(2-20)
Si l’on veut une variation sinusoïdale de va(n) n avec une valeur efficace réglable
U
V 1≤ on doit obtenir :
2√ 2

(2-21)
le rapport (entier) entre la période T ′de l’onduleur et Te la période de découpage
(M >> 1). On rappelle que la fonction génératrice est donnée par g ( t ) =√ 2

Cela donne :

(2-22)
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Chapitre II La commutation des semi-
conducteurs

Et , pour les autres phases :

(2-23)

(2-24)
Ce type de commande numérique, qui peut être obtenu par un processeur, permet la
réalisation d’une modulation de largeur d’impulsions en triphasé (MLI ou PWM, Pulse
Width Modulation). Elle permet de régler la fréquence

(2-25)
De l’onduleur, et le niveau V1 de la tension de sortie en agissant sur G à condition
U
queV 1≤
2√ 2

4. Conclusion :

L’électronique de puissance est nécessairement une électronique de commutation,

dans ce chapitre nous avons décrit ce phénomène ainsi que les outils mis en œuvre
pour mieux comprendre les mécanismes intervenant au niveau de celle-ci dans une
cellule de commutation qui est une brique élémentaire de base pour la réalisation de la
plus part des convertisseurs statiques. D’un point de vue dynamique, dans une
cellule élémentaire, la commutation est provoquée par le changement d’état
commandé de l’un des interrupteurs, entrainant spontanément le changement d’état
complémentaire de l’autre.
Après avoir décrit les équations des tensions et des courants pendant la commutation
des interrupteurs d’une manière générale, nous avons étalé les différentes
manœuvres de commutation dans un montage abaisseur .
On a montré aussi l’influence de la commutation sur les pertes en faisant
constater qu’elles sont proportionnelles à la fréquence.

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Chapitre II La commutation des semi-
conducteurs

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