Vous êtes sur la page 1sur 2

Université Sultan Moulay Slimane Ecole Nationale des Sciences Appliquées de Khouribga

ANNEE UNIVERSITAIRE : 2020/2021

TD 3 : Electronique 2 (API2)

Exercice 1 :

On considère les circuits ci-dessous dans lesquels la diode est supposée idéale. On applique à l’entrée de
ces circuits une tension sinusoïdale de la forme : Ve(t) = Vmsin(ωt), avec Vm > E. Tracer les graphes de
Ve(t) et Vs(t).

Exercice 2 : Etude d’un montage redressement simple alternance

On applique à l’entrée du circuit de la figure suivante une tension sinusoïdale de la forme :


ve(t) = Vmsin(ωt), avec Vm = 1,5 V.
La diode possède une tension de seuil Vd = 0,7 V et une résistance interne dynamique rd = 10 Ω. On
prend R = 1kΩ.

V(t)
VR(t)

1) Déterminer l’état électrique de la diode lorsque t varie.


2) Tracer les graphes ve(t) et vR(t).
3) Déterminer la valeur moyenne de la tension vR.
4) Calculer le taux d’ondulation τ.
Université Sultan Moulay Slimane Ecole Nationale des Sciences Appliquées de Khouribga
ANNEE UNIVERSITAIRE : 2020/2021

Exercice 3 :

Dans le circuit limiteur suivant, les diodes D1 et D2 sont parfaites, la tension appliquée à l’entré
vaut e=E0 sin(ωt) telle que E2 < E1 < E0.

Représenter la variation de la tension de sortie en fonction du temps et le graphe de la fonction


de transfert s=f(e).

Vous aimerez peut-être aussi