Polycopié de cours d’Electronique Analogique

Université de Djibouti (UD)/ IUT-Industrielle (IUT-I)

2èmre Année du DUT Génie Mécanique
Année Universitaire 2020/2021
Par M. Moustapha HASSAN IBRAHIM
Enseignant-Chercheur en Génie Electrique/Automatisme

Module : Electronique Analogique

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Objectif du cours :
Ce présent polycopié de cours vise à appréhender les principaux composants en électronique analogique,
notamment les diodes de jonction, les transistors bipolaires et les amplificateurs opérationnels. Après avoir
défini, puis exposé les principales caractéristiques, le cours met l’accent sur les applications classiques
faisant appel à ces composants électroniques : Il sera question de redressements des tensions alternatives,
de comparateur de tension, des interrupteurs électroniques, des circuits électroniques effectuant des
opérations mathématiques, ….

Prérequis :
En premier lieu, les théorèmes généraux de l’électricité notamment les lois de mailles et de Kirchhoff.
Également les techniques de calcul en électricité comme les ponts de diviseur de tensions ou de courant.
Le théorème de MILLMANN est très pratique dans l’étude des circuits électroniques à base des
amplificateurs opérationnels (AOP) qui est traité dans un chapitre n°4. La connaissance des lois physiques
des éléments de bases en électricité (Les résistances R, les capacités C et les impédances L) est aussi
importante. Toutes ces notions mentionnées sont abordées dans le cours du 1ère année DUT génie mécanique
intitulé ‘’ Composants de base et les lois fondamentales en électricité ’’.

Prérequis en mathématiques :
Niveau 1ère année en mathématique, entre autres l’étude des fonctions mathématiques : Notion sur la
dérivation, sur l’intégration, … et études des nombres complexes.

Table de matières
1. Chapitre n°1 : Introduction aux matériaux de semi-conducteurs
2. Chapitre n° 2 : La Diode de redressement et ses applications
3. Chapitre n°3 : L’Amplificateurs opérationnels (AOP) et ses applications
4. Chapitre n°4 : Les Transistors bipolaires NPN-PNP et ses applications

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 Chapitre 1 : Introduction aux matériaux semi-conducteurs

1. Théorie des atomes

Pour comprendre quelque peu le fonctionnement des composants électroniques réalisés à l'aide des
matériaux ou alliages semi-conducteurs, il nous faut avoir en tête la théorie des atomes. L'explication
actuelle que nous donne les physiciens sur la matière met en jeux la composition de celle-ci.
La matière serait composée d'atomes d'un diamètre d'environ 1⋅10-10 à 1⋅10-12 mètre de diamètre, distincts
entre eux par leur nombre de particules dont ils sont eux-mêmes composés. Ces atomes sont classés
précisément par l'évolution du nombre de ces particules, le premier atome n'en contenant que deux,
jusqu'aux derniers qui en contiennent plus de cent. C'est le tableau périodique des éléments créé par Dimitri
MENDELEÏEV (1834 - 1907), déjà vu dans le programme du lycée.
Il est admis que les particules qui composent l'atome sont constituées d’un noyau, dont le diamètre est
d'environ 1 ⋅ 10-14 mètre, qui contient des protons et des neutrons accompagnés autour d'un nuage de petits
électrons qui gravitent au loin, à des distances bien définies appelées couches électroniques. Chaque proton
ou neutron, appelés tous deux nucléons, est d'un diamètre et d'une masse environ 2000x supérieure à un
électron.
Les forces qui interagissent entre toutes ces particules ainsi que celles qui interviennent entre les différents
atomes d'un objet vont fortement influencer le comportement d'un matériau en fonction des contraintes qu'il
subit. ‘’En ce qui concerne l'électricité et ces effets, ce sont essentiellement les électrons qui gravitent sur
la dernière couche électronique qui sont impliqués’’.
La nature a fabriqué des atomes ne possédant jamais plus de 8 électrons périphériques (pour un état dit
stable). Le tableau périodique des éléments, étudié en lycée, nous le confirme (n’hésitez pas à y jeter un œil
ce tableau pour l’examiner !!! ).

Fig1. Modèle simple d’un atome

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La représentation la plus usuelle d'un atome (voire Fig1) est celle proposée par le physicien NIELS BOHR
(1885-1962) qui est une représentation très pratique pour un électronicien, et celle-ci va être encore
simplifier davantage.

2. Architecture de Semi-conducteur pur

Il est facile de simplifier au maximum la représentation de NIELS BOHR en ne laissant apparaître que le
noyau avec les couches électronique interne et surtout la dernière couche électronique, appelée couche
périphérique ou couche de valence. Un matériau semi-conducteur à la particularité de posséder 4 électrons
périphériques, soit exactement la moitié d'une couche complètement saturée.
Cette particularité va lui donner un comportement particulier en ce qui concerne les phénomènes
électriques, entre autres. Le matériau semi-conducteur actuellement le plus utilisé est le SILICIUM.
Toutefois, pour utiliser du silicium en électronique, il faut obtenir des plaquettes d'une pureté extraordinaire.
La pureté est de l'ordre d’un atome impur pour un million d'atomes de silicium. Le tout reste totalement
stable si la température est très basse.

Fig2. Modèle de Niels Bohr simplifié

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 Chapitre 2 : La Diode et ses applications électroniques

1. Définition

La diode est un dipôle à semi-conducteur (majoritairement à base

Définition / fonctionnement :
Photo :
d’une jonction PN). Les 2 bornes sont repérées anode « A » et
cathode « K ». Une diode est un élément ayant la propriété d’être
conducteur pour un certain sens du courant et non conducteur pour
l’autre sens.

Symbole :

Constitution :
Il s’agit d’une jonction PN : P désignant un semi-conducteur dopé
positivement et N désignant un semi-conducteur dopé
négativement.

Sens d’orientation :

La tension aux bornes de la diode et le courant électrique qui la

traverse sont orientés en convention récepteur

2. Principe de fonctionnement et polarisation

La diode est un composant dit de commutation qui possède 2 régimes de fonctionnement :

- Diode à l’état : Passant. C’est-à-dire ‘’ Elle conduit le courant électrique ‘’.
- Diode à l’état : Bloqué. C’est-à-dire ‘’ Elle bloque le courant électrique ‘’.

La diode peut ainsi commuter de l’état passant à l’état bloqué selon la nature de la tension qui lui ai
soumise.
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 3. Principales caractéristiques de la diode :

Le tableau ci-dessous montre quatre caractéristiques ‘’ ‘’ de la diode : Caractéristique Réelle,

Caractéristique Semi-réelle, Caractéristique Classique, Caractéristique Idéale.

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NB : Suivant l’étude que l’on veut mener, on prendra l’une ou l’autre de ces caractéristiques. En règle
générale, la caractéristique Classique est la plus souvent utilisée pour effectuer des calculs. La
caractéristique Idéale s’utilise plutôt pour analyser le fonctionnement.

4. Zones de claquages de la diode

Il y a un risque de destruction de la diode par échauffement de la jonction PN si la tension inverse (tension

-VD) aux bornes de la diode devient trop importante. Les constructeurs précisent la tension de claquage
inverse ; elle correspond à la tension maximum que peut supporter une diode en polarisation inverse.

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 3. Modélisation de la diode

L’observation de l’étude de la polarisation de la diode permet de définir deux modèles simples de la diode
: l’un tient compte de la tension de seuil Vseuil, l’autre néglige cette tension de seuil Vseuil. Ce second modèle
est le modèle équivalent d’une diode idéale ; il est suffisant dans de nombreuses applications.

a- Modèle équivalent de diode

Le modèle électrique équivalente d’une diode est décrit comme suit :

b- Modèle équivalent de diode idéale

Le modèle idéal électrique équivalente d’une diode est décrit comme suit : constituant d’un interrupteur
parfait ( lors de l’état bloqué) et d’un fil électrique (lors de l’état passant).

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 4. Exemples d’utilisation de diodes
a. Montage Simple Redressement des tensions alternatives

La diode, présentant une résistance pratiquement infinie lorsqu’elle est polarisée en inverse, peut être
utilisée pour obtenir un courant unidirectionnel à partir d’un courant alternatif tel que le courant sinusoïdal.
On pose donc sin avec w étant la pulsation et la tension maximale.
Le circuit de la figure ci dessous, la diode est passante quand le potentiel de son anode est supérieur de 0,6
V que celui de sa cathode. Si on néglige les effets dus à la tension de seuil, la charge R est traversée par du
courant uniquement pendant les alternances positives.

Dans l’alternance positive, on a : et lors de l’alternance négative on a : 0. La

valeur moyenne de la tension de sortie est dans ce cas équivaut à 〈 〉 .

b. Montage Double Redressement

Pour procéder au redressement des deux alternances, il faut utiliser un transformateur ayant deux
enroulements secondaires identiques reliés en série et qui délivre deux tensions opposées :
En posant , le point commun aux deux enroulements sert de référence de potentiel. Si
0 la diode D1 conduit alors que la diode D2 est bloquée. Lors de la demi-alternance suivante, la situation
est inversée. Le courant dans la charge R est unidirectionnel.

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 √
La valeur moyenne de la tension de sortie est donnée par 〈 〉 2 .

c. Diodes Zener

La diode Zener est une diode qui a la particularité de pouvoir. Dans le sens direct ( et positifs), Cette
diode présente la même caractéristique qu’une autre diode. Elle s’utilise dans la polarisation inverse où les
notations changent et deviennent et . Dans ce sens, cette diode ne présente pas de
zone de claquage :

Si , alors 0 (interrupteur ouvert).

Sinon , quel que soit le courant le traversant conduire dans le sens inverse.

NB : Les diodes ZENER sont appréciées pour leur tension VZ stable. On les trouve souvent associées à
des fonctions telles que :
- Stabilisation de tensions fortement perturbées ;
- Ecrêtage des tensions variables ;
- Alimentation continue de petite puissance.
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 TP n°1 : Etude des montages à diodes.

Objectif du TP :
- Etude du composant « diode de signa » seule.
- Utilisation de la diode dans un montage redresseur à une diode, avec une charge résistive.

1) Tracé de la caractéristique de la diode de signal.

On effectue le montage suivant avec R = 50 Ω. E est une tension réglable fournie par une
alimentation stabilisée.

Question 1 : Faites varier E et remplissez le tableau suivant :

Question 2 : Tracez la caractéristique de la diode : Id = f(uD). Elle doit avoir la forme suivante :

Question 3 : Déduire sur votre caractéristique la tension de seuil de la diode Vseuil.

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12
13
 Chapitre 3 : L’Amplificateur opérati6onnel (AOP) et ses applications

1. L’Amplificateur Opérationnel : Définitions et caractéristiques

1.1 Définition

Définition : Un amplificateur est un quadripôle ayant pour rôle de passer d’une tension/courant/puissance
d’entrée à une tension/courant/puissance de sortie, a priori supérieur(e). Il s’agit Il s’agit d’un circuit Intégré
(C.I) analogique « multifonctions ».

NB : Un C.I. est un circuit électronique miniaturisé, principalement constitué de transistors. (1958 : 1er
Circuit Intégré par la société Texas Instruments).

Fig1. Schéma descriptif d’un Amplificateur

Par exemple, le circuit intégré : μA741, du Texas Instruments, est un circuit intégré contenant deux
amplificateur opérationnel. Il est présenté sous forme d’un boitier à huit broches (DILL 8), voire la figure
n°2.

Fig2. Circuit intégré Amplificateur μA741

Brochage : L’amplificateur opérationnel (AOP) possède :

 Deux entrées : Il s’agit de IN+ (ou e+) pour bornes ‘’ non inverseuse ’’
14
et IN- (ou e-) pour la borne dite inverseuse.

 Une sortie : C’est la borne OUT (ou S)

 Deux broches d’alimentation : Ces sont la borne VCC+ pour l’alimentation en tension continue
positive et la borne VCC- pour l’alimentation en tension continue négative.

1.2 Symbole d’un amplificateur opérationnel

Il existe principalement deux modèles de symboles qui sont :

Fig3. Principaux symboles d’un AOP

1.3 Alimentation d’un amplificateur opérationnel

Un A.O.P est un composant actif et nécessite donc une alimentation constituée de deux générateurs de
tension continue symétriques (C’est-à-dire deux sources de tension continue délivrant une même valeur de
tension mais de signe opposé ou inversé). La figure n°4 illustre l’exemple d’un AOP alimenté par deux
sources de tension de 15V de sens opposés).

Fig4. Schéma d’alimentation d’un AOP

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NB : Pour de raison de simplicité des montages contenant des AOP, souvent on omet de dessiner
l’alimentation ! Sauf dans le cas où il est question d’étudier l’alimentation des AOP. Garder à l’esprit
qu’un AOP nécessite une alimentation pour fonctionner !

2.4. Principales caractéristiques électriques d’un AOP

a. Courants électriques des bornes d’entrées quasiment nuls

Un AOP est conçu de sorte que le courant électrique aux deux bornes d’entrées (Borne Inverseuse et borne
non inverseuse) soit pratiquement nul. Ainsi, l’impédance d’entrée de l’AOP est élevée pour faire chuter
considérablement l’intensité de courant entrant à ces deux bornes d’entrées.

Fig5. Schéma d’alimentation d’un AOP

 En résumé, une première caractéristique électrique d’un AOP est le fait que les courants électriques à
ces deux bornes d’entrée sont quasiment nuls (i+ =0 et i - =0) et peuvent être négliger pour étudier
un montage impliquant un AOP.

b. Tension différentielle d’entrée ε

Définition : La tension différentielle d’entrée d’un AOP est la différence de potentiels entre l’entrée non
inverseuse (la borne +) et l’entrée inverseuse (la borne -). Elle est assimilée comme étant un signal d’entrée
et est sollicitée lors de la caractéristique de transfert de l’AOP.

Fig6. Schéma montrant la tension différentielle d’AOP

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 c. Caractéristiques de transfert d’un AOP

Pour un AOP, le comportement au fil du temps de la sortie dépend uniquement de la différence de tension
entre la borne non inverseuse et la borne inverseuse : Autrement dit, la sortie est une fonction qui est liée à
la tension différentielle .

Fig7. Schéma d’illustration

La caractéristique de transfert d’un AOP est donc l’étude de la tension de sortie S par rapport à la tension
différentielle d’entrée de l’AOP.

Fig8. Tracé de la caractéristique de transfert d’un AOP

On distingue trois zones de fonctionnement :

 Zone de linéarité : ≅ 0 V ; Vsat- < Vs< Vsat+
 Zone de saturation haute : > 0 V ; Vs = Vsat+
 Zone de saturation basse : < 0 V ; Vs = Vsat-

Remarque : Pratiquement, si Vcc± = ±15 V, alors Vsat± (Tension de saturation) est de l’ordre de ±14 V :
c’est-à-dire une chute d’environ un volt.

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 d. Réaction positive et Réaction négative

Définitions : On dit qu’il y a réaction positive quand la sortie est reliée à l’entrée non inverseuse.
On dit qu’il y a contre-réaction (ou réaction négative) quand la sortie est reliée à l’entrée inverseuse.

NB : On admet l’axiome suivant : Une contre-réaction (ou la réaction négative) assure un fonctionnement
linéaire de l’AOP et donc une tension différentielle 0 V, alors qu’une réaction positive engendre un
fonctionnement en saturation de l’AOP.

Une conséquence importante de la contre-réaction est le montage suiveur de tension de la figure n°9 qui
est très utilisé en comme un moyen d’isolation des étages électroniques.

Fig9. Montage suiveur de tension

La Loi des mailles appliquée sur le montage de la figure n°9 donne l’équation suivante : US = UE – .
L’A.O. possède une contre réaction ⇒ =0 V. Finalement : US = UE.

2. Etudes des principaux montages en régime de fonctionnement linéaire de l’AOP

L’A.O. doit avoir une contre-réaction (condition nécessaire mais pas toujours suffisante). On sait qu’en
régime linéaire : =0 V.

2.1. Montage amplificateur de tension

Par définition, l’amplification en tension est définie par :

à é

Également, par définition, le gain en tension est : Gv =20 log10 |Av| (en décibels dB)

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 2.2. Montage « amplificateur inverseur »

Le montage suivant est un amplificateur de tension avec inversion de signe. Il est constitué d’un AOP
avec deux résistances d’adaptation qui peuvent être choisies en fonction du coefficient d’adaptation.

Fig10. Montage suiveur de tension

Cherchons la relation entre la tension d’entrée et la tension de sortie (en analysant le montage de la figure
n°10) :
 = V+ - V- = 0 (puis qu’on est en régime linéaire car il y a une contre-réaction !)
 V+ = 0 (entrée non inverseuse reliée à la masse)
 Appliquons le théorème de MILLMAN à l’entrée inverseuse (V-) :

Et d’autre part, par lecture du montage, on peut écrire : 0

Soit donc : , et par application numérique (AN) : 21.3. Notez que la tension de la
sortie du montage = qui amplifie avec un rapport d’environ 21 en valeur absolue.
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 2.3. Montage additionneur non-inverseur

Il est possible grâce à l’AOP de réaliser un certain nombre de fonction mathématique linéaire, notamment
la soustraction, l’addition, la dérivée, l’intégration, …. Dans le cadre de cours, nous allons juste traiter
l’exemple du montage d’un additionneur. Le TD va compléter l’étude des principaux circuits réalisant des
opérations mathématiques.

Sur la figure n°11, le montage à base de l’AOP réalise une opération d’addition mathématique des tensions
d’entrées sans inversion du résultat.

NB : A titre d’application, essayer de trouver l’expression de US en fonction des entrées UE1 et UE2 en
raisonnant de la même manière que dans la section précédente ?

Fig11. Montage d’un additionneur inverseur

En raisonnant de la même manière que l’étude du montage de la section précédente, nous obtenons
que :US=UE1+UE2

3. Etudes des principaux montages en régime de saturation de l’AOP

En régime de saturation, l’A.O. est réalisée avec une réaction positive. Dans ce cas de figure, la sortie de
l’A.O. se sature sur deux états :

 Vsat+ si > 0 V (Si tension différentielle est positive)

 Vsat- si < 0 V ( Si tension différentielle négative)

Un exemple classique d’un circuit contenant un AOP en régime de saturation, est ‘’un comparateur
simple’’. Le circuit de la figure n°12 est un montage d’un comparateur simple non inverseur à base d’un
AOP fonctionnant en régime de saturation car il n’y a pas de contre-réaction.

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 4.1. Montage d’un comparateur simple

Soit le montage d’un comparateur simple suivant :

Fig12. Montage d’un comparateur simple

La loi de mailles appliquée sur ce circuit de la figure n°12, on peut écrire que : UE -EREF. La tension
UE étant alternative, selon la position de UE par rapport à la tension de référence, il est possible de distinguer
deux états de la sortie :
 si UE > Eref alors > 0 et US=Vsat+
 si UE < Eref alors < 0 et US=Vsat-

Le niveau d’entrée (UE = Eref) qui provoque le basculement de la sortie est appelé tension de seuil. Les
graphiques de la figure n°13 montre la fonction de transfert ainsi que l’évolution temporelle de la tension
de la sortie du circuit de comparateur simple en fonction de la tension d’entrée. Ce montage compare la
tension d’entrée à une tension de référence (Eref). L’état de la sortie US donne le résultat de la comparaison.

Fig13. La caractéristique de transfert et Evolution de la tension de sortie US

4.2. Trigger « non inverseur symétrique »

Le montage de la figure n°14, est celui d’un trigger non inverseur et symétrique. Il est constitué d’un AOP
fonctionnant en régime de saturation (la sortie Us est reliée à la borne non inverseuse : il s’agit d’une

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réaction positive). Il est souvent utilisé dans la gestion des applications électronique nécessitant des
basculements maitrisés d’une tension donnée, en occurrence la tension de la sortie Us pour le montage de
la figure n°14.

Exemple d’application : La régulation de température dans une chambre de préservation des alimentations
 T > 20 °C : on coupe le chauffage
 T < 18 °C : on met le chauffage

Fig14. Montage d’un trigger non inverseur et symétrique

Application : Pour le montage de la figure n° 14 :

a. L’AOP fonctionne-t-il en régime de saturation ?

b. Calculer l’expression de la sortie US en fonction de la tension UE et les résistances qui

interviennent dans le montage ?
c. Le montage possède deux seuils de comparaison. Calculer l’expression de chacune de seuil ?

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 TP n°2 : Etude des circuits à base des AOP.

1) Objectifs du TP :

 Utilisation des circuits intégrés.

 Etude à base d’un amplificateur opérationnel
 Manipulation d’un oscilloscope numérique.

2) Matériels :

 Un GBF
 Une Résistance R = 10 kΩ
 Un amplificateur opérationnel LM 358 N
 Une Alimentation stabilisée
 Un Oscilloscope Numérique
 Des fils de connexion
 une plaque de connexion (ou platine)

3) Montage Amplificateur inverseur

Soit le montage a amplificateur suivant :

Etude théorique :
1) L’amplificateur fonctionne-t-il en régime linaire ? Justifier
2) Déterminer l’expression de la sortie us.
3) Déterminer le gain (rapport d’amplitude) entre Vs et Ve.
Etude expérimentale :

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 4) Sélectionner sur le GBF une tension sinusoïdale ; régler la fréquence : f = 1 000 Hz et l’amplitude
du signal : Uem = 1 V.
5) Peut-on identifier les 2 tensions observées sur l’oscilloscope ?
6) Identifier les 2 tensions observées sur l’oscilloscope.
7) Tracer les courbes: Ue = f(t) et Us =f(t). Bien noter les valeurs maximales de Ue et de Us, ainsi que
la période T du signal.
8) Pourquoi le montage porte-t-il un tel nom ?

ANNEXE
Comment réaliser un montage comportant un amplificateur opérationnel
8 7 6 5
Offset 1 8 Non connecté
Détrompeu
r LM entrée E+ 2 7 Alimentation + Vcc
358 Entrée E- 3 6 Sortie

Alimentation- Vcc 4 5 Offset

1 2 3 4

24
25
26
Chapitre 4 : Les transistors Bipolaires (NPN et PNP) et ses applications

1. Définitions et Constitutions d’un transistor bipolaire

Définition : Le transistor bipolaire est réalisé dans un monocristal d’un matériau de semiconducteur
comportant trois zones de dopage différentes. Le transistor a été inventé en 1947. Il existe deux types de
transistor bipolaire qui sont les transistors NPN et NPN. Un transistor bipolaire possède trois bornes :

 La base (B)
 Le collecteur (C)
 L’émetteur (E)

Fig1. Schéma d’un transistor bipolaire

Les transistors bipolaires peuvent etre reconnus sur une carte életronique par les trois pins de connexion
indiquant la base (B), le collecteur (C) et l’émetteur (E).

Fig2. Schéma de deux types de transistor bipolaire

NB : La différenciation entre les deux types de transistor (NPN et PNP) réside schématiquement dans le
sens d’orientation du courant électrique entre la base (B) et l’émetteur (E) : D’après la figure n°2, nous
27
admettons que pour le transistor NPN, l’intensité électrique est orientée de la base (B) vers l’émetteur (E)
alors que pour le transistor PNP est le sens contraire.

2. Caractéristiques électriques

Selon le type de transistor bipolaire, nous admettons les symboles, ainsi que l’orientation des courants
électriques et des tensions suivantes :

Une fois l’orientation des grandeur électriques comme les différentes intensités de courant et les
principales tensions établies, l’application de la loi de Kirchhoff donne : .

2.1. Montage Emetteur-Commun

La figure n°3 représente un circuit à émetteur commun. Ce montage nécessite deux sources de tension
pour l’alimentation de la base et du collecteur. L’émetteur est relié à la masse.

Fig3. Schéma d’un montage Emetteur Commun

28
Le transistor possédant trois bornes, il faut définir trois courants et trois tensions qui sont définies ci-après :
En fonctionnement normal, le courant entre dans le transistor NPN par la base et le collecteur et sort par
l’émetteur.
Avec la convention de signe choisie ci-dessus, les courants sont donc positifs. La tension V CE est
normalement positive.

Fig4. Orientation des différentes tensions et courants

La relation de courant donne : . Le transistor est conçu pour être commander par la jonction
B-E :

• Si le courant de base est nul, la jonction B-E est bloquée et on dit que le transistor est bloqué.
• S’il y a un courant de base (dans le sens direct : IB > 0), le transistor est dit passant.

Le courant de la base est donc un courant de commande (ou un courant dont il est possible de
commander).

2.1.a. Transistor bloqué

Lors d’un état bloqué d’un transistor, les courants au niveau des trois bornes sont quasiment nuls.

Fig5. Configuration courant et tension lors d’un état bloqué

29
La jonction B-E est bloquée : IB= 0 et VBE < 0,6 V. Alors, le transistor est bloqué. Et tous les courants étant
nuls, on obtient : 0.

2.1.b. Transistor passant

Lors d’un état passant du transistor, on a ( voire figure 6) : La jonction B-E est passante dans le sens direct
: IB > 0 et VBE = 0,6 V.

Fig6. Configuration courant et tension lors d’un état passant

Le transistor est passant et il y a un courant de collecteur et un courant d’émetteur : IC > 0 et IE > 0. Il existe
alors deux régimes de fonctionnement :

 Fonctionnement en régime linéaire :

En régime linéaire, le courant de collecteur est proportionnel au courant de base : IC = β IB . En régime

linéaire, le courant au niveau du collecteur est proportionnel à celui de la base et cette caractéristique est
souvent exploiter pour effectuer l’amplification de courant ou de la tension.

Fig7. Configuration courant et tension lors d’un état passant en régime de linéaire

30
β est le coefficient d’amplification en courant (de quelques dizainesà quelques centaines). Et si β >>1 donc
IC >> IB et d’autre part : où IE est proche de la valeur du IC

 Fonctionnement en régime de saturation :

Au-dessus d’une certaine valeur du courant de base (IBsat), le courant de collecteur « sature ». On a alors :
IB > IBsat : IC = ICsat et que : . Également, la tension VCE saturation est proche de zéro.

Fig8. Caractéristique du courant collecteur et courant de la base

3. Caractéristiques d’un transistor PNP

Par rapport au transistor NPN, le sens des courants et le signe des tensions sont inversés : Les différentes
orientations sont répertoriées sur la figure 9.

Fig9. Caractéristiques du transistor PNP

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Institut Universitaire de technologie Industrielle (IUT-I)
TD N°3 : Transistor Bipolaire et ses Applications en régime linéaire
Exercice n°1 : Question de Cours /Complément
Dessiner le schéma équivalent basse-fréquences petits
signaux du transistor bipolaire en utilisant les 4 paramètres
hybrides émetteur commun. On précisera sur Ce schéma les
orientations respectives des courants et des tensions. Prenez
l’exemple d’un transistor bipolaire type NPN.
Exercice n°2:
Soit le circuit suivant :
Déterminez le mode de fonctionnement du transistor
bipolaire du circuit ci-dessous. Déterminez les tensions la
chaque nœud (en B ,C et C) et les courants dans chaque
branche. Données : Beta = 100.
Exercice n°3 :
Soit le circuit suivant :
1. Que vaut VCE lorsque l’entrée vin est mise `a zéro
? -
2. Quel courant Ib doit-on imposer pour polariser le
transistor en saturation profonde ?
M. Moustapha Hassan Ibrahim
Filière : DUT GM 2 ième Année
DUT 2ième Année GM
3. Si Vin = 5 V, quelle est la plus grande valeur de
Rb permettant de maintenir le transistor en
saturation ? Données : Beta = 200
Une élévation de la température du transistor du montage ci-
dessous change ses caractéristiques de la façon suivante : le
gain β passe de 85 `a 100 et la tension de jonction VBE
change de 0.7 V `a 0.6 V.
Déterminez les variations relatives subies par le courant IC
et la tension VCE.
Exercice n°4:
Soit le montage ci-dessous :
Déterminez le gain en tension Av, la résistance d’entrée Rin
et la résistance de sortie Rout du circuit.
Données :
A la fréquence du signal, les condensateurs de
couplage remplissent parfaitement leur rôle ;
- résistances : R1 = 22 kΩ, R2 = 4.7 kΩ, RC = 2.2
kΩ, RE = 1 kΩ;
- transistor : β = 100 , effet Early négligé ;
- source de tension : VCC = 15 V.
32
Institut Universitaire de technologie Industrielle (IUT-I) Filière : DUT GM 2 ième Année

Exercice n°5: Montage Emetteur Commun

On considère le montage ci-contre, avec E = 15 V, RC = 1

kΩ et RE = 250 Ω.

Etude Statique :

1. Après avoir tracé la droite de charge statique et déni la

pente de la droite de charge dynamique, déterminer
l'excursion maximale de la tension de sortie dans le cas où
les coordonnées du point de fonctionnement sont :

a) VCE = 5 V.

b) VCE = 10 V.

2. Déterminer maintenant le point de fonctionnement que

l'on doit choisir pour obtenir en régime dynamique, une
excursion maximale de la tension sans écrêtage.

3. Déterminer maintenant le point de fonctionnement que

l'on doit choisir pour obtenir en régime dynamique, une
excursion maximale de la tension sans écrêtage.

4. Déterminer la valeur des résistances R1 et R2 permettant

d'obtenir ce point de fonctionnement. On donne R1+R2 = 10
kΩ. Vérifier que le courant Ib est négligeable devant le
courant de pont (dans R1 et R2). On négligera Ib devant IC
et VBE = 0,6 V.

5. Déterminer autour du point de fonctionnement déterminé

en question n°3, les valeurs des paramètres hybrides du
transistor.

Etude Dynamique :

1. Dessiner un schéma équivalent au montage, valable en

régime dynamique (schémas petits signaux).On considère
l'impédance des condensateurs nulle et h12= 0.

2. Calculer le gain en tension, l'impédance d'entrée et

l'impédance de sortie.

3. On considère le montage chargé par une résistance Rch de

2 kΩ. Calculer le gain en courant et le gain en tension.

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M. Moustapha Hassan Ibrahim