Cours d’Électronique

Analogique 1
1ère ANNEE GENIE ELECTRIQUE

Responsable : Pr S. BAKKALI
Contenu du cours
Introduction et généralités

Chapitre 1: Semi-conducteurs et la jonction PN

Chapitre 2: Étude des Diodes et leurs applications

Chapitre 3 : Étude des transistors bipolaires et leurs applications

Chapitre 4: Montages amplificateurs à transistors

Chapitre 5 : Étude des transistors MOSFET et leurs applications

Objectifs du cours
1. Comprendre le fonctionnement des composants électroniques
élémentaires de base à savoir les diodes et les transistors

2. Comprendre l’utilisation des composants électroniques à travers des

applications de base

3. Comprendre le fonctionnement des circuits électroniques présents

dans tout système et carte électronique

Prérequis pour le cours d’électronique

Lois de Kirchhoff
Source de tension et source de courant
Théorème de Thevenin
Théorème de Millmann
Théorème de Northon
Théorème de superposition
Analyse statique et analyse dynamique d’un circuit
 Introduction et généralités
➢ Comment peut-on définir l’électricité?
L’électricité fournit l’énergie aux composants électroniques pour qu’ils puissent
fonctionner L’électricité est une forme d’énergie qui se manifeste lorsqu’il y a circulation
d’électrons à l’intérieur d’un conducteur.
Ensemble des phénomènes liés à l’existence des charges électriques et donc à l’existence
des forces qui s’exercent sur ces charges.
L’électricité peut être définie par deux grandeurs:
• courant (déplacement de charges dans un conducteur)
• tension (force qui permet le déplacement des charges)

➢ Comment définit-on l’électronique?

L’électronique est l’ensemble des sciences et techniques qui exploitent la variation des
grandeurs électriques (courant ou tension) de faible amplitude pour réaliser des fonctions
telles que:

• Génération de signaux, amplification, modulation démodulation, commutation ….

Ces fonctions sont utilisées pour traiter une information sous forme électrique
Exemple domaines d’application : télécommunications, domotique, robotique,
voiture…
Traiter une information comme capter ou transmettre l’information.

Le traitement de l’information est réalisé par les circuits électroniques.

• L’électronique traite le signal électrique portant l’information
• L’électricité fournit de l’énergie au circuit électronique

Electronique analogique / numérique

On peut distinguer deux types d’information conduisant à deux structures de systèmes
de transmission: information analogique et information numérique
Le domaine analogique: les variables peuvent prendre une infinité de valeurs. on utilise
le composant électronique en général pour amplifier les signaux.
Exemple: les valeurs issues d’un capteur sont analogiques et les signaux sont de faible
amplitude. Elles traduisent des phénomènes physiques qui varient d’une manière
continue, comme: le son, la température, la pression.
l'analogique est utilisé dans de nombreux domaines comme la vidéo, la radio, les
fréquences audios ou encore les fréquences radars Exemple :
• L’acquisition des données est analogique
Le domaine numérique: les variables ont seulement deux états: état haut et état bas
comme les données informatiques codées. On utilise le composant électronique comme
un interrupteur marche/arrêt Le signal est analysé dans des environnements contenant
des microprocesseurs. Exemple :
• Le stockage de l’information dans une mémoire est numérique
Chaine de transmission analogique

Chaine de transmission numérique

Principaux Composants d’un circuit électronique
• La résistance est l'élément le plus simple, très utilisé en électronique. C'est un composant dit
passif, il conduit un courant avec un effet résistif. C’est un convertisseur courant/ tension. Elle
réduit l’intensité de courant dans un circuit afin d’éviter la destruction des composants
sensibles à l’échauffement, en engendrant une perte de d’énergie par effet Joule
Elle permet donc de convertir l’énergie électrique en chaleur (exemple: le principe du fer à
repasser)

• Le condensateur est un composant capable de stocker de l'énergie sous forme de

charges électriques (réservoir de charges ou mémoire de tension)
Plus le réservoir est grand (plus la valeur du condensateur est grande), plus l'énergie
stockable est importante.
Un réservoir ou château d'eau est une bonne image de ce phénomène

• L’inductance est un composant capable de stoker de l'énergie grâce à un courant qui

la traverse (réservoir d’énergie ou mémoire de courant)
Un bassin de rétention ou un lac alimenté par une rivière est l'image parfaite de ce phénomène.

• La diode est un composant qui ne laisse passer le courant que dans un seul sens.
La diode est à l'image d'un clapet anti retour monté sur un réseau d'assainissement qui laisse
passer l'eau claire mais empêche le retour des eaux usées
• Le transistor n'est autre qu'une vanne dont on contrôle le débit en ouvrant plus ou
moins le robinet...Trois états sont possibles :
Robinet fermé : il ne passe aucun flux (courant), on dit que le transistor est bloqué
Robinet moyennement ouvert : le débit est proportionnel à l'angle d'ouverture de la vanne.
Le transistor est dans sa zone linéaire.
Robinet totalement ouvert : Le débit est maximum et ne peut plus augmenter. Le transistor
est saturé.

Comparaison circuit électrique et circuit électronique

 Chapitre I: Semi-conducteurs et jonction PN
Pour comprendre le fonctionnement des composants électroniques, il faut tout d’abord étudier
les semi-conducteurs

I-1 Les cristaux

• Les matériaux sont classés selon leur résistivité, on distingue 3 catégories: les conducteurs, les isolants
et les semi- conducteurs.
• On appelle conducteur électrique, tout matériau capable de conduire le courant électrique. Donc
il doit contenir des porteurs de charge électrique mobiles. Un isolant est tout matériau qui ne
peut en aucun cas conduire le courant électrique. Les semi-conducteurs sont des corps
cristallins dont les propriétés de conductivités sont intermédiaires entre celles des métaux et
celles des isolants.
• Les matériaux quadrivalents (Ge, Si), (4 électrons de valence), sont largement utilisés pour la
réalisation des composants électronique tels que les diodes, les transistors, les thyristors .

Liaisons dans les solides

I-2 Le semi-conducteurs Si
Si : 2ème élément le plus abondant dans la croûte terrestre après l’oxygène: (O 2 (46%),
Si (28%), Al (8%))
Le Si n’existe pas à l’état libre mais sous forme de composés SiO2 (silice) (dans le sable).
Le Si est l’un des éléments essentiels pour l’électronique. Environ 98% des composants sont
fabriqués à partir du Silicium.

Le reste (LED, Laser) sont réalisés à partir de semi-conducteurs des colonnes III-V (ex: GaAs,
GaAl, GaP, InP ... ) On obtient le silicium pur après plusieurs étapes industrielles : Réduction
de la Silice Si avec 2% d’impuretés, Purification et Dilatation

Structure cristalline (Silicium pur = intrinsèque)

Chaque atome Si partage un électron de valence avec

l’atome voisin. De cette manière, les électrons créent
une pseudo-couche périphérique de 8 électrons. Les
forces liant les électrons de valence sont appelées «
liaisons covalentes ».
 I-3 Notion de Paire électron-trou
A la température T=0°K, un semi-conducteur se comporte comme un
isolant. Si la température augmente, sous l’effet de l’agitation
thermique, des paires « électron-trou » sont générées et se déplacent
librement dans le réseau cristallin (rupture de la liaison covalente), le
semi-conducteur se comporte alors comme un mauvais conducteur.
Un trou est caractérisé par sa charge positive (+e); il attire et capture
un électron voisin qui va à son tour laisser un trou derrière lui. Le
courant électrique résultant est dû au déplacement des électrons et des
trous.
La concentration des paires électron-trou générées dans ce cas
intrinsèque est :

Exemple pour le Si : ni (300 °k) = 1.45 x 1010/cm

Avec ni = n = p (où n = concentration des électrons libres, p = concentration des trous libres
T = température exp rimée en K , EGO = energi de la bande interdite"GAP", AO = constante )
Les électrons et les trous sont mobiles, la mobilité µn des électrons est supérieure à celle des trous µp
 I-4 Dopage des Semi-conducteurs
Dopage par diffusion : Pour le dopage par diffusion, une pâte dopante est déposée sur le
substrat Sc. Ce dépôt est suivi d'un recuit dans un four pour que les atomes de dopants
pénètrent dans le substrat SC et s'y répartissent., le semi-conducteur est dit extrinsèque.

La conductivité extrinsèque dépend fortement du dopage :

Ordres de grandeur :

 (isolant)  10−6 S / m,  (conducteur)  108 S / m,  (semiconducteur) 0.1à10−4 S /m

 I-5 : La jonction PN
En juxtaposant une zone dopée P et une zone dopée N à l'intérieur d'un cristal de semi-
conducteur, on obtient une jonction PN.

Dans la pratique on peut par exemple à partir d'un monocristal de silicium dopé P à la surface
duquel est déposé une fine couche d'un corps pentavalent (phosphore ou arsenic). En chauffant
le cristal à une température suffisante, comprise entre la température de fusion du corps déposé
et celle du monocristal, des atomes du corps déposé pénètrent dans le cristal par diffusion et
créent une zone N.

Les électrons majoritaires de la région N, qui diffusent vers la région P laissant derrière eux
des atomes fixes ionisés (positifs Q  0 ).
les trous majoritaires de la région P, diffusent spontanément vers la région N laissant derrière eux
des atomes fixes ionisés (négatifs Q  0 )
 I-5-1 Jonction PN non polarisée à l’équilibre

Il apparaît alors au niveau de la jonction, une zone contenant des charges fixes positives (Q>0)
et des charges fixes négatives (Q<0), appelée « zone de charges d’espace (ZCE) ou zone de
déplétion », (où la concentration en porteurs libres est quasiment nulle.
L’épaisseur de la zone de transition est limitée car un équilibre s’établit lorsque le champ E
devient suffisant pour contrarier la diffusion des charges mobiles.
les cations Q+ placés du côté N et les anions Q- placés du côté P crée une barrière de potentiel
V0 .
Vo= (VN- VP) = (kT/e) ln (NDNA/ ni2) = UT ln (NDNA/ ni2)
Avec: ni densité de porteurs intrinsèques; NA densité des accepteurs et ND densité des
donneurs. UT : potentiel thermique. à T=300oK UT = KT/q = 26mV.
k : constante de Boltzmann = 1,381 .10-23J.K-1
 Seuls les électrons de la région N qui possèdent une énergie supérieure à eV 0 peuvent traverser
la jonction ce qui se traduit par un courant de diffusion, Idiff.
Les porteurs minoritaires (électrons de la région P) sont accélérés par le champ électrique E
et traversent la jonction, ce qui se traduit par un courant de conduction: appelé courant de
saturation ou courant de fuite, Isat.
L’équilibre s’établit et maintient un courant nul dans la jonction: Idiff + Isat = 0
A l’équilibre, on peut modéliser la jonction par une source de tension V 0 dite de seuil.
Dans la pratique, sa valeur est de l’ordre de 0,7 V pour des semi-conducteurs en silicium.

Dans la ZCE on note deux courants opposés :

Courant de DIFFUSION : Courant de CONDUCTION (=inverse ou de saturation)

(gradient de concentration) (gradient de potentiel)
Vo E
−
3 − kT
GAP
I D  Ae UT
I c  AT e
dû aux porteurs majoritaires dû aux porteurs minoritaires

L'équilibre thermodynamique s'établit lorsque les deux courants sont égaux : ID = Ic = Is

(courant de saturation)

Le courtant total est donné par

I-5-2 Jonction PN polarisée en inverse

On applique une tension à la jonction. Vi = (VP −VN )i  0

Sous l’effet de ce champ Etotal =[Eo + Eappliqué]  Eo , les porteurs majoritaires sont encore plus
interdits de passage et les porteurs minoritaires sont plus favorisés de passage, le courant inverse
résultant reste cependant très faible.
Le courant de diffusion est diminué :
➔ En polarisation inverse et pour Vd<0, la diode est équivalente à un interrupteur ouvert; diode
bloquée.
 I-5-3 Jonction PN polarisée en direct

L’application d’une tension

Vd = (VP −VN )appliquée  0

Le champ. Etotal = Eint − Eext favorise le déplacement des porteurs majoritaires et le

courant de diffusion augmente rapidement avec Vd .

C’est un courant fort ➔ La diode est passante (interrupteur fermé). La diode ne laisse
passer le courant que dans un seul sens : de P vers N
I-5-4 Caractéristique d’une jonction
 Chapitre II : La diode et ses applications
Introduction

La diode est le composant électronique de base, elle est constitué par la jonction PN encapsulée
dans un boîtier avec deux électrodes permettant l’accès à la zone P (anode A) et à la zone N
(cathode K).

Le symbole utilisé est celui d’une flèche indiquant le sens du courant avec un trait verticale
représentant une barrière qui empêche toute circulation du courant.

Le rôle de la diode est assimilable à un interrupteur commandé par une tension Vd qui ne laisse
passer le courant que dans un seul sens.

Cette propriété́ lui ouvre un champ d'applications assez vaste en électronique dont les plus
courantes sont :

➢ Le redressement du courant alternatif issu du secteur;

➢ La régulation de tension (diode Zener)

II.1 Caractéristique électrique de la diode

C’est la caractéristique globale courant/tension. On a vu que le courant à travers une jonction était
négligeable pour une tension Vd (Vp-Vn) négative (ceci est vrai jusqu'à une tension Vc dite tension
de claquage). Quand la tension appliquée dépasse la valeur spécifiée par le fabricant, le courant
croît très rapidement. Si le courant n'est pas limité par des éléments externes, il y a destruction
rapide de la diode due à deux phénomènes :

1. Phénomène d’avalanche : Quand le champ électrique au niveau de la jonction devient trop

intense, les électrons accélérés peuvent ioniser les atomes par chocs, ce qui libère d'autres
électrons qui sont à leur tour accélérés. Il y a divergence du phénomène, et le courant devient très
important en un temps extrêmement court.
2. Phénomène Zener : Les électrons sont arrachés aux atomes directement par le champ
électrique dans la zone de transition et créent un courant qui devient vite intense quand la tension
Vd atteint une valeur Vz dite tension Zener.

Si on construit la diode pour que le phénomène Zener l'emporte sur le phénomène d'avalanche
(en s'arrangeant pour que la zone de transition soit étroite), on obtient une diode Zener. On utilise
alors cette diode en polarisation inverse. L'effet Zener n'est pas destructif dans ce cas. Ces diodes
sont très utilisées pour la régulation ou la stabilisation de tension.
En polarisation directe, au-dessus d'un certain seuil Vs positif, le courant direct croit très
rapidement avec Vd. Le seuil Vo (barrière de potentiel) dépend du semi-conducteur intrinsèque de
base utilisé. Il est d'environ 0,3V pour le germanium et 0,7V pour le silicium. La caractéristique
prend ainsi la forme suivante :

Caractéristique directe d’une diode

Pour la diode au silicium 1N4005, le courant croit assez rapidement au-delà de 0,7V. C'est une diode de
redressement supportant 1A en direct et 600V en tension inverse.
La caractéristique passe par l'origine.

La caractéristique montre un comportement fortement non-linéaire

Is est appelé aussi courant de fuite noté par IF.

Effet de la température

Pour Vd positif, la diode a un coefficient de température négatif égal à -2mV/°C. Cette dérive en température
est suffisamment stable pour qu'on puisse utiliser des diodes comme thermomètres.

Pour Vd négatif, le courant de fuite If varie très rapidement avec la température. Dans le silicium, ce courant
double tous les 6°C.

Paramètres essentiels des diodes

En fonction de l'application considérée, on s'intéressera à certains paramètres des diodes plutôt qu'à
d'autres. Certains paramètres ne sont pas spécifiés pour tous les types de diodes, sauf les suivants qui sont
incontournables :

- VF : tension de coude de la diode spécifiée à un courant direct donné.

- IF : courant direct permanent admissible par la diode à la température maxi de fonctionnement.

- VR : c'est la tension inverse maxi admissible par la diode (avant l'avalanche).

- IR : c'est le courant inverse de la diode. Il est spécifié à une tension inverse donnée, et pour
plusieurs températures. Ce courant n'est pas seulement celui dû aux porteurs minoritaires. Il
provient aussi des courants parasites à la surface de la puce.

Limites de fonctionnement
 II.2 Modèles de la diode ou schémas équivalent

Point de fonctionnement ou point de repos

Comment déterminer la tension aux bornes d’une diode placée dans un circuit ?

- Id et Vd respectent les lois de Kirchhoff

- Id et Vd sont sur la caractéristique Id(Vd) de la diode
- Au point de fonctionnement de la diode Id et Vd remplissent les deux conditions

Le point de repos Qo ; est l’intersection entre la droite de charge.

et la caractéristique.

Modèle linéaire

Le point de repos Qo est fixé dans la zone linéaire. On définit

La résistance dynamique de la diode par :
 Modèles ou Schémas équivalents
La représentation de la diode par sa loi en exponentiel est un peu complexe. Plusieurs schémas
équivalents simplifiés (ou modèles) sont proposés :

A. Modèles statiques
 n

Applications
B. Modèle dynamique
- Modèle dynamique petits signaux basses et moyennes fréquences
- Variation suffisamment lente pour que ID(VD) soit toujours en accord avec la caractéristique
“statique” de la diode.
- Variation de petite amplitude autour du point de fonctionnement statique Q
la caractéristique Id(Vd) peut être approximée par la tangente en Q
II.3 Quelques diodes spéciales

Diode Zener
Il existe un type de diode qui supporte ce phénomène sans claquer, il s’agit de la diode Zener dont le
comportement est le même que la diode classique en direct

Caractéristique de la Diode Zener

En direct, une diode Zener se comporte comme une mauvaise diode normale.

En inverse, on fait en sorte que par construction l'effet Zener et / ou d'avalanche se produise à une
tension bien déterminée, et ne soit pas destructif. La caractéristique inverse présente alors l'allure
d'un générateur de tension à faible résistance interne.

La diode Zener se met à conduire le courant dans l’autre sens dès que la tension à ses bornes
dépasse une certaine valeur qu’on appelle tension Zener

Atteindre la tension Zener c’est l’effet recherché et qui est utilisé pour réguler les tensions dans les
alimentations.
 n Schémas équivalents

Diode électroluminescente (ou LED)

➢ La LED est la diode la plus connue du grand public car elle apparait dans les appareils
électroniques
➢ Son symbole électronique est celui-ci le même que la diode classique avec des flèches indiquant
la lumière émise par la diode

▪ Il en existe de diverses couleurs (jaune, orangé, rose, rouge, vert, infrarouges).

▪ Leur rendement lumineux est assez faible.
On les utilise avec un courant direct d'environ 10 à 20 mA.
▪ Principe : La circulation du courant provoque la luminescence
▪ Fonctionnement sous polarisation directe (V > Vo)
▪ L’intensité lumineuse  courant électrique Id
▪ ! Ne fonctionne pas avec le Si . Les LED utilisent des composés variés pour lesquels le passage
du courant s’accompagne d’une émission de lumière (rouge, vert, bleu..)
▪ La tension de seuil de ces composants est plus élevée que pour les diodes standard, et elle dépend
de la couleur.
▪ (Vo  0.7V ! (AsGa(rouge): ~1.7V; GaN(bleu): 3V)
▪ Les LED remplacent les lampes à incandescence: les LED sont plus fiables et
leur rendement est meilleur.
▪ Les LED sont utilisés comme témoins lumineux: on les associe en matrices pour
remplacer des grosses lampes (feux tricolores de circulation par exemple)
▪ Les LED sont utilisées pour faire des panneaux d'affichage électroniques (heure, température,
publicités diverses ).
▪ Les diodes à infrarouges servent beaucoup dans les télécommandes d'appareils TV / HIFI.

Diode Schottky
▪ La diode Schottky, à jonction métal / semi-conducteur est très rapide.
▪ Elle est très utilisée dans les circuits logiques rapides (TU Schottky).

II.4 Applications de la diode: Alimentation

Transformer un signal alternatif en tension continue stable (ex: pour l’alimentation d’un
appareil en tension continue à partir du secteur).

Les fonctions nécessaires pour réaliser une alimentation sont :

Le Redressement, le filtrage et la régulation

1. Redressement
Une des principales fonctions de la diode est le redressement de la tension alternative du
secteur pour faire des générateurs de tension continue destinés à alimenter les montages
électroniques. Il existe deux types de redressement : le redressement simple alternance et le
redressement double alternance.

Redressement simple alternance

C'est le redressement le plus simple qui soit : quand la tension aux bornes du transformateur V t
dépasse la tension de seuil de la diode, celle-ci conduit, laissant passer le courant direct dans la
charge. La tension aux bornes de la charge V r est alors égale à la tension aux bornes du
 transformateur moins la tension directe VF de la diode.

Tension
secteur
(220V)

secteur

Schéma d’un redresseur simple alternance

Quand la tension aux bornes du transformateur devient inférieure à la tension de seuil, la diode est
bloquée ; il ne subsiste que le courant de fuite (presque nul), qui est négligeable en comparaison du
courant direct. La tension aux bornes de la diode est alors égale à celle aux bornes du transformateur.
Pour éviter la destruction de la diode, il faudra choisir une diode avec une tension VR (tension inverse)
au minimum égale à la tension crête du secondaire du transformateur. V𝑹 =𝑽𝒎𝒂𝒙

Redressement double alternance

a) Avec transfo double enroulement.

Le montage précédent présente l'inconvénient de ne laisser passer que la moitié du courant que peut
délivrer le transformateur. Pour remédier à cela, on utilise un transformateur avec deux enroulements
secondaires que l'on câble de manière à ce qu'ils délivrent des tensions en opposition de phase sur
les diodes.

Dans ce cas, tout se passe comme si on avait deux montages identiques à celui de la figure ci-dessous
qui fonctionnent l'un pour l'alternance positive, l'autre pour l'alternance négative.
 Tension
secteur
(220V)

secteur

Schéma d’un redresseur double alternance à point milieu

On vérifie bien que le courant dans la charge est toujours orienté dans le même sens. Les diodes sont
plus sollicitées que pour le montage simple alternance : en effet, la diode qui ne conduit pas devra
supporter en plus de la tension aux bornes de son secondaire de transformateur, la tension aux bornes
de la résistance. Au total, elle devra supporter une tension V R double de celle requise dans le montage
à simple alternance, soit deux fois la tension crête présente sur chacun des secondaires. 𝑽𝑹 = 𝟐𝑽𝒎𝒂𝒙

Tension
secteur
(220V)

secteur

Circulation du courant à travers un redresseur à point milieu

b) Avec pont de Grætz.

Il existe une autre manière de faire du redressement double alternance, ne nécessitant pas un
transformateur à double enroulement : on utilise 4 diodes montées en pont. Des ponts tous faits sont
disponibles dans le commerce, permettant de réduire le nombre de composants du montage.

Tension
secteur
(220V)

secteur Schéma d’un redresseur double alternance en pont

 Lorsque la tension aux bornes du transformateur est positive, D1 et D4 conduisent, et quand elle est
négative, D2 et D3 conduisent.

Tension
secteur
(220V)

secteur
Circulation du courant à travers un redresseur en pont

Chaque diode n'a à supporter qu'une fois la tension crête du secondaire du transformateur (contre
deux fois pour le montage précédent), mais en revanche, on a deux tensions directes de diode en
série. La puissance totale dissipée dans les diodes est double par rapport à la solution précédente.
𝑽𝑹 = 𝑽𝒎𝒂𝒙

2.Filtrage
Les montages précédents délivrent des tensions redressées mais non continues. Pour obtenir une tension quasi
continue, il suffit de mettre un condensateur de grande capacité en parallèle avec la charge.

a) Redressement simple alternance avec filtrage.

Ici, la charge est absolument quelconque, et peut être un montage électronique complexe ayant une
consommation en courant aléatoire. Sur le graphique de la figure ci-dessous, on voit en pointillé la tension
redressée telle qu'elle serait sans condensateur. En traits pleins épais, on voit la tension filtrée. Sur ce graphe, le
courant de décharge du condensateur est linéaire : il correspond à l'hypothèse de décharge à courant constant.

Tension
secteur
(220V)

secteur
Redressement mono alternance avec filtrage

Le fonctionnement est simple :

➢ Quand la tension aux bornes du transformateur est supérieure à la tension aux bornes

du condensateur additionnée de la tension directe de la diode, la diode conduit. Le transformateur doit

alors fournir le courant qui va alimenter la charge et le courant de recharge du condensateur.
 ➢ Quand la tension du transformateur devient inférieure à celle du condensateur plus la tension de
coude de la diode, la diode se bloque. L'ensemble condensateur / charge forme alors une boucle isolée
du transformateur. Le condensateur se comporte comme un générateur de tension, et il restitue l'énergie
accumulée dans la phase précédente.

b) Redressement double alternance avec filtrage.

Tension
secteur
(220V)

secteur

Redressement double alternance (à point milieu) avec filtrage

Les hypothèses seront les mêmes que précédemment. La seule différence viendra du temps T, vu qu'on
a un redressement double alternance, la fréquence du courant redressé est double de celle du secteur

3.Régulation de tension
De par leurs caractéristiques de générateur de tension, les diodes Zener sont idéales pour réguler des tensions
continues ayant une ondulation résiduelle non négligeable (cas des tensions redressées et filtrées).
Tension
secteur
(220V)

secteur

Régulation de tension à diode Zener

Il est nécessaire d'intercaler une résistance (ou un générateur de courant) entre le générateur de tension
filtrée et la Zener de régulation : ces deux éléments ayant des caractéristiques de générateurs de tension
à faible résistance interne, on ne peut pas les brancher directement l'un sur l'autre sans les détruire.

La résistance R sert à limiter le courant dans le circuit afin de ne pas endommager la diode Zener (i <
imax courant maximum supporter par la diode).

La diode Zener est polarisée en inverse. Sa caractéristique est donnée par la figure ci-dessous

N.B.: Sur ce circuit, pour s'abstraire du signe moins "-", nous avons considéré les tensions V et VZ ainsi
que le courant i comme positifs ( ceci revient à inverser les axes de la caractéristique)

on peut utiliser le schéma équivalent de la diode Zener en polarisation inverse et faire un calcul direct

Pour que la Zener fonctionne et assure son rôle de régulateur, il faut qu'un courant Iz non nul circule
en permanence dans ce composant, et ce quelles que soient les variations de la tension d'entrée et de la
charge Ru. La résistance R assure donc le rôle de polarisation de la Zener. Il faudra aussi veiller à ce
que le courant Iz ne dépasse pas le courant Izm, sous peine de détruire le régulateur.

La diode après claquage est équivalente à un récepteur de f.c.e.m. VZ et de résistance interne rZ ( inverse
de la pente de la droite en pointillé)
Si on suppose que E subit des variations lentes mais assez importantes ∆E , qu'en est-il pour V ?
Chapitre III : Transistor bipolaire et Applications
Introduction
En associant judicieusement deux jonctions, il est possible de commander les caractéristiques électriques d'une
jonction (courant-tension) en agissant sur le courant de l'autre jonction.

Le transistor bipolaire (communément appelé "transistor à jonction") est construit avec des couches de
semiconducteurs de type P ou N assemblées de façon à former deux jonctions P-N dos-à-dos.

Le transistor bipolaire est un composant actif :

C'est un élément qui doit être relié à une source d'énergie (alimentation) pour fonctionner. Il reçoit un signal
d'entrée et fournit un signal de sortie. Il y a simultanément transfert de l'information entre l'entrée et la sortie et
transfert d'énergie entre la source et la sortie.

C'est un composant essentiellement non linéaire et il comporte en général 3 électrodes appelées l’émetteur,
la base et le collecteur : une électrode d'entrée (qui reçoit le signal électrique qui traduit l’information); une
électrode de sortie; et une électrode d'émission reliée à une source extérieure (alimentation) fournit une certaine
énergie au transistor.

Le transistor est un composant bipolaire car les électrons et les trous participent simultanément aux phénomènes
de conduction.

Les transistors sont utilisés en :

• électronique analogique :
pour la fonction « amplification linéaire ». En électronique, un tel composant est intéressant, car il va permettre
d'amplifier un signal et de commander des actionneurs requérant de la puissance (haut parleurs moteurs, etc )
avec des signaux de faible niveau issus de capteurs (microphone, sonde de température, de pression, ).

• électronique numérique :
pour la fonction « commutation » en commutant le transistor de l'état bloqué (courant collecteur nul) à l'état
saturé (courant collecteur important), c’est le cas où l’état de l’interrupteur permet de modifier la valeur d’une
variable binaire de 0 à 1 ou de 1 à 0.

III-1 Constitution d’un transistor à jonctions (type NPN)

Le transistor bipolaire, est formé par la succession de trois zones de semi-conducteur,

respectivement de type N, P et N.

L’Emetteur, la Base et le Collecteur, se distinguent par la forme et par la nature du dopage :

▪ Emetteur : émet les porteurs de charge libres (majoritaires), doit être fortement dopé pour
 générer un fort flux de porteurs de charge libres dirigé vers le collecteur, avec une largeur
moyenne.
▪ Base : contrôle le passage des majoritaires venant de l'émetteur et allant vers le collecteur,
doit être faiblement dopée, de largeur très mince pour faciliter le passage du maximum de flux.
▪ Collecteur : recueille les porteurs de charge libres, doit être plus large pour évacuer la
chaleur développée dans ce dernier, avec un dopage moyen.

III-2 Symbole
Il existe deux types de transistors bipolaires : les transistors NPN et transistors PNP

Les transistors NPN sont les plus usuels car ils présentent des meilleures performances par rapport
aux PNP.
Les NPN et PNP ont un comportement analogue à condition d’inverser les polarités des tensions.
La flèche indique le sens positif du courant (au niveau de l’émetteur) = sens inverse de déplacement
des électrons

III-3 Brochage
Le transistor bipolaire se présente comme un composant discret ou dans un circuit intégré (quelques unités de
transistors dans un AOP à quelques milliers dans un microprocesseur). La forme du transistor dépend de sa
technologie et du fabricant et sa taille dépend de la puissance à laquelle il peut fonctionner.

Boîtiers métalliques pour faibles Boîtier en plastique Boîtier en métal pour

signaux avec un ergot indiquant grands signaux grands signaux
l’émetteur

La taille est proportionnelle à la puissance du transistor

III-4 Structure et fonctionnement d’un transistor bipolaire :

Un transistor bipolaire est constitué de trois zones semi-conductrices différentes : l’émetteur, la base et le
collecteur, qui se distinguent par la nature du dopage.

« E » : l’émetteur émet les porteurs de charges libres (majoritaires)

« B » : la base contrôle le passage des charges venant de E vers C
« C » : le collecteur collecte les porteurs de charge libres

Les deux « jonctions PN » (comme des diodes) émetteur/base et base/collecteur se partagent la région
centrale : la « base ». Le couplage entre les jonctions est à l’origine de « l’effet transistor »: le courant dans la
jonction (base/émetteur) détermine le courant dans la seconde.

Les transistors PNP et NPN ont un comportement analogue à condition d’inverser les polarités des
tensions.
La différence du taux de dopage (l’émetteur est toujours plus fortement dopé que le collecteur) le transistor
n’est pas symétrique.

Le transistor NPN non polarisé

les électrons sont majoritaires dans l’émetteur

E et le collecteur C et les trous sont majoritaires dans la base B.
Les deux jonctions sont à l'équilibre thermodynamique: aucun courant ne traverse le transistor.
En effet, en absence de toute tension extérieure, les deux jonctions sont à l’équilibre thermodynamiques: les
champs électriques internes dans les zones de charges d’espace établissent des barrières de potentiel qui
empêchent les électrons majoritaires des régions N de passer dans la région P: aucun courant ne traverse le
transistor . Ainsi le transistor non polarisé n’a aucun intérêt.
Il est donc nécessaire de polariser un transistor pour qu’il fonctionne.
Le transistor NPN polarisé

E est fortement dopé N+ et B est faiblement

dopée P et étroite, dans cas (99 %) des électrons émis par E vont être collectés par C: c'est l'effet transistor.
Dans le cas du transistor polarisé, pour que le transistor soit actif, on polarise la jonction (E-B) en directe et la
jonction (B-C) en inverse.
La polarisation en directe de (E-B) favorise le passage des électrons de E vers B et la polarisation en inverse de
(B-C) empêche le passage des électrons majoritaires de C vers B mais le champ très intense au niveau de (B-C)
va aspirer les électrons de B vers C.
Pour que le couplage des deux jonctions puisse avoir un effet càd le courant dans l’une détermine le courant
dans l’autre, il faut jouer sur la région centrale. Pour que les électrons issus de E puissent arriver au niveau de la
jonction B-C et arrivent au collecteur, il faut que l’épaisseur de la base B soit très faible et d’autre part, il faut
que E soit fortement dopé par rapport à la B. Dans ce cas les électrons venant de E vont être accélérés par le
champ intense au niveau de (B-C) et collectés par C.
Un courant fort dans le collecteur et un courant faible dans la base: c’est l’effet transistor
IC ~  IE avec  < ~ 1 et I c ~  IB

Effet transistor

Le schéma de la figure ci-dessous illustre le montage de polarisation le plus simple du transistor en

configuration base commune (l’électrode base est commune entre l’entrée et la sortie). RC et RE sont des
résistances de protection contre les surintensités.
La jonction (E-B) est polarisée en direct: les électrons passent de E dans B.
La jonction (B-C) est polarisée en inverse: le champ électrique intense dirigé de C vers B accélére les
électrons venant de E et sont collectés par C.
Ainsi , le courant résultant IC est quasiment égale au courant IE :
IC ~  IE avec  < ~ 1 c’est l’effet transistor
 est le coefficient d’amplification de courant à base commune
 exprime la fraction des électrons issus de l’émetteur qui atteignent le collecteur sans être recombinés avec
les trous de la base.
À ce courant s’ajoute le courant inverse de saturation de la jontion (B-C) appelé courant de fuite ICB0 (jonction
polarisée en inverse).
IC ~  IE + I CB0
avec I CB0 courant dû aux minoritaires est très faible en nA et dépend de la valeur de la tension inverse et
de la température

La loi des Noeuds appliquée donne:

IE(mA) =IC(mA)+ IB(mA) et IB = IE -IC << IE : I c   IB

 est appelé coefficient d’amplification de courant en mode émetteur commun ou gain en courant du
transistor.(  dépend de la température et du type du transistor)

On peut définir l’effet transistor ainsi : Le transistor permet, avec une faible tension (VBE de l'ordre de 1volt)
d'injecter un courant donnée (courant d'émetteur) dans un circuit de faible résistance (jonction émetteur-base
polarisée en direct) et de transférer ce même courant dans un circuit de grande résistance (jonction base-
collecteur en inverse) : c'est l'effet transistor.

Remarque: la nomination "transistor bipolaire" provient du fait que les porteurs de charge intervenant
dans son fonctionnement sont les électrons (majoritaires du l'émetteur et du collecteur) et les trous
(minoritaires dans la base). Le transistor bipolaire fait intervenir deux types de porteurs de charges.

Le 4 ème mode est très peu utilisé.

III-5 Modèle quadripôle du Transistor

Le transistor peut être modélisé par un quadripôle si on met en commun entre l’entrée et la sortie une
des électrodes. IE = IC + IB

Les trois cas possibles sont : le montage émetteur commun, base commune et collecteur commun
(voir les figures ci-dessous).

Exemple : IE = 6.06 mA.; IB = 60 µA., IC = 6.00 mA.

a) Montage Base Commune (BC)

La base est commune entre l'entrée et la

sortie du montage.
VCB = 9.3 V. VEB = - VBE = - 0.7 V

Gain en courant du montage :

IC/IE = 6.00 mA/6.06 mA = 0.99

b) montage émetteur commun (EC)

L'émetteur est commun entre l'entrée et
la sortie du montage.
VCE = 10 V. ; VBE = 0.7 V

Gain en courant du montage :

IC/IB = 6.00 mA/60 µA = 100

c) montage collecteur commun (CC)

Le collecteur est commun entre l'entrée et la
sortie du montage.

VEC =- VCE = -10 V; VBC = - VCB = - 9.3 V

Gain en courant du montage :

IE/IB = 6.06 mA/60 µA = 101

 III-6 Transistor en régime statique

Caractéristiques du transistor NPN ( En configuration Emetteur-Commun)

On choisit le montage le plus simple qui fonctionne en mode NORMAL

RB : résistance de limitation de courant de base IB(µA)

RC : résistance de limitation de courant de collecteur IC(mA)

✓ Avec une seule alimentation

Les caractéristiques électriques du transistor sont décrites sous formes de courbes qui précisent
l’inter dépendance entre les différentes grandeurs, imposé par le transistor.
Pour des valeurs différentes de RB et RC, on relève point par point les grandeurs : IB(µA), IC(mA), VBE(V) et
VCE(V). En « configuration « Emetteur Commun », On a :

IB=

IB=

IB=

On représente les caractéristiques d’un transistor NPN par :

- la caractéristique d’entrée : l’évolution de IB en fonction de VBE .
- la caractéristique de sortie : l’évolution de IC en fonction de VCB pour différentes valeurs de IB

Caractéristique d’entrée : La fonction IB = f(VBE) est celle d'une jonction PN entre la base et
l'émetteur. Comme IB=IE-IC et IC est proche de IE, le courant de base reste très faible en A.

Caractéristique de sortie : La fonction Ic = f(VCE) est commandée par la valeur du courant de

base IB. Celle-ci comporte essentiellement deux domaines :
la partie où Ic est peu variable pour une valeur de IB donnée (courbe presque horizontale c'est le régime
linéaire.
la partie coudée où la transistor est en régime saturé (VCE très faible et donc VCB faible, la jonction (B-
C) cesse d’être polarisée en inverse) on tend vers le cas où les deux jonctions B-E et B-C sont polarisées
en direct.
La fonction Ic = f(IB) caractérise " l'effet transistor " en régime linéaire. C'est une droite de pente  (ordre de
grandeur de   100)

• En régime linéaire Ic  .IB (pour IB=20A on IC=2mA). et en régime saturé Ic < IB
• En régime saturé VCE < 1Volt : Lorsque VCE ~> 0, et pour VCE < VBE, la jonction collecteur-base
se met en direct et on observe un courant collecteur qui ne dépend plus du courant base, c’est la
saturation du transistor.
• En régime de blocage (I B très faible): IB ~ 0 ceci pour VBE < 0,7 donc IC~ ICE0 ~ 0 (courant de fuite
de la jonction).

Pour les tensions VCE très grandes, on retrouve le phénomène de multiplication des porteurs dans la
jonction collecteur base, qui entraîne une brusque augmentation du courant I C, phénomène qui peut
détruire le transistor.

Paramètres statiques du transistor NPN en configuration émetteur commun

On peut définir la résistance d’entrée ou résistance de base à l’aide de la pente de la caractéristique
d’entrée:
rE = VBE/IB à VCE = Cte
On peut définir le coefficient d’amplification en courant  à l’aide de la caractéristique de sortie :
 = IC/IB à VCE = Cte

On peut définir la résistance de sortie ou résistance de collecteur par:

 = VCE/ IC à IB = Cte.

Modes de fonctionnement du transistor dans un circuit

Les deux équations IB (VBE) et IC(VCE) représentent respectivement l’équation de la droite d’attaque et celle de
la droite de charge : voir figures ci-dessous. (Vth et Rth sont respectivement la tension et la résistance
équivalentes Thévenin).

Les grandeurs électriques (courants, tensions) du transistor inséré dans un circuit sont fixées d’une
part par les caractéristiques du transistor et d’autre part par les équations.

Remarquons que les équations des droites de charge dépendent du circuit de polarisation (R C, Rth, VCC,
Vth). Ainsi les grandeurs électriques du transistor vont dépendre aussi.
 Point de fonctionnement

VBEQ 0.6-0.7V, dès que Vth> 0.7V

(jonction base-émetteur passante :
transistor actif ou saturé)

Q fixe le mode de fonctionnement du transistor

Le point de repos Q sur les deux caractéristiques, définit par (IBQ, VBQ, ICQ, VCEQ) est le point
d’intersection entre les droites de charge et les caractéristiques du transistor. Le point de repos P.R
permet de fixer le mode de fonctionnement du transistor : fonctionnement en amplification (si Q se
trouve sur la zone linéaire de la caractéristique), sinon le transistor fonctionne en commutation .

Circuit de polarisation du transistor

Les principales caractéristiques d’un circuit de polarisation sont :

• sensibilité par rapport à la dispersion de fabrication du transistor (incertitude sur le gain  ..)
• stabilité thermique : effet de température sur différents paramètres du transistor: ICB0, VBE, , (si T
augmente, IC augmente, puissance P dissipée augmente, alors T augmente et IC augmente : c’est
l’emballement thermique). En fait :

Le circuit de polarisation fixe le P.R (point de fonctionnement statique) du transistor. Selon le montage
de polarisation, le point de repos est plus ou moins sensible à la variation en température et à
l’incertitude sur . Une solution pratique simple pour remédier à ceci consiste à placer une résistance
convenable entre l’émetteur et la masse.
Dans la structure 1 :

On a : Ic0 = . IB0= . (Vcc - Vbe0) / R1

Le point de repos dépend beaucoup de . Mais  varie d'un transistor à l'autre bien que la référence soit
la même et pour un même transistor en fonction de la température. Ce montage très simple est donc
difficilement utilisable.

Dans la structure 2 :Le schéma équivalent Thévenin est :

Le pont R1, R2 sur Vcc peut être remplacé par son modèle de Thévenin:

Ic0 = (Vb - Vbe0) / (Rb + [ +1].Re)

En choisissant Rb faible devant [ +1]Re alors Ic0  (Vb - Vbe0) / Re devient pratiquement
insensible à .

Dans la structure 2, le point de polarisation est donc stable en température et l'interchangeabilité des transistors
est possible.

On peut comprendre la stabilité du montage (vis-à-vis de T ou de  ) en faisant appel au concept de

« contre-réaction ». Une contre-réaction est une « action » qui s’oppose à l’effet qui lui a donné
naissance. Dans le cas considéré ci-dessus, Re introduit une contre-réaction. L’effet en question est une
variation de Ie induite soit par une variation en température soit par un remplacement du transistor par
un autre composant du même type.
III-7 Transistor en régime dynamique (régime petits signaux)

Il faut distinguer deux modes de fonctionnement différents :

le régime statique : Les grandeurs électriques envisagées (courant, tension) sont toutes continues
(statiques) et repérées par des majuscules : (VBE, IC ….)

le régime dynamique : Les grandeurs électriques envisagées dépendent du temps (VBE(t), IC(t)…. ). Un
régime dynamique particulier est le régime petit signal (électronique linéaire) où les grandeurs électriques sont
formées par une valeurs statique plus une petite variation dynamique autour de cette valeur pour que le
transistor fonctionne dans la zone linéaire.

VBE(t) = VBE + vBE (t) = VBE + VBE sin t

IC(t) = IC + iC (t) = IC + IC sin t

Le régime petit signal est caractérisé par des amplitudes crêtes des grandeurs dynamiques beaucoup
plus petites que les valeurs des grandeurs statiques (VBE << VBE, IC << IC ....)

Caractéristique d’entrée en mode actif :

Lorsque l’une des sources de tensions alimentant le transistor varie en fonction du temps le point de
fonctionnement change de position en conséquence.

C’est le cas dans les amplificateurs à transistor : le signal d’entrée à amplifier fait varier le potentiel de
la base et la variation du potentiel du collecteur correspond au signal de sortie.

Lorsque, comme dans beaucoup d’applications, l’amplitude du déplacement du point de

fonctionnement est suffisamment faible pour que celui-ci reste dans une zone où les caractéristiques
du transistor sont quasi-linéaires (exemple: zone actif du transistor pour la caractéristique de sortie), le
comportement du transistor peut-être décrit par un quadripôle linéaire. Ce quadripôle constitue un
« modèle » dynamique faibles signaux du transistor dont on pourra se servir pour comprendre et
calculer l’action du transistor au sein d’un circuit, à condition que les conditions (faible amplitude,
zone linéaire) restent vérifiés.

Prenons la caractéristique d’entrée du montage ci-dessus: en absence de signal d’entrée (vB=0) le point
de fonctionnement Q est au repos et sa position dépend de V BB et RB. Le graphique illustre une situation
où la jonction EB est polarisée en directe (mode actif ou saturé). Lorsque v B est un signal périodique,
la droite de charge et par conséquent Q vont osciller entre deux positions extrêmes (droites en
pointillées correspondant à sint=+1 ou -1). Si l’amplitude du signal est suffisamment faible, le
segment de courbe que décrit Q peut être approximé par une droite. En d’autres termes on peut écrire
que la variation de courant de base, iB , est proportionnelle à la variation de la tension base-émetteur,
vBE. Le coefficient de proportionalité est tout simplement la pente de la caractéristique d’entrée au
point de repos de Q. On l’appelle « résistance d’entrée dynamique » du transistor en mode Emetteur
Commun (EC) qu’on note par hie ou rbe

Caractéristique de sortie en mode actif

les hij s’appellent les paramètres hybrides du transistor

hie = rbe résistance d’entrée dynamique ,

hoe -1 =  résistance de sortie dynamique

 Exemple: Amplificateur de tension

Démarche de l ’étude

– 1. Etude statique: grandeurs continues V0, I0

• annuler les sources alternatives (Ve)
• ouvrir les condensateurs de couplage
• remplacer les transistors par leur modèle statique (Schéma équivalent statique)
•
– 2. Etude dynamique: grandeurs alternatives v(t), i(t)
• annuler les sources continues (Vcc)
• court-circuiter les condensateurs de couplage
• remplacer les éléments actifs par leur modèle équivalent dynamique petit signal (Schéma
équivalent dynamique)

– 3. Etude globale
• Chaque grandeur est la somme de sa composante continue et de sa composante alternative

1- Analyse statique :

on ne considère que la composante continue des courants et tensions

→ C = circuit ouvert (aucun courant ne circule à travers C).

2- Analyse dynamique
Chapitre IV Amplificateurs à transistors bipolaires
IV-1 Caractéristiques d’un amplificateur

Fonction: amplifier la puissance du “signal”

Tout amplificateur est alimentée par une source d’energie externe (VCC et (ou) VEE)
L’entrée de l’amplificateur est caractérisée par son impédance d’entrée : rapport entre la tension entre
les bornes d’entrée et le courant d’entrée. Cette impédance va déterminer en particulier l’influence que
peut avoir l’amplificateur sur le circuit branché en amont.
La sortie agit comme une source de tension vs caractérisée par son impédance de sortie Zs. Zs =
résistance de Thévenin équivalent au circuit vu par RL
Ze : L’’impédance d'entrée, permet de savoir quelle sera la puissance du signal d'entrée
nécessaire au bon fonctionnement du montage amplificateur
Zs : L’impédance de sortie, permet de savoir quelle sera l'adaptation nécessaire pour les étages suivants
Avo: L’amplification en tension vide, permet de savoir quelle sera la modification apportée au signal tension
d'entrée.
IV-2 Amplificateur Émetteur-Commun (EC)
Les particularités des amplificateurs EC sont :
Le transistor en mode actif
Le signal d’entrée est appliqué (“injecté”) à la base du transisor
La sortie est “prise” sur le collecteur
La borne de l’émetteur est commune à l’entrée et à la sortie ”Emetteur commun”
Les différences d’un amplificateur EC à l’autre sont :
Le circuit de polarisation
Les modes de couplages avec la source du signal et la charge.
La présence éventuelle de condensateurs de “découplage”

A- Cas de (EC) avec Re non découplée

( on ne branche pas de condensateur en // avec Re) :

Les petits signaux à amplifier sont injectés au travers d'un condensateur de liaison Ce. Ainsi la polarisation
n'est pas modifiée par le branchement du générateur ve. De même la charge R L est attaquée au travers du
condensateur de liaison Cs. La source de tension continue Vcc est une source de tension nulle en petits
signaux. A la fréquence du signal, les impédances des condensateurs ont négligeables.
rbe=hie et =hfe et rc= //Rc//RL

Le gain en tension Av = - (//Rc//RL)/(rbe+ Re)

on obtient un gain faible. Donc faible amplification.

Mais si on souhaite augmenter le gain en tension sans affecter la stabilité thermique du montage, on
peut « éliminer » l’influence de Re sur le fonctionnement dynamique du montage en branchant un
condensateur en // à Re. On « découple » ainsi Re du schéma dynamique, à condition que la valeur de
la capacité est prise suffisamment élevée.
 Impédance de sortie

On en déduit :

• L'amplification en tension ou gain en tension : Av=vs/ve =- (//Rc//RL)/ rbe

• L'impédance d'entrée de l'amplificateur: Ze = (R1//R2//rbe)
• L'impédance de sortie: Zs = (Rc//)=Rc car  est très grande

Cette structure se comporte en amplificateur inverseur à cause de signe – dans le gain : (signe – signifie que les
signaux d’entrée et de sortie sont en opposition de phase).

B- Amplificateur EC avec émetteur à la masse

Les trois configurations des amplificateurs à transistor : EC, CC et BC
 IV-3 Montages amplificateurs à deux transistors
1.Amplificateur de courant : Montages "Darlington"
Ce montage est constitué par l’association de deux transistors T1 et T2 de même type (deux PNP ou
deux NPN). T2 est un transistor de puissance donc de gain en courant petit et dont l’impédance
d’entrée h’11 pour le courant nominal est faible ; T1 est un transistor d’usage général de gain normal.
La base du transistor T2 est reliée à l’émetteur de T1 et les deux collecteurs sont reliés. L’ensemble
est un dispositif à trois électrodes équivalent à un transistor unique dont on va déterminer les
paramètres.
L'un des transistors est à gain élevé, tandis que l'autre est à courant élevé.
Le transistor Darlington peut servir d'amplificateur et d'oscillateur, il peut également assumer les
fonctions de modulation et de détection.

Schéma interne et symbole

Schéma équivalent
Gain en courant du transistor équivalent

L’impédance d’entrée du transistor

équivalent est sensiblement égale au double
de celle du transistor T1. Elle est beaucoup plus grande que celle d’un transistor de puissance. AVANTAGES :
Le montage Darlington permet d’obtenir un transistor équivalent ayant un grand gain, une impédance d’entrée
normale et capable de dissiper la même puissance que le transistor T2. INCONVENIENTS : La tension
d’entrée correspond à deux seuils de diodes. Le courant inverse du transistor équivalent est beaucoup plus
grand que celui des transistors utilisés puisque I’’CE0 = β’.ICE0 + I’CE0. Les constructeurs fournissent des «
Darlington » intégrés dans un boîtier unique lors de la fabrication et dont le gain en courant est typiquement de
l’ordre de 2000.
2. Miroir de courant
le circuit ci-contre utilise deux transistors identiques. On utilise
uniquement la jonction base-émetteur du premier transistor. Les deux VBE
sont identiques donc

3.Régulateur de tension

4.Amplificateur de puissance : Montage "Push-Pull"

Un amplificateur audio de puissance reçoit généralement à son entrée un signal de faible amplitude (inférieur à
1V) et de faible puissance et doit délivrer à sa sortie un signal de forte puissance (généralement entre 10W et
100W) dans une charge dont l'impédance est relativement faible (l'impédance nominale typique d'un haut-
parleur est de 4Ω à 16Ω). L'étage de sortie doit donc produire un signal dont la tension et le courant ont
des amplitudes élevées. En principe, il est souhaitable que le gain en tension de l'étage de sortie soit
indépendant de l'impédance de la charge, ce qui lui permet de s'adapter à des haut-parleurs de différentes
impédances sans modifier l'amplitude de la tension de sortie et donc sans provoquer de saturation ou de
distorsion inacceptable. Pour satisfaire à cette condition, il faut une configuration présentant une impédance de
sortie très faible. En effet, dans un amplificateur présentant une impédance de sortie élevée, le gain en tension
sera directement proportionnel à Rcharge. Par contre, pour un amplificateur à faible impédance de sortie, le gain
en tension sera pratiquement indépendant de Rcharge
Pe : puissance fournie (faible)
PCC: puissance fournie par l’alimentation continue Pd : puissance dissipée par l’amplificateur
(transistor, résistance, etc…)
Ps : Puissance de sortie utilisée par la charge
Les amplificateurs de puissance sont
normalement utilisés comme dernier étage
d'un émetteur ou d'un
récepteur de communication afin de fournir au signal une puissance suffisant, sans déformation
pour actionner une charge quelconque (moteur, haut-parleur, antenne, etc …).

5.Classification des amplificateurs de puissance

Les amplificateurs de puissance sont classés suivant leurs fréquences d’utilisation, et suivant leurs
classes de fonctionnement. On distingue plusieurs classes de fonctionnement des amplificateurs de
puissance suivant leur rendement et leur taux de distorsion.
Classe A, B, AB et C : travaillent dans la zone linéaire.
Classe D, E, etc.: travaillent en commutation (amplificateurs à découpage)
a/ Amplificateur de puissance classe A :
Le point de fonctionnement est au milieu de la droite de charge dynamique (le point de repos est dit
« centré »): le courant circule durant le cycle complet 360° dans la zone active. La conduction du
transistor est ici de 100%.

b/ Amplificateur de puissance classe B :

Cette solution consiste à annuler complètement le courant de polarisation dans la charge, il s’agit
de choisir le point de repos dans la zone de blocage, le courant ne circule que durant 180° du
cycle dans la zone linéaire. La conduction du transistor est de 50%
Pour transmettre les deux alternances, on utilise deux transistors complémentaires NPN et PNP
(montés en collecteur commun), fonctionnant en classe B. Chaque transistor ayant besoin d'une
tension de jonction Vseuil pour entrer en conduction. Celle-ci donne lieu à une distorsion connue sous
le nom de "distorsion de cross-over".

c/ Amplificateur de puissance Classe A B :

Pour obtenir un rendement plus important qu'en classe A et une meilleure linéarité qu'en classe B,
Le transistor est légèrement polarisé. On obtient un bon rendement. La conduction du transistor est
plus de 50% (normal).

d/ Amplificateur de puissance
Classe C :
Les amplificateurs de classe C amplifient
moins de 50 % du signal d’entrée. Le taux de
distorsion est important, mais leur rendement
maximum théorique est compris entre 78,5 %
et 100 % suivant l'angle de conduction de
l'amplificateur. La conduction du transistor est
moins de 50%.

e/ Amplificateur de puissance
Classe D :
Aujourd'hui, on travaille de plus en plus en tout
ou rien, c'est ce que l'on fait dans
l'amplification de classe D. Le principal intérêt
de l'amplification classe D est son excellent
rendement (jusqu'à 95%).
IV-4 Principe de fonctionnement de montage « Push-pull »

Le montage push-pull associe deux transistors complémentaires NPN et PNP (montés en collecteur
commun), polarisés à la limite du blocage « classe B ».

Chaque transistor ayant besoin d'une tension de jonction VBE =Vseuil

pour entrer en conduction, il en résulte une plage 2Vseuil  2.4V
 la sortie est répartie de manière à peu près symétrique autour de l'origine. Celle-ci donne lieu à une distorsion
connue sous le nom de "distorsion de cross- over"
Lorsque l'entrée est une tension de polarité positive, c'est le transistor T 1 de type NPN qui conduit, le
transistor complémentaire étant bloqué, alors que pour une polarité négative on se trouve dans la
situation inverse.

Une solution pour réduire ce problème de distorsion, consiste à polariser les deux transistors afin qu’ils
soient légèrement passants « classe AB ».
L’une des différentes solutions est d’utiliser deux diodes convenablement polarisées (appelées de
compensation). Les montages push-pull sont essentiellement utilisés dans les amplis-audio de
puissance.

IV-5 Présentation d’un amplificateur opérationnel

Schéma interne (simplifié) d’un A.O.P

L’amplificateur opérationnel comprend trois étages :

• un étage d'entrée différentiel chargé d'amplifier une différence de potentiel  =v+ - v-, entre les deux
signaux d’entrée v+ et v-
• un étage présentant un très fort gain, idéalement proche de l'infini,
• un étage de sortie permettant de délivrer le signal de sortie avec une faible résistance.
IV-6 Représentation quadripolaire d’un A.O.P (en dynamique)
Le schéma équivalent de l’amplificateur
opérationnel est :

▪ Ze : impédance d’entrée,
▪ Zs : impédance de sortie
▪ Ao : amplification en tension à vide

La fonction d'un A.O.P est d'amplifier la différence des tensions présentes à ses bornes d'entrée;
cette différence (  ) est appelée "tension d'entrée différentielle".

L’alimentation sert à :
- polariser les composants actifs (diodes,
transistors) qui font fonctionner l'amplificateur,
- fournir le surcroît de puissance de sortie

On utilise en général deux sources de tension symétriques  VCC .

Caractéristique de transfert d’un AOP réel en boucle ouvert

➢ très grand gain différentiel (Gd > 105)

➢ une grande résistance d’entrée (Rd>106 Ω)
➢ une faible résistance de sortie RS
➢ En pratique, l'excursion de la tension de sortie
est de l'ordre de 10% en dessous de la tension
d'alimentation du montage VCC. (Vcc – Vsat) est
appelée tension de déchet (de l’ordre de 1 à 2 V
Montages ALI en régime linéaire

Pour qu’un ALI fonctionne en Régime Linéaire, il faut : - boucle de contre-réaction;

IV-7 Quelques montages de base en régime linéaire

de l'A.O.P une partie de la tension de sortie à travers le pont diviseur (R1, R2)
 Chapitre V : Étude des transistors MOSFET

Introduction
Le terme « MOSFET » est en fait un acronyme signifiant « Metal Oxide Semiconductor Field
Effect Transistor ».

Le mosfet est un transistor qui se pilote en tension, alors que le bipolaire est un transistor
qui se pilote en courant.

Par conception, les mosfets disposent d’une diode « montée en inverse », entre le drain et la
source (à noter que celle-ci n’a pas volontairement été rajoutée par le fabricant, mais est
« naturellement » présente après fabrication du mosfet, de par sa conception même)
 D’ailleurs, schématiquement, on représente les mosfet à canal N et canal P de la manière
suivante, faisant bien apparaître cette diode.

Contrairement aux transistors bipolaires, où la flèche représentait le sens de circulation du

courant, ici sur les symboles de ces mosfets, la petite flèche du côté de la Grille indique le sens
de circulation des électrons, et non du courant. Ainsi, dans un mosfet canal N ou P, le courant
circule en sens opposé à la petite flèche représentée sur le symbole, côté grille.

Les MOSFET sont des transistors similaires aux JFETs, mais sont caractérisés par:
- Grille totalement isolée du canal
- Fonctionnement unipolaire
- Fabrication simple
- Très faibles dimensions
- Très faible consommation
- Composants dominants en électronique numérique intégrée (mémoire, μprocesseurs, circuit
mixtes).

On distingue deux types de MOSFET:

L'objectif reste le même, créer un canal qui puisse être "modulé".

V-1 Principe de fonctionnement d’un transistor NMOS

MOSFET à enrichissement canal N :

Dans un substrat faiblement dopé P, on insère deux zones N+ fortement dopées. Ces deux zones seront la
SOURCE (reliée au substrat), et le DRAIN.

Pour commander le transistor il faut "repousser les trous" et attirer les électrons libres pour créer le canal.

Pour cela, il faut un champ électrique orienté de la grille vers la zone P, donc une tension VGS positive
1/ Pour VGS =0, on applique une tension VDS >0, constante et de valeur faible. La jonction PN
drain- substrat est polarisée en inverse  E-MOS est bloqué.

Pour VGS <0 on bloque davantage le transistor

2/ Pour 0<VGS < VT , une partie des trous dans la couche superficielle du canal, est repoussée
vers le bas

par le champ électrostatique (créé au niveau de la capacité MOS).

3/ Pour VGS = VT (pour laquelle tous les trous de la surface de la zone P sont repoussés et
remplacés par des électrons (porteurs minoritaires dans le substrat)), un canal INDUIT, très
mince de type N apparaît et le courant ID commence à circuler entre la source et le drain.

4/ Pour VGS > VT, la couche inversée s’enrichit en électrons et la valeur du courant ID
augmente. On décrit alors la zone ohmique du composant.

5/ VDS augmente, l’accroissement de I D se ralentit. On décrit la zone de coude des caractéristiques.

En effet la tension entre grille et substrat diminue en se rapprochant du drain selon la relation Q =
C V et le canal devient alors localement moins profond. La résistance du canal augmente et cela
d’autant plus que VDS croît. Lorsque cette tension est telle que : VDS =VGS-VT = VDSAT, le
courant ID se sature et on atteint la zone de plateau des caractéristiques de sortie. Le MOS est
alors, pour VDS > VDSAT, une source de courant dépendante de la tension VGS.
 V-2 Caractéristique de transfert du MOSFET-N

VGS(V)

Pour VGS<VGST Le Mosfet se comporte comme un interrupteur ouvert

V-3 Caractéristique sortie du MOSFET-N

Schéma equivalent statique d’un MOSFET-N

V-4 MOSFET à appauvrissement canal N :

[Grille/SiO2/canal] est considéré comme un condensateur, les charges présentes sur l’armature
Grille vont influer sur l’autre armature.
1/ Pour VGS =0, Ce transistor fonctionne comme un JFET
2/ Pour VGS 0 : on appauvrit le canal de porteurs majoritaire, le transistor fonctionne comme
un JFET.
Le condensateur [Grille/SiO2/canal] attire des trous dans le canal initial qui neutralisent les
électrons de cette zone N. au bout d’un moment (à VGSoff =VP =VTH ) on aura complétement éloigné
tous les porteurs majoritaires du canal « phénomène de pincement ».

3/ Pour VDS >0 et VGS = 0 , on enrichit le canal en porteurs minoritaires, les électrons sont
alors attirés vers la grille. Pour une tension VGS = VT (tension de seuil ), les électrons sont
attirés par la grille, tandis que les trous sont repoussés dans le substrat ; on a alors une couche N
dite couche d’inversion entre les zones N+ de la source et du drain. Les deux jonctions
disparaissent, on n’a plus qu’un canal N, et le courant peut passer entre drain et source.
V-5 Régimes de fonctionnement du transistor MOSFET
V-6 Modèle petits signaux
- Problème : l'amplification est non-linéaire or une non-linéarité déforme (modification du
contenu fréquentiel) et donc dégrade le signal ex audio: distorsion
- Solution: linéariser le système en travaillant avec des signaux très faibles
variations suffisamment faibles pour pouvoir assimiler la courbe à sa tangente
- ceci concerne uniquement le signal utile (les variations) autour de la caractéristique non-
linéaire

=> le signal VGS doit être très faible avec un ordre de grandeur de qques mV
- par opposition à la polarisation (composante continue), les composantes alternatives sont
désignées par le terme de "petits signaux"

V-7Modèle petits signaux (BF)MOSFET en amplification

Synthèse