Physique des dispositifs électroniques

Chap II: Jonction PN - Diode PN

Définitions
Jonction PN à l’équilibre thermodynamique
Jonction PN hors équilibre thermodynamique

Dr S. KONE
Ingénieur R&D – Electronique - Energies Renouvelables et Développement Durable
 Physique des dispositifs électroniques
1 - Définitions
1.1. La jonction PN
Une jonction PN est obtenue en réalisant dans le même monocristal deux régions semi-
conductrices dopées (l’une P et l’autre N) juxtaposées.

Plan métallurgique

P N
Trous majoritaires Electrons majoritaires
Electrons minoritaires Trous minoritaires

▪ 𝑝𝑃 ≈ 𝑁𝐴 ▪ 𝑛𝑁 ≈ 𝑁𝐷
𝑛2𝑖 𝑛2𝑖
▪ 𝑛𝑃 ≈ ▪ 𝑝𝑁 ≈
𝑁𝐴 𝑁𝐷

▪ Le plan de séparation entre les deux régions est appelé plan métallurgique. On observe à la
traversée de ce plan de forts gradients de concentration des porteurs. De ce fait, le
voisinage du plan métallurgique est siège de phénomènes de diffusion (électrons vers P et
trous vers N).

▪ Lorsque les deux régions P et N sont réalisées dans le même matériau semi-conducteur, la
jonction est dite homojonction. Dans le cas contraire, on a une hétérojonction.

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1 - Définitions
1.2. La jonction plane
Une jonction PN est plane lorsque l’évolution du dopage est unidimensionnelle càd N = N(x).
L’axe x’x est orienté de P vers N, perpendiculairement au plan métallurgique avec origine prise
sur celui-ci. P N
NA ND
X’ 0 X

1.2.1. Jonction abrupte

N(x) présente une discontinuité à la traversée du plan métallurgique (plan x=0). La variation
est brutale à x = 0 : N(0+) ≠ N(0-). Si le dopage des deux régions p et n est constant, la
jonction sera dite jonction abrupte à dopages constants. N(x)
ND

X’ 0 X
-N
1.2.2. Jonction graduelle A

N(x) est une fonction continue à la traversée du plan métallurgique (plan x=0): N(0+) = N(0-).
Exple: Jonction graduelle linéaire N(x) = ax (a une constante) N(x)

X’ 0 X

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2 - Jonction PN à l’équilibre thermodynamique
2.1. Mécanisme de formation de la jonction
Considérons deux régions semi-conductrices P et N isolées. Le dopage étant homogène,
les concentrations des trous et des électrons sont constantes dans chaque région.
Ion accepteur Ion donneur

Electron
Trou

Sc type P Sc type N

Quand on met les deux régions P et N en contact, les trous, majoritaires dans la région de
type P, diffusent vers la région de type N. Il en est de même pour les électrons, dans
l'autre sens. La diffusion des porteurs majoritaires vers la zone où ils sont minoritaires
vise à établir une distribution homogène des porteurs dans la structure PN.

P Trous N

Electrons

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2 - Jonction PN à l’équilibre thermodynamique
2.1. Mécanisme de formation de la jonction (suite)
La diffusion des porteurs libres de part et d'autre de la jonction fait apparaître un
déficit de trous dans la zone P voisine du plan métallurgique et un déficit d’électrons dans la
zone N voisine. Ainsi, la zone de déficit de trous dans la région P est chargée – et la zone de
déficit d’électrons dans la région N est chargée +.
Ces charges sont appelées « charges d’espace » constituées essentiellement:
- Coté P: d’ions accepteurs négatifs fixes qui ont perdu un trous (gagné un électron). 𝜌 < 0
- Coté N: d’ions donneurs positifs fixes qui ont perdu un électrons. 𝜌 > 0
𝜌<0 𝜌>0
P N

XP 0 XN

Zone de charge d’espace (ZCE)

Ainsi, on a l’apparition d’une double couche dipolaire aux voisinages du plan métallurgique
appelée zone de charge d’espace (ZCE ) ou zone de transition ou zone désertée.

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2 - Jonction PN à l’équilibre thermodynamique
2.2. La zone de charge d’espace
2.2.1. Champ interne
La double couche dipolaire de la ZCE, comme dans le cas d’un dipôle simple, engendre un
champ 𝐸𝑖 , appelé champ interne, orienté de la couche + vers la couche -.

ZCE
▪ Le champ 𝐸𝑖 constitue une force qui s’oppose à la diffusion des porteurs majoritaires
sans la bloquer. 𝐹Ԧ = +𝑒𝐸 Trous
𝐹Ԧ = q𝐸
𝐹Ԧ = −𝑒𝐸 Electrons
En raison de la relation 𝐸𝑖 = −𝑔𝑟𝑎𝑑𝑉, le champ 𝐸𝑖 est équivalent à une barrière de potentiel
aux bornes de la ZCE que, seuls, les porteurs majoritaires dont l’énergie est supérieure
pourront traverser.

▪ Le champ 𝐸𝑖 favorise le passage des minoritaires d’une zone à l’autre (les électrons de P
vers N et les trous de N vers P).

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2 - Jonction PN à l’équilibre thermodynamique
2.2. La zone de charge d’espace
2.2.2. Tension de diffusion
Nous avons indiqué précédemment que le champ 𝐸𝑖 est équivalent à une barrière de
potentiel aux bornes de la ZCE.
▪ A l’équilibre de la jonction, cette barrière de potentiel est appelée tension de diffusion
ou tension interne et notée VD (en V). La barrière est décroissante de N vers P.
▪ En général, la barrière de potentiel est considérée comme une barrière énergétique que
les porteurs majoritaires doivent surmonter pour passer d’une région à l’autre. De ce
fait, elle sera notée 𝜱𝑩 = 𝒒𝑽𝑫 (en eV)

WZCE
Soient: • WZCE, la largeur de la ZCE.
P N • XP, l’extension de la ZCE négative.
• XN, l’extension de la ZCE positive.
• VP, le potentiel au point XP.
• VN, le potentiel au point XN.

V
�
Tension de diffusion VD On a : 𝑉𝐷 = 𝑉𝑁 − 𝑉𝑃
𝑉𝐷
XP 0 XN

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2.2. La zone de charge d’espace
2.2.2. Tension de diffusion (suite)
Pour déterminer VD, on allons nous intéresser au diagramme des bandes de la structure
PN.
BCP
E CP
eVD BCN
E CN
E FP
E FN
E VP
BVP eVD
E VN
BVN
Matériau type P Matériau type N
WZCE

Lorsque les régions sont mises en contact, on a une réorganisation (décalage) des niveaux
d’énergie EC, EF, EV de façon à satisfaire les conditions d’équilibre suivantes:
▪ Equilibre thermodynamique: Elle impose que le niveau EF soit constant tout le long de la structure.
Donc EFP et EFN sont alignés.

▪ Equilibre de la jonction: Elle impose l’existence d’une barrière de potentiel VD ou une barrière
énergétique eVD entre les niveaux ECP et EVP de la région P et les niveaux ECN et EVN de la région N
hors de la ZCE.

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2 - Jonction PN à l’équilibre thermodynamique
2.2. La zone de charge d’espace
2.2.2. Tension de diffusion (suite)
D’après le diagramme des bandes, la barrière énergétique peut être déduite de la
différence des niveaux de conduction EC ou des niveaux de valence EV de part et d’autre de la
zone de charge d’espace : 𝑞𝑉𝐷 = 𝐸𝐶𝑃 − 𝐸𝐶𝑁 ou 𝑞𝑉𝐷 = 𝐸𝑉𝑃 − 𝐸𝑉𝑁
−(𝐸𝐶 −𝐸𝐹 )/𝑘𝑇
Si on considère les électrons, on a de façon générale : 𝑛 = 𝑁𝐶 𝑒

▪ Région N : 𝑛𝑁 = 𝑁𝐶 𝑒 −(𝐸𝐶𝑁 −𝐸𝐹 )/𝑘𝑇 (1)

On a aussi :

▪ Région P : 𝑛𝑃 = 𝑁𝐶 𝑒 −(𝐸𝐶𝑃 −𝐸𝐹 )/𝑘𝑇 (2) ▪ Région N : 𝑛𝑁 ≈ 𝑁𝐷

𝑛𝑖2
▪ 𝑞𝑉𝐷 = 𝐸𝐶𝑃 − 𝐸𝐶𝑁 ⇒ 𝐸𝐶𝑃 = 𝐸𝐶𝑁 + 𝑞𝑉𝐷 ▪ Région P : 𝑛𝑃 ≈
(3) 𝑁𝐴

𝑁𝐴 𝑁𝐷
(3) ⇒ (2) on a : 𝑛𝑃 = 𝑁𝐶 𝑒 −(𝐸𝐶𝑁 +𝑞𝑉𝐷 −𝐸𝐹 )/𝑘𝑇 (4) devient : 𝑉𝐷 = 𝑈𝑇 ln en (V)
𝑛𝑖2
= 𝑁𝐶 𝑒 −(𝐸𝐶𝑁 −𝐸𝐹 )/𝑘𝑇 . 𝑒 −𝑞𝑉𝐷 Τ𝑘𝑇 Tension de diffusion
= 𝑛𝑁 𝑒 −𝑞𝑉𝐷 Τ𝑘𝑇
On déduit donc :
𝑘𝑇 𝑛𝑁
⇒ 𝑉𝐷 = 𝑞 ln 𝑛 (4) 𝑁𝐴 𝑁𝐷
𝑃 Φ𝐵 = 𝑞𝑉𝐷 = 𝑞𝑈𝑇 ln en (eV)
𝑘𝑇 𝑛𝑖2
Posons : 𝑈𝑇 = : Potentiel thermique, UT = 26 mV à 300°K
𝑞 Barrière énergétique

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2 - Jonction PN à l’équilibre thermodynamique
2.2. La zone de charge d’espace
2.2.3. Largeur de la ZCE

P N • WZCE, la largeur de la ZCE.

• XP, l’extension de la ZCE négative.
• XN, l’extension de la ZCE positive.
• NA, dopage de la région P
• ND, dopage de la région N
XP 0 XN
WZCE
On montre les relations suivantes :

2𝜀0 𝜀𝑠𝑐 𝑁𝐴 𝑉𝐷
𝑋𝑁 = . .
𝑞 𝑁𝐴 +𝑁𝐷 𝑁𝐷

2𝜀0 𝜀𝑠𝑐 𝑁𝐷 𝑉𝐷
𝑋𝑃 = . .
𝑞 𝑁𝐴 +𝑁𝐷 𝑁𝐴

2𝜀0 𝜀𝑠𝑐 𝑁𝐴 + 𝑁𝐷
𝑊𝑍𝐶𝐸 = . . 𝑉𝐷
𝑞 𝑁𝐴 𝑁𝐷

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3 - Jonction PN hors équilibre thermodynamique
3.1. Polarisation de la jonction
La jonction PN est mise hors équilibre lorsqu’on applique une ddp extérieure V à ses
bornes. La tension V est appelée tension de polarisation. Suivant le sens de la tension V, nous
avons deux régimes de fonctionnement de la jonction.
▪ Polarisation directe: V > 0
P N
I
La polarisation V induit un champ externe 𝐸𝑒𝑥𝑡 opposé au champ

V>0
• Borne + reliée à la région P
• Borne - reliée à la région N
interne 𝐸𝑖 . Le champ résultant aux bornes de la ZCE est donc très
faible. Presque rien ne s’oppose à la diffusion des porteurs
majoritaires d’une région à l’autre. Un fort courant circule alors dans
la structure.

▪ Polarisation inverse: V < 0

P N
I
Le champ externe 𝐸𝑒𝑥𝑡 induit a le même sens que le champ interne 𝐸𝑖 .

V<0
• Borne + reliée à la région N
• Borne - reliée à la région P
Le champ résultant aux bornes de la ZCE est donc très élevé. Très
peu de porteurs majoritaires peuvent diffuser d’une région à l’autre.
Un courant quasi nul circule alors dans la structure.

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3 - Jonction PN hors équilibre thermodynamique
3.1. Polarisation de la jonction (suite)
Le même raisonnement s’applique aussi au diagramme des bandes de la jonction PN.
Abaissement de la barrière

Polarisation directe
(V > 0)

Diagramme des bandes

Polarisation inverse
(V < 0)
Résumé : Augmentation de la barrière

▪ Polarisation directe ⇒ Barrière abaissée ⇒ la PN conduit

▪ Polarisation inverse ⇒ Barrière augmentée ⇒ la PN ne conduit pas

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3 - Jonction PN hors équilibre thermodynamique
3.2. Caractéristique de la jonction
3.2.1. Symbole
L’application de base de la jonction PN est la diode PN. C’est une jonction insérée dans un
boitier muni de contacts métalliques permettant de relier les zones P et N à un circuit
extérieur. Id Id

Anode Cathode Anode Cathode

Vd Vd

3.2.2. Relation courant - tension

Considérons le montage suivant avec Id traversant la diode et Vd la tension à ses bornes.
R Id
�A

V : Source continue variable

V Vd V
R : Résistance de protection de la diode

Les variations de Id en fonction de Vd sont décrites par l’équation:

𝑉
− 𝑈𝐷
• 𝐼𝑆 = 𝐼0 𝑒 𝑇 courant de saturation
𝑉𝑑
𝐼𝑑 = 𝐼𝑠 𝑈
(𝑒 𝑇 − 1) • 𝑉𝐷 = Tension de diffusion
𝑘𝑇
• 𝑈𝑇 = = 26𝑚𝑉 à 300°K
𝑞

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3 - Jonction PN hors équilibre thermodynamique
3.2. Caractéristique de la jonction
3.2.2. Relation courant – tension (suite)
𝑉𝑑
▪ Polarisation directe (Vd > 0) : On a : 𝑒 𝑈𝑇 >> 1
𝑉𝑑
⇒ 𝐼𝑑 = 𝐼𝑠 𝑒 𝑈𝑇

Pour les faibles tensions, la courbe Id = f(Vd) a une allure exponentielle. Aux fortes
tensions la diode est limitée par sa résistance à l’état passant RON qu’on assimile à une
résistance RS en série avec la diode idéale. La courbe Id = f(Vd) devient linéaire.

𝑉𝑑
▪ Polarisation inverse (Vd < 0) : On a : 𝑒 𝑈𝑇
≈0 ⇒ 𝐼𝑑 = −𝐼𝑠 (très faible, qq nA)

Pour une tension VRmax, on assiste au phénomène de claquage de la diode qui se traduit
par un accroissement brutale du courant inverse. Le champ électrique dans la ZCE
devient assez intense pour ioniser le matériau par impacts ionisants.

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3 - Jonction PN hors équilibre thermodynamique
3.2. Caractéristique de la jonction
3.2.3. Courbe courant – tension

Id

Polarisation directe

VR max Vd

Polarisation V0
inverse

Avalanche ou
Effet Zener

V0 (Vth): Tension seuil à partir de laquelle la diode conduit. Elle correspond à l’effet de
barrière de potentiel de la jonction (VD) et dépend du matériau semi-conducteur. Pour
le Silicium, V0 ∊ [0,55V - 0,7V]

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Fin