2 - ChapII - Jonction PN 2024

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Chap. II: Jonction PN – Diodes à jonction

Jonction PN – Diodes à jonction
• Définition de la jonction PN
• Jonction PN à l’équilibre thermodynamique
• Fonctionnement Structure des bandes d’énergie
• Barrière de potentiel calcul de la jonction PN
• Jonction PN hors de l’équilibre thermodynamique
• Jonction PN polarisée caractéristique idéale
• Jonction PN à bande large et étroite
• Etude dynamique de la jonction, schéma équivalent de la jonction ;
• limitations physiques de la jonction
• Diodes et application de la diode
• Fonction logique redressement filtrage détection Générateur de fonction – découpage
• de signaux - comparateur de phase
• Diode Zener / régulation
• Diodes Tunnel - Gunn- Schottky
Chap. II : Jonction PN-diodes à jonction Electronique fondamentale-EAC-SEI 2023 V1.0
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3.1 Définitions
 Définition
Une jonction PN est la mise en contact entre un semi-conducteur de type N et un semi- conducteur
type P issus d'un même cristal. On la représente sous la forme de deux cristaux accolés. Mais dans
la pratique on ne procède pas par collage et la réalisation d’une jonction PN est une opération
délicate. On utilise la techniquement planar dont les grandes étapes sont:
1) Matériau de départ: plaquette de silicium de type P appelé substrat,
2) Protection en surface de la plaquette par une couche d’oxyde de silicium pour empêcher la
diffusion d’impuretés à l’intérieur de celle-ci.
3) Ouverture d’une fenêtre en enlevant l’oxyde de silicium ( SIO2).
4) Soumission de la fenêtre à une impureté de type pentavalent.
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3.1 Définitions
Il existe diverses catégories de contacts entre deux matériaux :

• Homo-jonction : c’est le contact entre deux parties différentes d’un même semi-conducteur;
• Hétérojonction : c’est l’association entre deux semi-conducteurs de nature différente;
• Jonction Métal-SC : par exemple les diodes Schottky ou les contactes ohmiques.
• Structure MIS (Métal Isolant Semi-conducteur). Lorsque l’isolant est de type oxyde, la structure
est dite MOS (capacité́ et transistor)
.
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3.1 Définitions
Jonction métallurgique
Région P Région N
ND-NA
La zone frontière de passage de la région de type P à la région de type N s’appelle la jonction

métallurgique.
La différence des densités de donneurs et d'accepteurs ND -NA passe « brusquement» d'une valeur
négative pour la région P à une valeur positive pour la région N. La jonction est dite abrupte . La
loi de variation de cette différence est alors donnée par deux constantes: ND et NA.
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3.2 Fonctionnement à l’équilibre thermodynamique
Région d’appauvrissement
Région P Région N
A la mise en contact des deux semi- conducteurs ci-dessus, à proximité́ de la jonction métallurgique
nous aurons les phénomènes suivants:
• diffusion des porteurs depuis les zones où ils sont majoritaires vers les zones où ils sont
minoritaires, c’est-à-dire, départ des électrons de la région N vers la région P et réciproquement
pour les trous.
• tout départ des porteurs libres entraine une modification de charge locale puisque les ions qui ont
engendré ces porteurs sont fixes dans le cristal à température ambiante. Dans la zone de contact,
les électrons vont laisser derrière eux des ions positifs et les trous des ions négatifs.
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Région d’appauvrissement
 Barrière de potentiel;
Région P Région N
՜
𝐸
• les charges non compensées de part et d’autre de la jonction que représentent les ions créent
deux régions spatialement chargées et simultanément un champ électrique orienté depuis la
région N vers la région P, obligatoirement. Cette zone, s’appelle zone de charge d’espace
(ZCE) de la jonction ou zone de transition ou zone de déplétion.
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3.2 Fonctionnement à l’équilibre thermodynamique
 Barrière de potentiel; ZCE
Région N
՜
𝐸
• Le champ électrique crée va avoir tendance à renvoyer les porteurs qui diffusent vers leur
régions respectives: les électrons de la zone P vers la zone N et les trous de la zone N vers la
zone P.
• Le champ électrique crée va en même temps favoriser le déplacement des porteurs
minoritaires (conduction): les électrons de la zone P vers la zone N et les trous de la zone N
vers la zone P.
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Région P Région N
ZCE
𝐽𝑐𝑛 𝐽𝑐𝑝
՜
𝐸
𝐽𝑑𝑝
𝐽𝑑𝑛
Très rapidement le système va tendre vers un équilibre entre les phénomènes de conduction et
celui de la diffusion.
Pour chaque type de porteur, nous aurons les courants représentés sur la figurent ci-dessus:
Jp = Jdp + Jcp Et Jn = Jdn + Jcn
A l’équilibre thermodynamique ces deux courants sont nuls: d’où: Jp = Jn = 0.
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3.3 Calcul de la jonction abrupte
Région P Région N
ZCE
՜
𝐸
𝐽𝑑𝑝
𝐽𝑑𝑛
0 xn x
-xp
En raisonnant sur les trous, nous avons donc :
dp dp μp e
jp = jdp + jcp = −eDp + epμp E x = 0 ⟹ = E(x)dx = (−dv(x))
dx p Dp KT
p −xp e
⟹ ln = (V − V−xp )
p xn KT xn
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3.3 Calcul de la jonction
Région P Région N
ZCE
՜
𝐸
𝐽𝑑𝑝
𝐽𝑑𝑛
x
-xp 0 xn
n2i KT N N
Or, p −xp = NA et p xn = ; donc VD = VNP = Vxn − V−xp = . ln A 2 D
ND e ni
𝐾𝑇
𝑉𝐷 est appelée tension de contact ou de diffusion . Le terme est noté VT et vaut 26 mv à
𝑒
300˚K. Compte tenu des ordres de grandeurs de ni, NA, ND , à 300 K, VD est de l’ordre de 0,7 V
pour le silicium et 0,3 V pour le germanium. Elle varie en fonction de T en raison
de -2 mV/ °C. Δ𝑉𝐷
= −2 𝑚𝑉/°𝐶
Δ𝑇
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1. Jonction PN  Calcul du Champ électrique dans la ZCE
ZCE
Région P Région N
𝜌=0 ՜ 𝜌=0
𝐸
0 xn x
-xp
Le champ électrique se calcul à partir de l’équation de poisson. En se plaçant successivement du
coté n et du coté p dans la zone de charge d’espace. A la limite de cette zone, la neutralité́ étant
assurée, le champ électrique est nul (pas de champ extérieur).
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1. Jonction PN  Calcul du Champ électrique dans la ZCE
ZCE
Région P Région N
𝜌=0 ՜ 𝜌=0
𝐸
𝜌𝑝 = −𝑒𝑁𝐴 𝜌𝑁 = +𝑒𝑁𝐷
𝜌 x
Equation de poisson : ∆𝑉 + =0 -xp 0 xn
𝜀
On déduit que Coté N: 𝑑𝐸 𝜌 𝑒𝑁𝐷 𝑒𝑁𝐷
= = ⟹𝐸=
𝑑𝑥 𝜀𝑟𝜀0 𝜀𝑟𝜀0 𝜀𝑟𝜀0 𝑥 − 𝑥𝑛
𝑒𝑁
Coté P: 𝑑𝐸 = 𝜌 = − 𝑒𝑁𝐴 ⟹ 𝐸 = − 𝐴 𝑥 + 𝑥
𝜀𝑟𝜀0 𝑝
𝑑𝑥 𝜀𝑟𝜀0 𝜀𝑟𝜀0
𝑒𝑁𝐷 𝑒𝑁𝐴
𝐸𝑚𝑎𝑥 = 𝑥 = 𝑥 ( 𝑁𝐷𝑥𝑛 = 𝑁𝐴𝑥𝑝 en raison de la neutralité électrique du cristal)
𝜀𝑟𝜀0 𝑛 𝜀𝑟𝜀0 𝑝
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1. Jonction PN  Différence de potentiel dans la ZCE
A partir de l’expression de 𝐸(𝑥), on peut calculer, Dans la ZCE, la différence potentiel de
(V x – V(−xp)) qui a l’allure suivante:.
VD
Région P Région N
-xp 0 xN
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1. Jonction PN
 Calcul de la largeur W de la zone de charge d’espace.
𝑥𝑁 0 𝑥𝑁
𝑑𝑉
= −𝐸 𝑥 ⟹ 𝑉𝐷 = න −𝐸 𝑥 𝑑𝑥 = − න 𝐸 𝑥 𝑑𝑥 − න 𝐸 𝑥 𝑑𝑥
𝑑𝑥
−𝑥𝑃 −𝑥𝑃 0
0 𝑒𝑁𝐴 𝑥𝑁 𝑒𝑁𝐷
= − ‫׬‬−𝑥 − 𝑥 + 𝑥𝑝 𝑑𝑥 − ‫׬‬0 𝑥 − 𝑥𝑛 𝑑𝑥
𝑃 𝜀𝑟𝜀0 𝜀𝑟𝜀0
2 0 𝑥
𝑒𝑁𝐴 𝑥+𝑥𝑝 𝑒𝑁 𝑥−𝑥𝑁 2 𝑁
= − 𝜀 𝜀𝐷
𝜀𝑟 𝜀0 2 −𝑥𝑃 2
𝑟 0 0
2
𝑒𝑁𝐴 𝑥𝑝 𝑒𝑁 𝑥𝑁 2
= + 𝜀 𝜀𝐷
𝜀𝑟 𝜀0 2 𝑟 0 2
2𝜀𝑟 𝜀0 𝑁𝐷 2𝜀𝑟 𝜀0 𝑁𝐴
Comme 𝑁𝐷𝑥𝑛 = 𝑁𝐴𝑥𝑝 , on a : 𝑥𝑝 = 𝑉 et 𝑥𝑁 = 𝑉
𝑒𝑁𝐴 𝑁𝐴 +𝑁𝐷 𝐷 𝑒𝑁𝐷 𝑁𝐴 +𝑁𝐷 𝐷
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1. Jonction PN
 Calcul de la largeur W de la zone de charge d’espace.

𝑥𝑁 𝑥𝑁 𝑁𝐴
𝑊 = 𝑥𝑝 + 𝑥𝑁 = 𝑥𝑝 1 + = 𝑥𝑝 1 + = 𝑥𝑝 1 +
𝑥𝑝 𝑥𝑝 𝑁𝐷
2𝜀𝑟 𝜀0 1 1
𝑊= + 𝑉
𝑒 𝑁𝐴 𝑁𝐷 𝐷
2𝜀𝑟 𝜀0 1 𝑁𝐴
Si 𝑁𝐷 ≫ 𝑁𝐴 ; 𝑊 ≈ 𝑥𝑝 ≈ 𝑉 et 𝑥𝑁 ≈ 𝑊
𝑒 𝑁𝐴 𝐷 𝑁𝐷
2𝜀𝑟 𝜀0 1 𝑁𝐷
Si 𝑁𝐴 ≫ 𝑁𝐷 ; 𝑊 ≈ 𝑥𝑛 ≈ 𝑉 et 𝑥𝑝 ≈ 𝑊
𝑒 𝑁𝐷 𝐷 𝑁𝐴
La ZCE se rétrécit du coté le plus dopé.
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1. Jonction PN
Exercice N˚1 :
Une jonction PN au silicium présente une tension de contact 𝑉𝐷 de 0,7 V à 25°C.
1. Quelle est la valeur du potentiel de contact à 100°C.
2. Quelle est la valeur du potentiel de contact à 0°C.
3. Répondre aux mêmes question pour la jonction PN au Germanium pour laquelle 𝑉𝐷
de 0,3 V à 25°C.
4. On suppose que la limite théorique d’utilisation d’une jonction PN est imposée par
une tension de contact nulle. Déterminer les températures limites théoriques
d’utilisation des jonctions PN au silicium et des jonction PN au Germanium. Ces
limites sont beaucoup plus supérieures aux limites réelles qui sont de 175°C pour le
silicium et 75°C pour le Germanium.
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1. Jonction PN
Exercice N˚2 :
𝑑𝑉𝐷
1. A partir de l’expression du potentiel de contact 𝑉𝐷 déterminer si l’on néglige la
𝑑𝑇
variation de 𝐸𝑔 en fonction de la température.
𝑑𝑉𝐷
2. Calculer pour le silicium à 300 °K si l’on suppose que 𝑉𝐷 ≈ 0,7 et 𝐸𝑔 = 1,12𝑒𝑉;
𝑑𝑇
Exercice N˚2 : Potentiel de contact, largeur d’une jonction PN et intensité du champ

électrique dans la jonction
Les résistivités des deux cotés d’une jonction PN au silicium sont de 0.1Ω.cm ( coté P) et
50 Ω.cm ( coté N). Calculer le potentiel de contact V0 de la jonction, la largeur d0 de celle-
ci, le champ électrique maximal Emax et le champ électrique moyen 𝐸0 = 𝑉0ൗ𝑑0 à 300˚K.
On donne: 𝜀𝑟 =11,8 pour le silicium; 𝑛𝑖 =1,451010 électrons.cm-3. On suppose que les
mobilités des porteurs sont les mêmes qu’à l’état intrinsèque.
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1. Jonction PN
 Structure des bandes d’énergie

On montre que dans un cristal semi-conducteur non soumis à une différence de potentiel et à
l’équilibre thermodynamique, quel que soit son dopage, les niveaux de fermis associés 𝐸𝐹𝑃 et 𝐸𝐹𝑁
restent alignés dans les schémas des bandes. On montre alors :
𝐸𝐶𝑁 − 𝐸𝐹𝑁
𝑛𝑛 = 𝑁𝑐 exp(− )
𝑘𝑇 𝑛𝑛 𝑁𝐷 𝑁𝐴
𝐸𝐶𝑃 − 𝐸𝐹𝑃 ⟹ 𝐸𝐶𝑃 − 𝐸𝐶𝑁 = 𝑘𝑇𝑙𝑛(𝑛𝑝 ) = 𝑘𝑇𝑙𝑛 𝑛2 = 𝑒𝑉𝐷
𝑛𝑝 = 𝑁𝑐 exp − 𝑖
𝑘𝑇
𝐸𝐹𝑁 − 𝐸𝑉𝑁
𝑝𝑛 = 𝑁𝑉 exp(− )
𝑘𝑇 𝑝𝑝 𝑁𝐷 𝑁𝐴
𝐸𝐹𝑃 − 𝐸𝑉𝑃 ⟹ 𝐸𝑉𝑃 − 𝐸𝑉𝑁 = 𝑘𝑇𝑙𝑛(𝑝𝑛 ) = 𝑘𝑇𝑙𝑛 𝑛2 = 𝑒𝑉𝐷
𝑝𝑝 = 𝑁𝑉 exp − 𝑖
𝑘𝑇
La bande de conduction du silicium P se situe donc à une énergie plus élevée que celle du
silicium N. Il en est de même pour les bandes de valence. Ceci entraine la présence d’une
différence d’énergie entre ces bandes : 𝑁𝐷 𝑁𝐴
Δ𝐸 = 𝑘𝑇𝑙𝑛 = 𝑒𝑉𝐷
𝑛𝑖2
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1. Jonction PN
 Structure des bandes d’énergie
Par ailleurs, nous avons déjà démontré (cf. chap. I) les relations suivantes :
𝑁𝐷
𝐸𝐹𝑁 −𝐸𝐹𝑖 = 𝑘𝑇𝑙𝑛
𝑛𝑖
𝑁𝐴
𝐸𝐹𝑖 − 𝐸𝐹𝑃 = 𝑘𝑇𝑙𝑛
𝑛𝑖
L’écart entre les bandes de conduction et de valence reste en permanence égal au gap. Il suffit donc
de tracer la variation de EC à travers la structure pour en déduire EV, par exemple. Puisque nous
avons vu qu’il existait une différence de potentiel à l’équilibre thermodynamique, l’écart entre la
position de la bande de conduction de part et d’autre (et donc de la bande de valence) est égal à
eVD.
Le diagramme ci-dessous fait apparaitre la hauteur de barrière d’énergie pour les deux types de
porteurs, qui correspond à eVD et qui devra être franchie par les porteurs.
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1. Jonction PN
 Structure des bandes d’énergie
La structure des bandes d’énergie dans une jonction PN à l’équilibre thermodynamique est la
suivante: ∆𝐸
Région P Région N VD=
𝑒
BC
𝑁𝐴 𝑁𝐷
eVD ∆𝐸 = 𝐾𝑇𝑙𝑛
𝑛𝑖2
Eg
EFi BC
𝑁𝐴
𝐸𝐹𝑖 − 𝐸𝐹𝑝 = 𝐾𝑇𝑙𝑛 EFp ∆E EFN
𝑛𝑖
𝑁𝐷
BV 𝐸𝐹𝑁 − 𝐸𝐹𝑖 = 𝐾𝑇𝑙𝑛
𝑛𝑖
EFi
eVD
BV
W
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1. Jonction PN
 Polarisation
Le terme polarisation fait référence à l’application d’une tension continue fixe qui détermine
les conditions d’opération d’un composant à semi-conducteur.
Pour pouvoir appliquer une tension continue à une jonction PN, on applique aux extrémité
des substrats N et P une mince couche métallique de contact. On muni ensuite chaque
substrat d’une électrode. Le contact entre la couche métallique et le substrat est appelé
contact ohmique.
couche
Région P
métallique
Electrode mince de
contact
Electrode
Polariser une jonction PN, c’est lui appliquer une tension continue entre les électrodes pour
fixer les conditions dans lesquelles elle va fonctionner .
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1. Jonction PN
 Polarisation
L’électrode reliée au substrat P est appelée anode et celle reliée au substrat N cathode.
La jonction est dite polarisée en directe lorsqu’une tenson positive est appliquée au substrat
P. Elle est dite polarisée en inverse lorsque la tension appliquée au substrat P est négative.
P N P N
Polarisation directe Polarisation inverse
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1. Jonction PN  Jonction PN hors équilibre thermodynamique
 Effet de la polarisation
L’application d’une différence de potentiel sur les contacts aux extrémités des couches N et
P, va se reporter au niveau de la zone de charge d’espace qui s’étend de part et d’autre de la
jonction métallurgique. En effet, la conduction des zones dopées étant suffisante, les couches
quasi-neutres N et P se comportent comme des équipotentielles.
VF
VF
P N P N
VF VF
Polarisation directe Polarisation inverse
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En polarisation directe, la différence de potentiel 𝑉𝐹 = 𝑉𝑃𝑁 a tendance à diminuer VD et par

la suite, le champ électrique ED existant à l’équilibre thermodynamique, elle facilitera le
phénomène de diffusion aux dépens du phénomène de dérive dans le champ électrique.
VF
EF Le gradient de concentration de part et d’autre
ED de la zone de charge d’espace est alors
VD
important et le courant de diffusion
P N
correspondant peut être important.
VF
Polarisation directe
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En polarisation inverse, la différence de potentiel VF a tendance à augmenter VD et par la

suite, le champ électrique ED existant à l’équilibre thermodynamique, elle facilitera le
phénomène de dérive dans le champ électrique aux dépens du phénomène de diffusion .
VF
Mais le champ électrique, même de très grande EF
ED
amplitude, ne draine que des porteurs minoritaires
VD
depuis les couches quasi-neutres (électrons dans la P N
zone p et trous dans la zone n), qui sont comme
nous l’avons vu en quantité́ extrêmement plus
faible que celle des majoritaires. Les densités de VF
courants résultant ne pourront donc qu’être très
faibles.
Polarisation inverse
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 Etude de la polarisation directe

En polarisation direct, le phénomène de diffusion est favorisé. La concentration des porteurs
minoritaires augmentent de part et d’autre de la jonction. Evaluons les concentrations des porteurs
minoritaires en limite de zone de charge d’espace, sous polarisation.
A l’équilibre thermodynamique, avant la polarisation, les densités des porteurs étaient:
𝑛𝑖2 𝑛𝑖2
Coté P: 𝑝𝑃0 ≈ 𝑁𝐴 ; 𝑛𝑃0 ≈ Coté N: 𝑛𝑁0 ≈ 𝑁𝐷 ; 𝑝𝑁0 ≈
𝑁𝐴 𝑁𝐷
Sous polarisation, on supposera que, pour chaque type de porteur, la composante de diffusion
compense la composante de dérive ( Approximation de Boltzmann). C’est à dire que les équations
suivantes établies pour l’équilibre thermodynamique restent valables :
dn
𝑗𝑛 = e𝐷𝑛 + 𝑒𝑛𝜇𝑛 𝐸 = 0
dx
dp
𝑗𝑝 = −e𝐷𝑝 + 𝑒𝑝𝜇𝑝 𝐸 = 0
dx
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dn 𝐷𝑛 dn 𝑥 𝐾𝑇 𝑥𝑁 dn 𝑥 dn
𝑗𝑛 = e𝐷𝑛 + 𝑒𝑛𝜇𝑛 𝐸 = 0 ⟹ = −𝐸 𝑥 dx ⟹ ‫׬‬−𝑥𝑁 −𝐸 𝑥 dx = ‫׬‬ = 𝑉𝑇 ‫׬‬−𝑥𝑁
dx 𝜇𝑛 𝑛 𝑃 𝑒 −𝑥𝑃 𝑛 𝑃 𝑛
𝑛 𝑥𝑁 𝑛 𝑥𝑁
⟹ 𝑉 𝑥𝑁 − 𝑉 −𝑥𝑝 = 𝑉𝑇 ln ⟹ 𝑉𝐷 − 𝑉𝐹= 𝑉𝑇 ln
𝑛 −𝑥𝑃 𝑛 −𝑥𝑃
𝑉𝐷− 𝑉𝐹
⟹ 𝑛 𝑥𝑁 = 𝑛 −𝑥𝑃 𝐸𝑥𝑝
𝑉𝑇
−𝑉𝐷+𝑉𝐹 −𝑉𝐷 𝑉𝐹
⟹ 𝑛 −𝑥𝑃 = 𝑛 𝑥𝑁 𝐸𝑥𝑝 = 𝑛 𝑥𝑁 𝐸𝑥𝑝 𝐸𝑥𝑝
𝑉𝑇 𝑉𝑇 𝑉𝑇
NA𝑁𝐷 𝑛𝑖2
Or, nous avons vu que 𝑉𝐷 = 𝑉𝑇 . ln et 𝑛𝑃0 = . D’où
𝑛𝑖2 𝑁𝐴
𝑛𝑃0 𝑉𝐹
𝑛 −𝑥𝑃 = 𝑛 𝑥𝑁 𝐸𝑥𝑝 . Comme 𝑛 𝑥𝑁 =𝑁𝐷 ; On a:
𝑁𝐷 𝑉𝑇
𝑽𝑭
𝒏 −𝒙𝑷 = 𝒏𝑷𝟎 𝑬𝒙𝒑
𝑽𝑻
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La concentration des électrons libres à la limite de la zone de charge d’espace du coté N se trouve
𝑽𝑭
donc multipliée par le terme 𝑬𝒙𝒑 .
𝑽𝑻
De façon analogue, on montre que La concentration des trous à la limite de la zone de charge
𝑽𝑭
d’espace du coté P se trouve donc multipliée par le terme 𝑬𝒙𝒑 .
𝑽𝑻
𝑽𝑭
p 𝒙𝑵 = 𝒑𝑵𝟎 𝑬𝒙𝒑
𝑽𝑻
Remarquons qu’à 300K, l’application de 60mV en polarisation directe multiplie par 10 la

concentration des porteurs aux limites de la zone de charge d’espace. L’application de 600mV
multiplie ces concentrations par 1010. Ces concentrations varient donc très fortement en fonction de
la tension appliquée.
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Ayant déterminé́ les concentrations aux limites, il faut alors déterminer le profil de concentration
des porteurs minoritaires dans les zones quasi-neutres.
𝜕𝑛 1 𝜕𝐽𝑛
= 𝑒 𝜕𝑥 + 𝐺𝑛− 𝑅𝑛
𝜕𝑡
Nous avons vu que (équations de continuité) : ቐ
𝜕𝑝 1 𝜕𝐽𝑝
= − 𝑒 𝜕𝑥 + 𝐺𝑝− 𝑅𝑝
𝜕𝑡
Dans un premier temps, nous allons simplifier l’approche en considérant les hypothèses
simplificatrices suivantes :
- pas de génération, G= Gp=Gn=0,
- les recombinaisons sont négligeables, R=Rn=Rp=0,
- le champ électrique est nul à l’extérieur de la zone de charge d’espace, c’est-à-dire dans les zones
quasi-neutres, E= 0,
- le régime est stationnaire ; pas de variation des concentrations en fonction du temps.
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 Etude de la polarisation directe 𝜕𝐽𝑛

0=
𝜕𝑥
Les équations de continuité se simplifient alors et on aura : 𝜕𝐽𝑝
dp dn 0=
𝜕(−e𝐷𝑝 ) 𝜕(e𝐷𝑛 ) 2 2 𝜕𝑥
D’où : 0 = dx = dx ⟹ 𝑑 𝑝 = 𝑑 𝑛 = 0
𝜕𝑥 𝜕𝑥 𝑑𝑥 2 𝑑𝑥 2
⟹ 𝑝 𝑥 = 𝑎𝑥 + 𝑏 𝑒𝑡 𝑛 𝑥 = 𝑐𝑥 + 𝑑
où a, b, c et d sont des constantes. Les profils des concentrations des porteurs sont alors linéaires.
Nous connaissons déjà 𝒏 −𝒙𝑷 et p 𝒙𝑵 . Pour déterminer les coefficient ci-dessus, on suppose que
qu’au niveau des contacts ohmiques, donc aux limites extérieures des zones N et P, la
concentration des porteurs minoritaires correspond à celle de l’équilibre thermodynamique (𝑛𝑃0 et
n(−xP)− nP0
𝑝𝑁0). Connaissant n(-xP) et n(-Wp-xP)= 𝑛𝑃0 , on déduit que Coté P: n(x)= 𝑥 + 𝑥𝑃 + 𝑛(−𝑥𝑃 )
W P
De même, connaissant p(xN) et p(xN+WN)=pN0 , on déduit que coté N:

𝑝𝑁0 −𝑝(𝑥𝑁 )
p(x)= 𝑥 − 𝑥𝑁 + 𝑝(𝑥𝑁 )
WN
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31

Nous avons donc: 𝑽𝑭 𝑽𝑭
𝒏 −𝒙𝑷 = 𝒏𝑷𝟎 𝑬𝒙𝒑 p 𝒙𝑵 = 𝒑𝑵𝟎 𝑬𝒙𝒑
𝑽𝑻 𝑽𝑻
p(xN+WN)
P 𝒑 = 𝑵𝑨 𝒏 = 𝑵𝑫 N
n(-WP-xP)
𝒏 𝒙 𝒑 𝒙
𝒏𝟐𝒊
𝒑𝑵𝟎 =
𝑵𝑫
𝒏𝟐𝒊
𝒏 𝑷𝟎 = Profil des concentrations
𝑵𝑨
WP 𝒑 𝒙 = 𝒂𝒙 + 𝒃
WN
-xP xN 𝒏 𝒙 = 𝒄𝒙 + 𝒅
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Connaissant le profil de concentration des deux types de porteurs, il est possible d’en déduire les
densités de courant, puisque dans les zones quasi-neutres, la composante de dérive est nulle (champ
nul) et que seule subsiste la composante de diffusion. On a :
𝑽𝑭
𝑑𝑛 n(−xP) − nP0 𝒏𝑷𝟎 𝑬𝒙𝒑 − nP0 𝑒𝐷 𝒏 𝑽𝑭
𝑽𝑻 𝑛 𝑷𝟎
𝐽𝑛 = 𝑒𝐷𝑛 = 𝑒𝐷𝑛 = 𝑒𝐷𝑛 = 𝑬𝒙𝒑 −1
𝑑𝑥 WP WP 𝑊𝑝 𝑽𝑻
𝑽𝑭
𝑑𝑝 𝑝𝑁0 − 𝑝 𝑥𝑁 𝑝𝑁0 − 𝒑𝑵𝟎 𝑬𝒙𝒑 𝑒𝐷𝑝 𝑝𝑁0 𝑽𝑭
𝑽𝑻
𝐽𝑝 = −𝑒𝐷𝑝 = −𝑒𝐷𝑝 ( = −𝑒𝐷𝑝 = 𝑬𝒙𝒑 −1
𝑑𝑥 WN WN 𝑊𝑁 𝑽𝑻
16
33

La densité́ de courant totale est la somme des deux types de courants injectés. ( les porteurs se
croisent " dans la zone de charge d’espace). En appelant 𝐽𝐹 la densité́ de courant totale, on a:
𝐷𝑛 𝒏𝑷𝟎 𝐷𝑝 𝑝𝑁0 𝑽𝑭 𝐷𝑛 𝑛𝑖2 𝐷𝑝 𝑛𝑖2 𝑽𝑭

𝐽𝐹 = 𝐽𝑛 + 𝐽𝑝 = e + 𝑬𝒙𝒑 −1 =e + 𝑬𝒙𝒑 −1
𝑊𝑝 𝑊𝑁 𝑽𝑻 𝑊𝑝 𝑁𝐴 𝑊𝑁 𝑁𝐷 𝑽𝑻
𝐽𝐹 est orienté de P vers N. En multipliant par la section de la jonction on obtient l’expression

du courant total 𝐼𝐹 :
𝐷𝑛 𝑛𝑖2 𝐷𝑝 𝑛𝑖2 𝑽𝑭 𝑽𝑭
𝐼𝐹 = Se + 𝑬𝒙𝒑 − 1 = 𝐼𝑆 𝑬𝒙𝒑 −1
𝑊𝑝 𝑁𝐴 𝑊𝑁 𝑁𝐷 𝑽𝑻 𝑽𝑻
avec
𝐷𝑛 𝑛𝑖2 𝐷𝑝 𝑛𝑖2
𝐼𝑆 = Se +
𝑊𝑝 𝑁𝐴 𝑊𝑁 𝑁𝐷
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𝑽𝑭 𝐷𝑛 𝑛𝑖2 𝐷𝑝 𝑛𝑖2
𝐼𝐹 = 𝐼𝑆 𝑬𝒙𝒑 −1 avec 𝐼𝑆 = Se +
𝑽𝑻 𝑊𝑝 𝑁𝐴 𝑊𝑁 𝑁𝐷
𝐼𝑆 dépend du matériau (𝐷𝑛 , 𝐷𝑝 , 𝑛𝑖 ), du dopage(𝑁𝐴 et 𝑁𝐷 ), de la température (𝑛𝑖 ) et de la

−𝐸𝐺
dimension des deux zones quasi neutres (𝑊𝑁 et 𝑊𝑃 ). On peut montrer que : 𝐼𝑆 = 𝐴𝑇 3 𝑒𝑥𝑝
𝐾𝑇
où A est une constante du matériau. 𝐼𝑆 croit en fonction de la température. Pour le silicium, il
double pratiquement tous les 10°C. Pour des changements de température inférieurs à 10°C, il
augmente de 7% par °C. IF
P N
VF
17
35
Exercice N°3:
Une jonction PN au silicium présente un courant de saturation de 5 nA à 25°C.

1. Quelle la valeur du courant de saturation à 100°C?
2. Que deviendrait la valeur du courant de saturation à 80°C?
36
 Effet des recombinaisons: diode coutre et diode longue
Dans les calculs précédents, nous avons considéré pour un premier temps que les recombinaisons
étaient négligeables .Dans le cas plus général, il n’est pas possible d’éliminer ce phénomène.
Nous allons reprendre le calcul avec les hypothèses précédentes,( champ nul, génération lumineuse
nulle, et régime stationnaire) mais en tenant compte des recombinaisons.
les équations de continuité deviennent :

𝜕𝑛 𝜕2𝑛 𝜕 𝑛𝐸 𝑛 − 𝑛𝑝0 𝜕 2 𝑛 𝑛 − 𝑛𝑝0 𝜕 2 𝑛 𝑛 − 𝑛𝑝0
= 𝐷𝑛 2 + 𝜇𝑛 + 𝐺𝑛− 0 = 𝐷𝑛 2 − =
𝜕𝑡 𝜕𝑥 𝜕𝑥 𝜏𝑛 𝜕𝑥 𝜏𝑛 𝜕𝑥 2 𝐷𝑛 𝜏𝑛
⟹ ⟹
𝜕𝑝 𝜕2𝑝 𝜕 𝑝𝐸 𝑝 − 𝑝𝑛0 𝜕 2 𝑝 𝑝 − 𝑝𝑛0 𝜕 2 𝑝 𝑝 − 𝑝𝑛0
= 𝐷𝑝 2 − 𝜇𝑝 + 𝐺𝑝− 0 = 𝐷𝑝 2 − =
𝜕𝑡 𝜕𝑥 𝜕𝑥 𝜏𝑝 𝜕𝑥 𝜏𝑝 𝜕𝑥 2 𝐷𝑝 𝜏𝑝
Les termes 𝐷𝑛 𝜏𝑛 et 𝐷𝑝 𝜏𝑝 sont homogènes à une longueur au carrée. On définit les longueurs de
diffusion des électrons et des trous respectivement dans les zones où ils sont minoritaires par :
𝐿𝑛 = 𝐷𝑛 𝜏𝑛 et 𝐿𝑝 = 𝐷𝑝 𝜏𝑝 .
18
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En résolvant les équations ci-dessus , en utilisant les conditions aux limites déjà utilisées et en
prenant comme origine des x coté P en (-xP) et coté N en xN, on obtient les profils des concentrations
et les densités des courants suivants:
• Profils des concentrations:

𝑊𝑝 − 𝑥 Les profils des concentrations ne
𝑠ℎ
𝐿𝑛 𝑉𝐹
𝑛𝑝 𝑥 − 𝑛𝑝0 = 𝑛𝑝0 𝑒𝑥𝑝 − 1 ; sont plus linéaires. Ils sont
𝑊𝑝 𝑉𝑇
𝑠ℎ hyperboliques.
𝐿𝑛
𝑊𝑛 − 𝑥
𝑠ℎ
𝐿𝑝 𝑉𝐹
𝑝𝑛 𝑥 − 𝑝𝑛0 = 𝑝𝑛0 𝑒𝑥𝑝 −1
𝑊𝑛 𝑉𝑇
𝑠ℎ
𝐿𝑝
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 Effet des recombinaisons : diode coutre et diode longue
• Densités des courants:

𝑛𝑝0 𝑊𝑝 𝑉𝐹 𝑝𝑛0 𝑊𝑛 𝑉𝐹
𝐽𝑛 = 𝑒𝐷𝑛 𝑐𝑜𝑡ℎ 𝑒𝑥𝑝 − 1 𝐽𝑝 = 𝑒𝐷𝑝 𝑐𝑜𝑡ℎ 𝑒𝑥𝑝 − 1
𝐿𝑛 𝐿𝑛 𝑉𝑇 𝐿𝑝 𝐿𝑝 𝑉𝑇
Deux cas peuvent se présenter:

 la longueur de diffusion est grande devant les dimensions de la zone considérée (zone N ou P).
On parle alors de la jonction bande étroite ou de diode courte ;
 la longueur de diffusion est petite devant les dimensions de la zone considérée (zone N ou P). On
parle alors de la jonction bande large ou de de diode longue;
Il faut noter que les lois sont exponentielles ; la notion de grand et petit dans ce cas signifie qu’un
rapport 3 à 5 dans un sens ou dans l’autre est suffisant !
19
39

a) Longueur de diffusion grande : hypothèse de la jonction bande étroite ou diode courte
𝑊𝑝 𝐿𝑛 𝑊𝑛 𝐿𝑝
C’est la cas où 𝐿𝑛 > 3𝑊𝑝 et 𝐿𝑝 > 3𝑊𝑛 ⟹ 𝑐𝑜𝑡ℎ ≈ 𝑒𝑡 𝑐𝑜𝑡ℎ ≈
𝐿𝑛 𝑊𝑝 𝐿𝑝 𝑊𝑛
et les expressions se simplifient 𝑊𝑛 𝑊𝑛 𝑊𝑝 − 𝑥 𝑊𝑝 − 𝑥
𝑠ℎ ≈ 𝑒𝑡 𝑠ℎ ≈
comme suit : 𝐿𝑝 𝐿𝑝 𝐿𝑛 𝐿𝑛
𝑊𝑝 − 𝑥
𝐿𝑛 𝑉𝐹 𝑉𝐹 𝑊𝑝 − 𝑥
𝑛𝑝 𝑥 − 𝑛𝑝0 = 𝑛𝑝0 𝑒𝑥𝑝 − 1 ⟹ 𝑛𝑝 𝑥 = 𝑛𝑝0 𝑒𝑥𝑝 − 1 + 𝑛𝑝0
𝑊𝑝 𝑉𝑇 𝑉𝑇 𝑊𝑝
𝐿𝑛
𝑊𝑛 − 𝑥
𝐿𝑝 𝑉𝐹 𝑉𝐹 𝑊𝑛 − 𝑥
𝑝𝑛 𝑥 − 𝑝𝑛0 = 𝑝𝑛0 𝑒𝑥𝑝 − 1 ⟹ 𝑝𝑛 𝑥 = 𝑝𝑛0 𝑒𝑥𝑝 − 1 + 𝑝𝑛0
𝑊𝑛 𝑉𝑇 𝑉𝑇 𝑊𝑛
𝐿𝑝
On peut alors considérer qu’il n’y a plus de recombinaison. Les profils des concentrations
sont linéaires.
𝑛𝑝0 𝑉𝐹 𝑝𝑛0 𝑉𝐹 𝑛𝑝0 𝑝𝑛0 𝑉𝐹
𝐽𝑛 = 𝑒𝐷𝑛 𝑒𝑥𝑝 − 1 ; 𝐽𝑝 = 𝑒𝐷𝑝 𝑒𝑥𝑝 − 1 et 𝐽 = (𝑒𝐷𝑛 + 𝑒𝐷𝑝 ) 𝑒𝑥𝑝 − 1 ;
𝑊𝑝 𝑉𝑇 𝑊𝑛 𝑉𝑇 𝑊 𝑝 𝑊 𝑛 𝑉𝑇
40

b) Longueur de diffusion petite : hypothèse de la jonction bande large ou diode longue
𝑊𝑝 𝑊𝑛
C’est la cas où 𝐿𝑛 < 3𝑊𝑝 et 𝐿𝑝 < 3𝑊𝑛 ⟹ 𝑐𝑜𝑡ℎ
≈ 1 𝑒𝑡 𝑐𝑜𝑡ℎ ≈1
𝐿𝑛 𝐿𝑝
𝑊𝑛 1 𝑊𝑛 𝑊𝑝 − 𝑥 1 𝑊𝑝 − 𝑥
𝑠ℎ ≈ 𝑒𝑥𝑝 𝑒𝑡 𝑠ℎ ≈ 𝑒𝑥𝑝
𝐿𝑝 2 𝐿𝑝 𝐿𝑛 2 𝐿𝑛
et les expressions se simplifient à:
𝑊𝑝 𝑉𝐹 𝑊𝑝 − 𝑥
𝑛𝑝 𝑥 = 𝑛𝑝0 . 𝑒𝑥𝑝 𝑒𝑥𝑝 − 1 𝑒𝑥𝑝 + 𝑛𝑝0
𝐿𝑛 𝑉𝑇 𝐿𝑛
𝑊𝑛 𝑉𝐹 𝑊𝑛 − 𝑥
𝑝𝑛 𝑥 = 𝑝𝑛0 . 𝑒𝑥𝑝 𝑒𝑥𝑝 − 1 𝑒𝑥𝑝 + 𝑝𝑛0
𝐿𝑝 𝑉𝑇 𝐿𝑝
Les recombinaisons sont importantes et les profils des concentrations sont exponentiels.
𝑛𝑝0 𝑉𝐹 𝑝 𝑉 𝑛𝑝0 𝑝𝑛0 𝑉𝐹
𝐽𝑛 = 𝑒𝐷𝑛 𝑒𝑥𝑝 − 1 ; 𝐽𝑝 = 𝑒𝐷𝑝 𝑛0 𝑒𝑥𝑝 𝐹 − 1 et 𝐽 = (𝑒𝐷𝑛 + 𝑒𝐷𝑝 ) 𝑒𝑥𝑝 − 1
𝐿𝑛 𝑉𝑇 𝐿𝑝 𝑉𝑇 𝐿𝑛 𝐿𝑝 𝑉𝑇
20
41
 Etude de la polarisation Inverse

Tout le raisonnement effectué reste valable, sauf que VF est négative. Les concentrations en limite
de zone de charge d’espace deviennent inférieures aux concentrations de l’équilibre
thermodynamique, et les pentes étant inversées, les densités de courant sont aussi inversées.
𝑽𝑭 𝐷𝑛 𝑛𝑖2 𝐷𝑝 𝑛𝑖2
𝐼𝐹 = 𝐼𝑆 𝐸𝑥𝑝 −1 avec 𝐼𝑆 = Se +
𝑽𝑻 𝑊𝑝 𝑁𝐴 𝑊𝑁 𝑁𝐷
VF étant négative, L’exponentielle tend très rapidement vers 0, le courant total tend vers –IS .
𝑽𝑭
𝐼𝐹 = 𝐼𝑆 𝐸𝑥𝑝 − 1 ≈ −𝐼𝑆 .
𝑽𝑻
𝐼𝑆 est appelé courant de saturation. Il est très faible de l’ordre de quelques 𝑝𝐴 pour le silicium
et de quelques centaines de 𝑛𝐴 pour le germanium. 𝐼𝑆 dépend du matériau, du dopage des
dimensions des zones quasi neutres et de la température.
42
 Etude de la polarisation Inverse
Toutefois, Lorsque la tension appliquée en inverse augmente, le champ électrique maximum (à la
jonction métallurgique) devient suffisamment fort pour créer deux nouveaux effets :
• Ionisation par impact appelé effet d’avalanche
• Effet Zener
a) effet d’avalanche 𝑒𝑁𝐷 𝑒𝑁𝐴
𝐸𝑚𝑎𝑥 = 𝑥 = 𝑥
𝜀𝑟𝜀0 𝑛 𝜀𝑟𝜀0 𝑝
Nous avons vu que pour une jonction non polarisée,
2𝜀𝑟 𝜀0 𝑁𝐷
𝑥𝑝 = 𝑉
𝑒𝑁𝐴 𝑁𝐴 + 𝑁𝐷 𝐷
.
𝑒𝑁𝐴 2𝜀𝑟 𝜀0 𝑁𝐷 𝑒 2𝜀𝑟 𝜀0 𝑁𝐷 𝑁𝐴
𝐸𝑚𝑎𝑥 = 𝑉 = 𝑉
𝜀𝑟𝜀0 𝑒𝑁𝐴 𝑁𝐴 + 𝑁𝐷 𝐷 𝜀𝑟𝜀0 𝑒 𝑁𝐴 + 𝑁𝐷 𝐷
En polarisation inverse, la jonction est soumise à la tension VD+|VF|. Emax devient donc :
𝑒 2𝜀𝑟 𝜀0 𝑁𝐷 𝑁𝐴
𝐸𝑚𝑎𝑥 = (𝑉 +|𝑉𝐹|)
𝜀𝑟𝜀0 𝑒 𝑁𝐴 + 𝑁𝐷 𝐷
21
43
a) effet d’avalanche
Lorsque la tension de polarisation inverse augmente, le Champ électrique peut devenir très élevé.
2𝜀𝑟 𝜀0 1 1
Par ailleurs, la largeur de la ZCE de la jonction qui était de 𝑊 = + 𝑉𝐷 croit et
𝑒 𝑁𝐴 𝑁𝐷
2𝜀𝑟 𝜀0 1 1
devient 𝑊 = + (𝑉𝐷 +|𝑉𝐹|).
𝑒 𝑁𝐴 𝑁𝐷
Dans une zone de champ électrique élevé́ (autour de 300kV/cm pour le silicium) et suffisamment
étendu (sur une distance d’au moins 100Å) un porteur (électron ou trou) accélèré par ce champ peut
acquérir suffisamment d’énergie pour casser une liaison entre atomes du réseau cristallin et de ce
fait créer une paire électron-trou.
les nouveaux électrons sont aussi accélérés par le champ et peuvent à leur tour créer une nouvelle
paire, et ainsi de suite. Ce phénomène est appelé́ avalanche par multiplication par impact. Il peut
être contrôlé en ajustant les dopages et donc la valeur du champ électrique dans la zone de charge
d’espace.
44
Le cristal devient alors conducteur et, la tension de polarisation inverse et par conséquent le
champ électrique, n'augmente plus. Le courant qui traverse alors le semi-conducteur est très fort.
La tension VC à partir de laquelle survient l’effet d’avalanche est appelée tension de claquage.
b. Effet Zener
Dans le cas où l’étendue de la zone de fort champ électrique est plus faible que dans le cas
précèdent (inferieure à 100 Å), le champ électrique peut être plus élevé́ sans générer une
ionisation par impact. Mais lorsque le champ atteint 1MV/cm, il y a alors rupture des liaisons
par effet tunnel entre atomes voisins et donc émission d’une paire é́ lectron-trou. Le nombre de
paires peut croître très fortement et les courants générés aussi.
Dans les diodes au silicium la transition effet Zener-effet d’avalanche se produit pour des
tensions autour de 6V. Cette transition dépendant des niveaux de dopage des deux couches N et
P. Les faibles tensions correspondent à l’effet Zener pur, les fortes à l’avalanche.
Expérimentalement, les deux effets dépendent différemment de la température.
22
45
1. Jonction PN  Caractéristique de la jonction PN
 Caractéristique Théorique
Dans tous les cas ( jonctions longue et courte), nous avons vu que le courant total traversant la
𝑽𝑭
jonction est de la forme: 𝐼𝐹 = 𝐼𝑆 𝑬𝒙𝒑 − 1 , mais lorsque la tension de polarisation inverse
𝑽𝑻
atteint la tension Vc de claquage, l’effet d’avalanche intervient, IF devient important et VF

constant.
La courbe donnant le courant 𝐼𝑑 traversant la jonction en fonction de la tension 𝑉𝑑 appliquée à
celle-ci est appelée caractéristique de la jonction. Les conventions d’orientation sont les
suivantes:
Id
P N
Vd
46
1. Jonction PN  Caractéristique théorique
 Caractéristique réelle
La caractéristique d’une jonction PN a donc l’allure suivante:
Id
Région directe
ou Forward
𝑽𝒅 𝑽𝒅
Claquage 𝐼𝑑 =𝐼𝑆 𝑬𝒙𝒑 − 1 ≈ 𝐼𝑆 𝑬𝒙𝒑
𝑽𝑻 𝑽𝑻
VC
IS Vd
V0
𝐼𝑑 ≈ −𝐼𝑆 Seuil ou coude généralement 0,7 ou 0,3 V
Région inverse
ou Reverse
23
47
1. Jonction PN  Caractéristique réelle
𝑉𝑑 𝑉𝑑
Nous avons vu que dans la région directe, 𝐼𝑑 ≈ 𝐼𝑆 𝐸𝑥𝑝 , Soit 𝑙𝑛 𝐼𝑑 = + 𝑙𝑛 𝐼𝑆 .
𝑉𝑇 𝑉𝑇
Cependant, si l'on trace expérimentalement la caractéristique 𝑙𝑛 𝐼𝑑 = 𝑓(𝑉𝑑 ) pour une

𝟏
diode au Silicium on constate que la pente de cette caractéristique n’est pas comme on
𝑽𝑻
𝟏
pourrait s'y attendre, mais voisine de . Ceci, est du au phénomène de génération et
𝟐𝑽𝑻
recombinaison des porteurs injectés dans la ZCE.
D'autre part, le courant de saturation inverse est sensiblement plus important que celui
obtenu par l'expression précédente. Ceci est dû au courant de thermo génération dans la
ZCE et au courant de fuite à la surface dû à la différence des structures à l’intérieure et à
l’extérieure du cristal.
48
Enfin on constate une courbure de la caractéristique pour des courants importants. Cette
courbure est due à la chute de tension dans la résistance série de la diode. En effet, les
régions quasi neutres présentent chacune une résistance qui provoquent des chutes de
tension pour des courants importants. Ce qui fait que la tension aux bornes de la jonction est
inférieure à la tension de polarisation. Ces résistances sont en série avec la jonction.
Toutefois, pour des courants importants, ces résistances diminuent à cause du nombre élevé
des électrons et des trous. La caractéristique réelle courant tension de la jonction
extrinsèque est donc : 𝑉𝑑 − 𝑟𝑠 𝐼𝑑
𝐼𝑑 = 𝐼𝑆 𝐸𝑥𝑝 −1
𝑉𝑇
𝑟𝑠 est la somme des résistances séries des régions quasi neutres. Les valeurs typiques de 𝑟𝑠
vont de quelques Ohms à quelques centaines d’Ohms. Cette caractéristique à l’allure
suivante :
24
49
𝑉𝑑
Zone 1 : courant de recombinaison pour 0 ≤ 𝑉𝐷 ≤ 0,4 𝑉 (silicium). 𝐼𝑑 ∝ 𝐸𝑥𝑝 2𝑉𝑇
Zone 2 : courant de diffusion des porteurs prépondérant pour 𝑉𝐷 > 0,4 𝑉 . 𝐼 ∝ 𝐸𝑥𝑝 𝑉𝑑
𝑑 𝑉𝑇
Zone 3 : courant ID important à cause du phénomène de forte injection des porteurs.
Zone 4 : influence des contacts ohmiques et chutes de tension associées (coefficient de température
positif dans cette zone).
Zone 5 : continuité mathématique de la zone 2.
Zone 6 : courant en inverse IS (double en valeur approximativement tous les 10°C).
Zone 7 : phénomène d’avalanche ayant deux causes possibles
50
𝑉𝑑 −𝑟𝑠 𝐼𝑑
L’équation 𝐼𝑑 = 𝐼𝑆 𝐸𝑥𝑝 − 1 est difficile à manipuler. En plus, elle ne tient pas
𝑉𝑇
compte de l’effet du courant de recombinaison dans la jonction. On lui préfère la formule
𝑉𝑑
empirique suivante: 𝐼𝑑 = 𝐼𝑆 𝐸𝑥𝑝 −1 ;
𝜂𝑉𝑇
𝜼 est appelé coefficient empirique d’ajustement. Il prend une valeur comprise entre 1 et 2
selon la diode. Il tient compte de la résistance série et du courant de recombinaison. Le
courant de thermo génération et le courant de fuite sont pris en compte dans 𝐼𝑆 .
25
51
1. Jonction PN  Etude dynamique de la jonction PN
 Résistance différentielle ou résistance dynamique

𝑽𝒅
Nous avons vu que le courant traversant la diode a pour expression : 𝐼𝑑 = 𝐼𝑆 𝑬𝒙𝒑 −1
𝜼𝑽𝑻
Dès que la polarisation est supérieure à 3𝑉𝑇 , le terme exponentiel est très supérieur à 1 qui devient
négligeable. Le courant total s’exprime donc par : 𝑉𝑑
𝐼𝑑 = 𝐼𝑆 𝐸𝑥𝑝
𝜂𝑉𝑇
La caractéristique de la jonction PN représentée ci-contre est alors
purement exponentielle. En un point de cette caractéristique, la pente
se calcule par dérivation : 𝑑𝐼𝑑 1 𝑉𝑑 𝐼𝑑
= 𝐼 𝐸𝑥𝑝 =
𝑑𝑉𝑑 𝜂𝑉𝑇 𝑆 𝜂𝑉𝑇 𝜂𝑉𝑇
La pente de la caractéristique est l’inverse d’une résistance 𝑟𝑑 ( ou 𝑟𝑓 ) appelée résistance

différentielle et qui ne dépend que de la polarisation de la jonction et du potentiel thermodynamique.
𝜂𝑉𝑇 26𝜂 26
𝑟𝑑 = 𝑟𝑑 = Si 𝜂=1, 𝑟𝑑 =
𝐼𝑑 𝐼𝑑 𝑚𝐴 𝐼𝑑 𝑚𝐴
52
 Résistance différentielle ou résistance dynamique
On définit de façon analogue une résistance différentielle 𝑟𝑖 (ou 𝑟𝑟 en anglais) pour une jonction
polarisée en inverse par :
1 𝑑𝐼𝑑 1 𝑉𝑑 𝐼𝑑 + 𝐼𝑆 𝜂𝑉𝑇
= = 𝐼 𝐸𝑥𝑝 = ⟹ 𝑟𝑟 =
𝑟𝑟 𝑑𝑉𝑑 𝜂𝑉𝑇 𝑆 𝜂𝑉𝑇 𝜂𝑉𝑇 𝐼𝑑 + 𝐼𝑆
Dès que la polarisation est inférieure à -3𝑉𝑇 , 𝐼𝑑 ≈ −𝐼𝑆 et 𝑟𝑟 devient très

élevée.
𝐼𝑆 étant très faible (de l’ordre de quelques 𝑝𝐴 pour le silicium et de quelques centaines de 𝑛𝐴 pour
le germanium) 𝑟𝑟 est supérieure aux dizaines de MΩ.
26
53
 Capacité de transition
Lorsqu’une jonction PN est polarisée en inverse par une tension Vd , la ZCE est soumise à
la tension(VD+ |Vd|). Elle peut être peut considérée comme un condensateur plan d’épaisseur
W, d’aire S égale à la section du cristal et de constante diélectrique 𝜀 . La capacité de ce
condensateur est appelée capacité de diffusion et s’exprime par :
𝜀𝑆 𝜀𝑟 𝜀0 𝑆 𝐶𝑇0 𝜀𝑟 𝜀0 𝑆
𝐶𝑇 = = = avec 𝐶𝑇0 =
𝑊 2𝜀𝑟 𝜀0 1 1 𝑉𝑑 2𝜀𝑟 𝜀0 1 1
+ (𝑉𝐷 + 𝑉𝑑 ) 1+ + 𝑉
𝑒 𝑁𝐴 𝑁𝐷 𝑉𝐷 𝑒 𝑁𝐴 𝑁𝐷 𝐷
Cette capacité varie en |𝑉𝑑 |−1/2. Elle diminue avec 𝑉𝑑 Une application typique de cette
propriété́ est la diode varicap ou varactor utilisée comme capacité́ variable commandée par
la tension de polarisation 𝑉𝑑 .
54
 Capacité de diffusion ou de stockage
Lorsqu'une jonction PN est polarisée en directe, après la diffusion des porteurs de part et d’autres de
la ZCE, Le phénomène de recombinaison locale n'est pas instantané́ . En effet, les électrons injectés
dans la zone P ( et vis versa les trous dans la zone N) se recombinent avec les trous présents après
un temps moyen 𝜏𝑛 : durée de vie des électrons (ordre de la nanoseconde).
Il y a donc toujours, de part et d'autre de la Z.C.E., une charge positive dans la Zone N et une
charge négative dans la zone P, composée de porteurs non recombinés. Ceci est équivalent à la
présence d'une capacité́ dite capacité́ de diffusion Cd. On montre que cette capacité est
proportionnelle au courant direct Id de la jonction et vaut :
𝑑𝐼 𝜏𝑛 𝜂𝑉𝑇 𝜏𝑛 𝐼𝑑
𝐶𝑑 = 𝜏𝑛 = avec 𝑟𝑑 = Donc, 𝐶𝑑 = , 𝜏𝑛 = Durée de vie des
𝑑𝑉 𝑟𝑑 𝐼𝑑 𝜂𝑉𝑇
électrons libres.
27
55
1. Jonction PN  Diodes et application de diodes
 Diode
Une jonction PN unique munie des électrodes de connexion est appelée diode. L’électrode reliée au
substrat P est appelée anode et celle reliée au substrat N est appelée cathode. La cathode de la diode
est repérée par la lettre K sur le dessin ci-dessous et en général par une bague de couleur sur le
composant. La diode simple est représentée par le symbole ci-dessous:
P N
Contacts métalliques et Id
fils conducteurs Vd
Anode (A) Cathode (K)
56
 Point de fonctionnement
 Comment déterminer la tension aux bornes d’une diode insérée dans un circuit et le
courant qui la traverse?
Id
Val Vd Id , Vd, ?
RL VR
 Id et Vd respectent les Lois de Kirchhoff
 Id et Vd sont sur la caractéristique I(V) du composant
 Au point de fonctionnement de la diode, (Id,Vd) remplissent ces deux conditions
56
28
57
Val  Vd
 Loi de Kirchhoff :   I d  = Droite de charge de la diode dans le circuit
RL
Caractéristique I(V)
Id
Val/RL
Q
IQ Q= Point de fonctionnement
« Droite de charge »
Vd
VQ Val
 Connaissant Id (Vd) on peut déterminer graphiquement le point de fonctionnement

 procédure valable quelque soit la caractéristique I(V) du composant !
57
58
 Diodes et application de diodes
1. Jonction PN
 Etude statique / dynamique d’un circuit
Etude statique
Cette étude se limite au calcul des valeurs moyennes des grandeurs électriques (ou composantes
continues, ou encore composantes statiques). Elle n’est complète que si seules des sources
statiques sont présentes dans le circuit.
Etude dynamique
Elle ne concerne que les composantes variables des tensions et courants (ou “signaux”
électriques, ou encore composantes alternatives (AC) ) . Elle n’a d’intérêt que s’il y a des sources
variables dans le circuit.
Notation : lettres majuscules pour les composantes continues.
lettres minuscules pour les composantes variables.
29
59
1. Jonction PN

Illustration : Etude de la tension aux bornes d’un composant inséré dans un circuit.
R1
hypothèses: ve = signal sinusoïdal, à valeur moyenne nulle
ve VE = source statique
R2 V(t)=V+v(t)
VE
Calcul complet
V t  
R2
VE  ve t   R2 VE  R2 ve t 
R1  R2 R1  R2 R1  R2
V v(t)
Principe de superposition :
 Comme tous les composants sont linéaires, le principe de superposition s’applique
 la source statique VE est à l’origine de V , et ve est à l’origine de v
60
 Etude dynamique de la jonction PN
1. Jonction PN

R1
Analyse statique :
R2
ve  0 VE V V  VE
R2 R1  R2
“schéma statique” du circuit
• En statique, une source de tension variable à valeur moyenne nulle correspond à un court-
circuit
R1
Analyse dynamique : DVE = 0
R2
ve vt   ve t 
R2 v R1  R2
“schéma dynamique”
• Une source de tension statique correspond à un “court-circuit dynamique”

60
30
61
1. Jonction PN
 Le principe de superposition n’est plus valable en présence de composants non-linéaires !
Hypothèse:
Le courant qui traverse la diode ID a une composante continue ID0 et une composante alternative
id : ID= ID0 + id
La tension aux bornes la diode VD a une composante continue VD0 et une composante alternative
vd : VD= VD0 + vd
Le point de de fonctionnement Q (VD0 , ID0) est au milieu d’une section linéaire assez large de la
caractéristique de diode.
On peut “calculer” le point de fonctionnement d’une diode en la décrivant par un modèle

simplifié.
62
 Modèles de la diode
En effet, une diode présente une caractéristique non linéaire . En dynamique, elle présente
deux types de capacités suivant qu'elle est polarisée en inverse ou en direct: une capacité́ de
transition en inverse et une capacité́ de diffusion en direct.
Elle présentera donc un comportement fortement non linéaire et l’étude analytique ne pourra
se faire qu'au moyen d'approximations linéaires par morceaux appelées modèles. Le modèle
est approximation de la réalité qu’il traduira avec une certaine fidélité.
31
63
1. Jonction PN
Extrapolations possibles:
 le point de fonctionnement reste dans un des domaines de linéarité du composant non-

linéaire.
 les amplitudes de id et de vd restent suffisamment faibles ( petits signaux) pour que le

comportement du composant reste approximativement linéaire.
les fréquences des composantes alternatives id et de vd restent suffisamment basses pour

que les influences des capacités de transition et de diffusion restent négligeables.
 Ce sont les hypothèses du “modèle linéaire petits signaux” de la diode
64
 Modèles de diode
Il y’a différents modèles selon le but poursuivi :

• Les modèles statiques pour l’étude en régime continu (statique):
• Les modèles larges signaux pour l’étude en régime larges signaux ( signaux analogiques de
grandes amplitudes);
• Les modèles dynamiques ou petits signaux pour l’étude des signaux analogiques de petites
amplitudes ;
• Les modèles dynamiques hautes fréquences pour l’étude des circuits en hautes fréquences.
Les modèles linéaires sont composés exclusivement d’éléments linéaires ( générateurs de tension
ou de courants idéaux, circuits ouverts, courts circuits, …) . Chaque modèle ne comporte que des
éléments pertinents pour le régime considéré. Les modèles sont représentés sous forme graphique,
analytique ou de schéma équivalent.
32
65
 Modèles statiques de la diode

Il y’a trois modèles statiques: le modèle idéal, le modèle à seuil et le modèle linéarisé.
 Modèle idéal Id
 Vd= 0 pour Id ≥0 Id
Id= 0 pour Vd ≤0 Vd Vd
pas de tension seuil
 conducteur parfait sous polarisation directe
Vd ≤ 0: circuit ouvert
Ri diode “passante”
 Schémas équivalents :
Id
pente=1/Ri  Id  0
Val
V
Val >0 Vd I d  al , Vd  0
Ri
Ri Val
Val Id diode “bloquée”

Ri
 Vd  0
Val< 0 Vd Val
I d  0, Vd  Val
Val
66
1. Jonction PN  Modèles de la diode
Modèle à seuil
  Vd= V0 pour Id ≥0
 tension seuil Vo non nulle Id  Id= 0 pour Vd ≤ V0
Id
 caractéristique directe verticale
Vd
(pas de “résistance série”) Vd
 Vd < V0 : circuit ouvert
Vo
 Pour une diode en Si: Vo  0,6 ou 0,7 V
schémas équivalents :
 Schémas équivalents Ri diode “passante”
Id
pente=1/Ri  Id  0
Val Vo
Val >Vo Vd V  Vo
I d  al , Vd  Vo
Ri Vo Val Ri
Val Id Ri
diode “bloquée”
Val  Vd  Vo
Val<Vo Vd
Val I d  0, Vd  Val
33
67
1. Jonction PN  Modèles de la diode
 Modèle linéarisé Caractéristique réelle

pente = 1/Rf
Id
 tension seuil Vo non nulle
 résistance directe Rf ( Rd) non nulle Vd pente = 1/Rr~0 Modélisation
 Vd <0: résistance Rr finie
Pour une diode en silicium, Vo = 0,6-

Vd
0.7V, Rf ~ q.q. 10W, Rr >> MW, -2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 1
Vo
Rf est appelée résistance dynamique Moyenne ou résistance dynamique larges signaux. Elle est
déterminée par la pente moyenne de la partie utilisée de la caractéristique directe. ∆𝑉𝑑
 Schémas equivalents 𝑅𝑓 =
∆𝐼 𝑑
Id schémas équivalents :
Val >Vo : pente=1/Ri
Ri Vo
diode passante
Vd Val Vd Id
Vo Val
Rf  I d  0 et Vd  Vo
Id
Ri 𝑉𝑑 = 𝑉0 + 𝑅𝑓𝐼𝐷
Val <Vo :
Vd diode bloquée
Val
Val Rr
 Vd  Vo
68
Remarques :
𝑉𝑑
 𝑅𝐷 = = resistance statique équivalente de la diode
𝐼𝑑
 𝑅𝑓 ≠ 𝑅𝐷
 Le choix du modèle dépend de la précision requise.
 Les effets secondaires (influence de la température, non-linéarité de la
caractéristique inverse, ….) sont pris en compte par des modèles plus évolués
(modèles utilisés dans les simulateurs de circuit de type SPICE).
34
69
1. Jonction PN
• Calcul du point de fonctionnement via l’utilisation des schémas équivalents :
Problème: le schéma dépend de l’état (passante ou bloquée) de la diode.
Démarche 1
a) choisir un schéma (ou état) en vous aidant de la droite de charge
b) trouver le point de fonctionnement Q de la diode
c) vérifier la cohérence du résultat avec l’hypothèse de départ
S’il y a contradiction, il y a eu erreur sur l’état supposé de la diode.

Recommencer le calcul avec l’autre schéma.
Démarche 2
Un coup d’œil attentif suffit pour trouver l’état (passant/bloqué) de la diode !
Le calcul de Q se fait tout de suite avec le bon schéma équivalent...
70
1. Jonction PN
• Calcul du point de fonctionnement via l’utilisation des schémas équivalents :
Exemple : Calcul de Q du circuit suivant, en utilisant le modèle linéarisé
hypothèse initiale : diode passante [Vd >Vo , (Id>0)]

>
Val = 5V RL= Vd OK!
1kW
Vo Rf V  Vo
Id   I d  al  4,33mA
Informations sur la diode: > R f  RL
Vo = 0.6V ( Si) 5V 1kW et Vd  Vo  R f I d  0,66V
Rf = 15W
Rr =1MW
En partant de l’hypothèse d’une diode bloquée:  Vd  5V  Vo 
En utilisant le modèle à seuil : (Rf = 0, Rr = )   I d  4,4mA et Vd  0,6V
 Le modèle à seuil . est souvent suffisant pour une étude qualitative du fonctionnement d’un circuit
35
71
1. Jonction PN
• Modèle petits signaux (basses fréquences)
hypothèse: variation suffisamment lente (basse fréquence) pour que la caractéristique “statique” reste
valable.
 Variation de faible amplitude autour du point de fonctionnement statique Q :

 la caractéristique Id(Vd) peut être approximée par la tangente en Q
pente : dI d
 id   vd
dI d dVd Q
Id dVd Q
schéma equivalent dynamique
correspondant au point Q :
I dQ 2|id| Q
1
Vd dI d
 = “résistance dynamique”
dVd Q
Vo de la diode
2| v|
VdQ
 Ce schéma ne peut être utilisé QUE pour une analyse dynamique du circuit !
72
1. Jonction PN
1
 Notation : dI d
rf = = résistance dynamique pour VdQ> 0
dVd V  0
d
1
dI d
rr = = résistance dynamique pour V dQ < 0
dVd V  0
d
 Pour Vd >> Vo, rf  Rf

1
1   Vd 
 VT 

dI d VT
 Pour Vd  [0, ~Vo] ,r f  d  s
I e  I s  
dVd  dVd   Id
Vd   
 Pour Vd < 0 , rr  Rr
26
 à température ambiante : rf = Ω (𝑝𝑜𝑢𝑟 𝜂 = 1)
𝐼𝑑 (𝑚𝐴)
 proche de Vo la caractéristique I(V) s’écarte de la loi exponentielle
 rf ne devient jamais inférieure à Rf
36
73
1. Jonction PN
Exemple :
diode: Si, Rf = 10W , Vo = 0,6V ,
Rb Temperature : 300K
1kW C 2kW
5V Ve
Ra 10µF D 
ve  0,1  sin 103  2  t 
ve Vd(t)
5  0,6
Analyse statique : ID   2,2mA, VD  0,62V
2000
26
Analyse dynamique : rf   12W, Z c  16W  Ra
2,2
Schéma dynamique :
2kW

 vd  1,2  103 sin 103  2  t 
1kW
 Amplitude des ondulations résiduelles : 1,2 mV
vd
ve ~ 12W
74
1. Jonction PN
Modèle haute fréquence de la jonction PN
 Limitation à haute fréquence :
Pour des raisons physiques, le courant Id ne peut suivre les variations instantanées de Vd
au delà d’une certaine fréquence.
 apparition d’un déphasage entre Id et Vd
 le modèle dynamique basse fréquence n’est plus valable
 Le temps de réponse de la diode dépend :
 du sens de variation (passant bloqué, bloqué passant) (signaux de grande amplitude)
 du point de fonctionnement statique (pour des petites variations)
37
75
1. Jonction PN
Modèle haute fréquence de la jonction PN
Nous avons vu qu’en hautes fréquences, la jonction PN présente deux types de capacités
suivant qu'elle soit polarisée en inverse ou en direct: une capacité́ de transition en inverse et
une capacité́ de diffusion en direct. En haute fréquence, La diode possède deux schémas
équivalents :
Ordre de grandeur : Cd ~ 40 nF à 1mA, 300K.
𝐶𝑇 CT : Ordre de grandeur : ~pF

𝐶𝑑 𝑟𝑑 𝑟𝑖
Diode polarisée en directe Diode polarisée en inverse
76
1. Jonction PN
suite de l’exemple précédent…: A quelle fréquence la capacité dynamique commence-t-elle à

5V influencer la tension vd ?
Rb
1kW C 2kW Id = 2,2mA  Cdiff ~100nF
Ra 10µF D
ve Vd(t)
Schéma dynamique en tenant compte de Cdiff : (hyp simplificatrice: rc ~0)
1kW rth ~11W

v v
~ 12W
ve Cdiff vth Cdiff = « filtre » passe-bas
 v 
log 
-3dB
 vth 
log f
f  1  130kHz
2rthCdiff
38
77
1. Jonction PN  limites de fonctionnement
Dans le plan I = 𝐼(𝑉) d'un dipôle il existe en général, dans chaque cadran, trois
limites absolues :
• le courant maximum qu'un dipôle peut admettre,
• la tension maximale à ses bornes liée généralement au phénomène de claquage,
• la puissance dissipable par le dipôle qui, est représentée par l'hyperbole de

dissipation maximale d’équation Pmax=I.V.
78
Pour une diode, deux limites interviendront essentiellement du fait de la forme de la

caractéristique.
• En direct : limite de courant liée à la densité́ de courant admissible au niveau de la

jonction. celle-ci est typiquement de l'ordre de 100 A/cm2. Un dépassement de cette
limite conduit généralement à une destruction de la jonction.
• En inverse : limite en tension ou limite en puissance : C'est le phénomène de

claquage qui se traduit par une augmentation rapide du courant inverse.
39
79
La puissance maximale susceptible d’être dissipée par la jonction PN d’une diode est limitée par la
température maximale Tjmax qu’elle peut supporter sans subir des changements irréversibles dans sa
structure. La température Tj de la jonction PN de la diode dépend de la température ambiante Ta et de la
puissance électrique P=VDOIDO qui se transforme en chaleur dans la diode.
Si Tj >Ta , la diode commence a dissiper sa chaleur par convection, rayonnement et thermoconduction. Le

refroidissement et la puissance dissipée croit avec la différence (Tj-Ta). Vient un moment où la
puissance dissipée devient égale à la puissance électrique P. A partir de ce moment, Tj devient constante.
Cet état d’équilibre se caractérise par l’équation:
𝑇𝑗 −𝑇𝑎
𝑃 = 𝑉𝐷0 𝐼𝐷0 = . Le facteur 𝑅𝑡ℎ s’appelle résistance thermique de la diode. Il est liée à la
𝑅𝑡ℎ
construction de la diode. Il caractérise la capacité de la diode à se refroidir. Pour augmenter 𝑅𝑡ℎ , il faut
augmenter la surface de la diode, choisir une couleur plus foncée pour son boitier, la monter sur un
𝑇𝑗𝑚𝑎𝑥 −𝑇𝑎
radiateur. Tjamx et Pmax sont liées par l’équation suivante :𝑃𝑚𝑎𝑥 = . Pour une diode au silicium,
𝑅𝑡ℎ
Tjmax varie entre 150 et 200˚C.
80
 Zone de claquage inverse Id

Ordre de grandeur :
VdId=Pmax
Vmax = quelques dizaines de Volts Vmax
Vo Vd
 peut conduire à la destruction pour une
diode non conçue pour fonctionner dans
cette zone.
 Vmax = « P.I. V » (Peak Inverse Voltage) ou claquage par effet

« P.R.V » (Peak Reverse Voltage) Zener ou Avalanche
 Limitation en puissance
Il faut que VdId<Pmax
40
81
1. Jonction PN  Diode en « commutation »
Temps de recouvrement direct et inverse
En « mode impulsionnel », un temps de réponse fini de la diode s’observe lorsque la diode bascule
d’un état passant vers un état bloqué et vice-versa.
VQ Vg
Vo t
R -VR
Vo Vd
Vd
Vg
-VR
Id
temps de réponse t fr (forward recovery time)
(VQ-Vo)/R
-VR/R t rr (reverse recovery time)
 le temps de réponse dépend du courant avant commutation et de la technologie utilisée pour fabriquer la jonction.
 ordre de grandeur : de quelques picosecondes à quelques nanosecondes. C’est ce temps qui limite l’utilisation de
la diode en fréquence : f≤1 ൗt fr
Chap. II : Jonction PN-diodes à jonction 81

Electronique fondamentale-EAC-SEI 2023 V1.0
82
1. Jonction PN Quelques Diodes spéciales
2.6.1 Diode Zener
 Diode conçue pour fonctionner dans la zone de claquage inverse, caractérisée par une
tension seuil négative ou « tension Zener » (VZ)
 Caractéristiques
VZ : tension Zener (par définition: VZ >0)
Id
Imin : courant minimal (en valeur absolue) au delà
-Vz Vd duquel commence le domaine linéaire “Zener”
-Imin
Imax : courant max. supporté par la diode
(puissance max:Pmax ~VZImax)
-Imax
Ordre de grandeur : VZ ~1-100 V , Imin ~0,01- 0,1mA, Pmax  régime de fonctionnement

82
41
83
Diode Zener  Modèle statique :

schémas équivalents
hyp : Q  domaine Zener +
Rz Id
Vd  
Id Id
Vz Rz
+
-Vz Vd
-Imin
Q  Modèle dynamique, basses fréquences, faibles
pente signaux :
1/Rz
1
 dI 
-Imax rz   d   Rz pour |Id| >Imin
 dVd Q 
 

83
84
La diode électroluminescente DEL (LED)
 Principe : La circulation du courant provoque la luminescence

La diode électroluminescente ou DEL (LED en Anglais (Light Emitting Diode)) est une diode
dopée spécialement pour qu’elle émette un rayonnement de lumière visible ou non lorsqu’elle
est traversée par un courant dans le sens direct. La tension directe d’environ 1,2V à 4,5V dépend
des matériaux utilisés
Elle se présente sous divers boitiers, dimensions, couleurs et intensité de l’émission de lumière.
L’émission de photons du rayonnement est due à la recombinaison d’une paire électron –trou
dans la zone de déplétion.
 Fonctionnement sous polarisation directe (V > Vo)
 L’intensité lumineuse  courant électrique Id
 Ne marche pas avec le Si

 Vo  0.7V ! (AsGa: ~1.3V)
42
85
Les Photodiodes
 Principe :
La jonction PN est mise en conduction par génération lumineuse apportée par un faisceau
de photons d’énergie suffisante pour créer des porteurs. Les paires électron trou sont
discriminées par le champ électrique de la zone de charge d’espace. Les porteurs sont alors
drainés vers le circuit extérieur. La lumière est alors convertie en courant. L’application la
plus connue est la cellule photovoltaïque. Il faudra optimiser la capture des photons et la
récupération des porteurs de charge pour obtenir un rendement de conversion acceptable.
86
L’optocoupleur
 Principe :
C’est l’association d’une LED et d’une photodiode dans un même boîtier. La LED est à l’entrée et
la photodiode à la sortie. Le rayonnement produit par la LED agit sur la photodiode . L’avantage
essentiel de l’optocoupleur est l’isolation électrique entre l’entrée et la sortie.
43
87
Diodes varicap
 Principe :
Nous avons vu que la capacité de transition varie en |𝑉𝑑 |−1/2. Les diodes varicap sont des
diodes dans lesquelles cette propriété est optimisée par le choix de dopage. Ces diodes sont
par exemple utilisées dans les oscillateurs pour commander une fréquence à partir d’une
différence de potentiel.
La diode varicap (de l'anglais variable capacity) est donc une diode utilisée comme
condensateur variable lorsqu’elle est polarisée en inverse.
Aspect de la variation de
capacité en fonction de la
tension.
88
Diode tunnel (Esaki)

 Principe :
Ces diodes sont fabriquées à partir de jonctions PN très dopées des deux cotés. Le passage
des porteurs peut se produire à travers la barrière de potentiel qui devient extrêmement fine.
A très faible polarisation, la conduction tunnel est possible : dès que la polarisation atteint
une tension de l’ordre de 100mV, le décalage des bandes d’énergie est suffisant pour
bloquer le phénomène tunnel. La diode retrouve sa caractéristique typique en loi
exponentielle. Ainsi, il se crée entre les deux régimes une zone à pente négative qui est
exploitée dans les oscillateurs à très haute fréquence.
Exemple de diode tunnel : 1N3712 à 1N3721.
44
89
Diode Schottky
 Principe :
Elle est constituée d’une jonction métal - semi-conducteur (au lieu d'une jonction PN
comme dans le cas des diodes standards). Elle est caractérisée par une tension de seuil
directe plus faible que la diode standard ( entre 0,15 et 0,45V) et un temps de commutation
très court. Cette caractéristique la prédestine à la détection de signaux faibles en hautes
fréquences et hyperfréquences. Elle est aussi utilisée pour le redressement de tensions
alternatives dans les alimentations pour améliorer le rendement en diminuant les pertes
dans les diodes (redressement de puissance). Elle est utilisable jusqu’à 50 GHz.
La variation de la tension de seuil directe en fonction de la température est plus faible que
dans le cas de la diode PN.
Dans le sens inverse, le courant inverse est plus important que celui de la diode PN et est
fonction de la tension inverse.
90
Diode Pin
 Principe :
Une diode PIN (de l’anglais Positive Intrinsic Negative diode) est une diode qui contient entre ses
zones de jonction de type P et de type N une zone quasi intrinsèque (type « I » d’où le nom de diode
P-I-N). Cette zone intrinsèque est non dopée (ou très faiblement) et contient la zone de déplétion
( ZCE) de la jonction PN.
La diode PIN polarisée :
• en inverse, présente des capacités extrêmement faibles et des tensions de claquage élevées,
• en direct, la zone de type « I » augmente la résistance interne qui dépend du nombre de porteurs et
diminue quand le courant augmente. On obtient ainsi une résistance (alternative) variable contrôlée
par une intensité́ (continue).
Cette diode peut être utilisée en :
• redressement de fortes tensions,
• commutation HF, UHF (faible capacité́ inverse),
• atténuateur variable (contrôlé́ par un courant de commande continu).
La diode PIN permet d’obtenir des isolations entre deux états de l’ordre 40db (et plus).
45
91
Diode GUNN
 Principe :
Ce type de diode est utilisé dans le domaine de la supra haute fréquence.
La diode GUN n’est pas constituée comme une diode classique de 2

régions semi-conductrices mais de trois régions. Les 2 régions
raccordées aux connexions extérieures sont fortement dopées N+++ tandis
que la région centrale très fine est faiblement dopée N.
L’Arséniure de Gallium (semi-conducteur) est largement utilisé pour la
diode Gunn.
L’effet Gunn fait apparaitre une zone de résistance dynamique négative

mise à profit dans les oscillateurs Supra haute fréquence (à partir de
10GHz) en injectant un courant d’une intensité́ convenable.
92
Diode Transil
 Principe :
Une diode Transil est une diode de suppression de tensions

transitoires ou en anglais transient-voltage-suppression (TVS).
C’est est un composant de protection de type parasurtenseur.
Elle utilise le même effet d’avalanche que la diode Zener. Son
temps de réponse est très faible (quelques centaines de
picosecondes). Elle est capable de laisser passer des courants
pouvant aller jusqu'à quelques centaines d'ampères crête.
Il existe deux versions :
•Unidirectionnelle: passante dans un sens, écrêteuse dans

l'autre;
• bidirectionnelles: écrêteuse dans les deux sens.
46
93
Applications des diodes
Fonction logique à diode
Fonction « OU »
On suppose que toute tension supérieure à 3 V est assimilée à un « 1 » logique et toute tension
inférieure à 1V est assimilée à un zéro logique. Dressez la table de vérité du circuit suivant :
+5V +5V
R a b S
0 0
a
0 1
b S
1 1
1 0
0V
94
Fonction logique à diode
Fonction « OU »
On suppose que toute tension supérieure à 3 V est assimilée à un « 1 » logique et toute tension
inférieure à 1V est assimilée à un zéro logique. Dressez la table de vérité du circuit suivant :
+5V
a b S
a S
0 0
0 1
b
1 1
R
1 0
0V
47
95
Alimentation
 Objectif: Transformer un signal alternatif en tension continue stable
(ex: pour l’alimentation d’un appareil en tension continue à partir du secteur)
Les fonctions effectuée par une alimentation :
Redressement Filtrage passe-bas Régulation
V>0
V<0
96
Redressement simple alternance

Vs  Vm  0.7
220V
50Hz Vs Rc
t
Ri =résistance de sortie du transformateur
Vm =amplitude du signal du secondaire
Redressement double alternance (pont de Graetz)
R
D1 Vs V
,i ~1.4V
D2
Vi Vs Rc
t
D3 D4 Vi  1.4V
48
97
avec filtrage : 50 W
R
D1 D2
Rc=10kW
Vi Vs
200µF
D3 D4
ondulation résiduelle
Charge du condensateur à travers R

et décharge à travers Rc
 RC << RcC
sans condensateur Régulation: utilisation d’une diode Zener (cf TD, TP

avec condensateur et chapitre sur les transistors)
98
Autres configurations possibles :

 Utilisation d’un transformateur à point milieu :
 mauvais rendement, puisqu’à

chaque instant seule la moitié du
secteur
~ bobinage secondaire est utilisé
transformateur à
point milieu
 Alimentation symétrique :
+Val
secteur
~ masse
-Val
49
99
Autres configurations possibles :

 Utilisation d’un transformateur à point milieu :
 mauvais rendement, puisqu’à

chaque instant seule la moitié du
secteur
~ bobinage secondaire est utilisé
Sélection de quelques diodes de

transformateur à redressement très utilisées :
point milieu
 Alimentation symétrique :
+Val
secteur
~ masse
-Val
100
Exemple de quelques diodes très utilisées • Ponts redresseurs
• diodes de redressement : Type Caractéristiques

Type Caractéristiques B250C1500R 250 Veff, 1,5A
1N4001 50 V, 1 A B250C3700/2200 250 Veff, 3 A
1N4007 1000 V, 1 A B250C5000/3300 250 Veff, 5 A
BYW96E 1000V, 3A B40C1500R 40 Veff, 1,5A
1N5401 100 V, 3 A B40C3700/2200 40 Veff, 3 A
1N5408 1000V, 3 A B40C5000/3300 40 Veff, 5 A
MR752 200 V, 6 A BY164 60 Veff, 0,5 A
BY179 280 Veff, 0,5 A
BYV34-500 double diode 500 V, 10 A
• diodes Zener :
BYV42-200 double diode 200 V, 15 A
Type Caractéristiques • diodes petits signaux :
BZD23-xx 2,5 W
BZT03-xx 3,25 W Type Caractéristiques
BZV12, BZV13, BZV 14, 1N821 référence 6,5 V 1N4148 75 V , 75 mA
BZV85-xx 1,3 W 1N4448 75 V , 200 mA
BZW03-xx 6W
BZX75-xx 400 mW
BZX79-xx 400 mW
50
101
Détecteur de crête:
C’est un circuit qui fournit en sortie la

valeur de crête du signal d’entrée (source).
C’est un redresseur simple alternance
composée d’une diode suivi d’un
condensateur et d’une résistance en
parallèle.
Fonctionnement:
Phase "a": la tension de la source est
positive, la diode devient passante, le
condensateur se charge à travers celle-ci et
sa tension suit donc celle de la source (à la
tension de seuil VTH de la diode prés).
Phase »b": la tension de source redescend, le condensateur se décharge lentement (la constante de
temps du circuit RC est choisi grande par rapport à la période de la source) au travers de la résistance
R. et on peut considérer, en première approximation, que la charge de la capacité reste constante sur
une périodes, à la valeur de crête du signal de la source.
102
Détecteur de crête:
Phase » c": La diode ne redeviendra

passante que pendant le faible laps de temps
où la tension de source est à nouveau
supérieure à la tension sur le condensateur
(parce qu’il s’est un tout petit peu
déchargé), qui se rechargera de nouveau
rapidement à la valeur de crête de la source
(phase "c").
Si le signal d’entrée à une forme plus
complexe, le signal délivré par le détecteur
à la forme suivante:
51
103
Générateurs de fonction:
Un générateur de fonction est un système qui génère plusieurs formes d'onde. En utilisant les
zones de conduction et de blocage de plusieurs diodes, il est possible de réaliser des fonctions non
linéaires. On examine ici le fonctionnement d’un conformateur à diode qui réalise la
transformation d'un signal triangulaire en un signal pseudo-sinusoïdal
Hypothèses :
La diode est assimilée au modèle idéal à
seuil avec V0=0,6v.
R3 < R2 < R1
Ve(t) est en bleu, Vs(t) en rouge et la
sinusoïde idéale en gris.
Si T est la période du signal triangulaire,
entre 0 et T/4, la tension d'entrée est
Ve(t) = A.t
Entre t et t1, aucune des diodes n'est
passante : Vs(t) = Ve(t)(R1 + R2 + R3) / (R1
+ R2 + R3 + R4) = A'.t
A l'instant t1, la diode D1 devient conductrice : 𝑉0 = 0,6 = Ve(t1).R1 / (R1 + R2 + R3 + R4)
104
Générateurs de fonction:
Entre t1 et t2, seule la diode 𝐷1 est conductrice, elle se comporte comme un générateur de fem V0 et de
résistance interne nulle. On a donc Vs(t) = 0,6 + (Ve(t) − 0,6).(R2 + R3) / (R2 + R3 + R4).
A l'instant t2, la diode D2 devient conductrice : V0 = 0,6 = [ Ve(t2) − 0,6].R2 / (R2 + R3 + R4)
Entre t2 et t3, les diodes D1 est D2 sont conductrices : Vs(t) = 1,2 + (Ve(t) − 1,2). R3 / (R3 + R4)
A l'instant t3, la diode D3 devient conductrice : V0 = 0,6 = [ Ve(t3) − 1,2].R3 / (R3 + R4).
Hypothèses :
La tension de sortie est donc une succession
de droites dont la pente est fonction des
valeurs des résistances du pont diviseur.
En pratique, la courbure de la
caractéristique au voisinage de la tension de
seuil supprime les points anguleux de la
tension de sortie. En augmentant le nombre
de diodes, on augmente le nombre de
segments et on améliore l'approximation de
la sinusoïde. Dans le générateur de fonction
Intersil 8038 qui utilise 5 segments le taux
de distorsion harmonique est de l'ordre de 1
%.
Les valeurs des résistances du pont diviseur sont fonction des valeurs choisies pour t 1, t2, t3 ...
52
105
Protection contre une surtension inductive (ex: ouverture/ fermeture d’un relais)
+20V  ouverture de l’interrupteur : +20V  Protection par diode :

dI
 V  L    Vmax<0 ~ - 0.7V
V L dt
V
 VA  +  VA  ~20,7V
I
I
A risque de décharge électrique à  la conduction de la
travers l’interrupteur ouvert diode engendre un courant
transitoire et diminue la
 L’interrupteur pourrait être tension inductive.
un transistor...
106
Limiteur de crête (clipping)
 Fonction : Protéger les circuits sensibles (circuits intégrés, amplificateur à grand gain…) contre
une tension d’entrée trop élevée ou d’une polarité donnée.
Clipping parallèle
(diode // charge)
Rg
circuit à
Vg Ve Ze protéger
droite de charge
Id
Limite d’utilisation : Puissance maximale tolérée par la diode.
Vg
Clipping série : Rg
Rg  Z e Q
circuit à Vd=Ve
Vg Ve(t) Ze protéger Vo
Vg
53
107
Restitution d’une composante continue (clamping) ou « circuit élévateur de tension »
 Fonction : Décaler le signal vers les tensions positives (ou négatives)
 reconstitution d’une composante continue (valeur moyenne) non nulle
Exemple : Rg C
Vg(t) Vc Vd
D
Fonctionnement : (hyp: diode au silicium)
 Lorsque Vg - Vc > ~0.7V , la diode est passante  Lorsque Vg - Vc < 0.7, la diode est bloquée
Rg C Rg C
I
Vc Vc
Vg Vd ~0.7V Vg Vd
 C se charge et Vc tend vers Vg – 0.7 Vc = constant (C ne peut se décharger!)
 Vd ~ 0.7  Vd = Vg -Vc
 ~ composante continue
108
 Cas particulier : Rg C
Vg  Vm sin   t  pour t  0
Vg(t) Vc Vd
Vc  0 pour t  0 (C déchargé) D
 Phase transitoire au cours de laquelle le condensateur se charge
C=1µF
Rg =1kW
Vg f= 100hz
Vm =5V
Vc
charge du condensateur
Vd 0.7V
Vd
t (s)
54
109
Charge de C avec une constante de temps de RgC à chaque fois que la diode est passante
Décharge de C avec une constante de temps RrC
 le circuit remplit ses fonctions, si pour f >>1/RrC (105hz dans l’exemple) :
 en régime permanent: Vd  Vg - Vm
composante continue
Exercice : Modifier le circuit pour obtenir une composante continue positive.
109

Multiplieur de tension
 Fonction : Produire une tension de sortie continue à partir d’un signal d’entrée variable. La
tension continue est généralement un multiple de l’amplitude du signal d’entrée.
Exemple : doubleur de tension C Vg  Vm sin 2f  t  pour t  0
Rg
Cl
Vm=10V, f=50Hz, C=10µF
Vg ~ VD1 VRc Rc>> Rg
Rc=100kW.
VD1 ,VRc redresseur monoalternance avec filtre RC
 En régime établi, le courant d’entrée du
clamping redresseur est faible (~ impédance d’entrée
élevée)
 VRc  2  Vm  1,4  2  Vm
 Il ne s’agit pas d’une bonne source de

t
tension, puisque le courant de sortie (dans Rc)
doit rester faible (~ résistance interne élevée)
régime transitoire / permanent
55
Autre exemples : Doubleur de tension
source
AC
charge
 l’impédance d’entrée de la charge doit être >> Rf + Rtransformateur+Rprotection

 source “flottante”  nécessité du transformateur
111
112
Autres applications des diodes

Les diodes sont aussi utilisées dans les circuits de découpage des signaux ( alimentation à
découpage) et dans les comparateurs de phase analogiques ( pont de phase, modulateur en anneau).
56
113
Stabilisation de tension
Les diodes Zener sont utilisées dans les circuits de stabilisation de tension. La courbe caractéristiques
d’une diode Zener est caractérisée par :
VZT : Tension de régulation à un courant donné (IZT),
IZT : Courant de contrôle de la tension de régulation ,
rZT : Résistance différentielle mesurée pour le courant IZT,
IZK : Courant de régulation dans la région du coude,
rZK : Résistance différentielle pour le courant IZK,
CIVZ : Coefficient de température de la tension de
régulation,
IR : Courant inverse à la tension spécifiée VR,
VR : Tension inverse inferieure à la tension de régulation,
IZM : Valeur limite maximale du courant de régulation,
IZSM : Courant inverse de pointe de surcharge non répétitif,
114
Les principales caractéristiques d’une diode Zener sont:
• La tension Zener VZ (de 1,2 V à plus de 200V)
• La précision sur la tension,
• La puissance maximale susceptible d’être dissipée,
1 𝑑𝑉𝑍
• Le coefficient de température ,
𝑉𝑍 𝑑𝑇
• La résistance dynamique de la diode dans sa zone de régulation rZT,

• La valeur du courant de coude IZK
• La forme du boitier.
la diode Zener ayant le meilleur coefficient de température se situe vers 6,2V.
• la diode Zener est utilisée comme tension de référence dans les alimentations
stabilisées. Elle est également utilisée dans la protection en surtension, toutefois la diode Transil lui
est largement supérieure en puissance absorbable.
57
115
Le coefficient de température est négatif pour des tensions
inférieures à 4 V. Par exemple, il vaut -1,4mV/˚C pour une diode
au silicium de 3,9V. Il est positif pour des tensions supérieures à
6V. Par exemple, il vaut 2mV/˚C pour une diode au silicium de
6V. Il est presque nul aux environ de 5,1V qui correspond au
plus faible coefficient de température.
L’effet de la température sur la tension Zener peut être annulé, ou
fortement diminué, en ajoutant une
diode en série (dérive en température de -2.28 mV/°C à
T=27°C) dans le sens passant. On parle alors de diode Zener
compensée en température. Dans ce cas, la tension Zener
correspondant au plus faible coefficient de température est de
6.2V au lieu des 5.1V.
116
Diodes-Quelques diodes spéciales
Diode Zener
Régulation de tension Zener
Une diode Zener peut produire la régulation d’une tension continue d’entrée variable et maintenir
une tension de sortie constante. La sortie variera légèrement à cause de la résistance Zener,
Exercice 1: Régulation de ligne ou d’entrée 𝑅 A
𝐼
𝐼𝑧 𝐼𝐿
On suppose que lorsque la diode Zener possède les
𝑉 𝑉𝑠
𝑅𝐿
caractéristiques suivantes : 𝑉𝑧 = 5 𝑉 , 𝑟𝑧 = 10 W,
𝐼𝑧𝑚𝑖𝑛 = 1 𝑚𝐴 et 𝐼𝑧𝑚𝑎𝑥 = 15 𝑚𝐴.On suppose que
M
𝑅 = 680 W : Déterminez 𝑉𝑆 pour les configurations
suivantes :
𝑉𝑆 (V) 6 10 15 10 10 10
R(kΩ) 1 1 1 0,5 2 5
58
117
Exercice
Doubleur de latour Expliquez le fonctionnement du doubleur de tension suivant:
+
-
+
-
118
Exercice
DOUBLEUR DE SCHENKEL
Expliquez le fonctionnement du doubleur de tension suivant:
+
-
59
119
Exercice
DOUBLEUR DE SCHENKEL
Expliquez le fonctionnement du doubleur de tension suivant:
+
-
60

2 - ChapII - Jonction PN 2024

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Chap. II: Jonction PN – Diodes à jonction

Chap. II : Jonction PN-diodes à jonction Electronique fondamentale-EAC-SEI 2023 V1.0

1) Matériau de départ: plaquette de silicium de type P appelé substrat,

3) Ouverture d’une fenêtre en enlevant l’oxyde de silicium ( SIO2).

4) Soumission de la fenêtre à une impureté de type pentavalent.

Chap. II : Jonction PN-diodes à jonction Electronique fondamentale-EAC-SEI 2023 V1.0

Il existe diverses catégories de contacts entre deux matériaux :

Chap. II : Jonction PN-diodes à jonction Electronique fondamentale-EAC-SEI 2023 V1.0

La zone frontière de passage de la région de type P à la région de type N s’appelle la jonction

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Chap. II : Jonction PN-diodes à jonction Electronique fondamentale-EAC-SEI 2023 V1.0

 Barrière de potentiel; ZCE

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Jp = Jdp + Jcp Et Jn = Jdn + Jcn

A l’équilibre thermodynamique ces deux courants sont nuls: d’où: Jp = Jn = 0.

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Chap. II : Jonction PN-diodes à jonction Electronique fondamentale-EAC-SEI 2023 V1.0

 Calcul de la largeur W de la zone de charge d’espace.

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 Calcul de la largeur W de la zone de charge d’espace.

La ZCE se rétrécit du coté le plus dopé.

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Chap. II : Jonction PN-diodes à jonction Electronique fondamentale-EAC-SEI 2023 V1.0

Exercice N˚2 : Potentiel de contact, largeur d’une jonction PN et intensité du champ

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 Structure des bandes d’énergie

 Structure des bandes d’énergie

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Chap. II : Jonction PN-diodes à jonction Electronique fondamentale-EAC-SEI 2023 V1.0

Polarisation directe Polarisation inverse

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Polarisation directe Polarisation inverse

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En polarisation directe, la différence de potentiel 𝑉𝐹 = 𝑉𝑃𝑁 a tendance à diminuer VD et par

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En polarisation inverse, la différence de potentiel VF a tendance à augmenter VD et par la

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 Etude de la polarisation directe

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 Etude de la polarisation directe

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 Etude de la polarisation directe

Remarquons qu’à 300K, l’application de 60mV en polarisation directe multiplie par 10 la

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 Etude de la polarisation directe

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 Etude de la polarisation directe 𝜕𝐽𝑛

De même, connaissant p(xN) et p(xN+WN)=pN0 , on déduit que coté N:

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 Etude de la polarisation directe

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 Etude de la polarisation directe

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 Etude de la polarisation directe

𝐷𝑛 𝒏𝑷𝟎 𝐷𝑝 𝑝𝑁0 𝑽𝑭 𝐷𝑛 𝑛𝑖2 𝐷𝑝 𝑛𝑖2 𝑽𝑭

𝐽𝐹 est orienté de P vers N. En multipliant par la section de la jonction on obtient l’expression

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 Etude de la polarisation directe

𝐼𝑆 dépend du matériau (𝐷𝑛 , 𝐷𝑝 , 𝑛𝑖 ), du dopage(𝑁𝐴 et 𝑁𝐷 ), de la température (𝑛𝑖 ) et de la