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Thomas Heiser
Laboratoire PHASE-CNRS
(Physique et Applications des Semiconducteurs)
Campus Cronenbourg
tel: 03 88 10 62 33
mail: heiser@phase.c-strasbourg.fr
(http://www-phase.c-strasbourg.fr/~heiser/EA2004/)
http://www-phase.c-strasbourg.fr/~heiser/EA/
1
Introduction
• Qu’est-ce que l’électronique ?
2
• Qu’est-ce qu’un circuit électronique ?
stockage et traitement de
l’information, commande et
contrôle d’appareillage,...
Electronique analogique
Electronique numérique
5
• Pourquoi quelles applications ?
Instrumentation
Robotique
Communications
Multimédia
Systèmes informatiques
Cartes mémoires
6
• Pourquoi quels métiers ?
Simulation et programmation
–R&D sur la simulation de la fabrication et du fonctionnement des C.I.
7
• L’électronique : Un domaine en évolution exponentielle…
8
En 1971 : le premier Processeur
9
Hier : le Pentium IV
42.106 TMOS
(taille d’un transistor: ~0,18m)
10
La « loi » empirique de Moore…
11
et demain…
Transistor
La nano-électronique 25nm
(10nm possible)
12
Les technologies émergentes
Electronique moléculaire
Une molécule comme composant
13
Mais ça ne se fait pas tout seul...
14
• L’ Electronique à l’ENSPS…
En option :
- Physique des dispositifs semiconducteurs
- Technologie des composants numériques
3A: La spécialisation :
- ENSPS: OPTION ELEC
- MASTER Micro- et Nano- Electronique: Composants et Systèmes
15
• Le lien avec les autres enseignements (1A) :
Physique de la matière
semiconducteurs, théorie des bandes, transport de charges
Emetteurs capteurs
physique des composants semiconducteurs
Systèmes asservis
systèmes linéaires, circuits à contre-réaction
Traitement du signal
filtrage, systèmes linéaires, modulation...
16
Contenu du cours d ’électronique analogique
1. Quelques rappels utiles
2. Les Diodes
4. Le Transistor bipolaire
Bibliographie
Traité de l ’électronique analogique et numérique (Vol.1), Paul Horowitz & Winfield Hill, Elektor,1996
Principes d’électronique, Alberto P. Malvino, McGraw-Hill, 1991
Electronique: composants et systèmes d'application, Thomas L. Floyd, Dunod, 2000
Microélectronique, Jacob Millman, Arvin Grabel, Ediscience International, 1994
17
1. Les bases
I
1.1 Composants linéaires et loi d’Ohm … :
I
• Résistance électrique = composant linéaire :
V V R
V=RI loi d’Ohm
• Généralisation aux circuits en “régime harmonique” (variation sinusoïdale des tensions et courants) :
V Z I
C L
composant linéaire :
1 Z jL
“impédance” : Z
jC
18
1.2 Source de tension, source de courant :
I
I
source de courant Io
Io V charge
idéale :
V
I
source de V
Vo
tension idéale : Vo V charge
I
la tension aux bornes de la source est indépendante de la charge
19
1.2.2 Sources réelles : domaine de fonctionnement linéaire
ou “domaine de linéarité”
I
source de courant Io schéma
réelle : équivalent
Schéma équivalent:
I V Vo Ri I
Ri
V charge V cst Vo
Vo
tant que la chute de potentiel aux bornes de R i est faible
devant V Ri I V
“vu” de
en fait... Ri la avec
charge
V
I o o = “courant de court-circuit”
charge
charge
Vo Io Ri
(charge remplacée par un
Ri court-circuit)
selon la valeur de Ze/Ri on parle de source de tension (Ze>>Ri) ou source de courant (Ze<<Ri)
Sources liées Lorsque la tension (ou le courant) délivrée par une source dépend de la
tension aux bornes d’un des composants du circuit ou du courant le
parcourant, la source est dite “liée”. Vous verrez des exemples de sources
liées dans le cas des transistors.
22
1.3 Théorème de Thévenin :
Tout circuit à deux bornes (ou dipôle) linéaire, constitué de résistances, de sources de tension et
de sources de courant est équivalent à une résistance unique RTh en série avec une source de tension
idéale Vth.
A
I Rth
I A
V Vth
V
= “générateur de Thévenin”
B
B
!
Calcul de Vth: Vth V circuit ouvert
ou Rth R AB en absence des tensions et courants fournies par les sources non-liées.
[remplacement des sources de tension non-liées par un fil (V o=0), et
des sources de courant non-liées par un circuit ouvert (I o=0)]
23
Mesure de Rth :
Au multimètre : exceptionnel… puisqu’il faut remplacer toutes sources non-liées par des court-
circuits ou des circuits ouverts tout en s’assurant que le domaine de linéarité s’étend jusqu’à
V=0V.
A partir de la mesure de V(I) :
V
Vth
pente = - Rth
Vth mesures
2
générateur équivalent de Thévenin
V !
Rcharge Rth méthode de “division moitié”
I V Vth
2
2.1 Définition Id Id
Caractéristique courant- Vd
tension d’une diode idéale : sous polarisation “directe”
(“Vd0”), la diode = court-circuit
(i.e. conducteur parfait)
Vd
sous polarisation “inverse” (Vd<0)
la diode = circuit ouvert
Ce type de composant est utile pour réaliser des fonctions électroniques telles que le
redressement d’une tension, la mise en forme des signaux (écrêtage, …).
60
20
Is
Vo
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 Vd
Pour Vd >> ~0.7, le courant augmente rapidement avec une variation à peu près linéaire
la diode est dite “passante”
mais Id n’est pas proportionnel à Vd (il existe une “tension seuil”~ Vo)
26
Id
140
100
60
20
Vo
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 Vd
VT (300K) = 26 mV
27
Limites de fonctionnement :
Ordre de grandeur :
VdId=Pmax
Vmax = quelques dizaines de Volts Vmax
Vo Vd
peut conduire à la destruction pour une
diode non conçue pour fonctionner dans
cette zone.
28
2.3 Diode dans un circuit et droite de charge
Comment déterminer la tension aux bornes d’une diode insérée dans un circuit et le
courant qui la traverse?
Id
Val Vd Id , Vd, ?
RL VR
29
2.3.2 Droite de charge
V Vd
Loi de Kirchoff : I d al = Droite de charge de la diode dans le circuit
RL
Caractéristique I(V)
Id
Val/RL
Q
IQ Q= Point de fonctionnement
« Droite de charge »
Vd
VQ Val
30
2.4 Modéles Statiques à segments linéaires hyp: Id, Vd constants
Schémas équivalents :
Id Ri
pente=1/Ri diode “passante”
Val Id 0
Val >0 Vd
V
Ri Val I d al , Vd 0
Ri
Val Id
Ri
diode “bloquée”
Val< 0 Vd Val Vd 0
Val I d 0, Vd Val
31
2.4.2 Seconde approximation
caractéristique directe verticale
Vd
(pas de “résistance série”) Vd
V <0: circuit ouvert
d
Vo
Pour une diode en Si: Vo 0,6-0,7 V
schémas équivalents :
Schémas équivalents Ri
Id diode “passante”
pente=1/Ri
Val
V Id 0
o
Val >Vo Vd
V Vo
Ri Vo Val I d al , Vd Vo
Ri
Val Id
Ri
diode “bloquée”
Val Vd Vo
Val<Vo Vd
Val I d 0, Vd Val
32
2.4.3 3ième Approximation
Caractéristique réelle
pente = 1/Rf
tension seuil Vo non nulle Id
résistance directe R non nulle
f Vd
V <0: résistance R finie
pente = 1/Rr~0 Modélisation
d r
Schémas équivalents
schémas équivalents :
Id
Val >Vo : pente=1/Ri
Ri Vo
diode passante
Vd Id
Val Vd I d 0 et Vd Vo
Vo Val Rf Vd Vo R f I d
Id
Ri
Val <Vo :
Vd diode bloquée
Val Vd Vo
Val Rr
33
Remarques :
V
Rf d
Id
34
2.4.4 Calcul du point de fonctionnement via l’utilisation des schémas équivalents :
35
Exemple : Calcul de Q du circuit suivant, en utilisant la 3ième approximation pour la diode.
La 2ième approx. est souvent suffisante pour une étude qualitative du fonctionnement d’un circuit
36
Autres exemples :
Caractéristiques des diodes :
1) Rf = 30, Vo=0.6V, Is=0 et RR infinie
50 Calcul de Id et Vd
Conseil: simplifier le circuit d’abord avant de vous lancer dans des calculs
ventrée vsortie • avec ventrée signal basse fréquence telque le modèle statique reste
Vref=2V valable (période du signal < temps de réponse de la diode pas
d’effet “capacitif” ou )
37
3) D1 D2
Diodes au Si
2V
100
50
4)
1V
Diodes au Si
38
2.5 Comportement dynamique d ’une diode
L’ Analyse statique
L’ Analyse dynamique
… ne concerne que les composantes variables des tensions et courants (ou “signaux” électriques, ou
encore composantes alternatives (AC) )
39
Illustration : Etude la tension aux bornes d’un composant inséré dans un circuit.
R1
hypothèses: ve = signal sinusoïdal, à valeur moyenne nulle
ve VE = source statique
R2 V(t)=V+v(t)
VE
Calcul complet
R2
V t VE ve t R2 VE R2 ve t
R1 R2 R1 R2 R1 R2
V v(t)
Principe de superposition :
Comme tous les composants sont linéaires, le principe de superposition s’applique
la source statique VE est à l’origine de V , et ve est à l’origine de v
40
R1
Analyse statique :
R2
ve 0 VE V V VE
R2 R1 R2
En statique, une source de tension variable à valeur moyenne nulle correspond à un court-circuit
R1
Analyse dynamique : VE = 0
R2
ve v t ve t
R2 v R1 R2
“schéma dynamique”
41
Autres exemples:
R1 R2
1)
ve Io R3 V(t)=V+v(t)
Schéma statique R1 R2
R1R3
V Io
V R1 R2 R3
Io R3
Schéma dynamique
R1 R2
R3ve t
v t
ve R3 v R1 R2 R3
Une source de courant statique est équivalent en régime dynamique à un circuit ouvert.
[puisque i(t)=0!]
42
2) C = composant linéaire caractérisé par une impédance qui
Val dépend de la fréquence du signal
R1
C
Rg
vg R2 V (t)
Val R2
R1 V Val
R1 R2
R2 V
43
Schéma dynamique :
1
Zc
iC
R2 // R1
v vg avec Z g Rg 1
R1 R2 // R1 Z g iC
ZC
vg Rg
R2 v
R2 // R1
pour suffisamment élevée : Z g Rg et v vg
R2 // R1 Rg
A “très hautes” fréquences (à préciser suivant le cas), le condensateur peut être remplacé par
un court-circuit.
44
Le principe de superposition n’est plus valable en présence de composants non-linéaires !
Extrapolations possibles:
l’amplitude du signal est suffisamment faible pour que le comportement du composant reste
approximativement linéaire.
45
2.5.2 Modèle petits signaux (basses fréquences)
hypothèse: variation suffisamment lente (basse fréquence) pour que la caractéristique “statique” reste
valable.
pente : dI d
id vd
dI d dVd Q
Id dVd Q
schéma équivalent dynamique
correspondant au point Q :
I dQ 2|id| Q
1
Vd dI d
= “résistance dynamique”
dVd Q
Vo de la diode
v|
VdQ
Ce schéma ne peut être utilisé QUE pour une analyse dynamique du circuit !
46
Notation :
1
dI d
rf = = résistance dynamique pour VdQ> 0
dVd V 0
d
1
dI d
rr = = résistance dynamique pour VdQ < 0
dVd V 0
d
25
à température ambiante : r f 1
I d mA
5V Ve
Ra 10µF D
ve 0,1 sin 103 2 t
ve Vd(t)
5 0,6
Analyse statique : ID 2,2mA, VD 0,62V
2000
26
Analyse dynamique : rf 12, Z c 16 Ra
2,2
Schéma dynamique :
2k
vd 1,2 103 sin 103 2 t
1k
Amplitude des ondulations résiduelles : 1,2 mV
vd
ve ~ 12
48
2.5.3 Réponse fréquentielle des diodes
Pour des raisons physiques, le courant Id ne peut suivre les variations instantanées de Vd
au delà d’une certaine fréquence.
49
Variation de Vd de faible amplitude, sous polarisation directe (VdQ >0)
une petite variation de Vd induit une grande variation Id, c’est -à-dire des charges qui
traversent la diode
A haute fréquence, des charges restent “stockées” dans la diode (elle n’arrivent pas à suivre
les variations de Vd)
rc
à basse fréquence : rc + rs = rf
la séparation en deux résistances tient mieux compte des phénomènes physiques en jeu.
50
suite de l’exemple précédent…: A quelle fréquence la capacité dynamique commence-t-elle à
5V influencer la tension vd ?
Rb
1k C 2k Id = 2,2mA Cdiff ~100nF
Ra 10µF D
ve Vd(t)
v
log
-3dB
vth
log f
f 1 130kHz 51
2rthCdiff
Variation de Vd de faible amplitude, sous polarisation inverse (VdQ < 0) :
une variation de Vd entraîne une variation du champ électrique au sein de la diode, qui à son
tour déplace les charges électriques.
à haute fréquence, ce déplacement donne lieu à un courant mesurable, bien supérieur à Is.
rr 1
Ct = capacité de “transition” ou “déplétion”
Vd Vo
52
Diode en « commutation » : Temps de recouvrement direct et inverse
Le temps de réponse fini de la diode s’observe aussi en « mode impulsionnel », lorsque la diode
bascule d’un état passant vers un état bloqué et vice-versa.
VQ Vg
Vo t
R -VR
Vo Vd
Vd
Vg
-VR
temps de réponse
Id
(VQ-Vo)/R
-VR/R
Caractéristiques
VZ : tension Zener (par définition: VZ >0)
Id
Imin : courant minimal (en valeur absolue) au delà
-Vz Vd duquel commence le domaine linéaire “Zener”
-Imin
Imax : courant max. supporté par la diode
(puissance max:Pmax ~VZImax)
-Imax
Rz
Vd
Id Id
Vz
+
-Vz Vd
-Imin
Q Modèle dynamique, basses fréquences, faibles
pente signaux :
1/Rz
1
dI
-Imax rz d Rz pour |Id| >Imin
d Q
dV
55
2.6.2 Diode électroluminescente (ou LED)
56
3. Applications des Diodes Un aperçu qui sera complété en TD et TP.
Clipping parallèle
(diode // charge) droite de charge Id
Rg Vg
circuit à Rg // Z e Q
Vg Ve Ze protéger Vd=Ve
Vo
Vg
Limite d’utilisation : Puissance maximale tolérée par la diode.
Clipping série :
Rg
circuit à
Vg Ve(t) Ze protéger
57
Protection contre une surtension inductive (ex: ouverture/ fermeture d’un relais)
58
3.2 Alimentation
Objectif: Transformer un signal alternatif en tension continue stable
(ex: pour l’alimentation d’un appareil en tension continue à partir du secteur)
V>0
V<0
59
Redressement simple alternance
Vs Vm 0.7
220V
50Hz Vs Rc
(cf avant)
t
Ri =résistance de sortie du transformateur
Vm =amplitude du signal du secondaire
R
D1 Vs V
,i ~1.4V
D2
Vi Vs Rc
t
D3 D4 Vi 1.4V
60
avec filtrage : 50
R
D1 D2
Rc=10k
Vi Vs
200µF
D3 D4
ondulation résiduelle
sans condensateur
avec condensateur
Régulation: utilisation d’une diode Zener (cf TD, TP et chapitre sur les transistors) 61
Autres configurations possibles :
Utilisation d’un transformateur à point milieu :
transformateur à
point milieu
Alimentation symétrique :
+Val
secteur
~ masse
-Val
62
3.3 Restitution d’une composante continue (clamping) ou « circuit élévateur de tension »
Fonction : Décaler le signal vers les tensions positives (ou négatives)
reconstitution d’une composante continue (valeur moyenne) non nulle
Exemple : Rg C
Vg(t) Vc Vd
D
Lorsque Vg - Vc > ~0.7V , la diode est passante Lorsque Vg - Vc < 0.7, la diode est bloquée
Rg C Rg C
I
Vc Vc
Vg Vd ~0.7V Vg Vd
Vd ~ 0.7 Vd = Vg +Vc
~ composante continue
63
Cas particulier :
Rg C
Vg Vm sin t pour t 0
Vg(t) Vc Vd
Vc 0 pour t 0 (C déchargé) D
Phase transitoire au cours de laquelle le condensateur se charge
C=1µF
Simulation Rg =1k
Vg f= 100hz
Vc Vm =5V
charge du condensateur
Vd 0.7V
Vd
t (s)
64
Charge de C avec une constante de temps de RgC à chaque fois que la diode est passante
en régime permanent: Vd Vg - Vm
composante continue
65
3.4 Multiplieur de tension
Fonction : Produire une tension de sortie continue à partir d’un signal d’entrée variable. La
tension continue est généralement un multiple de l’amplitude du signal d’entrée.
Exemple : doubleur de tension
Rg C Vg Vm sin 2f t pour t 0
VRc 2 Vm 1,4 2 Vm
source
AC
charge
67
4. Transistor bipolaire
4.1 Introduction
le Transistor = l’élément “clef” de l’électronique
il peut :
amplifier un signal
amplificateur de tension, de courant, de puissance,...
...
il existe :
soit comme composant discret
soit sous forme de circuit intégré, i.e. faisant partie d’un circuit plus
complexe, allant de quelques unités (ex: AO) à quelques millions de
transistors par circuit (microprocesseurs)
68
on distingue le transisor bipolaire du transistor à effet de champ
Vcontrôle
émetteur
P+ N+
couplage B B
entre les N base P
diodes
P N
collecteur
diode « BC » diode « BC »
C C
Symétrie NPN/PNP
70
Effet transistor Conditions de polarisation : Jonction EB : directe
Jonction BC: inverse
= MODE ACTIF du transistor
Exemple: Transisor NPN
RE
E N+ P N C
RC
IE
e - E IC
VEE IB VCC
B
VCC > 0, jonction BC “bloquée” => champ électrique intense à l’interface Base/Collecteur
La majorité des électrons injectés par l’émetteur dans la base sont collectés par le champ
IC ~IE et IB = IE -IC << IE
Symboles
C C IE >0 en mode actif
B B
E E
PNP NPN
IC IC
IB IB
IE IE
NPN
PNP
IE = IB+IC 72
4.3 Caractéristiques du transistor NPN
VCE
Choix des paramètres :
73
Caractéristiques en configuration BC : CAS DU TRANSISTOR NPN
« caractéristique d’entrée »
IE (VBE, VCB) :
hypothèse: diode BC bloquée (mode usuel)
VBE (V)
0.1 0.5
74
mode actif
IC (VCB, IE) :
Ic (mA) IE (mA) VBE
2.0
1.5 1.5
1.0 1 IC I E
0.5 0.5
0
-0.5 1 2 3 VCB (V)
jonction PN polarisée en inverse
tension seuil de la jonction BC
pour VCB -0.7, la jonction BC est passante, IC n’est plus controlée par IE
Transistor en “mode saturé”
IB (µA) IC
IE
VCE= 0.1V N P E
N
3 IB
1.5
> 1V
0.5
0 VBE (V)
0.1 0.2 0.3
76
IC (VCE, IB) :
Ic(mA)
Ib= 20 µA
2 15µA
10µA
1
5µA
VCE (V)
1 3 5 Transistor bloqué
Transistor saturé Mode actif IC = “ICO”
Effet Early : F tend vers 1 lorsque VCE augmente hFE augmente avec VCE
C B
B IB C B C C
B
~0.7V hFE IB
~0.8V ~0.2V
E
E E
E
Mode actif Mode bloqué Mode saturé
VCC = source de tension externe alimentant la maille contenant C et E (cf plus loin) 78
VCE ne peut pas dépasser cette valeur!
Transistor PNP
Configuration EC :
C B
B IB C B C C
B
~0.7V hFE IB ~0.2V
~0.8V
E
E E
E
Mode actif Mode bloqué Mode saturé
79
Valeurs limites des transistors
ICVCE =Pmax
fiches techniques :
80
Influence de la température
ou réciproquement : pour VBE maintenue fixe, IE (et donc IC) augmente avec T
81
4.4 Modes de fonctionnement du transistor dans un circuit Point de fonctionnement
Droites de charges :
Le point de fonctionnement est déterminé par les caractéristiques du transistor et par les lois de
Kirchhoff appliquées au circuit.
Rc V VBE
Vth Rth I B VBE I B th
Rth
Rth
V VCE
VCC RC I C VCE I C CC
Vth RC
82
Point de fonctionnement
Q
IBQ
VBE (V)
0.1 0.2 0.3
VBEQ
83
Exemple : Calcul du point de fonctionnement
+VCC=10V
Rc=3k Vcc
Rc
Rth=30k Rth IB
hFE =100
Vth 0.7V hFE IB
Vth =1V
I BQ 10 µA
I C Q 1mA On a bien : ~0,3 <VCEQ < VCC
84
Remplacement de Rth par 3k +VCC=10V
Rc=3k
I BQ 100µA
Rth=3k
I C Q 10mA
hFE =100
VCE Q 20V !!
Vth =1V
Résultat incompatible avec le mode actif
Cause :
Ic(mA) IBQ
En ayant augmenté IBQ,(réduction de Rth) Q
Q a atteint la limite de la zone
correspondant au mode actif
VCE Q ~ 0.3V
et I CQ 3.2mA
85
Quelques circuits élémentaires :
t<0 : VBE < 0.7V Mode bloqué
Transistor interrupteur: +VCC
RC
+VCC RB
Rc “Interrupteur
VBB
ouvert”
0.7V I RC 0
RB
t
Interrupteur ouvert
~0.8V ~0.2V <<VCC
VCC
charge V 0.7V
Rc I BB
RE
I “quelque soit” Rc …
tant que le transistor est en mode actif
•E
VBB RE
Domaine de fonctionnement : VBB 0.7V
0 VCE VCC RC RE I C VCC
Rc
min
0
87
Exercices : Calculer le courant dans la charge, la plage de tension
10V
15V
charge 560
10k I
Vz =5,6V
4,7k I
10k charge
88
Transistor, amplificateur de tension : hypothèses :
Point de fonctionnement “au repos” :
+VCC
Transistor en mode actif lorsque vB = 0
(amplificateur “classe A”)
RC
Amplitude du signal vB suffisamment faible
IC
B pourque le transistor soit à chaque instant actif
•
En 1ière approximation :
vB •E
VB 0.7
VSortie IE I C I C ic (IB <<IC)
RE
VBB RE
v
En négligeant la variation de VBE : ic B
RE
R R
et vs Rcic c vb Le “signal”vB est amplifié par le facteur Av c
RE RE
Le circuit de polarisation fixe le point de repos (ou point de fonctionnement statique) du transistor
Il doit être à l’intérieur du domaine de fonctionnement du transisor (IC(B) < Imax,, VCE (BE) <Vmax,....)
stabilité thermique.
(coefficient de température des différents paramètres du transistor :VBE, hFE,…).
90
Circuit de polarisation de base (à courant IB constant)
IC
Dispersion de fabrication:
Vcc hFE mal défini
Rc
RC Q1 2 transistors
IC1 même IB différents
RB Q2
VCC IC2
VCE
VCE1 VCE2 Vcc
V VBE Vcc 0.7
I B cc
RB RB
Vcc
Exemple : Transistor en mode saturé RB tel que I B I Bsat
Rc hFE
en prenant pour hFE la valeur minimale garantie par le constructeur. 91
Polarisation par réaction de collecteur
V 0.7
Cas particulier : RB=0 I C CC VCE 0.7V
RC
Le transistor se comporte comme un diode.
92
Polarisation par diviseur de tension - « polarisation à courant (émetteur) constant »
+VCC
+VCC Vth Vo
IC I E (Vo~0.7V)
RE Rth / hFE
R1 RC Rc
R2 R2
Vth avec Vth VCC et
R1 R2
RE
Rth R1 // R2
Rth V Vo
Peu sensible à hFE : si RE I C th
hFE RE
Bonne stabilité thermique de IC à condition que Vth >>Vo <~> VB >>Vo
• VE ~VCC/3
93
Diminuer Rth augmente le courant de polarisation IR1
+VCC
Une façon de comprendre la stabilité du montage :
R1 RC
RE introduit une contre-réaction
R2
RE
contre-réaction
VBE I diminue de 2mV/°C
E
VB ~Vth
94
4.6 Modèle dynamique
Variation de faibles amplitudes autour d’un point de fonctionnement statique
Comportement approximativement linéaire
Modèles équivalents
Caractéristique d’entrée : V
I B I s exp BE 1 hFE
+VCC VT
IB
dr
RC oit
ed
ec
IC ha iB
B rg
e
• IBQ Q t
vB
vB •E
VSortie VBEQ VBE
0
0.2 0.4 0.6
VBB RE
vBE
t
Pour vB petit:
I B IE v hie = “résistance d’entrée dynamique” du
ib vbe vbe be transistor en EC
VBE Q hFE VT " hie "
95
Notation :
h V
" hie " FE T = “résistance d’entrée dynamique” du transistor en EC
IE
B ib C
hie
vbe
hie « i » pour input, « e » pour EC, h pour paramètre hybride (cf quadripôle linéaire)
Ne pas confondre hie avec l’impédance d’entrée du circuit complet. (voir plus loin).
96
Caractéristique de sortie en mode actif : droite de charge
Ic
ic=hfe ib
En première approximation :
t IBQ+ib
Q IBQ
ic " h fe "ib
B ib ic C
VCE
hie hfeib VCEQ
vce
hfe = gain en courant dynamique
E
hFE en Q (*)
I c
En tenant compte de l’effet Early: ic h feib hoevce où hoe
VCE Q
B ib ic C
hoe 1 = impédance de sortie du transistor en EC
hfeib
hie
hoe-1
Ordre de grandeur : 100k - 1M
E
97
Le modèle dynamique ne dépend pas du type (NPN ou PNP) du transistor
Note sur hFE et hfe :
on a généralement :
h fe hFE
98
Analyse statique / analyse dynamique
Exemple: Amplificateur de tension
VCC VCC
A.N.:
Vcc=15V R1 Rc
R1 Rc
R1=47k
R2=27k statique
Rc=2.4k
RE=2.2k C
vg Vs=VS+vs VS
hFE=100 R2
RE R2
signal RE
composante
continue
Analyse statique : on ne considère que la composante continue des courants et tensions
C = circuit ouvert (aucun courant moyen circule à travers C).
Point de fonctionnement statique Q (cf avant)
R2
VCC VBE mode actif A. N
R R2
I EQ 1 ICQ 2.2mA
RE
A.N
99
VS VCC Rc I CQ 10V
Analyse dynamique :
Hypothèses : transistor en mode actif schéma équivalent du transistor
en négligeant hoe...
ib
1
iC hie
R1 // R2 hfeib
vg vs
Rc
RE
100
Pour C suffisamment élevée on peut négliger son impédance devant les résistances :
ib
hie
R1 // R2 hfeib
vg vs
i RE Rc
RE
v g hieib RE iRE hie h fe RE ib vs
Rc h fe
Rc
vg hie RE h fe h
RE ie
vs Rc h fe ib h fe
101
Autre exemple :
.
R1=10
C DZ = diode Zener avec |VZ|=9,4V
Régulateur de tension IDz Imin = 1 mA
IC
Transistor de puissance DZ
charge: RL 25
hFE h fe 50
hoe 1
~
Ve = B . IR2
T RL
Vs =VS + vs
15 ± 2V
R2
ondulation résiduelle
= 500
composante
continue
En statique : Ve = 15V
0.6
VD VZ et VBE 0.6V VS 10 V I R2 1,2mA I C I R1 I DZ I RL 0.1 I Dz
500
et
10 I
V VS I RL 0 .4 A I Dz I R2 I B 0.0012 C
I R1 e 0 .5 A RL h fe
R1
I
I DZ 3mA , IC 97 mA et I B C 2mA
hFE
102
Efficacité de régulation ondulation résiduelle : Ve varie de ± 2V, quelle est la variation résultante de Vs ?
Rz
ib
ve RL vs
hie hfeib
R2
i h fe 1 ib vs Rz hie Rz hie
hie <<R2
R1
.
C
i vs Rz hie ib
i
h fe 1
h fe
0.4
Rz
ve ib RL
vs
hie hfeib
103
R1
.
C
i
0 .4
ve RL
vs
Rz hie
v h fe Rz hie
s 0,03 1
ve Rz hie R Rz hie h fe R1
1
h fe
vs
Rz R2 // RL 0.7
ve Rz R2 // RL R1
104
Modèle dynamique hautes fréquences
Aux fréquences élevées on ne peut pas négliger les capacités internes des jonctions EB et BC.
En mode actif :
la jonction EB introduit une capacité de diffusion Cd
la jonction BC introduit une capacité de transition Ct .
B Ct
rce iC C
iB’
Cd hfe iB’ ro
hFE rse
105
4.7 Amplificateurs à transistors bipolaires
Ze il
ve Zs
vg vs
source -VEE vL
RL
charge
106
Gain en tension :
Rg +VCC
Comme Zs 0 le gain en tension dépend de la charge ie
Ze iL
Définitions ve Zs
vg vs
vL v
Gain “en circuit ouvert” : Av s source vL
ve R ve -VEE RL
L
charge
v RL
Gain “sur charge” : AvL L Av
ve RL Z s
v Ze
Gain “composite”: Avc L AvL Comme Ze , Avc diffère de AvL
(tient compte de la v g Ri Z e
résistance de sortie
de la source)
i A Z
Gain en courant : Ai L vL e
ie RL
v i
Gain en puissance : A p L L Avc Ai
v g ie
107
L’amplificateur “idéal” :
La réalité...
108
4.7.2 Amplificateur à émetteur commun (EC)
Le circuit de polarisation
109
Exemple :
VCC
R1 RC
Polarisation par diviseur de tension
1 1
R1 // R2 ; RL
C B CC
CB est nécessaire pour que le point de fonctionnement statique (vg=0) ne soit pas modifié par la
présence du générateur de signaux.
Analyse dynamique :
rB R1 // R2
rc RL // RC
RC ie ib
R1
vg rB rc
C hie hfeib
ve vL
vg RL vL
RE iRE
R2 RE
iRE h fe 1 ib
111
ie
Impédance d’entrée :
Ze dépend de l’endroit d’où vous “regardez” rB hie h feib
ve
l’entrée de l’amplificateur.
Z e ' hie h fe 1 RE h fe RE (hie ~qq. 100 à qq. 1k Ohms)
Gain en courant : ie iL
h fe vg rB hie
i hfeib rc
Ai L
ie
1
hie h fe 1 RE
ve
rB RE
112
Impédance de sortie :
Zs’ Zs
RE
Zs’
A is
ib
1 :
vs hoe1 is h feib RE is ib
rB hie 1
hfeib hoe
vs 2 : 0 hieib RE is ib
RE
B
vs 1 h fe RE RE hie
Z s hoe 1
hie RE hie RE
is 114
Droite de charge dynamique et dynamique de sortie :
vce vL RE ic rc RE ic
vce
vce ic
ic IBQ
rC RE droite de charge statique
Q(repos) V VCE
I C CC
RC RE
VCE
vce
t
115
La forme du signal de sortie change lorsque le point de fonctionnement touche les limites,
bloquée ou saturée, du domaine linéaire.
rc
vs rcic vce vs vce
rc RE
VCEQ
Ic Ic
Q(repos) droite de charge
ICQ
IBQ IBQ
Q(repos)
VCE VCE
VCEQ
rc RE ICQ
vce
VCC
ie ib
CB CC
vg rB rc
RL vs hie hfeib
vg ve
R2
RE
CE
h
*: RE // C E ie 117
h fe
Gain en tension (sur charge):
rc h fe r le gain dépend fortement de rf
Av L c >> gain avec RE
hie rf (résistance interne de la fonction BE)
(la contre-réaction n’agit plus en dynamique…)
kT rI
or rf AvL c C
IC kT
v
Impédance d’entrée de la base : Z e e hie significativement réduit...
ib
118
Droite de charge dynamique et dynamique de sortie :
Ic
vce
ic
ICQ
Q
VCEQ VCE
rc I CQ
119
L’amplicateur EC en résumé :
Emetteur à la masse :
R R
Gain en circuit ouvert : Av C h fe C 1 en valeur absolue
hie rf
Impédance de sortie : Z s RC (de q.q. k )
Impédance d’entrée de la
base du transistor: Z e hie (de q.q. k )
RC R
Gain en circuit ouvert : Av C
r f RE RE
Impédance de sortie : Z s RC
Le circuit de polarisation
121
Exemple: VCC
vg isortie
hypothèse: Mode actif
E
R2
RE vs
RL
Ze
v
Av s 1 L’émetteur “suit” la base.
vg
122
Analyse dynamique : transistor
ientrée ib B C
hie hfeib
R1//R2 iL
E
vg
RE vs RL
Ze
RE RE kT
Gain en tension en circuit ouvert : Av 1 RE r f
hie RE r f I E
RE
h fe 1
Impédance d’entrée : Z e rB // hie h fe 1 rE 1
vs
iL RL Z Ze
Gain en courant : Ai AvL e 1
ientrée vg RL RL
Ze
123
Impédance de sortie
hie
ib
is
v
hfeib
vs Zs s
rB
RE is v 0
vs g
vs RE is h fe 1 ib
hvs
v s RE is h fe 1
vs hie ib ie
hie
RE
RE hie h fe 1 hiehie !
Zs RE // rf
hie RE h fe 1 hie
RE h fe 1 h fe
h fe 1
124
Dynamique de sortie
VCC
droite de charge dynamique : pente 1/rE
Ic
R1
droite de charge statique
C
C
B Q(repos) V VCE
I C CC
isortie RE
vg
E VE VCC VCE
R2
RE vs rE I CQ VCE
RL
125
L’amplicateur CC en résumé :
Av 1
Rg hie Rg hie
Z s RE // inférieure à quelques dizaines d ’Ohms
h fe 1 h fe
RL i Z
Av L Av Av Ai L Av L e 1 hfe si RE constitue la charge
RL Z s ie RL
(iL = ic et ie ib )
Intérêts du montage :
Faible impédance de sortie Impédance d ’entrée élevée
Applications :
« Etage - tampon » Isolement d ’une source à haute impédance de sortie d ’une charge à basse
impédance.
exemple : 1
VCC
RC hfeib
E C
R1
RL rc
RE hie
ib B
R2 RE
vg
127
hfeib
Propriétés :
E C
ve RE rc
hie
h fe rc
Gain en tension : Av L ib B
hie
Ze Zs
h fe
Gain en courant : Ai 1
hie
h fe 1
RE
128
Exemple d’application : convertisseur courant - tension
vg vg
ie vs RL is RL Ai ie
R Ze R tant que RL <<Zs.
Lorsque vg = 0, (ie=0), la sortie est “vue par la charge” comme une résistance très grande (hoe-1)
(cf. charge active)
129
4.7.5 Influence de la fréquence du signal
RC Rg C ib C
R1
hie hfeib
RG dynamique R1 // R2 RC RL
RL
vg
RE CE
R2 RE
Z E RE // C E 0
1 ZE diminue le gain
f ci , avec r R1 // R2 // Z e Rg
2 rC (voir ampli stabilisé)
Ze = impédance
d ’entrée de l ’étage 1
Fréquence de coupure inférieure du f co
montage = max f ci , f co 2 RL RC C 130
Hautes fréquences
Rg ib
Cbc
hie hfeib Rc // RL
R1 // R2 Cbe
1
f ch
h fe
2 Cbe Cbc 1
hie
RL hie // Rg // R1 / 2
131
4.7.6 Couplage entre étages
Objectif
R1 RC R1
R1
CL CL
CL CL
ventrée charge
RE
R2 RE
R2 R2
RE’ CE
Les points de fonctionnement des 3 étages sont indépendants (en statique CL = circuit ouvert)
(dans l’hypothèse où la résistance interne de Vcc négligeable…)
R1 RC R1
R1
CL CL
T1 T2 T3
CL CL
ventrée charge
RE
R2 RE
R2 R2
RE’ CE
C.C. C.C.
E.C.
ier ier ier
Av L montage AvL 1 ét. AvL 2 ét. AvL 3 ét.
Rc h feT2
AvCC 1 AvL montage Av E.C
hieT2
134loin)
Inconvénient: les condensateurs imposent une fréquence de coupure basse au montage (cf. plus
Couplage direct
30V
Un exemple :
24k
hfe ~100
5k 27k
T4
T3
vs
T1 ,T2=PNP!! T2 2.4k
T1 680
vg
Av -10
T T T
Ze élevée : Z e h 1 Z eT2 h 1 h 2 5000 50M
fe fe fe
Zs 24 k 135
Analyse statique :
VCC= 30V
24k
VCC polarise en directe les deux
jonctions EB de T1 et T2 5k 27k
(transistors PNP) 3V T4
En statique, vg = 0
0.7V T3
T1 vs
VCE 0.7V T
0.7V T2 I E3 2.4k
T1 en mode actif 680
T1
T
VCE2 1.4V
T2 en mode actif
T T T T
VE 3 0.7V I C3 I E3 1mA VCE
3 2.3V T en mode actif
3
T T T T
VE 4 2.3V I C4 I E4 1mA VCE4 3.6V T4 en mode actif
I E2
T I E 2 5.7 mA et I E1
VC 4 6V hFET2 136
Mais attention….
VCC= 30V
refaisons le calcul avec VBE=0.6V : 24k
5k 27k
T2
VCE 1.2V 3V T4
T4
VCE 18V T4 en mode saturé !!
137
Couplage par transformateur : condensateur d ’accord:
le circuit résonnant, LC, limite la
étage EC transmission aux fréquences
proches de la fréquence de
résonnace
Av Z c
r f
condensateur de découplage
(masse en alternatif) (EC)
polarisation par
diviseur de
tension
138
4.7.7 Amplificateurs de puissance
Impédance de sortie et amplicateur de puissance
1
cos 2 t , vL amplitude du signal
2
étage de sortie dP 2
v
d’un amplificateur Puissance maximale:
dRL
0 RL Z s Pmax s
8 Zs
(“adaptation” d’impédance)
Gain en courant :
T T T T T
iE1 iE1 ib1
iE1 iE2
Ai h fe1 h fe2
T2 T1 T2 T1 T2
ib ib ib ib ib
140
Impédance de sortie du Darlington :
hieT2
hieT1
Vcc Z sT2 hieT1 h fe
2 hieT2
Zs 2
h fe h fe1 h fe1 h fe2
1
R1
T2 T1 kT h fe1 kT hieT2
puisque hie
R2 I E T1 e I E1 e I E2 h fe2
vg 2
I E1 vs
RE I E2 I B1
I E1
h fe hFE
h fe1
h
Etage CC unique : Z s ie
h fe
Existe sous forme de composant discret à trois bornes, nommé transistor Darlington. Il se
comporte comme un seul transistor à gain en courant extrêmement élevé.
(ex: 2N2785: hfe=2000-20000.)
Utilisé fréquemment pour les applications d ’isolement entre étages (Ze très élevée, Zs très faible)
Utilisé fréquemment comme étage de sortie des amplificateurs de puissance (Z s très faible)
142
Amplificateur Push-Pull
Amplificateur classe A / classe B
Dans les montages amplificateur vus précédemment, les transistors sont à chaque
instant en mode actif
Amplificateur de “classe A”
Avantages:
faible distorsion (en cas d’amplificateur stabilisé)
simplicité
Inconvénients :
Amplitude de sortie limitée (typ: 0.2<VCE<Vcc vCEmax~Vcc/2)
Importante consommation en absence du signal : courants de polarisation non nuls
+VCC
R1 RC
Palimentation Vcc I CQ I p
Ip I CQ
ex: Vcc = 15V, IC=1mA, Ip = 0.1mA => P ~ 15mW
R2
RE en absence de signal…
R1 ICNPN
VBE NPN ~ 0.6 et VEB PNP ~ 0.6V
B
NPN Transistors bloqués (de justesse): IB~0 =>IC~0
R2
NPN PNP
P VCE VEC VCC NPN VCC PNP
~1.2V VCE VEC
vg ICNPN ICPNP Q 2 Q
R2 RL
vsortie
PNP ICNPN ICPNP
B’
R1 ICPNP VP
IB~0 IB~0
IC VCENPN
IB=0
VCC/2 VCE
145
Formation du signal de sortie
IC IC
vg
ib NPN NPN PNP
h fe RL
VCE
VEC
t
ibPNP
Signal de sortie:
vsortie
NPN actif
t
PNP actif
Distorsion de croisement : Si VBE trop faible au repos, les deux transistors seront bloquées
pendant une fraction du cycle.
147
Polarisation par diodes
Point de repos
+Vcc choix de R1 : ID ~0
R1 comme VD =Vbe IE ~ID ~0
NPN
Idéalement D1, D2 = diodes de caractéristiques
D1 appariés aux transistors
ID 2 VBE
vg D2 RL
PNP vsortie
R1
Remarques:
L ’amplificateur Push-Pull existe aussi avec des paires de Darlington
Zs plus faible puissance maximale supérieure 148
4.7.8 Amplificateur différentiel
Deux signaux d’entrée, V+, V- +Vcc
Sortie = collecteur d ’un transistor
Rc Rc
RB
Régime statique : V V 0 T1 T2
V IE E RB
IE V
Par symétrie : IE1=IE2=IE RE 2IE
-VEE
V 0.7
I E EE
2 RE
149
Régime dynamique: +Vcc
Mode différentiel:
Rc Rc
hyp: V V " ve " Vs
I E1 I E ie 1 et I E2 I E ie RB
2 T1 T2 RB
avec IE la composante continue du courant émetteur. V E V
Pour de signaux d’entrée de faible amplitude : ie ie RE
1 2
Par conséquent : I RE I E1 I E2 2 I E -VEE
Le courant dans RE n’a pas changé, et la tension en E reste constante.
E constitue une masse dynamique !
E RB
ve ve V+ = entrée non-inverseuse
V- = entrée inverseuse
étage EC
Rc h fe Rc h fe
vs ve ve 150
hie hie
Mode commun:
+Vcc
hyp: V V ve I E1 I E ie
Rc Rc
et I E2 I E ie
Vs
I RE I E1 I E2 2 I E ie RB
T1 T2
VE 2 RE I E ie 2 RE I E 2 RE ie V E RB
V
RE
La tension en E équivaut à celle d’un étage unique
ayant une résistance d ’émetteur double. D ’où le -VEE
schéma équivalent :
Rc Rc
vs
Rc
RB RB vs ve
2 RE
E E’
ve ve d’où le «gain en mode commun »:
2RE 2RE Rc
Ac 1 pour RE RC
2 RE
V V V V
avec Vmc et Vmd
2 2
v
D’où, par le principe de superposition : vs Ad vmd Ac vmc Ad vmd mc
CMRR
Ad 2h fe RE
où CMMR = « taux de réjection en mode commun »
Ac hie (common mode rejection ratio)
Intérêts de l’amplificateur différentiel : Entrées en couplage direct (seule vmd est amplifiée)
152
Polarisation par miroir de courant
2h fe RE
Il faut CMRR 1
hie
+Vcc
Choisir RE très élevée pose plusieurs problèmes:
nécessite une augmentation de l’alimentation Rc Rc
pour maintenir Ic (donc le gain) constant Vs
IEE
il suffit que RE soit élevée en régime dynamique ! R
Solution = source de courant ( R,D,T3) T3
D IE3
hyp: D et T3 = appariés -VEE
V VEE 0.7
I EE I E3 cc
R
153
« Miroir » de courant
Hyp: la caractéristique I(V) de la diode est identique (appariée) à celle de la jonction PN du transistor
V 0 .7
Val I D al
R
comme VBE = VD
R
IC = ID
VD
en tenant compte de l’effet Early, IC dépend
légèrement de VCE
154
Schémas équivalents du circuit vu de A :
ID R ~hoe-1 R ~hoe-1
VD
R > 100 k
155
Schéma équivalent de l’ampli différentiel:
en dynamique
+Vcc
Vs vs
-VEE
156
Exemple d’application
Thermostat
157
Exemple d’application
Thermostat
« charge active »
R
0.5mA
B
A
Figure 2.76
paire différentielle
source de courant
158
Exemple d’application
Thermostat
Si VA> VB
R
0.5mA
B
A
Figure 2.76
paire différentielle
source de courant
159
Exemple d’application
Thermostat
0.6V 0.6
Si VA> VB I 6A
0.1
R
0.5mA
B
A
Figure 2.76
paire différentielle
source de courant
160
Exemple d’application
Thermostat
Si VA< VB 0V I 0A
R
0.5mA
B
A
Figure 2.76
paire différentielle
source de courant
161
5. Transistors à effet de champ ou FET (field effect transistor)
5.1 Introduction
Caractéristiques de base
ID
Régime
Mode actif
linéaire
VGS = cst
~résistance
~ source de
modulée par
courant
VGS
commandée par
VGS
VDS
163
limite de zones
Différences entre FET et transistor bipolaire :
IG << IB
Impédance d’entrée très grande (parfois > 10 14)
Montages de polarisation plus simples
Régime linéaire
pente = f(VGS) résistance variable (pas d’équivalent pour le bipolaire)
VDSsat > VCEsat : tension résiduelle du transistor en mode saturé plus élevée.
164
Différences entre FET et transistor bipolaire :
165
Différents types de FET
S D S D
G G
ID est maximal pour VGS = 0, et diminue lorsqu’on augmente V GS (en valeur absolue).
ID est nulle lorsque VGS dépasse une valeur limite VGSoff.
Canal P : VGS > 0 la charge positive sur la grille repousse les trous
Canal N : VGS < 0 la charge négative sur la grille repousse les électrons
166
MOSFET (Métal Oxyde Semiconducteur – FET) à enrichissement :
La grille et le canal forment un condensateur à “plaques //”, l’isolant étant l’oxyde du silicium.
substrat G substrat
G
S S
ID est nul lorsque VGS = 0 et augmente dès que VGS dépasse une valeur seuil Vs
167
La ligne pointillée indique que le canal est inexistant tant que V GS < Vseuil
168
Caractéristiques d’un JFET à canal N : Conditions de fonctionnement : VGS 0 , VDS 0
transistor
bloqué
VGS(V)
Vs VDS (V)
VGSoff Vs Vs VGSoff
171
5.2 Schémas équivalents petits signaux
Régime linéaire : VDS VGS VP
ID
VDS
G D
= RDS
S
résistance fonction de VGS
Pour VGS > VP , et VDS <VGS +VP : RDS avec k = constante
V
k VGS VP DS dépendant du composant
2
Condition: VDS suffisamment faible (<VGS+VP ), souvent inférieure à 0.5V.
Dans ces conditions, Source et Drain peuvent être inversés.
JFET: “RDS(on)” = RDS pour VGS 0 MOSFET enrichissement: “RDS(on)” = RDS pour VGS élevée (~10V).
I D k VGS VS 2
VDS
ID est commandé par VGS
id g m v gs avec g m I D =“transconductance”
VGS V ID (mA)
DS
16
12
schéma linéaire équivalent: Q 8
G id D 4
v gs g m v gs vds 0
VGS(V) -2 -1.5 -1 -0.5
VGSoff
S
tient compte de l’augmentation de vds avec id
(équivalent de l’effet Early)
V
g m g mo 1 GS , avec g 2 I DSS
VGS mo = pente pour VGS=0
off V GS off
MOSFET à enrichissement
g m 2k VGS Vs
Ordre de grandeur : gm=1 - 10 mA/V (mS ou mmho) g m 1 0.1 1k
174
5.3 Quelques circuits de polarisation
+VDD
RD 1 ID ID V VDS
ID VGS I D DD
ID RS RD RS
IG 0 G D
S
RG ID Q VGS
Q
Q’
RS Q’
VGS VP VDS
VGSQ VDSQ
Dipersion de fabrication
2
V
I D I DSS 1 GS
VGS
off ID , VGS , VDS .
V
I D GS 175
RS
Polarisation par réaction de drain (MOSFET à enrichissement)
+VDD
V VDS I G 0 VGS VDS
I D DD
RD RD
RG
ID ID
Q
D . VGS
S
VGS(V) VDS (V)
VDD
I G 0 VGS VDS
176
5.4 Applications des FET
VGS 0 I D I DSS
charge
I
Source de courant ajustable par la résistance variable.
2
V
I D I DSS 1 GS
VGS
off ID
R V
I D GS
R
177
Source de courant à plus grande impédance de sortie
+VDD
T2 et T1 tel que IDSS(T2) > IDSS(T1)
charge
T2 T1 I = IDSS (T1 )
178
Amplificateur source commune
RD JFET
C C vg vgs
D vs RD vs
RG gmvgs
S
vg
RG
RS C Ze Zs
Impédance d’entrée : Z e RG (RG peut être prise très grande, de l’ordre du M ou plus)
Impédance de sortie : Z S RD
VCC
JFET
RD
vg vgs gmvgs RD
D RG vs
S vs
vg
RG rS
rS
RS
Gain en tension : v g v gs rs g m v gs et vs g m v gs RD
v g R RD
d’où : Av s m D
vg 1 rs g m 1
rs
gm
L’influence de gm sur le gain est réduite si rs>>1/gm. Le gain en tension est plus faible.
ve G JFET D
VCC
vg vGS
RG gmvGS
D S
vg S
RS vs
RG
RS vs Ze
Zs
g m RS RS
Gain en tension (circuit ouvert) : Av 1
1 g m RS g m 1 RS
Impédance d’entrée : Z e RG
vsc.o. Rs Rs g m 1
Impédance de sortie : Zs Rs // g m 1
isc.c g m Rs 1 Rs g m 1
181
Résistance commandée
Pour VGS > VGSoff et VDS <VGS +VP : RDS
V
k VGS VP DS
2
ex:
R
vsortie RDS
vsortie ventrée
ventrée RDS R
182
Amélioration possible:
RDS
V
k VGS VP DS
2
R
vsortie
ventrée
VDS Vcom
VGS I G 0
R1 2 2
1
R1 RDS
k Vcom VP
Vcom
183
Application: Commande électronique de gain
5k
75k
50k
5.6k
R 5k
Av c
rE RDS Vcom // 5,6k
1µF
100k Av
5k
RDS Vcom
Vcom V p
Vcom
100k
il faut RDS< 5.6k
amélioration possible: charge active pour R E.
184
Interrupteur à FET
Exemple d’application:
185
Inverseur logique
CMOS=« Complementary MOS) »
186
6. Contre-réaction et amplificateur opérationnel
Circuit bouclé : ve e A vs
La sortie agit sur l’entrée
vs A e A ve B vs B.vs
B
? A
vs ve
1 AB
Rétroaction positive : l’action de la sortie sur l’entrée renforce la variation du signal de sortie
A
vs ve comportement non-linéaire A,B modifiés
1 AB
vs Bvs e vs
• G<A
1
• Si AB >>1 , G la variation ou toute incertitude sur A n’affecte pas G.
B Amélioration de la linéarité
B = “taux de réinjection”
188
Exemple: VCC ic
R1 RC
hie i
e hfeib
CB E
CC vg Rc vs
RL RE ie
ve vs
R2 R
E
vs i ic ie vE RE ie e ib ic vs
RE contre-réaction
v R Rc ! 1
v E RE ie RE s E vs B vs Av
Rc Rc RE B
e v g B vs
indépendant de hie et hfe!
189
Montage “Série - parallèle” (contre réaction en tension):
Entrée en série avec le circuit de
ie
rétroaction
Av.vi Ri Sortie en parallèle avec B
ve vi Ze vs RL Gain en “boucle fermé”:
Ampli. vs A
G
ve 1 AB
“Explication qualitative ”:
si vi “tentait” d’augmenter, l’augmentation importante de vs (A fois plus élevée… ) s’opposera, via B,
190
à cette variation.
ie
Impédance d’entrée
Ri
Av.vi
v v B vs vi 1 AB ve vi vs RL
Z e B.F . e i Z e 1 A B Z e Ze
ie ie ie
vr B
B.F.=“boucle fermée”
Impédance de sortie
v R
Lorsque RL Z s B.F on a vs RL s L
2
vr B Ze B
Zs
A RL RL
v s RL ve avec A RL
B B
Av et ri Ri // Z E Ri si Z E Ri
1 A RL B RL ri
Av
vs ve
ri
1 Av B
RL
v R ri
vs s L RL Z s B.F . Ri
2 1 Av B
Conclusion
193
Le schéma simplifié (!) du LM741 :
1.12V
Paire différentielle
avec “Darlington”
Sources de courant
VCC
Par contre-réaction : vi0
R Vcc Ve
R1 I sortie (hyp: hFE élevé , AO parfait)
VCC R
Vcc
Version avec tensionde commande
reférencée par rapport à la masse : R3
R1
Ve
Isortie
R1
I sortie Ve
R2 R3
R2
195
Régulateur
A VA augmenterait
741
B I1 max 10
I sortie
Z s Darlington
5.6k
DZ:5.6V
196
197
198