COURS

ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE 1

PROFESSEUR: A. ABOUDOU
 CHAPITRE 2

Étude de la jonction PN ( La diode)

• On peut fabriquer un cristal moitié de type P et moitié de type N.

• La zone de rencontre des régions de type P et de type N s’appelle une jonction PN.
• Un tel cristal PN s’appelle une diode (Deux électrODEs)
DI ODE
1- Diode non polarisée : Aucune tension extérieure n’est appliquée aux bornes de la diode
• Les électrons libres du côté N de la jonction où ils sont majoritaires, vont
diffuser du côté P où ils deviennent minoritaires et se recombinent avec les
trous du côté P qui sont nombreux. Les électrons en quittant la zone N laissent
des ions positifs (atomes donneurs chargés +) fixes (stables car 8 électrons de
valences). De même, quand ils se recombinent avec les trous côté P, ils créent
des ions négatifs également fixes (atomes accepteurs chargés -).
• Donc, à mesure que les trous augmentent de part et d’autre de la
jonction, la région voisine de la jonction s’appauvrit en électrons
libre et en trous. Cette région s’appelle couche d’appauvrissement
ou de déplétion ou déserte.
• Cette zone se comporte alors comme une barrière naturelle qui va empêcher
les électrons libres de traverser la jonction.
• la différence de potentiel qui apparait entre les extrémités de la zone
déserte s’appelle la barrière de potentiel ou tension de seuil Vb.
• À 25°C, Vb est égale à 0,7V pour le Si et 0,3V pour le Ge (Germanium).
2- Polarisation directe : Une tension extérieure VAK=Vd > 0 est appliquée aux
bornes de la diode

• La barrière est abaissée (plus de zone déserte), les électrons libres de la

région N sont attirés par la borne + de la source et les trous de P par la
borne -. Ils traversent donc la jonction et on récolte dans le circuit extérieur un
courant direct Id important

• Dans ce cas la diode est dite passante.

• Le courant direct peut alors être calculé à l’aide de la formule suivante :
".$% ".$%
Id = Is (𝑒 &.' − 1) ≈ Is 𝑒 &.'

• Où Is est le courant de saturation de la diode :

,-./
+
Is = C.T3.𝑒 &.'

• Avec :
C : constante dépendant du matériau ; T : température (°K) ; q= 1,6.10-19 C
Egap = GAP (J) ; K= constante de Boltzmann = 1,38.10-23 J/K
3- Polarisation inverse : Une tension extérieure VAK=Vi < 0 est appliquée aux
bornes de la diode

• La largeur de la zone déserte augmente, la barrière augmente aussi.

• Aucun porteur majoritaire ne peut plus traverser la jonction, seuls les porteurs
minoritaires la franchissent. On récolte donc dans le circuit extérieur un
courant inverse Ii très faible.

• Dans ce cas la diode est dite bloquée.

• Le courant inverse peut alors être calculé à l’aide de la formule suivante :
".$0
Ii = Is (𝑒 &.' − 1) ≈ -Is
• Si on continue à augmenter la tension inverse, on atteint un point de claquage appelé
la tension de claquage ou tension Zener, où la diode se met à conduire fortement
(phénomène d’avalanche).

• Ce phénomène est destructeur pour la plupart des diodes sauf la diode Zener où il
est contrôlé et exploité.
4- Symbole de la diode :
5- Caractéristique de la diode I = f(VAK):
6- Résistance d’une diode :

Q : Point de fonctionnement de la diode

a- Résistance statique :

12
RS = 32
b- Résistance dynamique :

La résistance dynamique est donnée par

la pente de la caractéristique au point Q :

−1
−1 ".$2
432 4Is 5 &.' 67 9
rd = = = .3
412 412 8 2
7- Modèles électriques de la diode :

Vb = 0V
rd = 0Ω
Diode idéale
Dans ce cas la diode est équivalente à un simple interrupteur, ouvert
lorsque la diode est bloquée (V≤0) et fermé lorsque la diode est
passante (V>0).
 rd = 0Ω

Dans ce cas la diode est équivalente à un interrupteur, ouvert lorsque la

diode est bloquée (V≤Vb) et fermé lorsque la diode est passante (V>Vb),
en série avec une source de tension continue égale à la tension de seuil Vb.
 Diode réelle

Dans ce cas la diode est équivalente à un interrupteur, ouvert lorsque la

diode est bloquée (V≤Vb) et fermé lorsque la diode est passante (V>Vb),
en série avec la tension de seuil Vb et la résistance dynamique rd.