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Electronique Analogique

Mars 2021 A.ELAMRI

 PLAN
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 Les semi-conducteurs
 La jonction PN-Diodes et applications

 Transistor bipolaire

 Transistor à effet de champ

 Amplificateur Opérationnel
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1. Principe de la diode
Définition : Elément bipolaire obtenu en créant une jonction entre
deux types de matériaux semi-conducteurs (Type P et N)
1. Semi-conducteurs
Atome de Silicium : 4 éléments sur son orbite de valence (couche
périphérique

Remarque: Quand un électron quitte son orbite, il laisse un trou

(charge positive)
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• Cristal : électrons mis en commun entre différents atomes

 8 électrons = Stabilité

Electron provenant
d’un atome voisin

• Electron libre : créé par l’augmentation de température

 flux possible de charges négatives (électrons) et positives (trous)
en sens inverse
A température ambiante, le silicium n’est ni isolant, ni conducteur
 semi-conducteur
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 Semi-conducteur intrinsèque : cristal de silicium pur

 Dopage : Ajout d’atomes d’impuretés pour augmenter le
nombre de charges à semi-conducteur extrinsèque
 a. Type N
◼ ajout d ’atomes à 5 électrons sur la couche périphérique à électrons
porteurs majoritaires
◼ Arsenic (As), Antimoine (Sb), Phosphore (P)

 b. Type P
◼ ajout d ’atomes à 3 électrons sur la couche périphérique à trous
porteurs majoritaires
◼ Aluminium (Al), Bore (B), Gallium (Ga)
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Diode non polarisée

Aucune tension externe
Avant contact des deux zones

Jonction : zone de rencontre des régions P et N au contact des deux

zones : zone de déplétion

Barrière de potentiel (0,7V pour Si à 25°C)

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Polarisation directe
Mouvements opposés d’électrons de trous
Cette polarisation peut produire un grand
Courant direct
Polarisation inverse

La couche d’appauvrissement s’élargit

quand la polarisation inverse augmente

Faible courant inverse : courant de saturation IS du aux porteurs

minoritaires
Limite : Tension de claquage (supérieure à 50V) pour laquelle
phénomène d’avalanche et destruction
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Représentation

Symbole

Relation : dispositif non linéaire Id=Is(exp(Vd/VT)-1)

VT=kT/q26mV pour Si à 20°C
K : Constante de Boltzmann; q : charge de l’électron
T : température ambiante en °Kelvin
Is=10-18 à 10-15 A
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La diode est un composant non linéaire.

Zone 0A: diode est polarisée dans le sens
directe, mais la tension est trop faible pour
débloquer la jonction: zone de blocage directe.
Zone AB :la tension V commence à débloquer
la diode, c'est la zone du coude.
Zone BC:
la diode est passante, c'est une zone linéaire.
Zone OE :
la diode est polarisée en inverse, c'est la zone de
blocage inverse.
Zone EF :
l'intensité croit brusquement, c'est la zone de
claquage
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 Polarisation directe :
 la diode ne conduit pas tant qu’on n ’a pas surmonté la barrière
de potentiel
 Au-delà de Vd = 0,7 V, une petite augmentation de tension
implique une forte augmentation de courant

 Polarisation inverse : on obtient un courant extrêmement

petit
 diode : conducteur à sens unique
 Ne pas dépasser la tension de claquage et la puissance limite
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Etude d’un circuit simple

On veut déterminer V et I
D’après la loi des mailles E=RI+V
Connaissant E et R, il faut une 2ème relation pour
déterminer V et I : la caractéristique de la diode

Résolution analytique
Il faut établir l’équation de la caractéristique de la diode
Solution graphique
Il faut représenter sur le même graphe:
- Caractéristique de la diode
- La droite de représentant l’équation I=(E-V)/R
Pour I=0, V=E Pour V=0, I=E/R
Le point de fonctionnement s’établit à l’intersection des
Deux courbes
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Modèles

La caractéristique d’une diode peut être modélisée

par deux segments de droites:

Dans le sens passant (polarisation directe) et dans

la zone linéaire, la diode se comporte comme un
générateur de Thévenin « pris à contre sens »
- Vd : tension de seuil (Si: 0,6V)
- Rd : résistance interne de la diode
(R dynamique: qq mohms à 1kohms)

Dans le sens de polarisation inverse, la diode se

comporte come une résistance très élevée ( à
condition que V ne dépasse pas la tension de
claquage
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Diode idéale= interrupteur

Conducteur parfait (tension nulle) en direct et isolant parfait (courant nulle)
en inverse

Polarisation directe ; Interrupteur fermé CC

Polarisation inverse : interrupteur ouvert CO

Diode réelle
Polarisation directe :

Polarisation inverse :
Interrupteur ouvert CO
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• En fait, résistance non linéaire fonction du courant qui

traverse la diode
• Résistance directe RF<100Ω
• Résistance inverse RR>1M Ω

Pente: résistance dynamique rd2

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Redressement
But: Obtenir une tension continue à partir d’une ou plusieurs tensions alternatives
Redressement mono alternance
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Redressement mono alternance

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Redressement double alternance

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Redressement double alternance

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