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Gnrateurs de rfrence: introduction et gnralits

Sources de courant Gm constant
Sources PTAT
Sources QPVT
Sources Bandegap
Gnrateurs de tension et courant de
rfrence dans les technologies CMOS
Dimitri Galayko, Jacky Porte
dimitri.galayko@lip6.fr, porte@asim.lip6.fr
LIP6
University of Paris-VI
France
Cours IP-AMS
SESI M2
Dcembre 2009
1/42
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Gnrateurs de rfrence: introduction et gnralits
Sources de courant Gm constant
Sources PTAT
Sources QPVT
Sources Bandegap
Outline
1
Gnrateurs de rfrence: introduction et gnralits
2
Sources de courant Gm constant
3
Sources PTAT
4
Sources QPVT
5
Sources Bandegap
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Gnrateurs de rfrence: introduction et gnralits
Sources de courant Gm constant
Sources PTAT
Sources QPVT
Sources Bandegap
Principes de base
Les lments utiliss sont :
non-linaires
possdent des caractristiques dpendant de la temprature.
La non-linarit permet de raliser des circuits auto-polariss
indpendants de la tension dalimentation
La dpendance de temprature permet de mesurer la temperature et
de concevoir des circuits avec les proprits souhaites
(indpendantes de temprature, proportionnelles la temprature,
etc..)
Les lments utiliss :
les transistors MOS
les transistors bipolaires (transistors parasites raliss dans les
technologies MOS)
les rsistances
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Gnrateurs de rfrence: introduction et gnralits
Sources de courant Gm constant
Sources PTAT
Sources QPVT
Sources Bandegap
Rappel des relations de dispositifs [2][3]
On possde deux tensions directement lies la temprature : la
tension des jonctions p-n et la tension V
t
.
Pour un transistor bipolaire (souvent utilis mont en diode):
Ic = I
ss
exp(
V
be
V
t
), (1)
o V
t
= k
b
T/q, T est la temprature absolue, k est la constante
de Boltzmann, q est la charge lmentaire. I
ss
dpend de la
temprature et est proportionnel laire de lmetteur.
I
Vbe
La dpendence de la tension V
be
en temprature est dcrite par la
formule suivante (analytique, trs prcise) :
V
be
(T) = K
3
(K
3
V
be
(T
0
))
T
T
0
( K
1
q
k
b
)V
t
Log
T
T
0
, (2)
o K
1
= 8.459 10
5
V/K, K
3
= 1.1774V, = 7.021 10
4
V/K [1],
est un paramtre technologique, Log x est le logarithme sur la base
e. 4/42
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Gnrateurs de rfrence: introduction et gnralits
Sources de courant Gm constant
Sources PTAT
Sources QPVT
Sources Bandegap
Rappel des relatiosn de dispositifs (2)
Pour un transistor MOS en rgime de faible inversion (sous le seuil):
I
d
= I
dx
W
L
exp
_
V
gs
V
th
V
t

_
exp
_
1
V
t
V
bs
_
, (3)
o et le facteur de pente de la faible inversion, sensible la
temprature (2.2...3.4 pour la plage -40...110

C), I
dx
est le courant
de saturation qui vaut I
dx
=
0
C
ox

m
V
2
t
, m est compris entre 1 et 3, V
t
est la tension thermique, V
t
= q/kT.
Pour une rsistance, la dpendance est polynomiale ou
exponentielle, selon le modle :
R = R(T
0
)(1 +
1
(T T
0
) +
2
(T T
0
)
2
), (4)
o T
0
est la temprature ambiante.
On utilise galement une relation exponentielle:
R = R(T
0
)(T/T
0
)

R
,
R
3... +3. (5)
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Sources de courant Gm constant
Sources PTAT
Sources QPVT
Sources Bandegap
Coefcients thrmiques de rsistance en technologie
0.8 m
1
R
dR
dT
en ppm/K
R
poly +750 -0.225
Hpoly* -1000 +0.300
caisson N +6600 -1.98
diffusion N +1800 -0.54
diffusion P +1650 -0.495
*Hpoly : High Resistivity Poly
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Sources de courant Gm constant
Sources PTAT
Sources QPVT
Sources Bandegap
Sources de courant Gm constant: motivation
Lide est davoir un courant de polarisation indpendant
de la tension dalimentation et qui assure une
transconductance de grille constante.
Ceci est ralis par un circuit auto-polaris :
IREF
I
R
MN2 MN1
MP4 MP3
R
VDD VDD
MN2 MN1
MP4 MP3
R
VREF
Iref Iref
M : 1
1 : N
MP5
: Q
M : 1
1 : N
I2
gm=const
Iref=I(T,process...)
MP4
VDD
1:Q
1:Q signifie que les W/L des transistors
MP3 et MP4 se trouve en rapport 1/Q
MP3
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Sources de courant Gm constant
Sources PTAT
Sources QPVT
Sources Bandegap
Sources gm constant : analyse grand signal
Pour analyser ce circuit, on peut la reprsenter comme deux blocs
algbriques cascads et mis en contre-raction
.
Si les transistors sont en rgime de forte inversion:
f
2
(x) = Nx, (Mirroir de courant avec facteur M) (6)
pour trouver f
2
(x) : il faut considrer la maille R-S
M1
-G
M2
-GND.
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Sources de courant Gm constant
Sources PTAT
Sources QPVT
Sources Bandegap
Sources gm constant : analyse grand signal
Nous avons :
I
M1
d
= I
R
= (V
M2
gs
V
M1
gs
)/R =
_
_

I
M2
d
K
2

I
M1
d
K
1
_
_
/R; (7)
En rsolvant cette quation comme quation quadratique (on pose
x =
_
I
M1
d
, nous avons :
I
M1
d
= f
1
(I
M2
d
) =
_
_
_

1
2R

K
1
+

_
1
4R
2
K
1
+

I
M2
d
R
2
K
2
_
_
_
2
(8)
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Sources de courant Gm constant
Sources PTAT
Sources QPVT
Sources Bandegap
Sources gm constant : analyse grand signal
.
Ainsi, la fonction de transfert totale est:
I
M3
d
= f
2
(I
M4
d
) = f
2
(f
1
(I
M2
d
).
Le graphique liant I
M3
d
et I
M2
d
est le suivant :
I
M3
d
I
M2
d
I
M
3
d
=
I
M
2
d
.
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Sources de courant Gm constant
Sources PTAT
Sources QPVT
Sources Bandegap
Sources gm constant : analyse grand signal
Cependant, en supposant que M1 et M2, M3 et M4 sont apparis
(avec les rapports des longueurs comme montr sur le schma), on
trouve I
R
directement en considrant la maille G
1
-G
2
-S
2
-R-S
1
et en
supposant que V
M1
th
= V
M2
th
.
I
R
= (V
M2
gs
V
M1
gs
)/R =
_
_

I
M2
d
K
2

I
M1
d
K
1
_
_
=
_
_

I
R
/N
K
2

I
R
K
1
_
_
(9)
On constate que I
R
= 0 est une racine; en cherchant une racine
non-nulle, on divise par

I
R
, et on obtient, sachant K
1
/K
2
= M :
I
R
=
1
R
2
K
1
(

MN 1)
2
. (10)
I
R
obtenu ne dpend pas de la tension dalimentation, mais est
sensible la temprature et au process (K dpend de la mobilit, R
est sensible la temprature).
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Sources de courant Gm constant
Sources PTAT
Sources QPVT
Sources Bandegap
Sources gm constant : analyse grand signal
La valeur du courant de rfrence a t obtenue par une analyse
grand signal, car nous avons considr les quations non-linaires
des transistors. Ainsi, un point de fonctionnement du circuit est dni.
Pour ce point de fonctionnement, on peut dnir des paramtres petit
signal. Cest g
m
du M2 qui nous intresse. On a pour g
M2
m
:
g
M2
m
= 2
_
I
2
K
2
=
2
R
_
N
M
(

MN 1). (11)
Si R est stable et les transistors sont bien apparis, g
M2
m
est
constante.
Le courant I
2
peut tre utilis pour polariser un transistor nMOS de
sorte xer son g
m
.
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Sources PTAT
Sources QPVT
Sources Bandegap
Pour faire la mme chose avec un transistor pMOS, il faut utiliser le
transistor M4,or
gm
4
=
2
R

K
4
K
1
(

MN 1). (12)
VREF
MP1 MP2
R
MN3 MN4 MN5
VDD
IREF
Si on souhaite obtenir un gm
constant pour un transistor P, on
fait un tage quivalent avec
transistors complmentaires.
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Sources QPVT
Sources Bandegap
Analyse petit signal du circuit
Pourquoi analyser en mode petit signal ?
La stabilit du point de rfrence DC,
Labsence dauto-oscillations en frquence,
Sensibilit aux bruits dalimentation
On tudie le circuit en boucle ouverte : on ouvre le circuit, par ex., sur
les grilles des transistors M1 et M2:
gm vb
1
gm
4
gm va
3
gm
2
va
vx
X
R
vb
X
vref
I
R
MN2
VREF
MN1
MP4
R
MP3
X X
VDD
VSS
C4
C
C2
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Sources QPVT
Sources Bandegap
Analyse petit signal du circuit (2)
On cherche la fonction de transfert en boucle ouverte v
ref
/v
x
:
avec v
ref
=
gm
3
gm
2
+C
2
p
v
a
, v
a
=
gm
1
gm
4
+C
4
p
v
b
et
v
b
= v
x

gm
1
1/R +Cp
v
b
. On pose G = 1/R, on a :
v
ref
v
x
=
gm
1
gm
3
(G +Cp)
(gm
2
+C
2
p)(gm
4
+C
4
p)(G +gm
1
+Cp)
. (13)
A p = 0, on a le gain DC A
0
:
A
0
=
gm
1
gm
2
gm
3
gm
4
1
G +gm
1
=

MN
1
2

MN 1
. (14)
La condition de stabilit DC A
0
< 1, ainsi, MN doit tre grand.
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Analyse petit signal du circuit (2)
En frquence non-nulle : les capacits C
2
et C
4
sont faibles, mais C
peut tre grand, si R est une rsistance externe, : on a donc un ple
basse frquence (G +gm1)/C qui est associ un zro G/C: un
doublet pouvant conduire linstabilit.
Pour annuler le zro, on peut augmenter la capacit C2 en plaant le
premier ple la frquence du zro :
C
2
gm
2
= CR; C
2
= Cgm
2
R = 2C
_
N
M
(

MN 1). (15)
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Sources Bandegap
Proprits de la tension gnre: dpendance de la
temprature
On a pour V
ref
:
V
ref
= Vth
2
+

I
2
K
2
= Vth
2
+
1
RK
2
_
N
M
(

MN 1). (16)
V
ref
T
=
Vth
2
T

_
N
M
(

MN 1)
_
R
T
1
R
2
K
2
+
K
2
T
1
RK
2
2
_
(17)
Pour le coefcient fractionnaire de tension
TC
F
(V
ref
) =
1
V
ref
V
ref
T
=
1
V
ref
(
Vth
+
_
N
M
(

MN 1)
1
RK
2
T
(
N

R
)) (18)
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Sources PTAT
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Les signes des coefcients :

1.5...2.5,
V
th
= 1...2.5mV/K.
R
dpend du matriau. Le signe de
R
> 0 dpend du matriau. Ainsi,
dans lexpression pour TC
F
(V
ref
), il y a une alternance de signe :
cela signie quil peut exister un jeu de valeur annulant TC
F
(V
ref
).
Cela arrive pour la valeur "optimale" de V
ref
(correspondant
certaines valeurs M et N) :
V
ref OPT
= Vth
2
+

VthN

N

R
T. (19)
Bien sr, V
ref
doit tre suprieur Vth
2
an dassurer une forte
inversion de MN2. Cela est galement une condition sufsante pour
une forte inversion de MN1.
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Sources PTAT
Sources QPVT
Sources Bandegap
Sensibilit la tension dalimentation
On doit analyser le schma petit signal suivant:
va
vr
is
vs
gds4
gm4 va gm3 va
gds1
R
gm1 (vsvr)
gds3
gds2 gm2 vs
a
On obtient
v
ref
vdd

gds
3
gm
2

gm
3
gm
4

gm
1
1+Rgm
1
=
gds
3
gm
2
. .
gain intrinsque

2MN 1

MN 1
. .
1
. (20)
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Sources QPVT
Sources Bandegap
Dmarrage du circuit
Comme on a vu lors de la rsolution de lquation pour I
R
, il y a deux
valeurs possibles : lune est nulle, lautre est celle que lon souhaite.
Daprs le modle de calcul que nous avons utilis, le point
dquilibre I
R
= 0 est instable, donc, moindre perturbation sur le
courant dsquilibre le circuit pour lamener dans le point stable.
Cependant, le calcul a t fait sous hypothse de saturation pour les
deux transistors, i.e., V
gs
> V
th
. En considrant la possibilit pour
tous les transistors dtre en rgime bloqu (|V
gs
| < |V
th
|), on peut
voir que lensemble de points de fonctionnement point correspondant
(|V
gs
| < |V
th
|) et I
d
= 0 pour tous les transistors sont possibles et
sont stables. Ainsi, au dmarrage, le circuit peut se mettre dans lun
de ces points, ce qui nest pas un fonctionnement souhait.
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Sources PTAT
Sources QPVT
Sources Bandegap
Un circuit de dmarrage a pour but de "pousser" le systme vers le
bassin dattraction correspondant ltat stablstable souhait.
Deux exemples simples : avec une capacit et avec un transistor de
dmarrage.
VDD
MP4 MP3
MN2 MN1
R
VREF
CST
MN2 MN1
R
VREF
VDD
MP4 MP3
MNST
V
MNST
th
> V
M4
g
V
M1
g
en fonctionnement.
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Sources PTAT
Sources QPVT
Sources Bandegap
Sources PTAT: Motivation
PTAT : Proportional To Absolute Temperature. Peuvent tre utiliss
dans les capteurs, dans les circuits bandgap (cf. la suite),dans
diffrents circuits de compensation thermiques.
V
ref
T.
Note : en lectronique, comme en physique en gnral, on doit
toujours considrer la temprature absolue, mme si Spice afche la
temprature en degr de Celsius !
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Sources de courant Gm constant
Sources PTAT
Sources QPVT
Sources Bandegap
Source PTAT CMOS
Le schma est identique celui pour gm constante, mais les
transistors M1 et M2 sont polariss en faible inversion (sous le seuil),
le substrat de MN1 est reli au potentiel infrieur ( la masse) et la
tension de rfrence est prleve sur la rsistance.
MP3 MP4
R
VREF
VDD
MN2 MN1
N : 1
MP3 MP4
MN2 MN1
VDD
1 : M
IR
: Q
VREF
IR
R1
MP13
1 : N
M : 1
R12
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Sources de courant Gm constant
Sources PTAT
Sources QPVT
Sources Bandegap
Source PTAT CMOS : analyse grand signal
I
M1
ds
= I
R
= I
DX
_
W
L
_
1
exp
_
V
M1
gs
V
M1
th
V
_
exp
_
1
V
t
V
M1
bs
_
. (21)
soit
V
M1
gs
= V
t
Log
_
I
R
I
DX
_
w
L
_
1
_
+( 1)V
M1
bs
+V
M1
th
, (22)
Avec
V
ref
= V
M2
gs
V
M1
gs
= V
t
Log
_
I
M2
ds
I
R
(W/L)
1
(W/L)
2
_
+(1 )V
ref
+V
M2
th
V
M1
th
, (23)
on dtermine :
V
ref
= V
t
Log(NM) +(V
M2
th
V
M1
th
)/. (24)
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Sources PTAT
Sources QPVT
Sources Bandegap
Source PTAT CMOS: notes
Ainsi, lerreur dappariement sur les Vth prs, on obtient :
V
ref
= V
t
Log(NM) =
kT
q
LogNM. (25)
Les conditions suivantes doivent tre respectes :
MN1 et MN2 doivent tre en faible inversion la temprature
maximum (125 degres),
Les courants de fuite de jonctions de drain et de source de MN1 et
MN2 doivent tre minimiss (sinon erreurs hautes tempratures)
Les transistors doivent tre sufsamment longs, sup. 5 m pour
minimiser les erreurs dappariement et les effets de canal courts...
La valeur de la tension de rfrence est de quelques V
t
= 0.025V,
ainsi, on peut vouloir amplier le courant (circuit de droite) :
V
ref
= QI
R
R
12
=
R
12
R
1
QV
t
Log(NM). (26)
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Sources PTAT
Sources QPVT
Sources Bandegap
Sources PTAT BiCMOS: principe
Deux transistors bipolaires monts en diodes, apparis, avec rapport
de dimension M, sont branches en srie avec des sources de
courant MOS.
Id
N.Id
Vd1 Vd2
VS
M.D1 D2
On a pour les tensions des
diodes:
Vd
1
= V
t
Log
I
d
MI
s
, (27)
Vd
2
= V
t
Log
NI
d
I
s
. (28)
La tension de sortie est dnie
comme une diffrence entre les
tensions des diodes :
V
s
= Vd
2
Vd
1
= V
t
Log(MN) = (29)
kT/qLog(MN). (30)
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Sources de courant Gm constant
Sources PTAT
Sources QPVT
Sources Bandegap
Solution 1: PTAT BiCMOS autopolarise
MP3 MP4
VDD
QP2 QP1
M : 1
R1
VREF
MN1 MN2
1 : N
1 : N
Ce quad miroirs de courant assure
lindpendance de la tension dalimentation.
De plus, grce au rapport identique entre les
dimensions de transistors des deux
branches (comparer avec 1:N et M:1 sur le
transp. 7), il assure que Vgs
1
= Vgs
2
: on a
donc ncessairement V
r
= Vd
2
Vd
1
.
V
ref
= Veb
2
+Vgs
2
Vgs
1
Veb
1
= (31)
Veb
2
Veb
1
+Vth
2
Vth
1
V
t
Log(NM). (32)
Linconvnient : ce gnrateur ncessite une
tension dalimentation importante :
Vdd > Veb
2
+Vth
2
+Veg
2
+Vdsat
3
1.5V (33)
Egalement, cette topologie ncessite une technologie double
caisson pouvoir polariser indpendemment les bulks de M1 et M2.
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Sources PTAT
Sources QPVT
Sources Bandegap
Solution 2: PTAT BiCMOS rgule
MP3 MP4
VDD
VREF
: Q
MP13
1 : N
QP2 QP1
M : 1
R1
R12
VREF1
Utilisation dun amplicateur forant
lgalit les tension des drains.
V
ref
= Veb
2
Veb
1
= V
t
Log(NM). (34)
Lalimentation :
Vdd
min
= Veb +Vdsat 0.8V.
Compatibilit avec une techno CMOS
standard.
Critique: appariement des transistors
bipolaires !
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Sources de courant Gm constant
Sources PTAT
Sources QPVT
Sources Bandegap
De limplmentation des transistors bipolaires...
QP1
RB/M
M : 1
RB
QP2
Veb
Ie
N.Ie
Vbe = V
t
Log(MN) +V
t
Log
_
1 +1/
1
1 +1/2
_
+I
e
R
B
_
N
1 +
1

1
M(1 +
2
_
. (35)
Cette formule peut tre obtenue partir du schma ci-dessus
sachant que Vbe = V
t
Log(Ic/Is), Ic = Ib et Ie = Ic +Ib.
On peut minimiser deuxime terme en appariant les transistors, et le
troisime en galisant les rsistances de base par ajout en srie la
base de Q1 une rsistance RB

= RB(N 1/N).
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Sources PTAT
Sources QPVT
Sources Bandegap
De limplmentation des transistors bipolaires... (2)
Pour miminser le troisime terme, il faut apparier les transistors
bipolaires (galiser les ). Pour cela on utilise un placement
gomtrie centre matricielle. Pour Q1, le nombre optimal de
dispositifs vaut :
M = (2n 1)
2
1, n = 2, 3, ... (36)
Quelques exemples de schmas de layout :
QP1 QP2
QP1 QP1 QP1
QP1
QP1 QP1 QP1
VPTAT = 51mV
QP1 QP2
QP1 QP1 QP1
QP1
QP1 QP1 QP1
QP1
QP1
QP1 QP1
QP1
QP1
VPTAT=65mV
QP1 QP2
QP1 QP1 QP1
QP1
QP1 QP1 QP1
QP1
QP1
QP1 QP1
QP1
QP1
QP1 QP1 QP1 QP1 QP1
QP1 QP1 QP1 QP1 QP1
VPTAT=79mV
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Gnrateurs de rfrence: introduction et gnralits
Sources de courant Gm constant
Sources PTAT
Sources QPVT
Sources Bandegap
Sources QPVT: principe
QPVT : Quasi invariant Process, supply Voltage, Temperature.
Une source QPVT gnre un courant de rfrence proportionnel au
coefcient de transconductance K du transistor MOS (0.5(W/L)Cox)
et au carr de la tension thermique V
t
:
I
ref
KV
2
t
. (37)
En rsulte un certain nombre de proprits remarquables.
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Gnrateurs de rfrence: introduction et gnralits
Sources de courant Gm constant
Sources PTAT
Sources QPVT
Sources Bandegap
Sources QPVT : principe et motivation
1) Quasi invariance process et temprature des courants :
I
ref
K(T
0
)(T/T
0
)

T
2
= T
2
. (38)
vu que

1.5...2.5, K/K 10%, les courants sont peu

dpendants des dispersions technologiques et de la temprature.
2) Invariance Process des tensions effectives de grille
Veg
i
=

I
ref
K
i
V
t
(39)
Les tensions effectives de grille sont indpendantes des dispersions
technologiques et PTAT en temprature.
3) Quasi invariance Process et Temprature des transconductances:
gm
i
2
_
I
ref
K
i

_
KK
i
V
t

_
K(T
0
)K
i
(T
0
)T
1

. (40)
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Gnrateurs de rfrence: introduction et gnralits
Sources de courant Gm constant
Sources PTAT
Sources QPVT
Sources Bandegap
Source QPVT: implmentation CMOS
MN2 MN1
VDD
MP4 MP3
: Q 1 : N
M : 1
VSS
P :
Ir
MN1R
IREF
MP14 MP13
Iref
MN11
Quad CMOS PTAT
M1-M4 : indpendance
de Vdd
Le miroir de type N
(M1,M2) en faible
inversion
La rsistance R1 est
modlise par un
transistor MOS en rgime
ohmique en forte
inversion (MN1R):
commande par Vg
impose par le courant
gnr, levation au
carr de V
t
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Gnrateurs de rfrence: introduction et gnralits
Sources de courant Gm constant
Sources PTAT
Sources QPVT
Sources Bandegap
Source QPVT: analyse grand signal
Le quad CMOS est un quad PTAT dj connu. La tension aux bornes
de la rsistance (DS du trans. MN1R) vaut :
V
R
= V
MN1R
ds
V
t
Log(MN) +Vth
1
Vth
2
V
t
Log(MN). (41)
Le courant de transistor MN1R vaut :
I
r
= 2K
1R
(Vgs
1R
Vth
1R
V
R
/2)V
R
. (42)
et,
Vgs
1r
= Vgs
11
=

P
I
R
K
11
+Vth
11
(43)
et Vth
11
Vth
1R
.
On arrive lquation pour Ir:
I
R
= 2K
1R
_

P
I
R
K
11

V
R
2
_
V
R
. (44)
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Gnrateurs de rfrence: introduction et gnralits
Sources de courant Gm constant
Sources PTAT
Sources QPVT
Sources Bandegap
Source QPVT: analyse grand signal (2)
_
I
R
= K
1R
V
R

P
K
11
_
1

1
K
11
PK
1R
_
(45)
On voit que cest un systme algbrique non-linaire qui peut avoir
zro, (un) ou deux points dquilibre. Il faut que le dterminant soit
non-ngative, i.e.,
V
R
<
Vgs
11
Vth
11
2P
(46)
Si il y a plusieurs points dquilibre possibles, il faut utiliser un circuit
de dmarrage.
On arrive
I
ref
P
K
2
1R
K
11
_
1 +

1
K
11
PK
1R
_2
(V
t
Log(MN))
2
(47)
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Gnrateurs de rfrence: introduction et gnralits
Sources de courant Gm constant
Sources PTAT
Sources QPVT
Sources Bandegap
Source QPVT : commentaires
Pour obtenir une proportionnalit K
11
: K
11
= K
1R
.
I
ref
PK
11
_
1 +
_
1
1
P
_
2
(V
t
Log(MN))
2
(48)
Source derreur : lhypothse sur lgalit des tensions des seuils de
ces deux transistosr (leurs Vds sont diffrentes).
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Sources de courant Gm constant
Sources PTAT
Sources QPVT
Sources Bandegap
Source bandgap: principe et motivation
Motivation : avoir une tension invariante en temprature.
Approche: utiliser deux sources avec coefcients thermiques
opposs.
Dans les technologies CMOS nous possdons deux tensions
dpendantes de la temprature :
tension base-metteur dun transistor bipolaire :
Vbe
T
1.8mV/K (49)
tension V
t
= k
b
T/q:
V
t
T
0.087mV/K (50)
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Sources de courant Gm constant
Sources PTAT
Sources QPVT
Sources Bandegap
Source bandgap : principe et motivation (2)
On pose donc V
ref
comme une combinaison linaire de ces deux
tensions :
V
ref
= k
1
Vbe +k
2
V
t
, (51)
soit
V
ref
k
1
(K
3
(K
3
Veb(T
0
))T/T
0
) +k
2
V
t
. (52)
Ici Vbe est exprime en fonction de la temprature comme prsent
sur le transparent 4. Maintenant, on choisira k
1
et k
2
tels que la
drive de V
ref
par rapport la temprature est nulle :
V
ref
T
= k
1
_

K
3
Veb(T
0
)
T
0
_
+k
2
k
b
q
. (53)
A la temprature ambiante, la drive sannule si k
2
/k
1
20, ce qui
correspond la tension de rfrence de valeur 1.2 V peu prs - ce
qui est proche de la largeur de la bande interdite du silicium, do le
nom "bandgap".
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Sources de courant Gm constant
Sources PTAT
Sources QPVT
Sources Bandegap
Ralisation de bandgap
MP3 MP4
VDD
R2
1 : N
QP2 QP1
M : 1
R1
VREF
V
ref
= R
2
NI
R1
+ Veb
2
. (54)
Or I
R1
est dni comme :
I
R1
=
V
R1
R
1
=
Veb
2
Veb
1
R
1
. (55)
Ainsi,
V
ref
= N
R
2
R
1
(Veb
2
Veb
1
) + Veb
2
, (56)
soit
V
ref
= N
R
2
R
1
V
t
Log(MN) + Veb
2
(57)
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Sources de courant Gm constant
Sources PTAT
Sources QPVT
Sources Bandegap
Ralisation de bandgap
On arrive lexpression nale :
V
ref
= N
R
2
R
1
V
t
Log(MN) +K
3
(K
3
Veb
2
(T
0
))T/T
0
mV
t
Log(T/T
0
), (58)
avec m = K
1
q
k
b
et = 1 +
R
1.
Pour trouver les valeurs appropries des rsistances, il faut annuler la
drive de V
ref
par rapport T pour une temprature T
opt
choisie.
On trouve
N
R
2
R
1
=
1
Log(MN)
_
K
3
Veb
2
(T
0
)
V
t
(T
0
)
+m
_
1 +Log
_
T
opt
T
0
___
, (59)
pour lequel
V
ref
= K
3
+mV
t
(T)
_
1 +Log
_
T
opt
T
__
. (60)
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Sources PTAT
Sources QPVT
Sources Bandegap
Ralisation de bandgap (2)
La tension de rfrence est de forme "cloche concave". Si T
opt
= T
0
,
le sommet de la cloche correspond
V
ref
= V
G0
+mV
t
(T
0
) 1.17 +3 0.0259 1.25V. (61)
Tension dalimentation minimale: V
ref
+Vds
sat MP3
1.5V.
Cette topologie est donc irralisable dans les technologies modernes.
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Sources de courant Gm constant
Sources PTAT
Sources QPVT
Sources Bandegap
Y. P. Tsividis, Accurate analysis of temperature effects in ic-vbe
characteristics with application to bandgap referencessources,
IEEE journal of solid-state circuits, vol. SC-15, pp. 10761084,
december 1980.
J. Porte, Rfrences de tension et de courant en technologie
cmos standard, site web
http://comelec.enst.fr/oceane/doc/documents/ivref/.
B. Razavi, Design of Analog CMOS Integrated Circuis.
2001.
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