TP1

TP1 : AMPLIFICATEUR À TRANSISTOR À EFFET

DE CHAMP

1. But du TP
L’objectif de ce TP est d’étudier un amplificateur bas niveau à l’aide d’un transistor FET. Le
transistor utilisé est un JFET à canal N alimenté sous une tension d’alimentation Vcc=15V.
L’étude se décompose en deux étapes :
↪ 1ère étape : Etude des caractéristiques statiques du transistor et choix du point de
fonctionnement.
↪ 2ème étape : Etude linéaire : visualisation et mesures des signaux de tension et de
courant de cet amplificateur soumis à des signaux d’entrée sinusoïdaux (TP2).
Le transistor à effet de champ possède trois électrodes le drain, la grille et la source.
Des trois montages possibles (drain commun, grille commune, source commune), c’est le
montage source commune qui est le plus utilisé.
Nous allons utiliser la bibliothèque Simscape qui est une extension de Simulink pour
modéliser les systèmes électroniques, mécaniques, hydrauliques et thermiques.

2. Caractéristiques statiques en source commune

Le simulateur peut être utilisé pour effectuer un relevé de caractéristiques de ce transistor et
comprendre le fonctionnement de ce composant en terme de tensions/courants.
Pour se faire, nous allons effectuer une analyse en régime statique avec un balayage des
sources DC de tensions VGS et VDS. Cette analyse est souvent employée pour l’étude de la
phase de polarisation du circuit.
Pour relever ces caractéristiques, on considère le montage suivant :

Figure 1

SIMULINK 1 Pr. Z. MADINI-ZOUINE

 2.1 ID = f (VDS)
On souhaite observer la variation de ID en fonction de VDS pour VGS constant.
1. Nettoyer l’écran et l’espace de travail : clear all, close all, clc.
2. Implémenter le circuit en cliquant et en faisant glisser chaque bloc :

Block Librairie
N-Channel JFET Simscape / SimElectronics / Semiconductor Devices
DC Voltage Source Simscape / SimElectronics / Additionnal Components
Controlled Voltage Source Simscape / Foundation Library / Electrical / Electrical Sources
Electrical Reference Simscape / Foundation Library / Electrical
Current Sensor Simscape / Foundation Library / Electrical / Electrical Sensors
PS-Simulink Converter Simscape / Utilities
Simulink-PS Converter Simscape / Utilities
Solver Configuration Simscape / Utilities
Ramp Simulink / Sources
Scope Simulink / Sinks
Signal To Workspace Signal Processing Blockset / Signal Processing Sinks

° Placer le transistor N-Channel JFET .

La figure ci-dessous vous donne quelques éléments de paramétrage du transistor.

- g_fs est la transconductance directe du

transistor. Elle représente le rapport
courant drain Id sur tension de commande
Vgs.
∂I
g _fs = d et s’exprime en mS.
∂Vgs
- g_os est la conductance de sortie du
transistor. Elle représente le rapport
courant drain Id sur tension drain-source
Vds.
∂I
g _os = d et s’exprime en µS.
∂Vds
Igss est le courant de fuite lorsque le
transistor est bloqué.

Le transistor répond à la fiche technique suivante :

• Une polarisation à Vds = 5V, Idss = 2mA et Vgs = -2V.
• g_fs = 3mS et g_os = 50 µS.

° Placer les sources de tension de grille et de drain

Placer une source de tension continue VGS DC Voltage Source côté grille.
La variation linéaire de la tension drain-source VDS est contrôlée par une rampe Ramp de
Simulink.
Afin qu’elle puisse être relié aux composants physiques de Simscape, nous utilisons le bloc
Simulink-PS Converter pour le passage de Simulink à Physical Systems.

SIMULINK 2 Pr. Z. MADINI-ZOUINE

Les blocs Simulink-PS Converter et PS-Simulink Converter sont des convertisseurs permettant
la conversion des signaux de type Simulink en signaux physiques et vice versa.
Après ce passage, il faut la transformer en tension électrique qu’on appliquera au drain du
transistor. Ceci se fait grâce à la source de tension contrôlée Controlled Voltage Source.
Placer une rampe Ramp VDS.

La pente de la rampe est donnée par :

p = (Vds _ max − Vds _ min ) tsim
que l’on peut spécifier dans sa boite de
dialogue en double-cliquant sur ce bloc,
avec tsim le temps de simulation.

Placer un convertisseur Simulink-PS Converter.

Placer une source de tension contrôlée Controlled Voltage Source côté drain.

Attention à la polarisation des sources. Le drain est polarisé positivement et la grille est
polarisée négativement.

° Placer un ampèremètre pour mesurer le courant de drain

Placer un ampèremètre Current Sensor entre la source VDS et le drain du transistor. Il faut
orienter cet ampèremètre de manière à mesurer le courant ID entrant dans le drain.

° Placer un bloc Solver Configuration

L’élément très important de la bibliothèque Simscape est le bloc Solver Configuration du
solveur.
Ce dernier doit être raccordé à n’importe quel point du système. Il spécifie des informations
globales et fournit les paramètres dont a besoin le solveur Simulink avant tout début de
simulation. Chaque modèle a besoin d’un bloc unique de ce type.

° Placer une masse de référence Electrical Reference

° Placer des oscilloscopes Scope pour visualiser les résultats

Attention, n’oublier pas de placer des blocs PS-Simulink Converter pour le passage de
Physical Systems à Simulink.

° Placer des blocs Signal To Workspace

Le bloc Signal To Workspace sert à exporter le signal dans Matlab pour le traiter ou le
présenter de façon différente.
° Fixer la durée de la simulation tsim à une seconde

SIMULINK 3 Pr. Z. MADINI-ZOUINE

 3. Un programme de simulation est généralement constitué d’un fichier Simulink
*.mdl et d’un script Matlab *.m.
Définir les paramètres du model suivants dans un script matlab :
tsim = 1, Vds_min = 0,Vds_max = 20, Vgs_min = -3 et Vgs_max = 0.
Lancer le script matlab. Il ne faut pas que le fichier .mdl et le script .m aient le même nom.
4. Configurer les paramètres de la simulation selon la boite de dialogue suivante :

5. Tracer la caractéristique ID=f(VDS) pour :

• VGS variant de 0 à -3V par pas de 0.5V
• VDS variant de 0 à 10V par pas de 2V.

2.2 ID = f (VGS)
Modifier les sources de tensions de drain et de grille àfin de pouvoir observer la variation de
ID en fonction de VGS pour VDS constant.

6. Tracer la caractéristique ID=f(VGS) pour :

• VGS variant de 0 à -3V par pas de 0.5V
• VDS =2V, 3V et 5V

3. Etude en régime sinusoïdal (Analyse fréquentielle) (TP2)

On se propose d’étudier un amplificateur à transistor à effet de champ. Il s’agit du montage
émetteur commun à sortie sur collecteur :
Vcc

R2
C41
C1
T

ϑe R1 R3 C3 ϑs RCh

SIMULINK 4 Pr. Z. MADINI-ZOUINE

On choisit d’utiliser le transistor TEC étudié précédemment alimenté sous une tension
d’alimentation Vcc = 15V.
La résistance Rch représente la résistance de la charge qui sert à mesurer la tension de sortie et
dont la valeur est indépendante du gain de l’étage. La tension d’entrée est sinusoïdale
d’amplitude 100mV et de fréquence 1KHz.

Construire le modèle asservi en cliquant et en faisant glisser chaque bloc.

Block Librairie Quantité
Mux Simulink / Communly Used Blocks 1
Slider Gain (Kp) Simulink / Math Operations 1
Scope (Entrée/sortie, Erreur …) Simulink / Sinks 3
Pulse Generator (Consigne) Simulink / Sources 1
Sum (Comparateur) Simulink / Communly Used Blocks 1
Transfer Fcn (Procédé) Simulink / Continuous 1

SIMULINK 5 Pr. Z. MADINI-ZOUINE