TP Transistor bipolaire

Transistor bipolaire
I. Introduction :
Le transistor fait partie des composants que l'on retrouve sans exception dans toutes les applications
de l'lectronique.
Amplification de tension,
amplification de courant,
amplification de puissance,
interrupteur,
oscillateurs,
convertisseurs AC-AC, AC-DC, DC-DC, DC-AC,
micro-contrleurs,
micro-processeurs, etc...
Il existe plusieurs types de transistor :
Composant
commande
Application type
A max1
Bande passante1
Bipolaire

courant

Amplification,
commutation

10A

0 GHz

MOS, FET, JFET,

MOSFET

tension

Commutation

5A

0 10MHz

200A

0 MHz

Commutation en
lectronique de
puissance
Nous nous intresserons ici simplement au transistor bipolaire.
IGBT

courant

II. Objectifs :
tude des montages en forts et petits signaux
base commune,
metteur commun,
collecteur commun.
III. Gnralits :
Le transistor bipolaire est constitu par 2 jonctions PN mises bout bout. Il est possible d'associer
ces 2 jonctions de manire constituer 2 composants :
le transistor NPN,
le transistor PNP.
Le transistor est un composant compos de 3 connexions :
base, zone faiblement dope et de taille trs faible (par rapport aux 2 autres),
metteur, zone trs dope -ie zone extrinsque collecteur, zone trs dope, et d'une taille presque 1,5 fois plus grande que l'metteur.
B
E

Figure 1 : Botier
TO39.
1 Ce ne sont que des ordres de grandeurs.
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Description du fonctionnement d'un transistor NPN/PNP :

En fonctionnement normal, la jonction base-metteur est polarise dans le sens direct, et la jonction
base-collecteur en inverse.
Cela signifie que la polarisation directe de la base permet aux lectrons/trous de passer dans
l'metteur sous la forme d'un courant de diffusion -Idn/Idp- puisque la barrire de potentiel a t
annule. De la mme manire les trous/lectrons de la base diffusent vers l'metteur -Idp/Idn-.
L'accumulation d'lectrons/trous dans la base fait qu'ils sont attirs dans le collecteur car la
polarisation entre la base et le collecteur est inverse. Ceci est possible car au niveau de la base il
existe une inversion localise de la population puisque celle-ci possde une taille trs faible. Les
lectrons ainsi stocks, on suffisamment d'nergie pour transiter naturellement dans la zone
collecteur aids par la polarisation inverse de la zone B-C.
Dans les 2 jonctions il existe des courants inverses. L'agitation thermique est la source de la cration
de ces courants. Cependant ce courant est ngligeable devant le courant de diffusion et ne contribue
pas l'effet transistor.
Porteurs majoritaires

Porteurs majoritaires

IE

Idp

IdnPorteurs minoritaires
IS
I'i
N

Idp1

IC

IC

IB= Idp-Idp1+Idn-I'i-IS
B
Porteurs majoritaires

Porteurs majoritaires

IE

Idn
N

IdpPorteurs minoritaires
IS
I'i
P

Idn1
N

IB= -(Idn-Idn1+Idn-I'i-IS)
B

Figure 2 : Dplacement des porteurs dans les transistors PNP/NPN en

mode direct.

I E =I dp I dn I ' i
loi des noeuds au point B , I B I C =I E
I C =I dp1I S
I B =I dp I dn I ' i I dp1 I S
I
posons = dp1 I E =I dp1 , avec [0,95 ; 0,999]
IE
I C = . I E I S = . I B . I C I S I C . 1 = . I B I S

1
I C=
. I B
. I S , posons =
, avec [20 ; 500]
1
1
1
1
1
I C =. I B
. I S , . I B
. I S puisque I S est de l ' ordre du nA.
1
1
I C = . I B

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Nous allons tudier dans ce TP le transistor bipolaire NPN 2N3053. A partir des informations
donnes sur le Data Sheet du constructeur relever :
la puissance maximale dissipable,
le courant collecteur maximal ne pas dpasser,
la tension collecteur base maximale.
IV. tude des caractristiques statiques ou forts signaux du transistor :
A- montage base commune :
Un montage quivalent fort signal est utile pour fixer le point de fonctionnement du
transistor. On nglige souvent la rsistance Rd.
E

Rd

0,6V

.IE

Figure 3 : Modle quivalent en mode statique du montage

base commune.

Raliser le montage de la Figure 4 :

1M 500

VEE
0 20V +

C 1k

IE

IC

VCC
- 0 20V

Figure 4 : Montage base commune.

Tracer la courbe IC= f(VCB) pour des courants metteurs IE = 1, 3, 5, 10mA. Pour cela :
on fixe le courant metteur avec l'alimentation VEE et la rsistance variable associe,
puis on fait varier la tension d'alimentation VCC de 0 20V.
A partir de ces courbes en dduire la valeur du paramtre .
Conclure sur la validit des mesures effectues.
En dduire la valeur approximative de la rsistance de sortie RS.

Remarques
Pour ce montage le courant collecteur ne s'annule que pour une tension inverse de 0,5 0,8V
-fonction du type de transistor-. Expliquez pourquoi ?
Une rsistance est place en srie entre le collecteur et VCC. Cela signifie que les caractristiques
IC= f(VCB) s'arrtent pour une tension gale VCC-RC.IC.

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B- montage collecteur commun :

Raliser le montage de la Figure 5 :
IE
1k

1M 500

E
B

+
VEE
0 20V -

IB

VCC
0 20V

Figure 5 : Montage Collecteur commun.

Tracer la courbe IE= f(VEC) pour des courants de base IB = 10, 50, 100, 500A, 1mA. Pour cela :
on fixe le courant metteur avec l'alimentation VEE et la rsistance variable associe,
puis on fait varier la tension d'alimentation VCC de 0 20V.
Ce rseau de courbes est-il convergent en un point particulier VA'?
Donner sa valeur.
Tracer la courbe IE=f(IB).
A partir de ces courbes en dduire la valeur du paramtre .
Conclure sur la validit des mesures effectues.

C- montage metteur commun :

Si on nglige l'effet Early on arrive un modle quivalent suffisant pour le calcul du circuit
de polarisation. Ce montage comme le prcdant -base commune- ne prend pas en compte les effets
de rtroaction qui sont la base de l'effet transistor.
C
B

B
0,6V

C
F.IB

Figure 6 : Modle statique du montage metteur commun.

Raliser le montage de la Figure 7 :

IC
1k

1M 500
C
B

+
VEE
0 20V -

IB

+
-

VCC
0 20V

Figure 7 : Montage metteur commun.

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Tracer la courbe IC= f(VCE) pour des courants de base IB = 10, 50, 100, 500A, 1mA. Pour cela :
on fixe le courant metteur avec l'alimentation VEE et la rsistance variable associe,
puis on fait varier la tension d'alimentation VCC de 0 20V.
Peut-on partir de ce rseau de courbes valuer la valeur de la tension de Early VA ?
Donner la valeur de la tension d'Early VA.
Tracer la courbe IC=f(IB).
A partir de ces courbes en dduire la valeur du paramtre .
Conclure sur la validit des mesures effectues.

Comparaison des diffrents montages

Donner pour ces 3 montages :
la position des plots d'entre et de sortie,
le gain en tension,
le gain en courant,
Conclure sur une application probable de ces montages.
Les tensions VA et VA' vrifient-elles VA'= (+1).VA ?
V. tude des paramtres dynamiques ou faibles signaux du transistor :
A- Base commune :
1-Modlisation en rgime dynamique :
La modlisation en rgime dynamique est l'tude du fonctionnement de signaux de
faible amplitude autour du point de fonctionnement statique.
Circuit d'entre :
La rsistance dynamique Rd qui existe dans la jonction PN metteur-base est le seul terme qui sera
pris en compte dans la modlisation. Cette rsistance peut s'exprimer de manire identique celle
VT
d'une diode r e =R d =
. Cette rsistance d'entre possde plusieurs appellations re, ri ou h11b si
IE
on utilise une reprsentation du transistor en quadriple par la matrice hybride.
Circuit de sortie :
Le circuit de sortie est parcouru par un courant qui n'est fonction que du courant d'metteur IE. Ce
courant est indpendant de la tension base-collecteur. On utilise pour le reprsenter un gnrateur de
courant idal .IE dbitant sur une rsistance r0 de valeur trs grande.
E

h11=re

C
H21=.IE
B

h22=r0

Figure 8 : Modlisation petits signaux du

montage base commune.

Le fonctionnement n'est que correctement dcrit par le paramtre mais en rgime dynamique on
utilise plutt le paramtre de transconductance gm qui va lier les variations du courant de sortie avec
les variations de la tension d'entre.

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v e =r e . i e =r e.

ic

re
La sortie du transistor est charge par une rsistance RC, les gains en tension et en courant peuvent
R
A v =g m . R c = . c
re
s'exprimer par
A i ==g m . r e
Dans ce modle on suppose qu'il n'existe pas de dpendance entre le circuit d'entre et de sortie. En
ralit c'est faux il existe une capacit parasite entre le collecteur et l'metteur, que nous ngligerons
ici dans l'ensemble des calculs.
Raliser le montage de la Figure 9. On fixera la tension VCC 10V pour TOUTES les questions qui
vont suivre.
i c =g m . v e avec g m =

1M 500

VEE
0 20V +

Vac1

R1=15k

Vac2

IC

RC=1k
+

IE
B

Vac3

Vac4

VCC
- 0 20V

Vac2 = 50 100mVeff
1kHz
Figure 9 : Montage base commune.

2- Gain en courant en rgime dynamique :

ic
On pose =
la sortie tant en court-circuit pour l'alternatif. On veux mesurer les
ie
courants ic et ie. Expliquer :
pourquoi partir des mesures des tensions Vac1, Vac2, Vac3, Vac4 il est possible de dterminer les
courant ie et ic?
Pourquoi utilise-t-on ce type de mesure plutt qu'une mesure directe avec un ampremtre?
Est-il possible de simplifier les calculs de ie et ic?
Tracer la courbe ic= f(ie) pour des courants de polarisation IE de 200A 10mA.
Faire varier la frquence du gnrateur entre 100Hz et 1MHz, et retracer ic= f(ie).
Conclusion.

3- Rsistance d'entre re ou h11b :

Remplacer la rsistance RC par un court-circuit.
Tracer la courbe re= f(IE) pour des courants de polarisation IE variant entre 200A 10mA.
25 mV
La relation r e =
est-elle vrifie?
IE
Faire varier la frquence du gnrateur entre 100Hz et 1MHz, et retracer re= f(IE).
Interprtation des mesures.

Remarque :
La rsistance d'entre du transistor varie entre 250 et 5 lorsque le courant de polarisation passe
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de 200A 10mA. En plaant une rsistance de 15k l'entre du transistor et immdiatement en

sortie du gnrateur de tension on fabrique vis vis du transistor un gnrateur de courant.

4- Rsistance de sortie r0 :
Supprimer le gnrateur Vac1 ainsi que la rsistance R1.
Placer entre le collecteur du transistor et le court-circuit un transformateur en position abaisseur
de tension.
Remplacer le court-circuit de la maille de sortie par la rsistance de RC= 1k.
Brancher le gnrateur l'entre du transformateur.
Rgler le gnrateur de manire que la tension de sortieVac3 soit de l'ordre de 1 2Veff.
Rgler les gnrateurs de tension continu pour avoir un courant IC= 1mA et une tension
VCB= 10V.
L'entre tant en circuit ouvert vis vis de l'alternatif. La tension du gnrateur alternatif fait
v ac4
v
v
et r 0 = ac3 = ac3 . R C .
circuler un courant is dans la maille de sortie tel que : i s =
RC
is
v ac4
Faire varier la frquence du gnrateur de 50 10kHz et mesurer la rsistance de sortie.
Conclusion.

B- metteur commun :
1-Modlisation en rgime dynamique :
Rsistance d'entre : h11e rsistance d'entre du quadriple actif la sortie tant en cours circuit
v1
=r ou r e ou r i input ,
pour l'alternatif (v2= 0) h 11 e =
i 1
Gain en courant : rapport des courants sortie/entre, la sortie tant en cours circuit (v2= 0)
i
h 21 e = 2 = f ,
i 1
i 2 1
=
Admittance de sortie : rapport des courants et tension de sortie pour i1= 0 h 22 e =
,
v2 r 0
Rapport de transfert inverse en tension : rapport des tensions d'entre et de sortie pour i1= 0
v
h 12 e = 1 =r .
v2
On obtient le schma
i1

i2
h11

v1

1
h 22

i1h21
v2h12
Figure 10 :

{ }{

v1 = h
h
i 2

11
21

h
h

12
22

v2

}{ }
. v2
i 1

On considrera les conditions de polarisation suivantes pour toute la partie en metteur

commun, IC= 5mA et VCE= 5V. A vrifier de manire permanente pendant les manips.
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Mthodologie appliquer :
1- Rgler le courant IB par le gnrateur VEE, cela fixera automatiquement le courant IC. Expliquez
pourquoi ?
2- Vrifier de manire permanente la tension VCE pour avoir 5V. Expliquez ?
3- Vrifier que la tension de sortie du gnrateur reste constante. On rglera sa frquence 1kHz.
2- Rsistance d'entre h11e :
Raliser le montage suivant :
R1=47k

+
VEE
0 20V -

Vac1

RC=1k

1M 500

IC

B
IB
Vac2

+
E

Vac3

Vac4

VCC
- 0 20V

Figure 11 : Montage metteur commun en petits signaux.

De manire mesurer la rsistance d'entre on utilise la mthode de la demi-tension, pour selon :

1- On rgle le gnrateur de manire ce qu'il dlivre 3mVeff.
2- On place la sortie du gnrateur BF une rsistance variable.
V
3- On fait varier cette rsistance jusqu' ce que V ac2 = ac1 .
2
Attention :
Cette mthode n'est valable que si la rsistance interne du gnrateur est trs faible par rapport la
rsistance mesurer. Dans le cas contraire on considre le gnrateur Thvenin quivalent de fem
Vac1et rsistance interne rg= 50 et on applique la demi-tension par rapport la tension vide.
V
Quand V ac2 = ac1 =R h 50 .
2
Faire la mesure pour IC = 1, 2, 5 et 10mA. Conclusion.

3- Mesure de ou h21e :
Remplacer la rsistance variable par une rsistance en srie dans la maille d'entre de valeur trs
grande 100k ou 1M. Rgler le gnrateur de manire avoir une tension de l'ordre de 3
10mVeff en sortie de cette rsistance.
Remplacer la rsistance collecteur par une rsistance de 100.
Le courant de sortie est mesur aux bornes de cette rsistance. Puisqu'elle a t choisie
suffisamment faible par rapport la rsistance de sortie r0 du transistor pour que la maille de
sortie soit assimilable un court-circuit.
Tracer la courbe de variation du gain en courant en fonction du courant continu de polarisation IC
pour 0,1mA 10mA.
4- Rsistance de sortie r0 ou h22e :
Supprimer le gnrateur BF et la rsistance correspondante.
Insrer dans la maille de sortie entre le collecteur et la rsistance RC un transformateur en
position lvateur de tension.
On rglera le gnrateur afin d'obtenir une tension de l'ordre de 3Vcc en sortie du transformateur.
Mesurer la rsistance de sortie du transistor r0 pour de courants de polarisation de 1, 5 et 10mA.

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Refaire les mesures pour des frquences de 50, 100, 500Hz.

C- Collecteur commun :
1-Modlisation en rgime dynamique :

Rg

h11
i1h21
v2h12

eg
v1

i1

1
h 22

E
RC

i2

v2

Figure 12 : Montage collecteur commun en petits signaux.

En appliquant la loi des mailles au point E

v2
1
=
e g 1R g r 1 . R C .

Si on suppose que . R C R g r .
la rsistance d'entre devient R 1 =r 1 . R C ,
R g r
le rsistance de sortie R 2 =
.
1

2- Impdance d'entre ri :
Raliser un montage identique celui de la Figure 11. En plaant le transistor en collecteur
commun.
Le gnrateur BF est plac dans la maille d'entre.
Mesurer la rsistance d'entre par la mthode de la demi-tension pour des courant de polarisation
entre 1 et 100mA.
Remplacer la rsistance RC par un court-circuit et refaire les mmes mesures pour les mmes
points de polarisation. On doit retrouver la valeur de r ou h11e.
La loi r i =r 1 . R C est-elle vrifie?
Il faut vrifier en permanence les conditions de polarisation du transistor, sous peine
d'erreurs de mesure et de lecture.

3- Impdance de sortie :
Raliser un montage identique au montage metteur commun mesure de la rsistance de sortie.
Mesurer la rsistance de sortie pour des courants de polarisation variant de 1 100mA

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