Brochure Electronique 1

Cohorte Janvier 2015
Module : Electronique générale
Classe: 3eme Année électromécanique
Section électromécanique
Présenter par :
:
Mahamoudou Alkaya TOURE
Master d’INGENIEUR en GEER

LES SEMI CONDUCTEURS
La valence d’un élément est le nombre d’électron sur sa dernière couche.

- Les éléments de valence 1 ; 2 ; 3 sont des métaux : ce sont des conducteurs
d’électricité.
- Les éléments de valence 5 ; 6 ; 7 sont des métalloïdes : ce sont des isolants.
- Les éléments de valence 4 placés entre les métaux et les métalloïdes sont
des Semi-conducteur.
I- Définition d’semi conducteur :

Un semi-conducteur est un matériau de valence 4, placé entre les métaux et les
métalloïdes, qui conduit l’électricité à température ambiante aisément moins qu’un
conducteur. Aux bases températures, les semi-conducteurs purs se comportent
comme des isolants.
A des températures élevées ou en présence d’impureté ou de lumière, la
conductivité des semi conducteurs s’accroît fortement pouvant même devenir
comparable à celle des métaux.
II- Nature des porteurs de charges dans un semi-conducteur :
Il existe deux types de porteurs de charges :
Les porteurs de charges négatives qui sont les électrons et les porteurs de charges
positives qui sont des trous.
Le nombre d’électron est noté N et le nombre de trous est noté P.
III- Les semi conducteurs intrinsèques :
Un semi conducteur intrinsèque est un semi conducteur qui ne contient pas
d’impureté. Le nombre d’électrons est égal au nombre de trous N=P.
Exemple : le silicium (Si) ; le germanium (Ge).
IV- Les semi conducteurs extrinsèques :
Un semi conducteur extrinsèque est un semi conducteur qui contient des impuretés.
Le nombre d’électron est différent du nombre de trous (N≠P).
Lorsque les impuretés sont des trous, on dit que le semi-conducteur est de type P.
Lorsque les impuretés sont électrons, on dit que le semi-conducteur est de type N.
V- Dopage :
a) Semi-conducteur extrinsèque de type P :
Quand on ajoute des atome de métal (Bore, Al, etc.) à un semi-conducteur
intrinsèque, il y aura excès de trous (P>N), on aura ainsi un semi-conducteur de type
P.
b) Semi-conducteur extrinsèque de type N :
Lorsqu’on ajoute des atomes de métalloïdes (phosphore, azote etc.) à un semi-
conducteur intrinsèque, il y aura excès d’électron (N>P), on obtient un semi-
conducteur extrinsèque de type N.
Lorsqu’on met en contact ces deux semi-conducteurs (type P et type N), on aura une
jonction PN.
VI- Conduction d’un semi-conducteur :
Dans un atome cristallin, les électrons se repartissent autour des atomes en fonction
de leur énergie. Les différentes orbites autour d’un noyau correspondent chacune à
un niveau d’énergie précis, les premiers électrons arrivés occupant les orbites les plus
proches du noyau sont stables. Pour des raisons de propriétés conductrices on ne
s’occupe qu’aux électrons les plus mobiles, à savoir ceux situés sur l’orbite la plus
loin du noyau : ce sont les électrons périphériques.
Dernière couche
Noyau et électron interne
Electrons périphériques
Atome de Silicium
Deux atomes mettant en commun 2 électrons périphériques (1 chacun) pour former

une liaison de covalence. Ces liaisons assurent la cohésion du métal. Ces électrons ne
sont donc pas libres de transporter le courant électrique. Ainsi en l’absence
d’agitation thermique (-273°C ou 0°K), tous les électrons sont occupés à former des
liaisons : ce monocristal constitue un semi-conducteur intrinsèque.
A la température ordinaire certaines liaisons covalentes peuvent se rompre, rendant
ainsi mobile certains électrons. Chacun de ces électrons laisse une place vide appelée
trou, de charge positive : le matériau peut donc conduire l’électricité.
La conductivité étant due au déplacement de 2 types de particules : les électrons
libre et les trous. A 27°C le silicium (Si) est encore 294.108 moins conducteur que le
cuivre (Cu).
Pour augmenter la conductivité du silicium (Si), on va donc le doper en l’ajoutant des
atomes de métaux ou de métalloïdes (bore, Al, gallium, indium…) : on forme ainsi
un semi-conducteur extrinsèque. A température élevée, le semi-conducteur devient
un bon conducteur comparable même à certains métaux.
LA DIODE A JONCTION
I- La jonction PN :
Le contact entre un semi conducteur de type P et un semi conducteur de type N
forme une jonction PN; les électrons du type N se déplace pour combler les trous de
P afin créer l’équilibre.
Cette jonction PN ainsi obtenue s’appelle diode.
(Br. +Si) P N (Ph. +Si)
II- Caractéristiques d’une diode :

1-Symbole :
Une diode a deux bornes: l'anode et la cathode; elle est symbolisée par :
A K A K
P N
A : anode
K : cathode
2 –Description :
Sur une diode on peut voir un petit anneau qui est toujours prêt de l'extrémité
appelée cathode.
A K
3-Structure :
Une diode peut être assimilée à une petite résistance en série avec une petite tension.
Cette résistance est appelée résistance dynamique ou résistance interne ; et la petite
tension en série est appelée tension de seuil de la diode.
A I + - K
rd U D = U AK = U S + rd I
US
UD
4-Définition d'une diode :
Une diode à jonction est un composant électronique qui laisse passer le courant dans
un seul sens (anode- cathode). Dans ce cas la diode est polarisée en direct.
Lorsqu'on fait passer le courant dans le sens contraire (cathode – anode), le courant
ne passe pas: on dit alors que la diode est bloquée. Elle est polarisée en inverse.
A I K A I K
Diode polarisée en direct Diode polarisée en inverse

III- Fonctionnement :
Le sens de passage du courant dans la diode est appelé sens passant ou sens direct, et
le sens cathode anode est appelé sens inverse.
1- Polarisation directe :
RP
I
+
E
- UD D
Une diode est polarisée en direct lorsqu'elle est traversée par le courant dans le sens
direct.
Quand une diode est polarisée en direct elle n'est pas toujours conductrice. Il faut
que la tension à ses bornes soit supérieure à une tension limite appelée tension de
seuil (Us) pour que la diode commence à conduire.
Dans la polarisation directe deux cas de figure sont donc à envisager:
0 < U D < U S et U D ≥ U S
1er cas: 0 < U D < U S

La diode est bloquée, le courant qui traverse la diode est nul (I=0). Elle non
conductrice.
A I K
0 < UD < US
2eme cas: U D ≥ U S
La diode est conductrice, elle est traversée par un courant non nul (I≠0) dont la
valeur peut être déterminé grâce à sa caractéristique.
A I K
UD ≥ US
* Définition de la tension de seuil d’une diode :

C'est la valeur minimale de la tension appliquée aux bornes d'une diode à partir de
laquelle la diode devient conductrice (commence à conduire). La tension de seuil est
aussi appelée barrière de potentiel de la diode.
*NB:
Une diode polarisée dans le sens direct sous une tension supérieure à la tension de
seuil est conductrice. La valeur de la tension de seuil varie en fonction de la nature de
la diode. Elle est comprise entre 0.2V à 0.3V pour les diodes au Germanium et 0.6V à
0.7 V pour les diodes au silicium.
2- Polarisation inverse:
RP
-
E
+ UD D
Une diode est polarisée en inverse lorsque le potentiel de la cathode est supérieur au
potentiel de l'anode. La diode est bloquée, aucun courant ne la traverse.
Cependant une augmentation progressive de la tension peut amener a dépasser une
valeur limite de la tension a partir de laquelle la diode peut être détruite. Cette valeur
limite de la tension est appelée tension de claquage ou tension inverse de la diode ( Vi
). Quand une diode est détruite par une tension inverse, ce phénomène s'appelle
claquage inverse.
* Courant inverse :
C'est un courant très faible qui traverse la diode en inverse, la diode en inverse peut
être considérée comme une résistance très élevée.
3- Caractéristique courant tension de la diode :
U D f U S : Diode passante
Vi < U D p U S : Diode bloquée.
Vi : Tension inverse .
US : Tension de seuil I (mA)
Caractéristique de la
diode
Vi
US UD (V)
0
Zone de claquage Zone de
Conductio
Zone de non n
Conduction UD>US
Vi<UD<US
* Résistance dynamique de la diode :

A l’aide de la caractéristique on peut calculer la résistance dynamique, il suffit
d’avoir deux points M1 (U1, I1) et M2 (U2, I2) sur la caractéristique. La résistance
dynamique se calcule comme suite :
∆U
rd = avec ∆U = U 2 − U 1 et ∆I = I 2 − I 1
∆I
4- Point de polarisation ou point de repos:
C'est l'intersection entre la droite de la caractéristique et la droite de charge. On peut
chercher mathématiquement les coordonnées de ce point.
a- Droite de charge:
RP
I
+
E -
UD D
D’après la loi des mailles :

E − RP I − U D = 0 ⇒ U D = E − RP I
C’est l’équation d’une droite.
Cette droite est appelée droite de charge.
Si I = 0 ⇒ UD = E on aura un point M1 (E ; 0A) élément de la droite de charge.
E E
Si UD=0 ⇒ I = on aura un second point M2 (0V ; ) élément aussi de cette
RP RP
même droite.
I
● E/RP Droite de charge
E
● UD
0
b- L'équation de la caractéristique :
A I K I
( Caractéristique
de la diode
I + -
rd
US UD (V)
0 US
UD=UAK
−US
U D = U AK = U S + rd I
rd
U D = U AK = U S + rd I est l'équation de la caractéristique de la diode.

Si I = 0 ⇒ UD=US, on aura un point N1 (US ; 0) qui est élément de la droite.
−US −US
Si UD = 0 ⇒ I = , on aura un second point N2 (0 ; ) élément de la droite.
rd rd
Lorsqu'on représente ces deux droites sur un même repère, elles se coupent en
point M0 (U0 ; I0) appelé le point de repos.
I
(mA)
E
●M2
RP
I0 ● M0
M1
●
0 US U0 E UD (V)
5- Influence de la température sur les diodes :
a- Les puissances :
• Puissance moyenne : Pm
Pm = U S I
• Puissance par effet joule : Pef
Pef = rd I 2
• Puissance totale : Pt
Pt = Pm + Pef = U S I + rd I 2 ⇒ Pt = U D I
b- La résistance thermique : Rt
t j − ta tj : température de jonction ( en ° C )
Rt = ta : température ambiante ( en ° C )
Pt Rt : en (° C/W )
IV- La diode idéale:
a- Définition:
Une diode idéale ou parfaite est une diode dont la valeur de la tension de seuil est
nulle (US= 0).
Elle commence à conduire lorsque la tension à ses bornes est supérieure à zéro et elle
est bloquée quand on la polarise en inverse.
b- Schéma équivalent d’une diode idéale :

- Lorsqu’une diode parfaite est passante (polarisée en directe), elle est équivalente à
un interrupteur fermé.
A K A K
I I
UD Dans ce cas on a : UD=0 et I>0
- Lorsqu’une diode parfaite est bloquée (polarisée en inverse), elle est équivalente à
un interrupteur ouvert.
A I K A K
UD
UD< 0 et I=0
Dans ce cas on a :
c- Caractéristique courant tension :

I(mA)
-Vi US= 0
Zone de claquage Zone0 UD(V)

Zone de conduction
de
non
conduc
tion
V- Application :
Les diodes à jonction sont utilisées dans le redressement du courant alternatif en
courant continu, dans la protection des branchements etc.
Exercices d’applications :
Exercice N° 1 :
On considère le montage ci-dessous :
Rp
I
E Rp= 100 Ω
UD D
E=3V
La caractéristique de la diode passe par les points Q (0,6 V ; 0mA) et P (0,9V ; 15mA).
1- Calculer la résistance dynamique de cette diode.
2- Etablir l’équations de la caractéristique de cette diode ainsi que celle de la droite
de charge.
3- Tracer ces deux droites dans le même repère orthonormé.
4- En déduire les coordonnées du point de repos.
5- On fait passer un courant de 30mA dans le circuit et la température de la jonction
PN atteint 140°C tandis que celle de l’aire ambiant est de 25°C. Calculer :
a- La puissance dissipée par effet joule et la puissance moyenne dans la diode.
b- La résistance thermique de la diode.
Exercice N° 2 :
Soit le montage ci dessous :
M R1
A
D2 D3 On donne :
+ E = 10V
E D1 R3
R1=R2 = 5KΩ
- R2 R4 R3 =R4 = 2KΩ
N B
Les diodes sont idéales.
1- Déterminer les sens et les valeurs des intensités dans toutes les branches.
2- Calculer les tensions UMA et UAB.
3- On inverse les polarités du générateur E (le + vers N et le – vers M). Calculer :
a- Les nouvelles valeurs des intensités dans toutes les branches.
b- Les tensions UMA et UAB.
Solution N° 1
1- La résistance dynamique (interne) de cette diode :
Connaissant deux points Q (0,6 V ; 0mA) et P (0,9V ; 15mA) sur la caractéristique on
∆U U 2 − U 1 0,9 - 0,6 0,3
a : rd = = = = ⇒ rd = 20Ω
∆I I 2 − I1 0,015 - 0 0,015
2- Equations de la caractéristique et de la droite de charge de la diode :
- Equations de la caractéristique :
U D = U S + rd ⋅ I En remplaçant US et rd par leurs valeurs on aura
U D = 0,6 + 20 ⋅ I
- Equations de la droite de charge
U D = E + R.P I En remplaçant RP et E par leurs valeurs on aura
U D = 3 + 100 ⋅ I
3- Traçons ces deux droites dans le même repère orthonormé.
- Droite de la caractéristique :
Si I = 0 ⇒ UD=0,6V on aura un point N1 (0,6V ; 0) qui est élément de la droite.
− 0,6
Si UD = 0 ⇒ I = = −0,03 A , on aura un point N2 (0 ;-0,03A) élément de la droite.
20
- Droite de charge :
Si I = 0 ⇒ UD = 3V on aura un point M1 (3V ; 0A) élément de la droite de charge.
3
Si UD=0 ⇒ I = = 0,03 A on aura un second point M2 (0V ; 0,03A) élément aussi de
100
cette même droite. I (mA)
Droite de la Caractéristique de la
30 diode
15 Droite de charge
0,6
1 2 3 UD (V)
-30
4- les coordonnées du point de repos.

C’est l’intersection entre les deux droites. On en déduit alors : U0= 1V et I0=20mA
M0 (1V ; 20mA)
5) a- La puissance dissipée par effet joule dans la diode.
(
Pef = rd I 2 = 20 × 30.10 −3 )
2
= 20 × 900.10 −6 ⇒ Pef = 0,018W = 18mW
- La puissance moyenne dans la diode.
Pm = US I = 0,6 × 30.10−3 ⇒ Pm = 0,018W= 18mW
b- La résistance thermique de la diode.
t j − ta
Rt = Avec Pt= Pef +Pm= 0,018+0,018=0,036W
Pt
t j − t a 140 - 25
Rt = = = 3194,4°C/W R 2 × R 4 ⇒ R t = 3194,4°C/W
Pt 0,036
Solution N° 2
1-Sens et valeurs des intensités dans toutes les branches :
M I1 R1 M R1 I1
A I3 A
I ID2 ID3 I
ID1 I3 ID2 I3
+ D2 D3 +
D1 R2
E R3 E R3
- R2 R4 - 1
I2
I2 I4 I I3
N B N B
D1 et D3 sont bloquées d’où ID1 = ID3 = I4 = 0
On voit que : I = I1 et ID2 = I2
- Pour calculer I on cherche la résistance équivalente du montage.
Soit Réq1 la résistance équivalente de R2 et R3 en parallèles :
R 2 × R 3 5.10 3 × 2.10 3 10.10 6
R éq1 = = = = 1,428.10 3 Ω ⇒ R éq1 = 1,428KΩ = 1428Ω
R 2 + R 3 5.10 + 2.10
3 3
7.10 3
Le montage devient alors :

M R1 I1 A M I A
I I
E Réq1 R1 et Réq1 sont en séries ⇒ E RT
N B N B
R T = R 1 + Réq1 = 5 + 1,428 = 6,428KΩ
RT=6,428KΩ
D’après la loi d’Ohm on :
E 10
E = RT ×I ⇒ I = = 3
= 1,555.10 −3 A ⇒ I = I1 = 1,56.10 −3 A = 1,56 mA
R T 6,438.10
- Calculons I2 en appliquant la loi des mailles :
Maille 1 :
E − R 1 I1 10 − 5.10 3 × 1,56.10 −3
E − R 1 I1 − R 2 I 2 = 0 ⇒ E − R 1 I1 = R 2 I 2 ⇒ I2 = =
R2 5.10 3
10 − 7,8 2,2
I2 = 3
= ⋅ 10 −3 = 0,44.10 −3 A ⇒ I 2 = I D2 = 0,44.10 −3 A = 0,4 mA
5.10 5
- Calculons I3 en appliquant la loi des noeuds :
I1 = I 3 + I D2 ⇒ I 3 = I1 − I D2 = 1,56.10 −3 − 0,44.10 −3 = 1,12.10 −3 A
I 3 = 1,12.10 −3 A = 1,12 mA
2- Les tensions UMA et UAB :

U MA = R 1 I1 = 5.10 3 × 1,56.10 −3 ⇒ U MA = 7,8 V
U AB = R 3 I 3 = 2.10 3 × 1,12.10 −3 ⇒ U AB = 2,2 V
3- En inversant les polarités de E

a- Les nouvelles valeurs des intensités dans toutes les branches.
M I1 R1 M ID1
A A
ID1 D3 ID3
D2
- D1 ID2
ID3 -
E R3 E R3 R4
+ R2 R4 + 1
I3
I I2 I3 I4 I I I4
N B N B
D2 est bloquée d’où ID2 =I2= 0 et D1 est passant donc court circuite R1 ⇔ I1=0
On voit que : I = ID1 et I4= ID2
- Pour calculer I, cherchons la résistance équivalente du montage.

Soit RT la résistance équivalente de R3 et R4 en parallèles :
R × R 4 2.10 3 × 2.10 3 4.10 6
RT = 3 = = = 1.10 3 Ω ⇒ R T = 1KΩ = 1000Ω
R 3 + R 4 2.10 3 + 2.10 3 4.10 3
Le montage devient alors :

M A
D’après la loi d’Ohm on :
E 10
E RT E = RT ×I ⇒ I = = 3 = 10.10 −3 A
R T 10
I
N B
I = I D1 = 10.10 −3 A = 10 mA
- Calculons I3 en appliquant la loi des mailles :

Maille 1 :
E 10 10
E − R 3I3 = 0 ⇒ E = R 3I3 ⇒ I3 = = 3
= ⋅ 10 −3 = 5.10 -3 A
R 3 2.10 2
I 3 = 5.10 −3 A = 5 mA
- Calculons I4 en appliquant la loi des noeuds :
I = I3 + I 4 ⇒ I 4 = I − I 3 = 10.10 −3 − 5.10 −3 = 5.10 −3 A
I 3 = 5.10 −3 A = 5 mA
b- Les tensions UMA et UAB :
U MA = 0 V
U AB = − R 3 I 3 = −2.10 3 × 5.10 −3 ⇒ ܷ஺஻ = 10 V
REDRESSEMENT MONOPHASE NON COMMANDÉ :
REDRESSEURS À DIODE
Le redressement est la conversion d’une tension alternative en une tension continue
unidirectionnelle. Il est dit non commandé lorsque la tension moyenne de la sortie est
non réglable (invariable).
Le composant utilisé pour faire le redressement non commandé est la diode a
jonction.
I- REDRESSEMENT MONOPHASÉ SIMPLE ALTERNANCE OU MONO
ALTERNANCE :
1°) Montage et Fonctionnement :
a- Montage :
D
iC D : Diode parfaite ou idéale
vD
vp vS vC RC
RC : Résistance de charge
iD : Courant dans la diode
i C : courant dans la charge
vp : Tension au primaire du transformateur

vS : Tension au secondaire du transformateur
vD: Tension aux bornes de la diode
vC: Tension aux bornes de la charge ou tension redressée.
vS est une tension sinusoïdale de la forme vS = V Sin (ωt) =
m 2 VSe Sin (θ).
Donc Vm = 2 VSe
Vm : Valeur maximale de la tension vS ou amplitude de vS.
NB : Dans certains documents Vm est notée aussi par : V̂
VSe : Valeur efficace de la tension vS (tension efficace au secondaire du transfo).
L’allure de vS en fonction de θ est :
vS (V)
+ Vm
̟ θ (rad)
0 2̟ 3̟ 4̟
- Vm
T
2π 1
ω = 2 πf = ; θ = ωt ; f = ω : Pulsation (rad /s)
T T
f : fréquence du réseau en Hertz (Hz) T : période du réseau en (s)
b- Fonctionnement du montage ou Analyse de la tension vC :
- Pendant l’alternance positive (de 0 à ̟),vS > 0 et le courant passe de
l’anode vers la cathode, la diode est donc passante (vD=0 et iD>0).
Loi de maille :
vC + vD - vS = 0 (vD=0) on aura
vC - vS = 0 ⇒ vC = vS = V Sin (θ) = V
m m Sin (ωt) > 0.
- Pendant l’alternance négative (de ̟ à 2̟), vS < 0 et le courant a tendance à

passer de la cathode vers l’anode, la diode est donc bloquée (vD<0 et iD=0).
Loi d’ohm :
vC = R ⋅ i ( i = 0) on aura vC =0
C C C
L’allure de vC en fonction de θ est :

L’allure de vC
vC (V)
+ Vm
̟ θ (rad)
0 2̟ 3̟ 4̟
T’
T ’ : Période de la tension redressée
2°) Etude des tensions :

a°) La tension inverse de crête : T.I.C
La T.I.C est la valeur maximale de la tension aux bornes de la diode quand elle ne
conduit pas. Quand la diode est bloquée ( vD <0 et iD=0)
vS - vC – vD = 0 ⇒ vD = vS – vC ; diode bloquée ⇒ i = 0. C
Alors vC = R ⋅ i = 0 d’où vD = vS = V Sin (θ).

C C m
vD est maximale si Sin (θ)=1.

Donc la valeur maximale de vD appelée T.I.C vaut V d’où m
T .I .C = Vm
b°) La tension moyenne aux bornes de la charge :
Il s’agit de la valeur moyenne de la tension redressée vC
Vm
VC =
π
c°) La valeur efficace de la tension aux bornes de la charge : VCe
Vm
VCe =
2
d°) La tension d’ondulation : Voe

2
2
VCe = VC + VOe
2
vC (V) L’allure de vC
2 2 2 V V
V = V - VC = ( m )2 - ( m )2
π
Oe Ce
2 + Vm
1 1 VOe
Voe = Vm − VC
4 π2 θ (rad)
0 ̟ 2̟ 3̟ 4̟
Voe = 0,386Vm T’
e°) Le taux d’ondulation : τ

Le taux d’ondulation est noté τ qui est le rapport
VOe
VC
τ= VOe
= 0,386 V m = 1,21 ⇒ τ =1,21
VC Vm
π
f°) Le facteur de forme : F
La valeur du facteur de forme caractérise la tension redressée. Plus cette valeur est
proche de l'unité (1), plus la tension obtenue est voisine d'une grandeur continue.
Ce coefficient sert à comparer des montages redresseurs différents entre eux.
Par définition, on nomme facteur de forme le rapport :
V
F = Ce
VC
En simple alternance sa valeur est : F = 1,57
3°) Etude des courants :
a°) Le courant moyen dans la charge : I C
VC Vm
VC = RC ⋅ I C ⇒ IC = =
RC πRC
b°) Le courant moyen dans la diode : I D
Vm
D et RC sont en série donc I D = I C =
πRC
c°) Le courant efficace dans la charge : I Ce
VCe V
VCe = RC ⋅ I Ce ⇒ I Ce = = m
R C 2R C
d°) Le courant efficace dans la diode : I De
Vm
I De = I Ce =
2R C
4°) Rendement – Facteur d’utilisation :

a°) Rendement : η
Le rendement de ce redressement alternatif- continu est le rapport de la puissance
continue (puissance moyenne) dans la charge sur la puissance alternative (puissance
efficace) fournie par le secondaire du transfo à la charge.
Vm Vm
⋅
PC V ⋅I π πR C 4
η = = C C = = = 0 ,406 ⇒ η =0,406= 40,6%
PCe VCe ⋅ I Ce Vm Vm π2
⋅
2 2 RC
b°) Le facteur d’utilisation : F.UT

C’est rapport de la puissance continue (moyenne) au niveau de la charge sur la
puissance nominale au secondaire du transfo.
Vm Vm
⋅
PC VC ⋅ I C π πRC 2 2
F.UT = = = = ⇒ F.UT = 0 ,287
Pn V Se ⋅ I Se Vm Vm
⋅ π 2
2 2RC
La valeur moyenne de la tension à la sortie d’un redresseur simple alternance est de
10V. La résistance de la charge est RC =50Ω et la diode est idéale.
1– Faire le schéma du montage.
2– La tension à la sortie du transformateur est de la forme vS = Vm Sin (100π.t).
Calculer :
a- La valeur maximale de la tension vS. En déduire la valeur efficace de la tension vs.
b- Le courant moyen dans la charge.
3– Déterminer la tension efficace et le courant efficace au niveau de la charge.
4 – Calculer la tension d’ondulation, le taux d’ondulation et le facteur de forme.
5– Déterminer la puissance moyenne dissipée dans la charge.
6– Déterminer les courants moyen et efficace dans la diode.
7– Calculer les fréquences des tensions vS et vC.
8– Calculer la puissance alternative au secondaire du transformateur. En déduire le
rendement du montage.
9– Déterminer la puissance nominale au secondaire du transformateur.
Solution
VC = 10V , R C = 50Ω
1-Le schéma du montage
(Voir cours redresseur simple alternance)
2) a- La valeur maximale de la tension au secondaire du transformateur :
V
VC = m ⇒ Vm = π ⋅ VC = 3,14 × 10 ⇒ Vm = 31,4V
π
- Valeur efficace de la tension au secondaire du transformateur :
V 31,4
Vm = 2 ⋅ VSe ⇒ VSe = m = ⇒ VSe = 22,26V
2 1,41
b- Courant moyen dans la charge :
V 10
IC = C = ⇒ I C = 0,2A
R C 50
3- Tension efficace et courant efficace au niveau de la charge
V 31,4 V 15,7
VCe = m = ⇒ VCe = 15,7 V et I Ce = Ce = ⇒ I Ce = 0,314A
2 2 RC 50
4 – Tension d’ondulation, taux d’ondulation et facteur de forme
- Tension d’ondulation :
VOe = 0,386Vm = 0,386 × 31,4 ⇒ VOe = 12,12V
- Taux d’ondulation :
V 12,12
τ = Oe = ⇒ τ = 1,21
VC 10
- Facteur de forme :
V 15,7
F = Ce = ⇒ F = 1,57
VC 10
5– Puissance moyenne dissipée dans la charge :
PC = VC ⋅ I C = 10 × 0,2 ⇒ PC = 2W
6– Courants moyen et efficace dans la diode :
I D = I C = 0,2 A et I De = I Ce = 0,314A
7– Fréquences des tensions vS et vC :
On sait qu’en simple alternance la période de la tension redressée (vC ) est égale à la
période de la tension réseau (vS) : donc T ' = T ⇔ f' = f
f : (Fréquence du réseau), f ' : (Fréquence de la tension redressée). On a :
ω 100π
f = = = 50 Hz ⇒ f ' = f = 50 Hz
2π 2π
8–Puissance alternative au secondaire du transformateur :
PCe = VCe ⋅ I Ce = 15,7 × 0,314 ⇒ PC = 4,929 W
- Rendement du montage :
PC 2
η= = ⇒ η = 0,406 = 40 ,6 %
P Ce 4 ,929
9– Puissance nominale au secondaire du transformateur :
P PC 2
FUT = C ⇒ Pn = = ⇒ Pn = 6,968W
Pn FUT 0,287
II- REDRESSEMENT MONOPHASÉ DOUBLE ALTERNANCE :
En double alternance, il existe deux types de montage :
1°) Montage va et vient (ou à deux diodes) :
a°) Montage et Fonctionnement :
- Montage :
vD 1 vD 1
iD1 iC
iD1
vS1 vC vS1 iD2
vP R
iC vP vC R
vS2 vS2
iD2
vD 2 vD 2
v S1 et v S2 sont en opposition de phase et les diodes D1 et D2 sont parfaites.
v S1 = Vm Sin(ωt ) = Vm Sin(θ ) avec ω ⋅ t = θ
v S2 = −vS = − Vm Sin(ωt ) = − Vm Sin(θ )
1
Les allures des tensions v S1 et v S2 en fonction du temps t ou de l’angle θ sont les

suivantes :
vS (V) vS1 vS2

+ Vm
2̟
0 3̟ 4̟
θ (rad)
̟
- Vm T
- Les deux tensions s’annulent en même temps.
- v
Lorsque S1 atteint son maximum, au même moment v S2 atteint son
minimum.
- - Fonctionnement du montage ou Analyse de la tension vC :
- De 0 à π , la tension v > 0 et v < 0. Le courant quitte de v , la diode D
S1 S2 S1 1
est passante et D2 bloquée : ( vD1 = 0 , iD1 > 0 et vD 2 < 0 , iD2 = 0 )

Loi de maille :
v S1 − v v
D1 − C = 0 ; vC = vS1 = Vm Sin(θ ) >0
- De π à 2π , la tension v S1 < 0 et v S2 > 0. Le courant quitte de v S2 , la diode
D1 est bloquée et D2 passante : ( vD1 < 0 , iD1 = 0 et vD 2 = 0 , iD2 > 0 )
Loi de maille :
v v v
S 2 − D2 − C = 0 ; vC = vS 2 = −vS1 = −Vm Sin(θ ) >0
L’allure de la tension redressée en fonction de θ est la suivante :
+ Vm
̟ θ (rad)
0 2̟ 3̟ 4̟
T’
b°) Etude des tensions :

-Tension inverse de crête : T . I .C
C’est la tension maximale aux bornes de chaque diode lorsqu’elle est bloquée.
De 0 à π , ( D1 conduit et D2 est bloquée).
v S1 + vD2 − v
S2 = 0 ⇒ vD 2 = vS 2 − vS1 = −2Vm Sin(θ )
La valeur maximale de cette tension est la T . I .C qui vaut 2 Vm donc T .I .C = 2Vm
-Tension moyenne aux bornes de la charge :
Vm 2Vm
VC = =
π π
2
-Tension efficace aux bornes de la charge :
Vm
VCe =
2
-Tension d’ondulation : VOe
2 2
VCe = VC + VOe2
2
VOe = VCe2 − VC = 0,307Vm ⇒ VOe = 0,307 Vm
- Taux d’ondulation : τ
τ =V Oe
= 0,482 ⇒ τ = 0,482=48,2%
VC
- Facteur de forme : F
VCe
F= = 1,11
VC
c°) Etude des courants :
- Courant moyen de la charge :
V 2V
IC = C = m
RC πRC
- Courant efficace dans la charge :
VCe V
I Ce = = m
RC RC 2
- Courant moyen dans la diode :

I C Vm
ID = =
2 πRC
IC
ID = Car le courant ne passe dans la diode que pendant une alternance sur deux.
2
- Courant efficace dans la diode :
I Ce V V
I De = = Ce = m
2 2 RC 2 RC
- Rendement : η
2Vm 2Vm
⋅
VC ⋅ I C π πRC
η = = = 0,812 ⇒ η = 0,812= 81,2%
VCe ⋅ I Ce Vm Vm
⋅
2 2 RC
- Facteur d’utilisation :
VC I C
F.UT = ⋅ = 0,812
VS I S
2°) Montage parallèle double (PD2) ou pont de Graëtz :
a°) Montage et Fonctionnement :
iS D1
iS
D2 iC
D4 D1
vC
vP vS iC
vP vS D4 vC RC
RC
D3 D2
D3
iC
iS D1 D2
vP vS vC RC
D4 D3
D1 , D2 , D3 et D4 sont des diodes supposées parfaites.

vp: Tension au primaire du transformateur ; R : Résistance de charge C
vS: Tension au secondaire du transformateur ; i : Courant dans la charge C
vC: Tension aux bornes de la charge ; i : Courant au secondaire du transfo

S
vS est une tension sinusoïdale de la forme v = V Sin(ωt ) = V Sin(θ ) .

S m m
L’allure de vS en fonction de l’angle θ ou du temps t est :
vS (V)
+ Vm
0 ̟ θ (rad)
2̟ 3̟ 4̟
- Vm
T
- Fonctionnement du montage ou Analyse de la tension vC :

- De 0 à π : vS> 0, D 1 et D3 conduisent alors que D 2 et D4 sont bloquées :
(vD1 = vD3 = 0 , iD1 = iD3 > 0 et vD 2 = vD 4 < 0 , iD2 = iD4 = 0)
Loi de maille :
v v
S − D1 − C −v v D3 = 0 C = S = V m Sin (θ ) > 0
v v
- De π à 2π : VS < 0, D 2 et D4 conduisent alors que D1 et D3 sont bloquées :
(vD 2 = vD 4 = 0 , iD2 = iD4 > 0 et vD1 = vD3 < 0 , iD1 = iD3 = 0)
Loi de maille:
v v
S + D2 + v v
C + D4 = 0 ⇒ C = − S = −V m Sin (θ ) > 0
v v
L’allure de la tension redressée en fonction de θ sera :
+ Vm
0 ̟ θ (rad)
2̟ 3̟ 4̟
T’
b°) Etude des tensions :
- La tension inverse de crête : T . I .C
De 0 à π : D 2 et D4 sont bloquées donc on aura :

v v v
D1 + D4 + C = 0 ⇒ D4 = − C = −Vm Sin (θ ) .
v v
Donc La T . I .C sera égale à Vm .
T . I .C = Vm
Les autres grandeurs VC ,VCe , VOe ,τ , etF sont identiques à celle du montage va et vient.
c°) Etude des courants :

Les courants I C , I Ce , I D , I De , I Se sont aussi les mêmes que ceux du montage va et vient.
Exercice N° 1 :
Soit un montage va et vient. Les diodes D1 et D2 sont des diodes idéales la résistance
de charge est R= 100Ω.
On donne : vS1 = -vS2 = 12 2 Sin (100̟.t).
1 - Faire le schéma du montage
2– Calculer les valeurs : moyenne et efficace de la tension redressée.
3 – Calculer les courants moyen et efficace :
a - Dans la charge,
b -Dans chaque diode.
4 – Calculer la tension d’ondulation et le taux d’ondulation.
5 – Déterminer la tension inverse maximale des diodes.
6 - Calculer la fréquence des tensions vS1 et vS2 ainsi que celle de vC .
7- Calculer la valeur efficace de la tension au secondaire du transformateur.
Exercice N° 2 :
Soit un montage parallèle double (pont de Graetz) utilisé pour alimenter une charge
de 1,5KΩ. La valeur moyenne de la tension redressée vaut 15V, la tension au
primaire du transformateur utilisé est de 110V.
1 – Faire le schéma de montage de ce redresseur.
2 - Calculer la valeur efficace de la tension au secondaire du transformateur.
3 – Déterminer la valeur efficace de la tension aux bornes de la charge.
4 – Calculer les courants moyen et efficace dans la charge et dans une diode.
6 – Calculer le rapport de transformation du transformateur.
7 – Calculer la puissance dissipée par effet joule (puissance moyenne) dans la charge.
Solution N° 1
R= 100Ω, Vm = 12 2 V
1-Le schéma du montage :
(Voir cours redresseur double alternance va et vient)
2–Valeurs moyenne et efficace de la tension redressée :
2 ⋅ Vm 2 × 12 2 V 12 2
VC = = ⇒ VC = 10,77V et VCe = m = ⇒ VCe = 12V
π 3,14 2 2
3- Courants moyen et efficace :
a - Dans la charge
V 10,77
IC = C = ⇒ IC = 0,1077A = 107,7 mA
R 100
V 12
I Ce = C e = ⇒ I Ce = 0,12 A = 120mA
R 100
I 0,1077
ID = C = ⇒ ID = 0,05385 A = 53,85mA
2 2
I 0,12
I De = Ce = ⇒ I De = 0,08510 A = 85,10mA
2 2
4 –Tension d’ondulation et taux d’ondulation :
VOe = 0,307 Vm ⇒ VOe = 0,307 × 12 2 ⇒ VOe = 5,19V
VOe 5,19
τ= = ⇒ τ = 0,482 = 48,2%
VC 10,77
5–Tension inverse maximale des diodes :
TIC = 2Vm = 2 × 12 2 ⇒ TIC = 33,84V
6- Fréquence des tensions vS1 et vS2 ainsi que celle de vC :
En double alternance vS1 et vS2 ont la même la période et égale à la période T de la
ω 100π
tension du réseau : soit f la fréquence du réseau f = = = 50 ⇒ f = 50Hz
2π 2π
Et la période T de la tension du réseau est égale à 2 fois la période T ' de la tension
redressée : T = 2T ' ⇔ f ' = 2f ⇒ f ' = 2 × 50 ⇒ f ' = 100Hz
7-Valeur efficace de la tension au secondaire du transformateur :
V 12 2
Vm = 2 VSe ⇒ VSe = m = ⇒ VSe = 12V
2 2
Solution N° 2
RC= 1,5KΩ, V C = 15V , VPe = 110V
1-Le schéma du montage :
(Voir cours redresseur double alternance pont de Graetz)
2–Valeurs efficace de la tension au secondaire du transformateur :
V
Vm = 2 VSe ⇒ VSe = m Déterminons Vm d’abord :
2
2 ⋅ Vm π V C 3,14 × 15
VC = ⇒ Vm = = ⇒ Vm = 23,55V
π 2 2
Vm 23,55
Donc VSe = = ⇒ VSe = 16,70V
2 1,41
3- Valeur efficace de la tension aux bornes de la charge :
V 23,55
VCe = m = ⇒ VCe = 16,70V
2 1,41
4 – Courants moyen et efficace :
a - Dans la charge :
V 15
IC = C = ⇒ IC = 0,010A = 10 mA
R C 1500
V 16,70
I Ce = Ce = ⇒ I Ce = 0,011A = 11mA
R C 1500
b -Dans une diode :
I 0,010
ID = C = ⇒ ID = 0,005A = 5mA
2 2
I 0,011
I De = Ce = ⇒ I De = 0,0078A = 7,8mA
2 2
5–Tension inverse maximale des diodes :
Montage pont de Graetz on a :
TIC = Vm = 23,55 ⇒ TIC = 23,55V
6 – Rapport de transformation du transformateur :
V 16,70
m = Se = = 0,15 ⇒ m = 0,15
VPe 110
7 –Puissance dissipée par effet joule (puissance moyenne) dans la charge :
PC = VC ⋅ I C = 15 × 0,010 ⇒ PC = 0,15W = 150mW

LE FILTRAGE
I- BUT OU ROLE :
Le filtrage a pour but de réduire ou d’éliminer la composante variable (ondulation
ou tau d’ondulation) de la tension redressée.
Pour filtrer une tension redressée, on utilise soit un condensateur, soit une
inductance ou les deux à la fois.
Le filtrage le plus utilisé est le filtrage capacitif, dans lequel on branche un
condensateur en parallèle avec la charge.
II- REDRESSEMENT SIMPLE ALTERNANCE AVEC FILTRAGE :
iC i
vD +
vp
vS -
C
vC R
D diode idéale
La tension au secondaire du transfo est une tension alternative sinusoïdale.
De 0 à ̟ :
- Lorsque la diode sera conductrice, un courant traverse la capacité et un autre dans
la charge R. Le condensateur commence donc à se charger.
v
- La diode va continuer à conduire jusqu’à l’instant où C sera égale à S ( C = S ). v v v
De π à 2π :
- A cet instant la diode sera bloquée et le condensateur chargé se décharge dans la
résistance de charge.
Cette décharge va continuer jusqu’à l’instant où C < S . v v
En ce moment la diode D conduit et la charge du condensateur recommence, un
courant i traverse la charge R. Ce cycle se répète dans chaque période.
L’allure de la tension filtrée en fonction de θ est la suivante :
v Allure de vC filtrée
C
Vm=VCmax
VCmin
θ (rad)
0 π 2π 3π 4π
En augmentant la valeur de la capacité on trouve la courbe suivante:
v Allure de vC filtrée
C
Vm=VCmax
VCmin
θ (rad)
0 π 2π 3π 4π
En conclusion on retiendra que plus la valeur de la capacité de filtrage est grande,

plus la tension filtrée continue devient constante.
2°) Valeur moyenne de la tension filtrée dans la charge :
(VC max + V C min ) 2 RCf

VC = ou VC = VC max
2 (1 + 2 RCf )
f : Fréquence du réseau
3°) Taux d’ondulation du filtrage :
−V C min)
τ = (V C max
ou τ= 1
VC max RCf
4°) Valeur du condensateur de filtrage :
1
C =
τ Rf
III- REDRESSEMENT DOUBLE ALTERNANCE AVEC FILTRAGE :

vD1 iD1
i
vS vC iS D1
vp i D2
R
vS2 iC
vP vS C
vC
R
C D4 D3
iD2
vD2
L’allure de la tension filtrée en fonction de θ est la suivante :
Allure de vC filtrée
v
C
Vm=VCmax
VCmin
θ (rad)
0 π 2π 3π 4π
Le principe est le même que pour le montage simple alternance, plus la valeur de
capacité de filtrage est grande, plus la tension filtrée continue est constante.
v
C
Vm=VCmax
VCmin
θ (rad)
0 π 2π 3π 4π
2°) Valeur moyenne de tension filtrée dans la charge :
(VC max + V C min) 4 RCf

VC = ou VC = VC max
2 (1 + 4 RCf )
f : Fréquence du réseau
3°) Tau d’ondulation :
−V C min)
τ = (V C max
⇒ τ= 1
VC max 2 RCf
4°) Valeur du condensateur de filtrage :
1
C=
2 τRf
Exercice N° 1 :
La valeur maximale de la tension à la sortie d’un redresseur simple alternance est de
31,4Vet de fréquence 50Hz. La résistance de la charge est R=50Ω et la diode est
idéale.
1– Calculer les tensions moyenne et efficace aux bornes de la charge.
2- Calculer les courants moyen et efficace dans la charge.
3- On branche en parallèle un condensateur avec la charge pour obtenir un taux
d’ondulation de 2%.
a- Calculer la valeur du condensateur de filtrage.
b- Calculer la valeur moyenne de la tension aux bornes de charge.
c- Calculer la valeur minimale de la tension aux bornes de charge.
d- Tracer l’allure de la tension aux bornes de la charge sur deux périodes (4̟).
Exercice N° 2 :
Soit un montage va et vient. Les diodes sont des diodes idéales la résistance de
charge est R= 100Ω. On donne : vS1 = -vS2 = 12 2 Sin (100̟.t).
1– Calculer les valeurs moyenne et efficace de la tension aux bornes de la charge.
2– Calculer les courants moyen et efficace dans la charge.
3- On branche un condensateur de 4mF en parallèle avec la charge.
a- Calculer la valeur moyenne de la tension aux bornes de la charge.
b -Déterminer les valeurs maximale et minimale de la tension aux bornes de la
charge.
c - Calculer le taux d’ondulation en pourcentage.
d- Tracer l’allure de tension aux bornes de la charge sur deux périodes (4π).
Solution N°1
Vm = 31,4V , R = 50Ω
1-Tensions moyenne et efficace aux bornes de la charge :
V 31,4 V 31,4
VC = m = ⇒ VC = 10V et VCe = m = ⇒ VCe = 15,7 V
π 3,14 2 2
2- Courants moyen et efficace dans la charge :
V 10 V 15,7
IC = C = ⇒ I C = 0,2A et I Ce = Ce = ⇒ I Ce = 0,314A
R 50 R 50
2
3- filtrage : on donne τ = 2% = = 0,02
100
a- La valeur du condensateur de filtrage :
1 1
C = = ⇒ C = 0,02F = 20mF
τR f 0 , 02 × 50 × 50
b- La valeur moyenne de la tension aux bornes de charge :
Il s’agit de la valeur moyenne après filtrage :
2RCf 2 × 50 × 0,02 × 50 100
VC = VCmax = 31,4 × = 31,4 × ⇒ VC = 31,08V
(1 + 2RCf ) (1 + 2 × 50 × 0,02 × 50) 101
c- La valeur minimale de la tension aux bornes de charge :
(VCmax + V Cmin )
VC = ⇒ 2VC = VCmax + V Cmin ⇒ V Cmin = 2VC − VCmax
2
V Cmin = 2 × 31,08 − 31,4 ⇒ V Cmin = 30,76V
d– Allure de la tension aux bornes de la charge (tension filtrée) :
v C
31,4
30,76
θ (rad)
0 π 2π 3π 4π
Solution N° 2
R= 100Ω, Vm = 12 2 = 16,92V
1-Valeurs moyenne et efficace de la tension aux bornes de la charge :
2 ⋅ Vm 2 × 12 2 V 12 2
VC = = ⇒ VC = 10,77V et VCe = m = ⇒ VCe = 12V
π 3,14 2 2
2- Courants moyen et efficace dans la charge:
V 10,77
IC = C = ⇒ IC = 0,1077A = 107,7 mA
R 100
V 12
I Ce = C e = ⇒ I Ce = 0,12 A = 120mA
R 100
3- filtrage : on donne C=4mF
a- La valeur moyenne de la tension aux bornes de charge :
Il s’agit de la valeur moyenne après filtrage :
4RCf 4 × 100 × 4.10 −3 × 50 80
VC = VCmax = 16,92 × −3
= 16,92 ×
(1 + 4RCf ) (1 + 4 × 100 × 4.10 × 50) 81
VCmax = Vm = 16,92V ⇒ VC = 16,71V
b- Valeurs maximale et minimale de la tension aux bornes de charge :
(V + V Cmin )
VC = Cmax ⇒ 2VC = VCmax + V Cmin ⇒ V Cmin = 2VC − VCmax
2
V Cmin = 2 × 16,92 − 16,92 ⇒ V Cmin = 16,50V
c - Taux d’ondulation en pourcentage :
τ= 1 = 1
=
1
⇒ τ = 0,025 = 2,5%
2 RCf 2 × 100 × 0,004 × 50 40
d– Allure de la tension aux bornes de la charge (tension filtrée) :
vC
16,92
16,5
θ (rad)
0 π 2π 3π 4π
LA DIODE ZENER
I- Définition :
Une diode Zener est une diode à jonction spéciale qui peut conduire aussi dans le
sens inverse lorsque la tension inverse à ses bornes atteint la tension Zener VZ.
II- Symboles :
A K A K A K
III- Caractéristiques d’une diode Zener :
1- Polarisation directe :
IZ K
A
UZ E : Source de tension variable.

A : Ampèremètre.
IZ R V : Voltmètre.
A UZ : Tension aux bornes de DZ.
IZ
E V UZ DZ
On fait varier E et on relève les valeurs correspondantes de IZ et UZ.

La caractéristique est analogue à celle d’une diode à jonction, la diode Zener
commence à conduire à partir d’une tension de seuil VS.
2- Polarisation inverse :
A IZ K
UZ
R
IZ
A
IZ
E V UZ DZ
On fait varier E et on relève les valeurs correspondantes de IZ et UZ dans un tableau.
Dès que la tension aux bornes de la diode Zener dépasse la tension Zener (VZ), la
diode commence à conduire et la tension à ses bornes varie très peu. La tension UZ
reste presque constante et est égale à VZ (tension Zener).
IZ (mA)
diode Zener
VZ
UZ (V)
0 VS
∆UZ
● IZM
Remarque :
La diode Zener est généralement utilisée dans le fonctionnement en sens inverse. Elle
est caractérisée par un courant maximal supportable à partir de laquelle la diode
peut être détruite. Ce courant est noté IZM.
IV- Caractéristiques d’une diode Zener idéale (ou parfaite) :

Une diode Zener idéale est une diode qui en inverse, a une tension à ses bornes VZ
constante dès que cette valeur est atteinte. Cette tension VZ reste absolument
constante, autrement dit la variation de tension à ses bornes est nulle (∆UZ =0).
IZ (mA)
diode Zener idéale
VZ
UZ (V)
0
● IZM
V- Puissance d’une diode Zener :
Une diode Zener est caractérisée par sa tension Zener VZ et son courant maximal
admissible IZM ou par sa puissance maximal admissible PZM et VZ.
PZM = IZM.VZ Au delà de PZM il y a risque de claquage.
Lorsque la valeur limite du courant n’est pas atteint: on a :
PZ = IZ.VZ
VI- Diode Zener comme stabilisateur de tension :
I1 R1 I2
IZ
R2 : Résistance de la charge (Sortie)
R1 : Résistance de protection
E UZ US R2 UZ : Tension aux bornes de DZ
DZ
US : Tension aux bornes de la charge
Stabilisateur
Etudions le principe de la stabilisation lorsque E varie.
a°) Pas de stabilisation :
Si E < Emin : ⇒ IZ = 0 et UZ =US
Dans ces conditions le circuit devient :
I1 R1 I2
UZ DZ US R2
E
R2 R2
US = E ⇔ UZ = E (Car US = UZ)
R1 + R2 R1 + R2
Il n’y a pas encore de stabilisation car si la tension d’entrée E varie, la tension de
sortie varie également.
b°) Début de stabilisation :
Si E = Emin : ⇒ IZ négligeable (IZ≈0) et UZ =US = VZ.
I1 R1 I2 I1 R1 I2
Emin Emin VZ R2
UZ US R2 ⇒
DZ
C’est le début de stabilisation.
US=UZ=VZ
Calculons la tension minimale (Emin) qu’il faut appliquer à l’entrée pour avoir un
début de stabilisation.
R2 R1 + R2
VZ = E min ⇒ E min = VZ
R1 + R 2 R2
c°) Fin de stabilisation :
Si E = Emax : ⇒ IZ = IZM et UZ = US = VZ
I1 R1 I2
IZM
VZ US R2
Emax DZ
C’est la limite (fin) de stabilisation car le courant admissible dans la diode Zener est
atteint.
Calculons la valeur maximale de la tension (Emax) qu’il faut à l’entrée pour atteindre
la limite de stabilisation (fin de stabilisation).
Loi de maille :
Emax = R1.I1 + VZ avec I1= IZM + I2 (loi des noeuds)
= R1 (IZM + I2) +VZ
VZ
=R1.IZM + R1.I2 +VZ avec I2 = (loi d’Ohm)
R2
VZ
= R1.IZM + R1. + VZ
R2
 R + R2 
E max = R1 . I ZM + V Z  1  ⇒ E max = R1 . I ZM + E min
 R2 
d°) La plage de stabilisation: ∆UZ
C’est la différence entre E max et E min .
∆UZ = E max - E min ou encore ∆U Z = R1 .I ZM

Le générateur E est variable entre 0 et 120V, I1 R1 I2
R1 = 300Ω ; R2 = 500Ω ;
IZ
La diode Zener est caractérisée par sa puissance maximale E R2
PZM = 4,5W et son courant inverse maximale IZM = 100mA. UZ
1- Déterminer la tension Zener de cette diode.
2- Déterminer la valeur minimale de E qui correspond au début de stabilisation.
3- Déterminer la valeur maximale de E qui correspond à la limite de stabilisation.
4- Déterminer les courants I1, I2, IZ pour les valeurs suivantes de E :
a°) E = 65V ; b°) E = 80V ; c°) E = 105V.
Solution
1- La tension Zener de cette diode :
P 4,5
PZM = VZ ⋅ I ZM ⇒ VZ = ZM = ⇒ VZ = 45V
I ZM 0,1
2- La valeur minimale de E (début de stabilisation) :
(R + R 2 ) (300 + 500)
E min = 1 VZ = × 45 ⇒ E min = 72V
R2 500
3- La valeur maximale de E (limite de stabilisation) :
E max = R 1 .I ZM + E min = 300 × 0,1 + 72 ⇒ E max = 102V
4 - Les courants I1, I2, IZ pour les valeurs suivantes de E :
a°) E=65V < Emin=72V pas de stabilisation ⇒ IZ = 0 et UZ =US ≠ Vz
I1 R1 I2 I1
E R2 ⇒ I1=I2 ⇒ E RT=R1+R2=300+500=800Ω
Loi d’ohm :
E 65
E = R T I1 ⇒ I1 = = ⇒ I1 = I 2 = 0,081A = 81mA
R T 800
b°) E=80V > Emin mais < Emax donc nous somme dans la stabilisation :
UZ =US =Vz et IZ ≠0 , le circuit devient :
I1 R1 I2 Loi de maille :
E − VZ 80 − 45
IZ E - R1I1 -VZ=0 ⇒ I1 = = ⇒
E VZ R2 R1 300
I1 = 0,116A = 116mA
Loi d ohm :
VZ 45
VZ = R 2 I 2 ⇒ I 2 = = ⇒ I 2 = 0,09A = 90mA
R 2 500
Loi de nœud :
I1 = I Z + I 2 ⇒ I Z = I1 − I 2 = 0,116 − 0,09 ⇒ I Z = 0,026A = 26mA
c°) E=105V > Emax il y a risque de claquage :
UZ =US =Vz et IZ > IZM, le circuit devient :
I1 R1 I2 Loi de maille :
E − VZ 105 − 45
IZ E - R1I1 -VZ=0 ⇒ I1 = = ⇒
E VZ R2 R1 300
I1 = 0,2A = 200mA
Loi d ohm :
VZ 45
VZ = R 2 I 2 ⇒ I 2 = = ⇒ I 2 = 0,09A = 90mA
R 2 500
Loi de nœud :
I1 = I Z + I 2 ⇒ I Z = I1 − I 2 = 0,2 − 0,09 ⇒ I Z = 0,011A = 110mA > IZM
TRANSISTORS BIPOLAIRES
I- Définition:
C’est un composant électronique comportant trois bornes :
- L’émetteur (E),
- La base (B),
- Le collecteur (C).
II- Constitution :
Un transistor bipolaire est constitué par un cristal se semi conducteur (Germanium
ou Silicium) portant trois zones dopées différemment de façon à obtenir :
- Soit 2 zones N séparées par une zone P : C’est le transistor NPN.
- Soit 2 zones P séparées par une zone N : C’est le transistor PNP.
III- Symbole:
TRANSISTOR NPN
Collecteur (C) Collecteur (C)
P Base (B)
Emetteur (E)
Emetteur (E)
TRANSISTOR PNP
Collecteur (C) Collecteur (C)
N Base (B)
Emetteur (E)
NB : Emetteur (E)
Le type de transistor bipolaire le plus utilisé est le transistor NPN.
Par la suite on étudiera que le NPN.
IV- Fonctionnement:
IC
RC
VBC
IB RB C VCE
B
EC
E
EB VBE
IE
A M A
En faisant varier EB, on note les valeurs correspondantes de IB et IC dans le tableau ci-
dessous.
IB (µA) 0 100 200 300 400 500 600 700 800
IC(mA) 0 1,5 3 4,5 6 7,5 8 8 8
Transistor Bloqué Transistor Saturé

Transistor Passant
On peut distinguer 3 modes de fonctionnement :

a- Transistor Bloqué :
IB = 0 et IC = 0, aucun courant ne traverse le transistor.
b- Transistor Passant :
IC est proportionnel à IB, le coefficient de proportionnalité noté β est aussi
appelé coefficient d’amplification en courant. Ce coefficient β est une
I
caractéristique du transistor. β = C ⇒ I C = β .I B
IB
Pour le courant de l’émetteur on a : IE = IB + IC
Le coefficient β est un grand nombre pouvant largement dépasser 100 selon le
type du transistor.
-Effet transistor :
On appelle effet transistor cette propriété de commander un important
courant de collecteur IC à partir d’un faible courant de base IB.
c- Transistor Saturé :
Dans ce mode de fonctionnement, le courant de base ne commande pas le
courant de collecteur IC. C’est à dire quelque soit la valeur de IB, le courant IC
reste constant.
V- Caractéristiques d’un transistor réel :

Sortie
IC
IB5
Transfert en IB4
courant IB3
IB2
VCE est constante IB1
IB est constant
IB 0 VCE
VCE est constante
Entrée VBE
- Réseau de caractéristiques d’un transistor

Le réseau de caractéristiques est l’ensemble des courbes traduisant les relations entre
les quatre grandeurs : VBE, IB, VCE et IC.
1- Caractéristique d‘entrée :
C’est la courbe VBE=f(IB) lorsque VCE est maintenue constant. Cette
caractéristique est pratiquement celle d’une diode polarisée en direct.
2- Caractéristique de sortie :
C’est la courbe IC=f(VCE) lorsque IB est maintenu constant.
- Pour un transistor idéal, ces caractéristiques sont des droites horizontales
puisque IC ne dépend que de IB. -
- Pour un transistor réel, ces caractéristiques sont légèrement inclinées sur
l’horizontal.
3- Caractéristique de transfert en courant : C’est la courbe IC=f(IB) lorsque VCE
est maintenue constant. Cette caractéristique une droite passant par l’origine
ce qui traduit la proportionnalité entre IC et IB.
4- Caractéristique d’un transistor idéal :

Sortie
IC
IB5
Transfert IB4
en courant IB3
IB2
VCE =Cste IB1
IB est constant
IB 0 VCE
VCE =cste
VBE
Entrée
5- Caractéristique du constructeur :
Les fabricants précisent sur chaque type de transistor les valeurs à ne pas
dépasser :
VCEmax : tension maximale collecteur- émetteur
ICmax : courant maximal du collecteur
Pmax : puissance maximale dissipée dans le transistor.
La puissance dissipée dans un transistor est : P= VCE ×IC
6- Droite de charge du transistor :

RC IC
C
VBC
IB RB
B VCE
II EC
E
EB I VBE
I M
Dans la maille II on a :
E C − R C I C − VCE = 0 ⇒ VCE = E C − R C I C
Cette relation est l’équation d’une droite appelée droite de charge du transistor.
Traçons cette droite sur la caractéristique de sortie : il suffit de chercher les
intersections avec les axes.
Si IC = 0 ⇒ VCE =EC on a un point B (EC , 0)
E E
Si VCE = 0 ⇒ I C = C on a un point S (0 , C )
RC RC
IC
S
IB5
IB4
P2 IB3
IB2
P1
IB1
0 B VCE
Au point B le transistor est bloqué et au point S , il est saturé.

Le transistor fonctionne dans un domaine linéaire entre ces deux points (B et S)
d’où I C = β . I B
Lorsque le courant IC varie, le point de fonctionnement se déplace sur la droite de
charge : au point P1 pour le courant IB2 et au point P2 pour le courant IB3.
VI- Applications :
Les transistors sont généralement utilisés dans les circuits électroniques comme
amplificateur de signaux, commutateur, interrupteur etc.
POLARISATION DES TRANSISTORS
BIPOLAIRES
I- BUT :
La polarisation consiste à soumettre un transistor à une ou plusieurs sources de
tension continue pour fixer son point de fonctionnement (ou point de repos).
Le point de fonctionnement est caractérisé par la donnée des quatre grandeurs : IBE ;
VBE ; IC ; VCE
II- DIFFERENTS TYPES DE POLARISATION :
1- Polarisation à deux sources :

IC
4 RC
VBC C
3
IB RB VCE
B 2
EB EC
E
1 VBE
IE
M
Le montage nécessite deux sources de tensions représentées par EB et EC. On a :

IE = IB + IC avec I C = βI B ⇒ I E = I B + βI B ⇔ I E = (1 + β ) I B
β: coefficient d’amplification du courant ou gain du transistor.
Equations des mailles :
Loi des mailles :
- Maille 1 :
E B − R B I B − V BE = 0
- Maille 2 :
V BE − V BC − VCE = 0
- Maille 3 :
E C − RC I C − VCE = 0
- Maille 4 :
E C − RC I C + V BC + R B I B − E B = 0
Dans ce montage la valeur de RB et la position du point de fonctionnement

dépendent du gain en courant β.
Ce gain varie beaucoup d’un transistor à l’autre et dépendent de la température.
Ce montage ne permet donc pas d’obtenir un point de fonctionnement stable (fixe).
2- Polarisation à une source :
IB A IE
IC
1 RC
RB
VBC C
VCC
IB VCE
B 2 VCC
4 3
VBE E
IE
M
Les courants IB et IC sont fournis par une seule source de tension représentée par VCC
I C = βI B et I E = I B + I C ⇒ I E = I B + βI B ⇔ I E = (1 + β ) I B
Loi des mailles :
- Maille 1 :
R B I B − RC I C + V BC = 0
- Maille 2 :
V BE − V BC − VCE = 0
- Maille 3 :
VCC − RC I C − VCE = 0
- Maille 4 :
VCC − R B I B − V BE = 0
3- Polarisation par une résistance entre base et collecteur :
IE
4 RC
RB IE
IB
C
IC
1
VBC
VCC
IB VCE
2
B VCC
E 3
VBE
IE
M
Ce montage permet une certaine stabilisation du point de fonctionnement. Une
variation de IC entraînant par réaction une variation de IB et un retour à état initial.
On a :
I C = βI B et I E = I B + I C ⇒ I E = (1 + β ) I B
Loi des mailles :
- Maille 1 :
R B I B + V BC = 0
- Maille 2 :
VCE + V BC − V BE = 0
- Maille 3 :
VCC − RC I E − VCE = 0
- Maille 4 :
VCC − RC I E − R B I B − V BE = 0
4- Polarisation par pont de base avec résistance d’émetteur:
I1 A I
IC
1 RC
R1
VBC C
I1
VCC 5 IB
B 3 VCE
VCC
I2 E
R2 VBE
4
RE
2
IE
M
Ce montage est beaucoup moins sensible à la variation du gain en courant β que les
deux premiers montages.
La polarisation de la base du transistor est assurée par un pont de résistance R1 et R2.
Pour que le point de fonctionnement soit stable, le courant I2 circulant dans le pont
doit être beaucoup plus important que le courant de base IB (de l’ordre d’une dizaine
de fois plus grand).
Donc on a :
I C = βI B et I E = I B + I C ⇒ I E = (1 + β ) ⋅ I B
Loi des mailles :
- Maille 1 :
R1 ⋅ I 1 − RC ⋅ I C + V BC = 0
- Maille 2 :
R E ⋅ I E + V BE − R 2 ⋅ I 2 = 0
- Maille 3 :
VCE + VBC − VBE = 0
- Maille 4 :
VCC − RC I C − VCE − R E I E = 0
- Maille 5 :
VCC − R1 I 1 − R 2 I 2 = 0
III- APPLICATION DU THEOREME DE THEVENIN AU PONT DE BASE :
1- Générateur de Thévenin (ou Modèle de Thévenin) :

Les paramètres du générateur de Thévenin sont ETH et RTH :
RTH : est la résistance équivalente vue entre la base (B) du transistor et la masse (M)
du montage.
ETH : est la tension appliquée entre la base (B) et la masse (M) lorsque le transistor est
débranché entre B et M.
Schéma équivalent du générateur de Thévenin :

RTH
IB
B
ETH
M
2- Enoncé du théorème :
Pour appliquer le théorème de Thévenin au montage la règle à suivre est la suivante :
- Calcul de RTH :
On débranche (couper, enlever) le transistor du coté base (B) et du coté masse
(M), on court circuit ensuite toutes les sources de tension (interrupteur fermé)
et on détermine alors la résistance équivalente vue entre la base (B) et la masse
(M). Cette résistance équivalente est égale à RTH.
- Calcul de ETH :
Le transistor étant toujours débranché, il suffit de replacer les sources de
tension sans court circuit et on détermine alors la tension appliquée entre la
base (B) du transistor et la masse (M). Cette tension est égale à ETH.
Schéma équivalent du montage avec le générateur de Thévenin :
IC
RC
RTH C
IB VCC
B
E
ETH RE
M
IC
Exercices d’applications : RC
Exercice N°1 : IB RB C
B
Soit le montage ci-contre : EC
Le transistor est caractérisé par β = 150. E
EB VBE
On donne : EB=5V ; EC= 12V ; RC=2KΩ ; IE
VBE= 0,7V ; VCE= 6V.
M
Déterminer la valeur de RB ?
A
Exercice N°2 : IC
Soit le montage ci contre : I
R1 RC
On donne : β = 150
I1 I C
VCC=12V; VBE= 0,7V ; B VCC
B
RC=2KΩ; RE=500Ω; I2=10IB. I2 E
1- Déterminer R1, IB, I1, IC, IE et R2 de manière VBE
R2
à obtenir VCE=6V. RE
2- Calculer les paramètres du générateur de Thévenin IE
et faire le schéma équivalent du montage avec le générateur M
Solution N°1
La valeur de RB IC
Maille 1 :
E B − R B I B − V BE = 0 ⇒ E B = R B I B + V BE RC
E − V BE VBC C
⇒ RB = B RB
IB IB B VCE EC
IC
Déterminons IB : IC = β.IB ⇒ IB = E 2
β EB 1 VBE
IE
Maille 2 :
E C − VCE 12 − 6 M
E C − RC I C − VCE = 0 ⇒ IC = =
RC 2 ⋅ 10 3
IC 3 ⋅ 10 −3
⇔ I C = 3 ⋅ 10 −3 A = 3mA ⇒ IB = = ⇔ I B = 2 ⋅ 10 −5 A = 20 µA
β 150
D’où
E B − V BE 5 − 0,7
RB = = −5
= 215 ⋅ 10 3 Ω ⇔ R B = 215KΩ
IB 2 ⋅ 10
Solution N°2
1- Déterminons R1, IB, I1, IC, IE et R2 : I1 A
Dans la maille 1 : IC
I
R I − VBC R1 1 RC
R1 I 1 − RC I C + VBC = 0 ⇒ R1 = C C 5 I1 VBC C
I1 VCC IB VCC
B 3 VCE
Avec I C = βI B et I 1 = I B + I 2 = I B + 10 I B ⇒ I 1 = 11I B I2 E
VBE 4
La maille 3 permet de trouver VBC : R2 RE
VCE + VBC − VBE = 0 ⇒ V BC = V BE − VCE 4
IE
M
En remplaçons IC, I1 et VBC par leurs expressions dans R1 :
RC I C − V BC RC βI B − (VBE − VCE )
R1 = = Dans cette expression IB est la seule inconnue.
I1 11I B
Déterminons le dans la maille 4 :
VCC − RC I C − VCE − R E I E = 0 ⇒ VCC − VCE = R E I E + RC I C = R E (1 + β ) I B + RC β I B ⇒
VCC − VCE 12 − 6
[ R E (1 + β ) + RC β ]I B = VCC − VCE ⇒ I B = = ⇒
[ R E (1 + β ) + RC β ] [500(1 + 150) + 2000 × 150]
6
IB = = 1,59.10 −5 ⇒ I B = 15,9.10 −6 A = 15,9 µA
375500
RC β I B − VBE + VCE ) 2000 × 150 × 1,59.10 −5 − 0,7 + 6
D’où R1 = = −5
= 57,575.10 3 ⇒
11I B 11 × 1,59.10
R1 = 57.575Ω = 57,575KΩ
I 1 = 11I B = 11 × 1,59.10 −5 ⇒ I 1 = 174,9.10 −6 A = 174,9 µA et I 2 = 10 I B = 159µA
I C = β I B = 150 × 15,9.10 −6 ⇒ I C = 2385.10 −6 A = 2,385mA
I E = (1 + β ) I B = 151 × 15,9.10 −6 ⇒ I E = 2400,9.10 −6 A = 2,4mA
Dans la maille 5 on a :
VCC − R1 I 1 1,930
VCC − R1 I 1 − R 2 I 2 = 0 ⇒ R2 = = ⇒ R2 = 12.138Ω = 12,138KΩ
I2 159.10 −6
2- Les paramètres du générateur de Thévenin :
A
- Calcul de RTH : ICC R1
C’est la résistance équivalente vue entre B et M R1
Lorsque la source de tension est court circuitée
et le transistor débranché. B B M ≡A
Dans ces conditions entre B et M R1 // R2
R2
R 1 × R2 R2
Donc R TH = ⇒
R 1 + R2 M
57575 × 12138
R TH = = 10024 ⇒ R TH = 10.024Ω = 10,024 KΩ
57575 + 12138 A
- Calcul de ETH : I0
R1
C’est la tension appliquée entre B et M
Lorsque la source de tension est branchée B VCC
et le transistor toujours débranché.
En appliquant la règle du circuit diviseur de courant on a : R2 ETH
R2 12138
E TH = ⋅ VCC ⇒ E TH = × 12 ⇒
( R1 + R 2 ) (57575 + 12138) M
- Schéma équivalent du montage avec le générateur de Thévenin :

IC
RC
IB RTH C
B
VCC
E
ETH IE
REDRESSEMENT MONOPHASÉ COMMANDÉ :
REDRESSEUR A THYRISTOR
Le redressement est la conversion d’une tension alternative en une tension continue.
Il est dit commandé lorsque la tension moyenne de la sortie est réglable.
L’intérêt du redressement commandé est qu’il permet de faire varier la tension
moyenne à la sortie du redresseur et donc de faire varier par exemple la vitesse de
rotation d’un moteur à courant continu.
Le composant le plus utilisé pour le redressement commandé est appelé le thyristor.
I- LE THYRISTOR :
1- Définition :
Le thyristor est une diode commandée qui possède en plus de l’anode et la cathode
une gâchette.
2- Structure :
Le thyristor est un semi-conducteur de P N P N assimilable à un ensemble de 3
jonctions.
A P N P N K A K
Anode Cathode
G G
Gâchette
3- Symbole schématique :
A : anode
A K
K : cathode
G : gâchette (commande)
G
4- Fonctionnement du thyristor :
Le thyristor est comme une diode avec un sens passant et un sens bloqué.
a – Amorçage du thyristor :
- Sens passant :
VT
A K
iT
iG
G
Impulsion
Pour amorcer le thyristor afin qu’il conduise, il faut :

- que la tension VT soit positive (VT >0)
- et qu’il ait un courant de gâchette suffisant.
Le thyristor se comporte alors comme un interrupteur fermé après son amorçage
(VT=0).
Le courant de gâchette est un bref courant appliqué sous forme d’impulsion à la
gâchette.
Dès que le thyristor est amorcé par le courant de gâchette, ce courant peut être
supprimé et le thyristor continuera à conduire tant que la tension VT n’est pas
négative.
- Sens bloqué :
Sous tension inverse (VT < 0), le thyristor ne conduit pas ( iT = 0 ). Le thyristor se
comporte alors comme un interrupteur ouvert.
VT
A K
iT
G
b – Blocage du thyristor :
On peut bloquer la conduction d’un thyristor dans un circuit par :
- Extinction du courant par commutation naturelle,
- Application d’une tension inverse entre l’anode et la cathode.
c – Angle de retard à l’amorçage ou angle d’amorçage ou retard angulaire :

C’est l’angle α correspondant à l’instant t0 d’amorçage du thyristor.
L’instant t0 appelé retard à l’amorçage ou temps d’amorçage est l’instant où l’on
envoie l’impulsion de gâchette par rapport au début de chaque demi-période (T/2).
Il existe une relation entre α et t0 :
α =ω.t 0
L’angle α peut être régler, ce qui permet de faire varier la valeur moyenne de la
tension de sortie.
α est réglable de [0 à π].
NB : l’angle d’amorçage α peut être noté aussi par ψ (Psi).
vS (V) vS (V)
T 3T 2T t (s) T 3T 2T t (s)
T T
2 2
iG (A)
t (s) t (s)
t0 t0 t0 t0 t0 t0 t0 t0 t0
5 – Caractéristiques courant - tension d’un thyristor :

IT IT
Vi
VT VT
0 VS 0 VS
Caractéristique réelle Caractéristique idéale

II- REDRESSEMENT COMMANDÉ SIMPLE ALTERNANCE OU MONO -
ALTERNACE :
1- Schéma de montage :
iT T
iC
vp vS vT
vC R
On amorce le thyristor au début de chaque demi-période.

Le thyristor est passant qu’à partir moment où l’on envoie le signal de gâchette et à
la condition que la tension vT soit positive.
2- Chronogrammes ou Oscillogrammes (Allures) :
v
S
+Vm
Commentaires
+Vm
v
C
t0
C Pour amorcer le thyristor il faut :
Vm - une tension positive et
R - un courant de gâchette suffisant.
Vm T
Si l’on envoie un courant de

gâchette alors que la tension est
négative, le thyristor reste bloqué.
t0
3- Angle de conduction du thyristor :
θC = π − α
4- Temps de conduction ou durée de conduction du thyristor :
T
tC = − t0
2
5- La tension moyenne aux bornes de la charge :

C’est la valeur moyenne de la tension redressée v C
Vm
VC = (1+ cos α )
2π
III- REDRESSEMENT COMMANDÉ DOUBLE ALTERNANCE TOUT

THYRISTOR :
A- EN CONDUCTION DISCONTINUE OU INTERROMPUE :

La conduction est dite discontinue ou interrompue lorsque la charge est constituée
par une résistance pure (charge résistive).
1- Schémas de montage :
a - Montage va et vient :
T1
S1 v C
p
c
S2
T2
b – Montage pont de Graetz (PD2) ou parallèle double :
i
S
v R
v P S
C
T4 T3
S1 S2
Vm
S1 S2
v
C
Vm
t0
t0
3- Angle de conduction du thyristor :
θC = π − α
4- Temps de conduction ou durée de conduction du thyristor :
T
tC = − t0
2

C’est la valeur moyenne de la tension redressée v
C
Vm
VC = (1+ cos α )
π
B- EN CONDUCTION CONTINUE OU ININTERROMPUE :
La conduction est dite continue ou ininterrompue lorsque la charge est constituée
d’une résistance, d’une bobine (inductance) ou même d’une f.e.m (moteur).
La bobine permet de prolonger la durée de conduction, celle-ci peut avoir lieu même
durant les phases négatives où v
C
est négative.
Lorsque la valeur de l’inductance de la bobine est suffisamment grande, le courant
est pratiquement constant.
a - Montage va et vient :
T1
S1 vC
P
C
S2
T2
b – Montage pont de Graetz (PD2) ou parallèle double :

C
i
S L
v v
C
P S
R
T4 T3
S1 S2
Commentaires
+Vm
S1 S2
Le courant qui traverse le

thyristor ne s’annulant pas,
ce dernier reste passant
-Vm même lorsque νS1devient
v
C négatif.
+Vm Le thyristor se bloque à
l’amorçage du second
Si l’inductance est assez

grande, l’ondulation ∆i
devient négligeable et le
C
courant est alors
considéré constant.

C’est la valeur moyenne de la tension redressée v C
2Vm
VC = ⋅ Cosα
π
π
- Pour 0 < α < : C’est la marche en redresseur ;
2
π
- Pour α= : Aucun courant ne circule dans la charge ;
2
π
- Pour <α <π : C’est la marche en onduleur.
2
IV- REDRESSEMENT COMMANDÉ DOUBLE ALTERNANCE PONT MIXTE :
Le pont mixte est un montage constitué de deux thyristors et deux diodes.
En générale dans un montage pont mixte, la conduction est continue (ininterrompue)
i
S L
v vC
P S
R
;
2- Chronogrammes ou Oscillogrammes (Courbes) :

S
+Vm
Commentaires
Malgré une conduction

ininterrompue, la tension de sortie
v
C vc s’annule lorsque vs devient
+Vm
négatif. Cela est dû à la présence
des diodes.
C Durant les instants où la tension

Vm
R
est nulle, la charge fonctionne en
roue libre. C’est-à-dire qu’elle
n’est pas reliée à l’alimentation.
La bobine libère son énergie et
assure la continuité du courant.
Phases de roue libre.

C’est la valeur moyenne de la tension redressée v
C
Vm
VC = (1+ cos α )
π
Exercice d’application :
On considère un montage redresseur commandé par pont de graetz tout thyristor. La
tension au secondaire du transformateur est vS = 24 Sin (100π t ) , l’angle de retard à
l’amorçage vaut 30° (degrés) et la charge est une résistance 100Ω.
1- Faire le schéma du montage et tracer l’allure de la tension aux bornes de la charge.
2- Calculer la valeur moyenne de la tension aux bornes de la charge.
3- Calculer l’instant d’amorçage de chaque thyristor en millisecondes.
4- Calculer le temps (ou durée) de conduction de chaque thyristor en millisecondes.
5– On remplace les thyristors T4 et T3 par deux diodes D1 et D2. La charge est
remplacée aussi par un moteur constitué d’une f.c.é.m E, d’une résistance interne de
3Ω, et d’une inductance L=0,1mH.
a- Tracer l’allure de la tension aux bornes de la charge.
b- Calculer la f.c.é.m du moteur sachant qu’un courant de 1,2A le traverse.
c- Tracer l’allure du courant dans le moteur si le courant est parfaitement lissé.
Solution
π
α = 30° = rad , Vm = 24V , R = 100Ω
6
1- Schéma du montage: (voir cours)
- l’allure de la tension aux bornes de la charge : (Voir cours redressement commandé
pont de graetz tout thyristor en conduction discontinue)
2-La valeur moyenne de la tension aux bornes de la charge :
C’est la conduction est discontinue.
V
VC = m (1+ cos α ) = (1+ cos(30°) ) = 14,26 ⇒ VC = 14,26V
24
π 3,14
3-L’instant d’amorçage de chaque thyristor en millisecondes :
π
α 6 = 0,00166 s ⇒
α = ω.t 0 ⇒ t 0 = = t 0 = 1,66. 10 −3 s = 1,66ms
ω 100π
4- Le temps (ou durée) de conduction de chaque thyristor en millisecondes :
T 1 1 T 1
t C = − t 0 avec T = = donc t C = − t 0 = − 0,00166 ⇒
2 f 50 2 100
t C = 0,00834 s = 8,34 ms
5– En remplaçant les deux thyristors par deux diodes on aura un montage pont mixte
la charge est un moteur donc la conduction est continue.
a- L’allure de la tension aux bornes de la charge :
(Voir cours pont mixte)
b- La f.c.é.m E du moteur pour ĪC=1,2A :
VC = E + r ⋅ I C ⇒ E = VC − r ⋅ I C = 14,26 - 3 × 1,2 ⇒ E = 10,66V
c- L’allure du courant dans le moteur si le courant est parfaitement lissé :
IC
t
0 T T 3T 2T
2 2
Diode à jonction :
Exercice N°1:
On considère le montage ci-contre.
La caractéristique de la diode passe par les points R
I R= 80Ω
M (0,3V ; 0mA) et N (0,8V ; 15mA).
1- Etablir l’équations de la caractéristique de cette diode E=3V
ainsi que celle de la droite de charge. E UD D
2- Tracer ces deux droites dans le même repère orthonormé.
3- Déterminer les coordonnées du point de repos.
Exercice N°2:
La diode du montage ci-contre à une résistance dynamique
RP
de 50Ω et la tension appliquée à ses bornes est de 0,725V I
tj= 140°
avec un courant de 1,5mA.
ta= 25°
1- Déterminer la tension de seuil de cette diode. En E UD D
déduire sa nature en justifiant votre réponse.
2- Déterminer la résistance de protection pour E=24V.
3- Déterminer la résistance thermique.
Exercice N°3:
Soit le montage ci dessous :
M R1 A
On donne :
D2 E = 12V
R4 R1 = 425Ω
E D1
R2 R2 = 1KΩ
R3 = 400Ω
R3
R4 = 600Ω
B
Les diodes sont idéales. D3
1- Déterminer les valeurs des intensités dans toutes les branches.
2- On inverse les polarités du générateur E ; calculer encore les nouvelles valeurs des
intensités.
Exercice N°4: D D2
1
M A On donne :
E = 18V
R1 = 1,5KΩ
R1 R2 R3
R2 = 500Ω
E R4 R3 = 1KΩ
D3 R4 = 1,5KΩ
R5 = 900Ω
Les diodes sont idéales. R5 B

1- Déterminer les valeurs des intensités dans toutes les branches.
3- On inverse les polarités du générateur E ; calculer encore les nouvelles valeurs
des intensités.
Redressement monophasé non commandé (par diode) :
Exercice N°1:
La valeur moyenne de la tension à la sortie d’un redresseur simple alternance est de
10V. Sachant que la résistance de la charge est RC =50Ω.
a – Faire le schéma du montage.
b – La tension à la sortie du transformateur est de la forme : vS = Vm Sin (100πt).
Calculer :
- La valeur maximale de la tension vS. En déduire la valeur efficace de la tension vs.
- Le courant moyen dans la charge.
c – Déterminer la tension efficace et le courant efficace au niveau de la charge.
d – Calculer la tension d’ondulation, le taux d’ondulation et le facteur de forme.
e – Déterminer la puissance moyenne dissipée par la charge.
f – Déterminer les courants moyen et efficace dans la diode.
g – Calculer les fréquences des tensions vS et vC.
h – Calculer la puissance alternative au secondaire du transformateur. En déduire le
rendement du montage.
i – Déterminer la puissance nominale au secondaire du transformateur.
NB : Prendre 2 = 1,41 et π = 3,14
Exercice N°2 :
La tension maximale au secondaire du transformateur est de 16 2 volts. On donne
RC= 1,50KΩ
Calculer :
a – La tension moyenne aux bornes de la charge.
b – Le courant moyen dans la charge.
c – La tension efficace aux bornes de la charge.
d – Le courant efficace dans la charge.
e – La puissance moyenne dissipée dans la charge.
NB : Prendre 2 = 1,41 et π = 3,14
Exercice N°3 : Soit le montage redresseur ci-dessous :
D iC
vS vD vC
120V
60Hz vp RC=200Ω
N S V Se
On donne : le rapport de transformation du transfo m = = = 0,25
N P V Pe
1 - Calculer la valeur efficace de la tension vS .
2 - Calculer les valeurs moyenne et efficace de la tension redressée.
3 – En déduire les valeurs moyenne et efficace du courant dans la charge.
4 – Calculer la T.I.C de la diode.
NB : Prendre 2 = 1,41 et π = 3,14
Exercice N°4 :
Un transformateur ayant 3860 spires au primaire et 386 spires au secondaire
alimente un redresseur mono alternance. La charge est une résistance de 1,2KΩ. Ce
transfo est alimenté par un réseau de 220V ; 50Hz.
b – Déterminer la tension efficace au secondaire du transfo.
c – Déterminer la valeur de la tension inverse maximale de la diode.
d– Déterminer la tension maximale aux bornes de la charge.
e – Calculer les valeurs moyenne et efficace de la tension aux bornes de la charge.
NB : Prendre 2 = 1,41 et π = 3,14
Exercice N°5 :
Dans un montage redresseur simple alternance, la diode utilisée est supposée
parfaite.
La résistance de charge vaut 1KΩ. L’équation de la tension au secondaire du transfo
est
vS =24 2 Sin (100̟.t).
b – Déterminer la valeur maximale de la tension vS.
c – Calculer les valeurs moyenne et efficace :
- De la tension aux bornes de la charge,
- Du courant dans la charge.
d – Calculer la tension d’ondulation et le taux d’ondulation.
e – Calculer la T.I.C de la diode.
NB : Prendre 2 = 1,41 et π = 3,14
Exercice N°6 :
D
i2 v
1 (V)
v v D v v R=10Ω
+10
1 2
0 t (s)
T 3T
T 2T
-10 2 2
1 – Expliquer le fonctionnement du montage ci-dessus et tracer les allures des
tensions vD et v2 séparément et sur deux périodes.
2 - Calculer les valeurs moyenne et efficace de la tension de sortie v2.
3 – Calculer les valeurs moyenne et efficace du courant i2.
4 – Calculer la puissance moyenne dissipée dans la charge.
NB : Prendre 2 = 1,41 et π = 3,14
Exercice N°7 :
Dans un montage redresseur simple alternance, la tension au secondaire du transfo
est de la forme : vS =16,97 Sin (100̟.t). La résistance de charge vaut 2KΩ et la diode
est parfaite.
1– Faire le schéma du montage.
2– Expliquer le fonctionnement du montage.
3– Tracer la courbe de la tension vS au secondaire du transfo sur deux périodes.
4– Tracer la courbe de la tension vC aux bornes de la charge sur deux périodes.
5– Calculer les valeurs moyenne et efficace de la tension aux bornes de la charge.
6– Calculer les valeurs moyenne et efficace du courant dans la charge.
7– Tracer l’allure (courbe) de la tension vD aux bornes de la diode sur deux périodes.
NB : Prendre 2 = 1,41 et π = 3,14
Exercice N°8 :
Un transformateur à point milieu alimente un montage redresseur non commandé va
et vient. La résistance de la charge vaut 4,70KΩ et les diodes sont idéales. Les allures
des tensions vS1 et vS2 au secondaire du transformateur sont :
vS (V) vS1 vS2
+30
2̟
0 4̟
θ (rad)
̟ 3̟
-30
T=0,02s

2 - Expliquer le fonctionnement du montage et tracer l’allure de la tension aux bornes
de la charge sur deux périodes.
3 – Calculer la fréquence des tensions vS1, vS2 et celle de la tension redressée (vC).
5 - Calculer les valeurs : moyenne et efficace de la tension redressée.
6 – Calculer les valeurs: moyenne et efficace des courants dans la charge et dans une
diode.
7– Tracer les allures des tensions vD1 et vD2 aux bornes des diodes D1 et D2 dans un
même repère sur deux périodes.
8 - Calculer la valeur de la tension inverse maximale aux bornes d’une diode bloquée.
NB : Prendre 2 = 1,41 et π = 3,14
Exercice N°9 :
Soit un montage va et vient. Les diodes D1 et D2 sont idéales, la résistance de charge
est R= 100Ω.
On donne : vS1 = -vS2 = 12 2 Sin (100̟.t).
1 - Calculer les valeurs : moyenne et efficace de la tension redressée.
2 – Calculer les courants, moyen et efficace :
a - Dans la charge,
3 – Calculer la tension d’ondulation et le taux d’ondulation.
5 – Calculer la fréquence des tensions vS1 et vS2 ainsi que celle de vC .
NB : Prendre 2 = 1,41 et π = 3,14
Exercice N°10 :
Soit un montage parallèle double (pont de Graetz) utilisé pour alimenter une charge
de 1,5KΩ. La valeur moyenne de la tension redressée vaut 15V, la tension au
primaire du transformateur utilisé est de 110V.
1– Faire le schéma de montage de ce redresseur.
2- Calculer la valeur efficace de la tension au secondaire du transformateur.
3– Déterminer la valeur efficace de la tension aux bornes de la charge.
4– Calculer les courants moyen et efficace dans la charge et dans une diode.
5– Déterminer la tension inverse maximale des diodes.
6– Calculer le rapport de transformation du transformateur.
7– Calculer la puissance dissipée par effet joule et la puissance alternative dans la
charge.
8– En déduire le rendement du montage.
NB : Prendre 2 = 1,41 et π = 3,14

Exercice N°11 :
La valeur efficace d’une tension alternative sinusoïdale de fréquence 50Hz est 48V.
Cette tension alimente au secondaire d’un transformateur un pont de Graëtz de
charge résistive R= 2KΩ.
1- Faire le schéma du montage.
2- Expliquer le fonctionnement du montage et tracer l’allure de la tension aux
bornes de la charge.
3- Calculer les valeurs moyenne et efficace de la tension aux bornes de la charge.
4- Calculer les valeurs moyenne et efficace du courant dans la charge.
5- Calculer les valeurs moyenne et efficace du courant dans une diode.
6- Calculer la tension inverse de crête et la fréquence de la tension redressée.
7- Tracer les allures des tensions VD1 et VD2 aux bornes des diodes D1 et D2 dans
un même repère et deux périodes.
8- On met un condensateur de 125µF en parallèle avec la charge pour filtrer la
tension redressée.
b- Déterminer les valeurs maximale et minimale de la tension aux bornes
de la charge.
c- Déterminer le taux d’ondulation en pourcentage.
d- Tracer l’allure de tension redressée filtrée.
NB : Prendre 2 = 1,41 et π = 3,14
Exercice N°12:
Dans un montage redresseur non commandé simple alternance, la diode utilisée est
supposée parfaite. La résistance de charge vaut 6,8KΩ.la tension au secondaire du
transfo est de la forme vS =24 2 Sin (100̟.t).
1– Déterminer la valeur maximale de la tension et tracer l’allure de la tension aux
bornes de la charge.
2– Calculer les valeurs moyenne et efficace :
- De la tension aux bornes de la charge,
- Du courant dans la charge.
3– Calculer la tension inverse maximale de la diode.
4 - On met un condensateur en parallèle avec la charge pour obtenir un taux
d’ondulation de 2,16%.
a- Calculer la valeur du condensateur de filtrage.
c- Calculer les valeurs maximale et minimale de la tension aux bornes de charge.
d- Tracer l’allure de la tension aux bornes de la charge sur deux périodes (4π).
Exercice N°13:
La valeur efficace d’une tension alternative sinusoïdale de fréquence 50Hz au
secondaire d’un transformateur est 30V. Cette tension alimente un redresseur non
commandé parallèle double de charge résistive 4KΩ.
1- Faire le schéma du montage et tracer l’allure de la tension aux bornes de la charge.
2- Calculer les valeurs moyenne et efficace de la tension aux bornes de la charge.
3- Calculer les valeurs moyenne et efficace du courant dans la charge.
4- Calculer les valeurs moyenne et efficace du courant dans une diode.
5- Calculer la tension inverse de crête.
6- On branche un condensateur de 4mF en parallèle avec la charge.
b- Déterminer les valeurs maximale et minimale de la tension aux bornes de la
charge.
c- Calculer le taux d’ondulation en pourcentage.
d- Tracer l’allure de tension aux bornes de la charge sur deux périodes (4π).
NB : Prendre 2 = 1,41 et π = 3,14
Exercice N°14:
Un transformateur à point milieu alimente un montage redresseur non commandé va
et vient. La résistance de la charge vaut 3KΩ et les diodes sont idéales. Les allures des
tensions vS1 et vS2 au secondaire du transformateur sont :
vS (V) vS1 vS2

+45
2̟
0 4̟
θ (rad)
̟ 3̟
-45
T=0,02s

2 - Expliquer le fonctionnement du montage et tracer l’allure de la tension aux bornes
de la charge sur deux périodes.
4 - Calculer les valeurs moyenne et efficace de la tension aux bornes de la charge.
5– Calculer les valeurs moyenne et efficace des courants en mA dans la charge et dans
une diode.
6 – Tracer les allures des tensions vD1 et vD2 aux bornes des diodes D1 et D2 dans un
même repère sur deux périodes.
7 - On met un condensateur de 68µF en parallèle avec la charge pour filtrer la tension
redressée.
a- Calculer le taux d’ondulation en pourcentage
c - Calculer les valeurs maximale et minimale de la tension aux bornes de charge.
d- Tracer l’allure de la tension aux bornes de la charge sur deux périodes.
NB : 2 = 1,41 et π = 3,14
Diode Zener (stabilisateur) :
Exercice N°1:
Le générateur E est variable entre 0 et 100V,
I1 R1 I2
R1 = 250Ω ; R2 = 800Ω
La diode Zener est caractérisée par sa tension Zener IZ
E R2
VZ= 48V et son courant inverse maximale IZM =100mA. UZ
1-Déterminer la puissance maximale de cette diode.
2-Déterminer la valeur minimale de E.
3-Déterminer la valeur maximale de E.
4-Déterminer en mA les courants I1, I2, IZ pour les valeurs suivantes de E et préciser
l’état de conduction de la diode :
a°) E = 55V ; b°) E=63V; c°) E=70V; d°) E=80V; e°) E=88V; f°) E=90V
5- On fixe E = 85V, R1 = 250Ω et on fait varier la résistance de charge R2 et on trouve
Iz = 50mA.
a- Déterminer la valeur de R2.
b- Déterminer dans ces conditions la puissance de la diode.
6-Pour une charge infinie (R2 = ∞), on fixe E = 76V et on fait varier R1, déterminer la
valeur minimale de R1 afin d’éviter le claquage inverse de la diode.
Exercice N°2:
Soit le montage ci-dessous :
I1 R1 I2
IZ R1 = 2KΩ
E UZ R2 R2 = 4KΩ
La tension Zener de cette diode est de 30V et son courant maximal est de 10mA.
1- Déterminer la plage de stabilisation de ce montage.
2- Déterminer la puissance maximale que peut dissiper cette diode.
3- Remplir les cases du tableau ci-dessous.
E (V) 35
I1 (mA) 25
I2 (mA) 10
IZ (mA) 8
PZ (mW) 150
4- On fixe E = 45V, la résistance de protection étant 2KΩ, déterminer la

résistance de charge R2 à la limite de stabilisation.
Exercice N°3:
Soit le montage ci-contre :
La puissance maximale de cette diode est 0,96W et son
I1 R1 I2
Courant maximal admissible est IZM=40mA.
La plage de stabilisation de ce montage est 5V IZ
et la tension d’alimentation en début E R2 =200Ω
UZ
de stabilisation est 39V.
1- Calculer la tension Zener de cette diode.
2- Calculer la valeur de la résistance de protection R1.
3- Calculer la tension d’alimentation en fin de stabilisation.
4- Remplir les cases vides du tableau ci-dessous.
E (V) 30
I1 (mA) 158,5
I2 (mA) 120
IZ (mA) 30
PZ (mW) 500
Exercice N°4:
Soit le montage ci-dessous :
I1 R1 I2
IZ
E UZ R2
Le générateur E est variable, R1 =2KΩ ; R2 = 10KΩ, VZ = 10V et IZM = 2mA.

1- Calculer les valeurs de E en début et en fin de stabilisation.
2- Calculer les courants I1, I2 et IZ pour les valeurs suivantes de E:
a- E = 7V ;
b- E = 15V ;
c- E = 18V.
3- Calculer la valeur de E pour les valeurs des courants suivants:
a- IZ= 0mA et I1= 0,5mA ;
b- IZ= 1,6mA
Transistor bipolaire (polarisation) :
Exercice N°1: IC
Soit le montage ci contre :
Le transistor est caractérisé par β = 150. RC
On donne : EB=5V ; EC= 12V ;
IB RB C
RC=2KΩ; VBE= 0,7V; VCE= 6V B
EC
Déterminer la valeur de RB ?
E
EB VBE IE
M
A
Exercice N°2:
IC
Soit le montage ci contre : I
R1 RC
On donne : β = 150
VCC=12V; VBE= 0,7V I1 I C
B
B VCC
RC=2KΩ; RE=500Ω
I2 E
I2=10IB. VBE
Déterminer IB, IC, IE, I2, I1, R1 et R2 de R 2
RE
manière à obtenir VCE=6V. IE
Exercice N°3: M
Soit le montage ci-contre :
1- Calculer les paramètres du générateur de THEVENIN qui alimente la base du
transistor.
2- Calculer les courants IB, IC, IE., I1 et I2. + VCC
3- Déterminer le coefficient α tel que IC= α IE. I
RC
4- Etablir une relation entre α et β. I1
5 - Calculer les tensions VCE, VCC, VBM et VCB. C
R1 IC
On donne : I1 IB
B 8V
VBE = 0,5V, β = 50 I2 E
VBE
R1 = 33KΩ, R2 = 18KΩ R2 RE
RE = 0, 5KΩ, RC = 2,7KΩ IE
M
Exercice N°4: IC
Soit le montage ci contre :
Le transistor est caractérisé par β = 120. R2
On donne : E1=1,5V ; E2= 6V ; R2=75Ω.
IB C
Dans les condition de fonctionnement B
E2
choisie, l’intensité du courant de base vaut
E1 E
0,4mA et VBE= 0,7V. R1 VBE IE
1- Quelle valeur doit-on donner à R1 ?
2- Calculer la valeur de IC et IE ainsi que la tension VCE. M
Exercice N°5:
Un transistor au germanium est monté comme I
R2
l’indique la figure ci contre. Le générateur E=9V R1
β = 140, VBE= 0,15V, I=6,5mA; R2 = 750Ω. C
IC
Calculer la valeur de R1, IB, IC et VCE. E
IB B
E
IE
M
Exercice N°6:
Soit le montage ci dessous.
Calculer :
1- Les courants IC, IB et IE
2- Les tensions VEM, VCE, VBM, VCB
3- Le courant I1 et la résistance R1
4- Déterminer les paramètres ETH et RTH du générateur de THEVENIN qui alimente
la base du transistor.
5- Faire le schéma du montage avec le générateur de THEVENIN.
6- Déterminer l’état du transistor lorsqu’on l’alimente par :
- un courant de base nul.
- un courant de base maximal.
A
IC On donne :
R1 RC
I
C VBE = 0,7V
I1
IB VCM = 4V
B VCC VCC = 12V
I2 E β = 100
R2 RC = 2,2KΩ
RE
R2 = 4KΩ
IE
RE = 400Ω
Exercice N°7: M
Soit le générateur de courant représenté par la figure ci- contre. I
La diode DZ est parfaite VZ = 6,6V ; VBE = 0,6V
I1 IC
RE = 1KΩ ; R1 = 540Ω ; β = 100.
1- Déterminer la valeur du courant I1 en mA. R1 RC
2-Déterminer les courants d’émetteur, de collecteur et
de base du transistor. C
3-Déterminer la valeur du courant IZ en mA. IB VCC = 12V
B
4-Déterminer la puissance PZ de la diode DZ en mW. IZ
5-Déterminer la valeur de la tension VCE pour E
une valeur nulle de RC DZ VZ IE
Exercice N°8: RE
Soit le montage ci dessous.
1- Calculer les courants IB, IC et IE
2- Déterminer la valeur de la résistance RE
3-Calculer les courants I1, I2 et I
4- Déterminer la valeur de la résistance R1
5- Les tensions VCB, VEM, VAC, VBM, VAB
6- Calculer les paramètres du générateur de THEVENIN qui alimente
la base du transistor.
A
IC
On donne :
R1 RC
I VCC = 24V
C VCM = 12V
I1
IB VBE = 0,6V
B VCC VCE = 3,8V
β = 40
I2 E RC = 1,5KΩ
R2 R2 = 40KΩ
RE
IE
M
Redressement monophasé commandé (par thyristor) :
Exercice N°1 :
Une charge composée d’une résistance R=10Ω et une inductance L=0,1mH est
branchée à la sortie d’un redresseur commandé tout thyristor va et vient. Les
tensions v S1
= −vS2 sont des tensions alternatives sinusoïdales, la fréquence du réseau
est 50Hz et la tension maximale à l’une des sorties du transformateur est Vm =15V,
π
l’angle d’amorçage des thyristors est α = rad .
8
1- Schématiser le montage de ce redresseur.
2- Expliquer le fonctionnement du montage.
3- Tracer l’allure de la tension aux bornes de la charge.
4- Tracer l’allure du courant dans la charge puis dans le thyristor T1.
5- Calculer la tension moyenne aux bornes de la charge.
6- Calculer en millisecondes (ms) la durée de conduction de chaque thyristor.
Exercice N°2 :
Un pont redresseur tout thyristor alimente un moteur à courant continu, l’angle
π
d’amorçage des thyristors est α = rad . La tension moyenne aux bornes du moteur
4
est 169V, le courant parfaitement lissé vaut 25A, la résistance interne du moteur est
de 1,2Ω.
2- Calculer la valeur efficace de la tension du réseau alternatif sachant que la
fréquence est de 50Hz.
3- Tracer l’allure de la tension aux bornes du moteur.
4- Calculer le temps d’amorçage des thyristors.
5- Calculer le temps de conduction des thyristors.
Exercice N° 3 :
Un pont de Graetz mixte (thyristors/diodes) alimente un moteur à courant continu
dont la résistance interne est de 2,5Ω. La fréquence du réseau est de 50Hz, l’instant
d’amorçage des thyristors est égal au huitième de la période du réseau. La tension
moyenne aux bornes du moteur est 200V, le courant parfaitement lissé vaut 10A.
2-Tracer l’allure de la tension aux bornes du moteur.
3- Calculer :
a- L’instant d’amorçage puis l’angle d’amorçage des thyristors.
b-La valeur efficace de la tension du réseau alternatif.
c- La f.c.e.m E du moteur.
4- On pose E=KΦN avec Φ=100mWb (le flux magnétique du moteur) et K= 0,001 (la
constante du moteur).
Calculer la vitesse de rotation N du moteur en tours/min.

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Cohorte Janvier 2015

Module : Electronique générale

Classe: 3eme Année électromécanique

Master d’INGENIEUR en GEER

La valence d’un élément est le nombre d’électron sur sa dernière couche.

I- Définition d’semi conducteur :

Noyau et électron interne

Deux atomes mettant en commun 2 électrons périphériques (1 chacun) pour former

(Br. +Si) P N (Ph. +Si)

II- Caractéristiques d’une diode :

Diode polarisée en direct Diode polarisée en inverse

1er cas: 0 < U D < U S

* Définition de la tension de seuil d’une diode :

3- Caractéristique courant tension de la diode :

* Résistance dynamique de la diode :

D’après la loi des mailles :

● E/RP Droite de charge

U D = U AK = U S + rd I est l'équation de la caractéristique de la diode.

5- Influence de la température sur les diodes :

• Puissance par effet joule : Pef

b- Schéma équivalent d’une diode idéale :

UD Dans ce cas on a : UD=0 et I>0

c- Caractéristique courant tension :

Zone de claquage Zone0 UD(V)

4- les coordonnées du point de repos.

Le montage devient alors :

2- Les tensions UMA et UAB :

3- En inversant les polarités de E

On voit que : I = ID1 et I4= ID2

- Pour calculer I, cherchons la résistance équivalente du montage.

Le montage devient alors :

- Calculons I3 en appliquant la loi des mailles :

vp : Tension au primaire du transformateur

- Pendant l’alternance négative (de ̟ à 2̟), vS < 0 et le courant a tendance à

L’allure de vC en fonction de θ est :

T ’ : Période de la tension redressée

2°) Etude des tensions :

Alors vC = R ⋅ i = 0 d’où vD = vS = V Sin (θ).

vD est maximale si Sin (θ)=1.

c°) La valeur efficace de la tension aux bornes de la charge : VCe

d°) La tension d’ondulation : Voe

e°) Le taux d’ondulation : τ

c°) Le courant efficace dans la charge : I Ce

d°) Le courant efficace dans la diode : I De

4°) Rendement – Facteur d’utilisation :

b°) Le facteur d’utilisation : F.UT

Les allures des tensions v S1 et v S2 en fonction du temps t ou de l’angle θ sont les

vS (V) vS1 vS2

est passante et D2 bloquée : ( vD1 = 0 , iD1 > 0 et vD 2 < 0 , iD2 = 0 )

b°) Etude des tensions :

-Tension moyenne aux bornes de la charge :

- Courant moyen dans la diode :

- Courant efficace dans la diode :

D1 , D2 , D3 et D4 sont des diodes supposées parfaites.

vS: Tension au secondaire du transformateur ; i : Courant dans la charge C

vC: Tension aux bornes de la charge ; i : Courant au secondaire du transfo

vS est une tension sinusoïdale de la forme v = V Sin(ωt ) = V Sin(θ ) .

L’allure de vS en fonction de l’angle θ ou du temps t est :

- Fonctionnement du montage ou Analyse de la tension vC :

b°) Etude des tensions :

- La tension inverse de crête : T . I .C

De 0 à π : D 2 et D4 sont bloquées donc on aura :

c°) Etude des courants :

PC = VC ⋅ I C = 15 × 0,010 ⇒ PC = 0,15W = 150mW