Electronique de Puissance I UK19 3

FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES (FAST)
Références des cours : PHYS305&PHYS309
ELECTRONIQUE
DE PUISSANCE I
LPAEI : Licence de Physique Appliquée- Electronique et Informatique
LPAEH : Licence de Physique Appliquée- Energie et Habitat
Dr Akpé Komi AGBOSSOU

Maître Assistant
au département Génie Electrique
ENSI / UL.
email : komagbos@tg.refer.org
ENSI / UL BP 1515 Lomé TOGO. Tél (228) 22 25 66 42, Fax (228) 22 25 97 36
1
Dr Akpé Komi AGBOSSOU, ENSI / Ul, 2018
Préambule
Ce polycopié traite des sujets suivants :
• les Composants de Puissance,

• les Redresseurs,
Après un aperçu des composants de puissance (diodes, transistors, thyristors,…) la

conversion alternatif-continu (AC-DC) est abordée dans la première partie dénommée
Electronique de puissance I
Je n’ai pas la prétention d’avoir écrit un livre. En effet, dans ce document qui est à
considérer comme un support du cours que je dispense, certains concepts scientifiques
sont entièrement développés alors que d’autres, à dessein, le sont moins. Ces derniers
doivent nécessairement être complétés par les explications et démonstrations d’un
enseignant. Ceci devra être une motivation de plus pour mes étudiants d’être présents à
mes cours.
Le lecteur trouvera en annexe, quelques sujets d'examens pour s'entraîner à la résolution
des problèmes.
Croyez-moi, je ne suis pas
acrobate par plaisir.
Le lecteur peut trouver singulier

l’intrusion de l’anglais dans ce cours.
J’estime qu’un bon scientifique, même
s’il est incapable de chanter des
poèmes à une belle anglaise dans la
langue de Shakespeare, doit pouvoir
lire, comprendre et parler l’anglais
technique de sa spécialité: Dear
students! It’s a useful language for
scientists.
2
Tables des matières
Sommaire
Préambule ....................................................................................................................................2
Chapitre 1 : Les Composants Semi-conducteurs de Puissance ...................................................12
1.1 - La Diode ...................................................................................................................................................... 13
1.1.1 - Sens passant .......................................................................................................................................... 14
1.1.2 - Sens inverse ou bloqué ......................................................................................................................... 14
1.1.3 - Courbes caractéristiques. ...................................................................................................................... 14
1.1.4 - Caractéristiques des diodes ................................................................................................................... 14
1.1.5 - Régime transitoire ................................................................................................................................. 15
1.2 - Le Diac ........................................................................................................................................................ 17
1.3 - Le Thyristor ................................................................................................................................................. 18
1.4 - L'ASCR (Asymetrical Silicon-Controlled Rectifier) ................................................................................... 21
1.5 - Le RCT (Reverse - Conducting Thyristor) .................................................................................................. 21
1.6 - Le GTO (Gate Turn Off thyristor) ............................................................................................................... 21
1.6.1 - Grandeurs caractéristiques .................................................................................................................... 22
1.7 - Le Triac (Triode Alternative Current) ......................................................................................................... 23
1.8 - Le Transistor Bipolaire (BJT Bipolar Junction Transistor) ......................................................................... 24
1.9 - Le Transistor MOS (Metal Oxide Semi-conductor) .................................................................................... 25
1.9.1 - La structure Planar ................................................................................................................................ 25
1.10 - L'IGBT ....................................................................................................................................................... 26
1.10.1 - Structure de l'IGBT ............................................................................................................................. 26
1.10.2 - Technologie de boîtier d’un module IGBT ......................................................................................... 28
1.11 - Le MCT (MOS Controlled thyristor) ......................................................................................................... 29
Quelques domaines d’applications des composants de puissance ........................................................................ 30
1.12 – Comparaison et quelques chiffres sur les limites actuelles en tension, courant. ....................................... 30
1.13 - Considérations thermiques sur les composants de puissance ..................................................................... 31
1.13.1 - Introduction......................................................................................................................................... 31
1.13.2 - Dissipation par conduction ................................................................................................................. 31
Impédance thermique ....................................................................................................................................... 32
1.13.3 - Dissipation par convection ...................................................................................................................... 32
1.13.4 - Dissipation par rayonnement .................................................................................................................. 32
1.13.5 - Les radiateurs .......................................................................................................................................... 33
Chapitre 2 : Les Redresseurs .......................................................................................................41
Les Redresseurs ...........................................................................................................................42
Introduction .......................................................................................................................................................... 42
2.1 Commutation des redresseurs......................................................................................................................... 42
2.2 Principe de l'étude d'un montage .................................................................................................................... 43
2.3 Redressement non-commandé (montages toutes diodes) ............................................................................... 44
2.3.1 Montages parallèles Pq ............................................................................................................................ 50
2.3.2 Montages parallèles double PDq.............................................................................................................. 51
2.3.3 Montages série Sq ................................................................................................................................... 52
2.3.4 Grandeurs caractéristiques ...................................................................................................................... 52
2.3.4.1 Etude de la tension redressée ............................................................................................................... 53
2.3.4.2 Facteur de forme .................................................................................................................................. 53
2.3.4.3 Facteur d’ondulation ............................................................................................................................ 53
2.3.4.4 Etude des courants................................................................................................................................ 53
2.3.4.5 Facteur de puissance secondaire .......................................................................................................... 54
2.3.5 Chutes de tension en charge (fonctionnement normal) ........................................................................... 54
2.3.5.1 Chute de tension due à l’empiètement ................................................................................................. 54
2.3.5.2 Chute de tension ohmique .................................................................................................................... 55
2.3.5.3 Chute de tension due aux diodes .......................................................................................................... 55
2.4 Redressement commandé tout thyristor ......................................................................................................... 55
2.4.1 Montages parallèles tout thyristor Pq ...................................................................................................... 55
2.4.2 Montages parallèles tout thyristor PDq .................................................................................................... 57
2.4.3 Montages série tout thyristor Sq .............................................................................................................. 58
3
Tables des matières
2.4.4 Grandeurs caractéristiques ...................................................................................................................... 58

2.4.4.1 Etude de la tension redressée ............................................................................................................... 59
............................................................................................................................................................................. 59
2.5 Les montages mixtes ...................................................................................................................................... 60
2.5.1 Montages mixtes PDq ............................................................................................................................. 60
2.5.2 Montages mixtes Sq ................................................................................................................................. 61
Problèmes d'examens ..................................................................................................................63
Bibliographie ...............................................................................................................................73
4
Introduction Générale
‘’L’enseignant est celui qui ouvre la porte de la

connaissance ; c’est à l’étudiant de se lever, de la passer pour
y accéder’’.
Proverbe chinois.
5
Introduction à l’électronique
L'électronique est une branche de la physique appliquée, traitant entre autres de la mise en forme et de la gestion de
signaux électriques, permettant par exemple de transmettre ou recevoir des informations. L'adjectif «électronique»
désigne également ce qui est en rapport avec l'électron. On associe souvent l'électronique à l'utilisation de faibles
tensions et courants électriques. Or, il existe aussi une branche de l'électronique, dénommé "électronique de
puissance". Les faibles grandeurs électriques généralement utilisées dans les applications électroniques, s'expliquent
en partie par le fait que si une information peut être transmise avec peu d'énergie, il y a peu d’intérêt à la transmettre
avec beaucoup (lorsque 2 personnes veulent échanger une information, elles peuvent le faire en criant, mais elles
préfèrent en général le faire en parlant normalement).
L’électronique est aussi une science technique, ou science de l’ingénieur, constituant l'une des branches les plus
importantes de la physique appliquée, qui étudie et conçoit les structures effectuant des traitements de signaux
électriques, c'est-à-dire de courants ou de tensions électriques, porteurs d’information ou d’énergie.
Dans cette définition la notion de l’information est considérée dans le sens le plus large : elle désigne toute grandeur
physique, (telle la température, le son ou la vitesse), ou abstraite, (telle une image, un code, …) qui peut évoluer en
temps réel selon une loi inconnue à l’avance, ou plus souvent prévu à cet effet (calcul des équations booléenne).
Comme tous les automatismes, les systèmes électroniques sont souvent conçus en deux parties :
• une, opérative qui gère les signaux de puissance porteurs d'énergie (courants forts) ;
• une autre, informationnelle qui gère les signaux porteurs d’information (courants faibles).
Les applications de commande ont pour objet le contrôle du fonctionnement d’un système naturel ou technique.
Un contrôle implique généralement une mesure d'un ou plusieurs paramètres contrôlés, sa comparaison avec le
modèle ou la valeur souhaitée et, en cas d’erreur, la génération d’une consigne de correction (principe de contre
réaction à la base de nombreux systèmes électroniques). Ainsi, un contrôle peut être vu comme une succession
d’opérations de traitement du signal : ceci renvoie à la définition générale donnée plus haut.
Introduction à l’Electronique de Puissance
L'Electronique de Puissance (Power Electronics) est une spécialité des sciences de l’ingénieur qui a pour objet la
conversion et le contrôle des échanges d'énergie électrique à l'aide de composants semi-conducteurs de puissance
(diode, transistor, triac thyristor etc..). Ses principes de bases sont connus depuis le début du 20ème siècle mais c'est
l'évolution récente des composants de puissance, ces dernières années, qui en a fait une discipline scientifique
confirmée avec de nombreuses applications industrielles.
Les limites en tension, courant, température et fréquence de fonctionnement évoluent constamment. Conséquence,
de nouveaux domaines d'application voient le jour avec des solutions techniques plus ou moins simples et fiables.
6
L’Electronique de Puissance a un caractère interdisciplinaire comme le montre la figure ci-dessous.
Circuit
theory
Systems &
Solid-state
control
physics
theory
Simulation
Signal
and
processing
computing Power
Electronics
Electric
Electronics
machines
Power Electro-
systems magnetics
Nature interdisciplinaire de l’Electronique de Puissance
Nous présentons ci-dessous quelques dates repères et les différents domaines d'application.
Historique
C'est dans le domaine du redressement de forte puissance que se développent les premiers convertisseurs statiques
destinés à remplacer les convertisseurs électromécaniques.
Dans les années 1950, pour la traction électrique, on s'oriente vers la solution - transport en alternatif +
motorisation en continu. Les convertisseurs statiques nécessaires sont réalisés à l'aide de redresseurs à vapeur de
mercure (ignitrons) ayant la même fonctionnalité que les thyristors. Les premières diodes de puissance au silicium
apparaissent en 1956 et les thyristors en 1961.
Dans les années 70, thyristors et diodes sont utilisés dans des dispositifs autocommutés comme les hacheurs et les
onduleurs, les années qui suivent voient le développement de transistors bipolaires de puissance qui favorise le
développement d'une électronique de conversion de faible et moyenne puissance.
Au début des années 80, les dispositifs à transistors poussent les dispositifs à thyristors vers des puissances accrues
: vers 90, les GTO ne sont plus utilisés qu'en très forte puissance (> 1 MW) ou pour des tensions supérieures à
2kV. L'IGBT apparaît en 1985, d'abord dans le domaine des moyennes puissances (quelques dizaines de kW), il
supplante les transistors Darlington. Il devient dans les 10 ans qui suivent un composant utilisable en forte
puissance.
L'avènement du thyristor IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor) vers 1997 dans le domaine des tensions
supérieures à 6 kV risque d'entraîner à moyen terme la disparition du thyristor GTO. Dans le domaine des faibles
puissances, du fait de sa rapidité et de la simplicité de sa commande, le transistor MOSFET de puissance supplante
le transistor bipolaire. Grâce aux techniques d'intégration planar et l'essor du marché du portable (téléphone,
ordinateur, lecteur CD etc.) nécessitant une électronique de conversion efficace et miniaturisée, il supplante même
les diodes dans des applications comme le redressement (redresseur synchrone).
Les composants à base de carbure de silicium (SiC) apparaissent en 2002. Ceux à base de diamant sont encore à
l'étude en 2004. Leurs fortes énergies d'ionisation permettent un blocage de tension plus élevée et/ou des
fonctionnements à haute température.
7
Historique (quelques repères)

I - L’Electronique de Puissance avant l’apparition des composants semi-conducteurs.
Date Evolution
1897 Développement du pont de Graëtz
1901 Brevet Cooper et Witt sur le redressement à vapeur de mercure
1913 Découverte de la commande par la grille
1923 Développement par Langmuir du thyratron à cathode liquide
1926 Découverte par Hull du principe de thyratron à cathode chaude
1931 Introduction des cycloconvertisseurs sur les chemins de fer
1933 Découverte par Slepian du principe de l’ignitron
1936 Commercialisation d’un moteur à thyratron
1942 Convertisseur de fréquence 25 - 60 Hz, 20 MW
1948 Bradeen, Brattain et Shockley reçoivent le prix Nobel pour l’invention du transistor
II - Développement des composants semi-conducteurs de puissance

Date Evolution
1957 Annonce par Bell Telephone Laboratory du thyristor
1970 Transistor silicium 500 V - 20 A
1975 Transistor géant Toshiba 300 V - 400 A
1978 Transistor à effet de champ Mos d’International Rectifier 400 V - 25 A
1980 Développement des thyristors ouvrables par la gâchette (GTO) 2500 V - 1000 A
1985 Début significatif du transistor à grille bipolaire (IGBT)
1990 Lancement commercial des modules de puissance intelligents et hybrides
Les convertisseurs statiques sont les dispositifs à composants électroniques capables de modifier la tension et/ou la fréquence de
l'onde électrique.
On distingue deux types de sources de tension :
• les sources de tension continues caractérisées par la valeur V de la tension.

• les sources de tension alternatives définies par les valeurs de la tension efficace V et de la fréquence f.
On distingue cinq types de convertisseurs dont les schémas de principe sont donnés ci-dessous :
Redresseur
Source de Source de
tension tension
continue V1 alternative
Convertisseur U1 , f 1
Indirect de fréquence
f1 = f2 : gradateur
Hacheur
f1 ≠ f2 : Cycloconvertisseur
Convertisseur
Indirect de tensions Source de
Source de
tension tension
continue V2 alternative
U2 , f 2
8
Les différents types de conversion en Electronique de Puissance.
Les domaines d’application de l’électronique de puissance
Quelques applications des convertisseurs statiques :
• Redresseurs : alimentation des moteurs à courant continu, charge des batteries ;

• Hacheurs : commande des moteurs à courant continu (vitesse variable) ; fonctions d'interrupteur, d’onduleurs ou
d’alimentation à découpage ;
• Onduleurs : production de tensions alternatives, alimentation des appareils électriques autonomes, protection contre les
surtensions et coupures de réseau (informatique), commande des machines à courant alternatif ;
• Cycloconvertisseurs : production des vitesses variables en alternatif (levage, machine-outil).
Domaine industriel • Alimentation des avions, des équipements laser, radar,

sonar, satellite,
• Alimentation • Bouées de détresse
• émetteurs très basse fréquence
accélérateur de particules • relais contacteurs et disjoncteurs statiques
calculateur
chargeur de batterie Générateurs de puissance
chauffage par induction
dépôt électrolytique • Alimentation de sécurité
dépoussièreur électrostatique • compensateur de réactif
électrochimie • commande des barres de réacteur
électrolyse de l’aluminium
• CCHT (courant continu haute tension)
laboratoire
• Convertisseur d’énergie éolienne
mine
• Convertisseur d’énergie photovoltaïque
soudure
• Excitation de génératrice
• Ballast à l’arc
• Démarreur de machine synchrone
• Commande de moteur
compresseur et pompe • démarreur de turbine à gaz
convoyeur
forage pétrolier
four de cimenterie
grue
industrie papetière
laminoir
machine - outils
mine
presse à imprimer
textile
Transport
• allumage électronique
• moteur linéaire
• commande de moteur
ascenseur
chariot élevateur
signalisation
locomotive
régulation de tension
tapis roulant
véhicule électrique
Espace et défense
9
Grand public ouverture de porte

projecteur cinéma
• Amplificateur train électrique
• Amplificateur radio
• générateurs ultrasons • éclairage HF
• balayage de tube TV • système de sécurité
• clignotant, gyrophare • thermique
• commande de moteur chauffe - plats
climatiseur couverture chauffante
machine à coudre cuisinière
malaxeur four
mixeur séchoir électrique
outillage
Règles d’interconnexion des sources
Règle N°1 CVS
Une source de tension ne doit jamais être court-

Fermeture circuitée mais elle peut être ouverte. Sinon le
courant serait destructeur.
Règle N°2
CVS
Ouverture
Le circuit d’une source de courant ne doit jamais

être ouvert mais il peut être court-circuité. Sinon
l’ouverture provoque une surtension.
Règle N°3
Il ne faut jamais connecter entre elles deux sources de même nature.
CVS CVS
V1 V2 I1 I2
Fermeture Ouverture
10
Chapitre 1 : Les Composants Semi-conducteurs
Règle N°4
CVS
V I
On ne peut connecter entre elles qu’une source de

tension et une source de courant. Les deux
interrupteurs doivent être rigoureusement
complémentaires
11
Chapitre 1 : Les Composants Semi-conducteurs de Puissance
12
Les composants utilisés en Electronique de Puissance appartiennent à trois grandes familles :
1. Diodes. États fermé ou ouvert contrôlés par le circuit de puissance.

2. Thyristors. Fermé par un signal de commande, mais doit être ouvert par le circuit de puissance.
3. Interrupteurs commandables à l'ouverture et à la fermeture. Ouverts et fermés par un signal de
commande.
La catégorie des interrupteurs commandables (ON ↔ OFF) inclut de nombreux types de composants :
• Transistors Bipolaires à Jonctions (Bipolar Junction Transistors - BJTs) ;

• Transistors à effet de champ Metal-Oxyde-Semi-conducteur (MOSFETs) ;
• Thyristors commandés à l'ouverture (Gate-Turn-Off Thyristors - GTO Thyristors) ;
• Transistors bipolaires à grille isolée (Insulated Gate Bipolar Transistors - IGBTs) ;
• Thyristors MOS Commandés (MOS-Controlled Thyristors - MCTs).
Pour caractériser ces composants on leur associe des caractéristiques statiques et dynamiques.
1.1 - La Diode
Elle est réalisée par une jonction PN dont le symbole est à la figure 1. C'est l'élément unidirectionnel le plus simple
caractérisé par un état passant et un état bloqué. Selon l'utilisation, on distingue : les diodes de redressement, les
diodes de roue libre et les diodes des circuits d'aide à la commutation (CALC). Elle est utilisée dans toutes les
gammes de puissance et est encore susceptible d'évolution.
Structure interne d’une diode de puissance
13
1.1.1 - Sens passant
Lorsque la diode est polarisée en directe elle est parfaitement conductrice et présente une faible chute de tension
VF. Elle est comparable à un interrupteur fermé.
I I
amorçage et blocage
spontanés
Vbr V V
VF
V
A K A K
P N
I
Figure 1 Représentation de la diode, caractéristiques statique et idéalisée.
Dans la portion linéaire loin du coude de la caractéristique la tension aux bornes de la diode V = V F + rFI. avec :
• VF la tension de seuil pouvant variée de 0,6 à 1,4 V
• rF la résistance dynamique de la diode pouvant variée de 0,1 à 100 m
La puissance dissipée dans la diode en pure pertes pendant la conduction est donnée par
1 𝑇
Pcond = ∫0 𝑉𝐼 𝑑𝑡 = VFIav+ rF I²rms
𝑇
1.1.2 - Sens inverse ou bloqué
Lorsque la diode est bloquée (polarisée en inverse) elle est parfaitement isolante, un faible courant résiduel la
traverse (quelques µA à quelques mA), elle est dans ces conditions analogue à un interrupteur ouvert.
La puissance dissipée dans le composant pendant le blocage est pratiquement nulle.
1.1.3 - Courbes caractéristiques.
Les caractéristiques inverse et directe sont données sur le même graphique (Figure 1) (les échelles sont très
différentes selon que l’on est sur la caractéristique directe ou inverse).
1.1.4 - Caractéristiques des diodes
Deux caractéristiques essentielles :
- le courant moyen direct à l'état passant,

- la tension inverse.
14
Les fabricants de composants de puissance donnent souvent les paramètres suivants :
• Courants IF Forward current (courant direct continu)

IFAV Maximum average forward current,(courant direct moyen maximal I FAV est voisin de IF).
IFRM Maximum Peak repetitive forward current (Courant direct de pointe de surcharge
accidentelle)
IR Continous reverse current (Courant inverse continu)
• Tensions
VF Continous forward voltage (Tension directe continue)

VRRM Repetitive peak reverse voltage, (tension inverse de pointe répétitive).
1.1.5 - Régime transitoire
• Mise en conduction
A la mise en conduction de la diode il y a une croissance du courant qui s'accompagne d'une

surtension directe de valeur maximale VFP pendant un temps tfr appelé temps de recouvrement
direct. VFP et tfr sont deux paramètres qui caractérisent la rapidité de la mise en conduction. On
estime la perte d'énergie lors de la mise en conduction en idéalisant les courbes réelles de
commutation (figure 2).
ID IF ID IF
off on
t t
t0 VFP
VD VD
VFP
on
off
t VF t
tfr tfr
Figure 2 : Mise en conduction

• Blocage
Le blocage peut être produit par l'application d'une tension inverse telle que le montre la figure 3.
IT
IL
VR
ID VR
Figure 3
L
Après blocage de la diode
Avant le blocage de la diode
Le courant ID et la tension VD ont l'allure indiquée de la figure 4. L représente l'inductance du circuit de

commutation.
15
IF ID ID
trr = t3 - t1
on off
t2 t3 t2 t3
t0 t1 t0 t1
IRR
vD VR
vD
VRR
Figure. 4
t0 : Instant de fermeture de K. On observe une décroissance du courant à partir de la valeur I F. On peut écrire
dI
pendant la commutation VD = - L D . Pour démontrer cette dernière relation on suppose que pendant la
dt
commutation IT = ID +IL est constant. La vitesse de commutation dépend ici de l'inductance L (de câblage)
extérieure à la diode.
t1 : le courant s'inverse de sens et donne lieu à une pointe de courant I RR dite courant de recouvrement inverse. Le
courant s'annule pratiquement en t3. Pendant l'intervalle t1, t2, la tension VF reste positive puis à partir de t2 donne
lieu à une surtension inverse dont la pointe coïncide avec le point de remontée du courant.
t2 : dI R = 0, à partir de cet instant la diode doit supporter la tension VR, puis la surtension VRR et enfin la tension
dt
VR, lorsque le courant revient à zéro à l'instant t3. Entre t2 et t3 ce n'est plus le circuit extérieur à la diode qui impose
la vitesse de commutation ou de remontée du courant I R mais la diode elle-même.
Interprétation du phénomène de recouvrement.

Pendant la conduction la diode avait emmagasiné une quantité de charge Q0 = .IF dite charge stockée.  représente
la durée de vie des porteurs minoritaires. Pour que la diode soit bloquée il faut que toute cette charge soit éliminée
de la jonction. Pendant le blocage une partie de cette charge disparaît spontanément par recombinaison à l'intérieur
du semi-conducteur et l'autre partie QR dite charge recouvrée est évacuée par le courant inverse.
QR = Q1 + Q2 avec Q1 la charge recouvrée entre t1 et t2 et Q2 la charge recouvrée entre t2 et t3. Si la vitesse de
variation du courant pendant le recouvrement inverse est très grande, la recombinaison interne est négligeable et
la charge recouvrée est très voisine de la charge stockée. La pente de la remontée du courant à partir de t 2 est
déterminante pour la valeur limite de la surtension. Les diodes à remontée de courant très rapide doivent supporter
de fortes surtensions.
La réalisation d'une diode découle souvent d’un compromis. Il ne sera pas possible de réaliser une diode ayant une
grande rapidité, une bonne tenue en tension inverse et une faible chute de tension. Les différentes technologies de
fabrications permettent de faire des compromis acceptables selon les applications (redressement, diode de roue
libre, snubber encore appelé CALC).
Applications
Selon les besoins nécessités par les applications, divers types de diodes de puissance particulières sont utilisées :
16
• Diodes de commutation (comme la diode DRL

comme dans le circuit ci-contre) : elles sont souvent utilisées
VCC VCC dans les circuits de puissance des montages redresseurs. Leur
temps de recouvrement inverse trr est de l’ordre de 1 µs.
• Diodes Schottky. Ces diodes sont utilisées
lorsqu'une faible chute de tension en direct (typiquement
Charge 0,3V) est nécessaire dans les circuits à très faible tension de
Charge
inductive DRL sortie. Ces diodes sont limitées au niveau de leur tension de
inductive
blocage en inverse à 50-100 V
• Diodes à commutation rapide. Ces diodes sont
I≠0 utilisées dans les circuits haute fréquence en combinaison
avec des interrupteurs commandables lorsqu'un faible temps
de commutation est nécessaire. A des niveaux de puissance
T T
correspondant à plusieurs centaines de volts et plusieurs
centaines d'ampères, de telles diodes possèdent un temps trr
de l’ordre de quelques nanosecondes. Ces performances sont
atteintes grace à l’utilisation de l’or comme dopant afin de
Rupture du courant dans un circuit inductif par
diminuer la durée des temps de recombinaison des porteurs
un interrupteur statique : risques de claquage du
de charges au niveau de la jonction.
composant sans mesures de protections (DRL)).
L’ouverture d’un circuit inductif pose le problème du courant de rupture qui dégrade les contacts à cause de la
création d’un arc entre ceux-ci. La diode montée en parallèle sur la bobine permet la dissipation de l’énergie
emmagasinée dans celle-ci et protège ainsi les contacts (diode de roue libre).
On distingue deux types de diodes selon l’allure de remontée du courant de recouvrement :

- les diodes à remontée brutale (Snap off),
- les diodes à remontée progressive (Soft record)
iF iF
diF/dt
diF/dt
t t
dirr/dt dirr/dt
Snap off Soft record
1.2 - Le Diac
Il est constitué de deux diodes montées tête bêche. Sa caractéristique statique présente une pente négative au-delà
d'un seuil de tension VBR et cela quel que soit le sens de polarisation. Le DIAC est pratiquement bloqué tant que
la tension n'atteint pas le seuil VBR. Dès la mise en conduction le DIAC se comporte comme une diode dans un
sens comme dans un autre. I
I
VBR V
VBR
Symbole
Figure 5
17
1.3 - Le Thyristor
Module de 2 thyristors montés en bras de pont

Thyristor de puissance
C'est le composant de puissance le plus souvent utilisé. Son domaine d'application est très vaste et couvre tous les
domaines de la forte puissance (Commande de moteurs à courant continu ou alternatif, procédés électrochimiques,
compensation statique,…). Il se présente dans les mêmes boîtiers que la diode mais possède une électrode
supplémentaire, la gâchette (gate en anglais). Sa structure dérive de celle de la diode. C'est un semi-conducteur à
trois jonctions PNPN (figure 6).
La caractéristique statique est représentée sur la figure 6. Pour un courant de gâchette nul lorsqu'on polarise en
inverse le thyristor on observe un faible courant de fuite I R dans le sens cathode anode. Ce comportement est
analogue à celui d'une diode en inverse. Cependant lors du blocage il faut attendre un certain temps avant
d'appliquer de nouveau une tension positive afin de permettre à la jonction de gâchette de retrouver son état initial.
Si ce temps de blocage tq ou toff (figure 7) n'est pas respecté le thyristor peut redevenir passant sans impulsion de
gâchette.
Si on le polarise dans le sens direct (anode positive par rapport à la cathode) on observe un courant direct de même
ordre de grandeur que IR tant que la tension n'atteint pas une valeur VDRM dite tension de retournement. Au-delà
de cette tension le courant croît rapidement avec une faible chute de tension anode cathode. Ce mode d'amorçage
est mal contrôlé et induit dans le thyristor des pertes importantes pouvant entraîner sa destruction.
Lorsque par application d'une tension gâchette-cathode positive on crée un courant de gâchette positif, on observe
un accroissement important du courant de fuites IR si le thyristor est polarisé en inverse. Ceci entraîne un
échauffement excessif du thyristor. Il faut donc éviter de maintenir un courant de gâchette lors du blocage d'un
thyristor.
En polarisation directe, dès qu'une impulsion positive de gâchette suffisante apparaît, le thyristor s'amorce par effet
d'avalanche. Si le courant direct est supérieur à une valeur I L dite "courant d'accrochage" (latching current) on peut
supprimer le courant de gâchette, le thyristor reste conducteur et le courant n'est limité que par le circuit extérieur.
Il peut rester en conduction tant que le courant direct ne descend pas en dessous d'une valeur I H dite "courant de
maintien" (Holding Current)
18
Etat
I ‘’on’’
I
iG ≠0
blocage amorçage
spontané commandé
Vbr V
V
VDRM
Etat ‘’off’’ Etat ‘’off’’
indirect direct
V
G K
A
A K G
P N P N I
Figure 6 : Représentation du thyristor, caractéristiques statique et idéalisée.
19
En résumé :
Un thyristor possède deux états stables :
• Etat bloqué : Un thyristor est bloqué dans deux situations :

- lorsqu’il est polarisé sous tension négative VAK < 0; il peut alors supporter une
tension inverse VRRM ou VRROM en régime répétitif ou VRSM en régime non répétitif.
- lorsqu’il est polarisé en direct VAK > 0 mais l’intensité du courant de gâchette iG
est maintenue nulle.
• Etat passant : On l’obtient si le thyristor, initialement polarisé en direct, reçoit

une impulsion de courant suffisante dans la jonction G − K.
Blocage d’un thyristor.

On rappelle que pour bloquer un thyristor conducteur, il est nécessaire d’éteindre son courant direct pendant une
durée supérieure à son temps de recouvrement. Les procédés de blocage sont classés en trois grandes familles :
• Blocage en tension : un thyristor auxiliaire Tha, commandé à la fermeture à la date t0 applique une tension
inverse aux bornes du thyristor à bloquer,
• Blocage en courant sous faible tension,
• Blocage mixte et réciproque où le thyristor à bloquer est successivement privé de courant puis placé sous
tension inverse.
1.3.1 - Grandeurs caractéristiques
• Courants
ITR(MS) RMS on-state current (valeur efficace du courant)

ITAV Average forward current (valeur moyenne du courant)
IGT Gate trigger current (courant d'amorçage par la gâchette)
• Tensions
VDRM repetitive peak off-state voltage (tension de pointe répétitive à l'état bloqué)
VTM Peak on-state voltage (tension de crête à l'état passant)
VGT tension de gâchette à l'amorçage
di
Rate of rise of on-state current (vitesse de croissance du courant à l'état passant).
dt
dv
Rate of rise of off-state voltage (vitesse de croissance de la tension à l'état bloqué).
dt
tq Temps de désamorçage.
20
• Régime transitoire
IT
trr
tgr
toff
t
VT
t
Figure 7 : Variations de courant et de la tension pendant le blocage.
Cette commutation au blocage met en évidence trois temps de commutation :
trr : reverse recovery time. Temps nécessaire pour que le courant inverse atteigne son régime permanent.
tgr gate recovery time. Temps nécessaire pour que l'on puisse appliquer de nouveau au thyristor une tension V AK
positive sans risquer sa remise en conduction (non désirée) en l'absence de courant de gâchette.
toff = tq temps de désamorçage. Temps minimum permettant d'assurer le blocage. Il est fonction du courant coupé
dv
I, de la température T, de la vitesse et de la tension VR appliquée après le blocage.
dt
1.4 - L'ASCR (Asymetrical Silicon-Controlled Rectifier)
Il dérive du thyristor avec une couche N supplémentaire qui permet soit d'augmenter la tenue en tension directe du
composant, soit de diminuer les temps de commutation. Par contre celui-ci ne supporte plus les tensions inverses
et devient unidirectionnel en tension.
1.5 - Le RCT (Reverse - Conducting Thyristor)
Ce composant est constitué sur la même puce d'un thyristor et d'une diode en antiparallèle. Il permet ainsi d'avoir
un composant bidirectionnel en courant dans certaines applications comme les hacheurs ou les onduleurs.
1.6 - Le GTO (Gate Turn Off thyristor)
C'est un composant hybride dont on peut dire qu'il se commande comme un thyristor et se bloque comme un
transistor. En effet la jonction gâchette cathode très inter digitée permet une extinction par une polarisation
négative de la gâchette. On peut ainsi s'affranchir des circuits auxiliaires de blocage qui sont coûteux et
encombrants. Il conserve l'avantage du thyristor de tenir des tensions inverses élevées.
Le GTO est souvent associé à un circuit d'aide à la commutation (CALC ou snubber) comparable à celui d'un
transistor (figure 8). Comme l'ASCR le GTO ne supporte pas de tension inverse à ses bornes (sauf pour les GTO
symétriques par ailleurs assez rare). Il est classé comme un composant lent dont la fréquence dépasse difficilement
le kHz (quelques centaines de Hz à 10kHz). Par contre, de par sa capacité à supporter des tensions importantes
(supérieures à 4,5kV) et de forts courants (supérieurs à plusieurs kA), le GTO est utilisé dans les applications de
très forte puissance. Il peut contrôler des puissances allant de quelques centaines de kW à plusieurs MW en traction
ferroviaire par exemple.
21
La chute de tension à l'état ON (2 à 3V) aux bornes d'un GTO est supérieure à celle un thyristor classique. Les
temps de commutation pour un GTO sont de l'ordre de quelques microsecondes.
La figure 8 montre une commutation au blocage caractéristique d'un GTO muni d’un circuit d’aide à la
commutation (CALC). La surtension observée (spike voltage) est due aux inductances parasites de câblage. Il faut
un câblage très soigné pour réduire de façon significative ces surtensions. On notera que le courant au blocage
présente un traînage d'une durée tt inexistant pour un thyristor. Cette queue de courant introduit des pertes
supplémentaires affectant le rendement.
L
V(t)
I
D R Spike
I(t)
Voltage
GTO
V
Queue de courant
t
Figure 8 : Variation du courant et de la tension pendant le blocage avec CALC
1.6.1 - Grandeurs caractéristiques
ITCM Repetitive peak controllable on-state current (Courant de crête répétitif contrôlable à l'état passant).
VRRM Repetitive peak inverse voltage (tension inverse de pointe répétitive).
tgq Gate controlled turn-off time (temps d'extinction contrôlé par la gâchette).
tt Tail time (durée du courant de queue ou traînage)
Practice your English: Thyristor gate triggering
Versatile integrated circuits, such as the TCA780, are available to provide delayed gate trigger signals to the
thyristors. A simplified block diagram of a gate trigger control circuit is shown below. Here, a sawtooth waveform
(synchronized to the ac input) is compared with the control signal vcontrol, and the delay angle 𝛼 with respect to the
positive zero crossing of the ac line voltage is obtained in terms of v control and the peak of the sawtooth waveform
𝑉̂𝑠𝑡 :
𝑣𝑐𝑜𝑛𝑡𝑟𝑜𝑙
𝛼=𝜋
𝑉̂𝑠𝑡
22
Another gate trigger signal can easily be obtained, delayed with respect to the negative zero crossing of the ac
line voltage.
1.7 - Le Triac (Triode Alternative Current)
En alternatif un thyristor ne permet le réglage du courant qu'une alternance sur deux. Pour arriver à régler le courant
pendant les alternances il faut utiliser deux thyristors en antiparallèles (tête bêche), d'où deux circuits de commande
compliqués par les potentiels différents des deux cathodes. Le triac permet une solution plus simple car il est
constitué de deux thyristors montés tête bêche sur la même puce mais avec une seule électrode de commande.
Cette électrode de commande étant commune, pour assurer la mise en conduction dans un sens comme dans l’autre,
l’impulsion de commande peut être injectée (le courant de commande entre dans le triac) ou extraite (le courant
de commande sort du triac).
I
Anode1
V
VBR
Anode2
Figure 9 : Caractéristique courant – tension du triac
23
1.8 - Le Transistor Bipolaire (BJT Bipolar Junction Transistor)
En électronique de puissance on n'utilise que la structure NPN du transistor bipolaire (BJT Bipolar Junction
transistor).
Le BJT est un composant amplificateur dont la caractéristique statique est représentée sur la figure 10. Lors de son
utilisation comme interrupteur de puissance, le point de fonctionnement de la caractéristique statique est maintenu
proche des axes. A l'état passant le composant est saturé afin que la chute de tension à ses bornes soit faible. A
l'état bloqué le courant de base est nul (on polarise même la base en inverse afin de pouvoir appliquer une tension
directe plus importante).
Comme le montre la caractéristique statique i-v, le transistor est à l'état ‘’ON’’ (état saturé) lorsque le courant de
base est suffisamment fort :
I Csat
IB 
h FE
où hFE représente le gain statique du transistor.
La tension à l'état ‘’ON’’ VCE sat (tension de saturation) des BJTs est généralement de l'ordre de 1à 2 V. La
caractéristique statique I-V idéalisée pour un BJT fonctionnant en interrupteur est décrite sur la figure 10.
Les BJTs sont des composants commandés en courant et le courant dans la base doit être maintenu tant que le
transistor doit rester à l'état ON. Le gain en courant hFE est généralement seulement de l'ordre de 5 à 10 pour les
transistors de puissance, ces composants sont souvent connectés en configuration Darlington ou même triple
Darlington comme le montre la figure 11, afin d'obtenir un gain en courant plus important. Les inconvénients liés
à cette configuration sont l'augmentation de la tension VCE sat et des temps de commutation supérieurs.
Que ce soit en version simple ou en configuration de Darlington sur une unique puce (Darlington Monolithiques
(MDs)), les BJTs possèdent un temps de stockage relativement important durant la commutation ON-OFF. Les
temps de commutation typiques vont de quelques centaines de nanosecondes à quelques microsecondes.
Les BJTs sont disponibles pour des tensions bloquées supérieures à 1400 V et des courants commutés de quelques
centaines d'ampères.
Caractéristiques
Tensions
VCEO Tension continue collecteur - émetteur avec IB = 0 et IC spécifié.

VCEV Tension continue collecteur émetteur avec une tension de blocage VBE et un courant IC spécifié.
VCEW Tension collecteur émetteur maximale en phase de blocage avec un courant I CW off spécifié.
Courants
IC le courant collecteur
IB le courant de base
IERMS le courant efficace émetteur
ICWoff Courant collecteur maximal en phase de blocage sous une tension VCEW
ICRMS courant efficace collecteur
24
Temps
tr temps de montée
td temps de retard Régime
td + tr temps total d'établissement quasi
IC(A)
tf temps de descente linéaire
tfi temps de descente sur charge inductive Régime linéaire
di c Zone de
Vitesse d'établissement du courant à la fermeture
dt claquage
Régime saturé
IB
C VCE(V)
IB =0
: N
C IC
B P
I B
V
N on
E
off
E
VCE
Figure 10 : Caractéristiques du BJT, symboles.
Pour les forts courants on utilise la structure en Darlington sur une unique puce (Monolitic Darlington MD)
Figure 11 : Structure d’un Darlington muni d’une diode de retour
1.9 - Le Transistor MOS (Metal Oxide Semi-conductor)
1.9.1 - La structure Planar
Un isolant diélectrique placé entre deux armatures conductrices

reliées à un générateur de tension V, prend sur sa surface des
charges de polarisation de signe opposé à celui des charges des
armatures (figure 12). Si on remplace l'armature négative par un
semi-conducteur de type P (substrat), l'isolant va se vider de ses
charges positives qui vont se recombiner avec les électrons émis
par la bande de conduction du substrat. Si on augmente la
différence de potentiel V, le nombre d'électrons émis étant très
important, il va subsister dans la région du substrat voisine de
l'isolant des électrons libres en surnombre qu'une différence de potentiel V' véhiculera latéralement entre deux
électrodes N+.
La différence de potentiel VGS = V permet de contrôler le nombre d'électrons émis et par conséquent de régler le
courant qui circule latéralement du drain vers la source.
25
D (drain) VDS= V'

+
Gate
G (grille) VGS= V Drain
++++++++++++ ++++++++++ Source
--------------- S (source) --------------
isolant N +
P
+
N
++++++++++++ MOSFET (canal N) e- e- e- e- e- e- e- e- e- e- e-
---------------
Figure 12
-
Hyperbole de dissipation
IDS (mA) maximale On a cherché à substituer à la structure planar la
structure dans laquelle le courant circulerait
verticalement. On est arrivé aux structures de type
VMOS, DMOS, VDMOS, UMOS ….
VGS = 12 V La caractéristique de sortie est représentée à la
figure 13.
+ 10 V
Ce transistor présente par rapport au transistor BJT
les avantages suivants :
VGS = + 2 V - une grande impédance d'entrée Gate Source

(Commande en tension)
VDS(V) - une grande vitesse de commutation (quelques ns).
l’inconvénient :
Figure 13 : Caractéristiques du MOS - une chute de tension plus élevée à l'état de
conduction.
Les MOSFETs nécessitent le maintien continu d'une tension Grille-Source appropriée pour demeurer dans l'état
‘’ON’’. Aucun courant de grille ne circule, excepté durant les commutations lorsque la capacité de grille est
chargée puis déchargée. Les temps de commutation sont très brefs, allant de quelques dizaines à quelques centaines
de nanosecondes.
La résistance à l'état ‘’ON’’, rDSon , d'un MOSFET entre le Drain et la Source augmente rapidement avec la tension
2,5− 2,7
bloquée, selon la formule : rDSon = kB VDSS où k est une constante dépendant de la géométrie du transistor ;
BVDSS est la tension bloquée.
Cette résistance entraîne une dissipation de puissance à l'état OFF. Pour cette raison, seuls des MOSFETs
possédant de faibles tensions bloquées sont utilisés. Néanmoins, grâce à leur temps de commutation rapide, les
pertes lors des commutations peuvent être faibles. De ce point de vue, des MOSFETs 300-400V sont concurrentiels
vis à vis des BJTs uniquement si la fréquence de commutation est typiquement supérieure à 30-100kHz (sauf dans
le cas de tensions faibles pour lesquelles les MOSFETs deviennent intéressants à des fréquences plus faibles).
En conclusion, les MOSFETs sont utilisés pour des tensions supérieures à 1000V pour les faibles courants,
ou à des courants supérieurs à 100A pour des faibles tensions.
1.10 - L'IGBT
1.10.1 - Structure de l'IGBT
Le transistor à grille isolée bipolaire IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) combine sur un même cristal les
structures des transistors MOS et bipolaire. C'est en fait une structure multicellulaire V DMOSFET (Vertical Double
diffused MOSFET) à laquelle est ajoutée une couche supplémentaire P+ fortement dopée, sous le drain N (figure
14 b).
La couche d'oxyde de grille et les matériaux N+ et N- séparés par un substrat de type P constituent le MOSFET de
puissance. Le substrat P et la couche N- servent de collecteur et de base pour le transistor bipolaire dont l'émetteur
26
est la couche supplémentaire P+. La structure de la figure 14b. peut être représentée par le schéma simplifié de la
figure 14c.
D'après le schéma simplifié de la figure 14c, le courant I T traversant l'IGBT présente deux composantes : une
composante de courant de type MOS et une composante de courant de type bipolaire avec la relation
IT = Imos + Ibip.
Le transistor bipolaire interne PNP est caractérisé par une large base faiblement dopée, un faible gain en courant
statique tel que 0,3  statique  0,5 et une injection plus ou moins importante de porteurs dans la base selon la
technologie de fabrication.
L'IGBT pour ses performances de rapidité, de robustesses et de fiabilité, est largement utilisé dans des applications
de type allumage automobile, dans les alimentations à découpage et dans les variateurs de vitesses. En régime
transitoire il présente cependant au blocage un traînage ou queue de courant tout comme le GTO (figure 8).
G
K K
C ou K
N+ N+ Figure 14a : Symbole du Transistor IGBT
P+ c P+ IT
I mos= I n
N-
b
Ibip = IT-Imos
G
e P+ Figure 14 : Structure Figure 14c
de l’IGBT
Figure 14b
E ou S
Module IGBT 1200V 600A
Les IGBTs représentent un compromis entre les différents avantages des MOSFETs, des BJTs et des GTOs.
Similaire au MOSFET, l'IGBT possède une impédance de grille importante, autorisant une commutation avec un
faible apport d'énergie. Comme le BJT, l'IGBT possède une tension à l'état ON faible, même pour des tensions
bloquées importantes (par exemple, VON de l'ordre de 2 à 3V pour des tensions bloquées supérieures à 1000V).
Comme le GTO, l'IGBT peut bloquer des tensions négatives.
Les IGBTs présentent des temps de commutation de l'ordre de la microseconde et sont disponibles pour des
tensions et courants de l'ordre de 3000 V et 1200 A respectivement.
27
1.10.2 - Technologie de boîtier d’un module IGBT
Un module IGBT est constitué de plusieurs IGBT élémentaires avec des diodes en antiparalèlles (ou de roue libre)
montés sur une structure multicouche comme l'indique la figure 15. L’ensemble est ensuite placé dans un boîtier
qui est l'élément intermédiaire entre la puce IGBT et l'extérieur. Dans les applications de moyennes puissances, ce
boîtier est essentiel pour obtenir un bon refroidissement des équipements. Sa construction doit donner au
composant une bonne tenue mécanique, une bonne isolation électrique et une résistance thermique minimale.
Puce IGBT ou Diode

Cu
Figure 15: Coupe d'un module IGBT : substrat
DCB.
DCB  Al203 Il existe plusieurs variantes de cette structure sur

laquelle la puce du composant peut être soudée.
La structure DCB (Direct Copper Bonding) est la
plus courante. Elle est constituée d’une couche
Socle en cuivre d'alumine AL2O3 prise en sandwich entre deux
plaques de cuivre. Le substrat DCB est ensuite
soudé à la base sur un socle en cuivre qui réalise
Graisse thermique le contact avec un radiateur.
Les liaisons entre les puces d'un même boîtier et
les connexions vers l'extérieures sont réalisées par des fils fins d'aluminium soudés par ultrason (figure 16).
Notons que ces fils de ‘’bondings’’ introduisent des inductances de quelques nanohenrys en série avec les puces.
di
Celles - ci peuvent perturber la commutation dans le cas de forts . C'est principalement le cas de l'inductance
dt
d'émetteur entre la puce d'IGBT et le point commun entre le circuit de puissance et le circuit de commande (figure
17). En effet, pour une inductance le de 10 nH (environ 1 cm de fil), une variation du courant
di
= 500 A/µs, une tension d’amorçage V gon = 15 V et de blocage Vgoff = 0 V, on obtient une chute de tension
dt
aux bornes de l'inductance Vle de 5 V. D'où une perturbation de la tension de grille de 33 %.
Avant d'encapsuler le module par un couvercle en plastique rigide, l'ensemble illustré par la figure 16 est noyé
dans un gel de silicone.
Dans l'état actuel de la technologie, les soudures par ultrason ne donnent pas entièrement satisfaction car elles ne
sont pas suffisamment résistantes en fatigue thermique pour des applications où l’amplitude des cycles thermiques
est importante (véhicules et traction électriques par exemple).
Connexion de sortie
Fils d'Al soudés
par ultrason
Puce IGBT Puce IGBT Cu

Al2O3 ou AlN
Socle en Cu
Figure 17 : Inductance parasite d'émetteur.

Figure 1
Figure 16 : Structure interne
28
G Rg Puce
Vge
Vg le.di/dt
E
Figure 17 : Inductance parasite d'émetteur.
IGBT current and voltage turn-on and turn-off waveforms
1.11 - Le MCT (MOS Controlled thyristor)
Sur une structure de type thyristor, deux grilles ont été ajoutées afin de permettre des commandes de type MOS à
l'ouverture comme à la fermeture. Ce composant dont on parle depuis quelques années n'a pas connu au niveau
industriel les développements attendus.
Les MCTs possèdent de nombreuses propriétés du GTO (faible tension sous un fort courant et commande par
impulsion). Le MCT est un composant commandé en tension comme l'IGBT ou le MOSFET, et la même énergie
est nécessaire pour commuter un MCT, un IGBT ou un MOSFET.
Le MCT possède deux principaux avantages vis à vis du GTO, une commande plus simple pour commuter de l'état
ON à l'état OFF (un fort courant négatif n'est pas nécessaire) et des temps de commutation plus brefs (de l'ordre
de quelques microsecondes). Les MCTs présentent également de plus faibles tensions à l'état ON comparés aux
IGBTs ayant des caractéristiques similaires par ailleurs. Les MCTs sont actuellement disponibles pour des tensions
de l'ordre de 1500V et des courants de 50A à quelques centaines d'ampères.
29
Quelques vues d’ensemble de composants de puissance de forts calibres courants en composants discrets ou en
assemblages (diodes, thyristors et transistors)
Quelques domaines d’applications des composants de puissance
1.12 – Comparaison et quelques chiffres sur les limites actuelles en tension,

courant.
On doit rester très prudent lorsque l'on désire comparer les différents interrupteurs présentés dans les précédents
paragraphes car de nombreuses propriétés rentrent en compte et les caractéristiques de ces composants évoluent
encore de façon rapide et importante. Néanmoins, les observations qualitatives présentées dans le tableau ci-
dessous peuvent être faites.
Composant Puissance d’utilisation Rapidité de commutation

BJT/MD Moyen Moyen
MOSFET Faible Rapide
GTO Fort Lent
IGBT Moyen Moyen
MCT Moyen Moyen
A titre indicatif, on peut noter les valeurs limites suivantes sans oublier qu’elles varient avec l’évolution des
différentes technologies de fabrications.
• Thyristor : 6000 V, 3500 A et 10 kHz ;

• MCT 1500 V ; quelques centaines d’ampère
• Triac : 800 V, 40 A, et 400 Hz ;
• GTO : 4500 V, 3000 A et 2 kHz ;
• BJT : 1400 V, 800 A et 10 kHz ;
• MOSFET : 1000 V, 100 A et 100 kHz ;
• IGBT : 3000 V, 1200 A, et 20 kHz.
L'utilisateur doit garder à l'esprit qu'en plus des améliorations apportées à ces divers composants, d'autres
composants entièrement nouveaux sont en cours d'étude. Les progrès dans la technologie des semi-conducteurs
30
conduiront sans aucun doute dans un avenir proche vers des puissances d'utilisation supérieures, des temps de
commutation plus brefs et des coûts plus faibles.
1.13 - Considérations thermiques sur les composants de puissance

1.13.1 - Introduction
En fonctionnement normal les composants semi-conducteurs de puissance sont le siège de dissipation de puissance
précisément au niveau des jonctions. Il est souvent nécessaire d'évacuer cette puissance dissipée sous forme de
chaleur par l'intermédiaire d'un radiateur pour garantir un fonctionnement optimal et assurer une bonne durée de
vie des équipements. Il y a trois manières d'évacuer cette chaleur.
1.13.2 - Dissipation par conduction
Considérons une barre de matériau (figure 18). La puissance (flux d'énergie par unité de temps) est donnée par
.A.T
l'expression : Pcond = , où :
d
• (Wm-1°C-1) est la conductivité thermique,
• A (m²) est la section droite du matériau dans lequel est dissipée cette puissance,
• d (m) est la longueur, d
• T = T2 - T1 (°C). P A
La résistance thermique est alors définie par

T d Figure 18
R,cond = = (°C/W). T2 T1
Pcond .A
Chip, Tj
Case, Tc Bien souvent la chaleur doit transiter par

différentes couches de matériau chacune avec
Heat sink, Ts
une conductivité thermique et des fois,
différentes surfaces et épaisseurs.
La figure 19 donne un exemple de structure
multicouche avec la source de puissance au
niveau de la puce de silicium et l'évacuation de
la chaleur à travers les différentes couches vers
le radiateur.
Figure 19 Ta
La résistance thermique global (jonction - air ambiant) est

J C S Ambiant
R,ja = R,jc + R,cs + R,sa. Chacune de ces résistances thermiques
Tj Tc Ts Ta
étant calculée compte tenu des valeurs , A, et d appropriées.
R,jc R,cs R,sa La température de jonction T j = Pd(R,jc + R,cs + R,sa) + Ta, lorsque
P
la puissance dissipée est Pd.
En régime permanent la relation précédente découle de la circulation

de chaleur dans une structure multicouche de résistances thermiques
Figure 20
en série (figure 20).
31
Quelques ventilateurs accessoires indispensables du refroidissement des composants de puissance.
Impédance thermique
En régime transitoire dû à une pointe de puissance dans le composant, à un arrêt brusque de la conduction ou à
l'établissement de celle-ci, le modèle précédent n'est plus valable. La variation instantanée de la puissance
n'entraîne pas une variation instantanée de la température. Pour tenir compte de ce phénomène on introduit la
notion d'impédance thermique Z (figure 21).
P
(t
Tj R
t
P(t) Cs
Tj
Figure 21 (t
t
Dans une structure multicouche telle celle de la figure 19 nous obtenons le schéma équivalent suivant (figure 22).
Tj TCu Tc
R(Si) R(Cu) R(heat sink)
P(t)
Cs(Si) Cs(Cu) Cs(heat sink)
Figure 22
1.13.3 - Dissipation par convection
T
On définit de la même façon que précédemment une résistance thermique par convection R ,conv =
Pconv
1.13.4 - Dissipation par rayonnement

T
On définit de la même façon que précédemment une résistance thermique par rayonnement R,ray =
Pray
32
1.13.5 - Les radiateurs
Maintenir la température de jonction d'un composant de puissance dans une gamme raisonnable de températures
relève de la responsabilité du fabricant et de l'utilisateur du composant. Le fabricant s'efforce de minimiser la
résistance thermique (jonction - boîtier) R,jc. L'utilisateur du composant a aussi le devoir de prévoir un dispositif
de refroidissement pour minimiser la résistance thermique (boîtier - air ambiant) R,ca tout en réalisant un bon
compromis avec le coût de l'équipement.
Les fabricants de radiateurs fournissent en général une large gamme de radiateurs pour le refroidissement des
composants de puissance.
Exemple simple de calcul et de choix de radiateur.
On souhaite dissiper par l'intermédiaire du radiateur

une puissance P = 20 W dans un milieu ambiant de
Ailette de température Ta = 20 °C. La température de jonction
Emplacement maximale admissible au niveau du composant est T j
radiateur
pour la fixation = 140 °C. Le fabricant du composant donne :
du composant
• Résistance thermique jonction-boîtier
RTjc = 2,5 °C/W
• Résistance thermique boîtier - radiateur
Rcs = 0,5 °C/W. Cette dernière résistance
est fonction des techniques de montage du
Figure 6 : Evacuation de la chaleur du radiateur
composant (surface de contact, utilisation
essentiellement par convection et par radiation.
de graisse thermique, couple de serrage).
Quel radiateur choisir?
Tj – Ta = (RT,jc + RT,cs + RT,sa).P, d’où on tire la résistance thermique jonction – air ambiant maximale
T j − Ta
RT, ja = = 6 °C/W. Avec les valeurs données de RT, jc et RT, cs on choisira un radiateur telle que
P
RT, ca  3 °C/W.
La résistance thermique RT, ca est en générale la résultante de deux résistances thermiques en parallèle :
RT, ca, cv // RT, ca, ra (respectivement résistance thermique par convection, et résistance thermique par radiation).
33
ANNEXE 1 : Commande d’un thyristor à l’aide d’un circuit intégré
Les signaux de commande sont générés à l’aide du circuit intégré (IC) TCA785 par exemple.
34
35
36
Practise your English
37
38
39
Source : POWER ELECTRONIC CONVERTERS : Valery Vodovozov et Raik Jansikene
40
Chapitre 2 : Les Redresseurs
41
Les Redresseurs
Introduction
Les montages redresseurs, souvent appelés simplement redresseurs, sont les convertisseurs de l'électronique de
puissance qui assurent directement la conversion alternatif-continu. Alimentés par une source de tension
alternative monophasée ou polyphasée, ils permettent d'alimenter en courant continu le récepteur branché à leur
sortie.
On utilise un redresseur chaque fois que l’on a besoin de courant continu alors que l'énergie électrique est
disponible en courant alternatif. Comme c'est sous cette seconde forme que l'énergie électrique est presque toujours
générée et distribuée, les redresseurs ont un très vaste domaine d'applications.
Les redresseurs à diodes, ou redresseurs non contrôlés, ne permettent pas de faire varier le rapport entre la ou les
tensions alternatives d'entrée et la tension continue de sortie. De plus, ils sont irréversibles, c'est-à-dire que la
puissance ne peut aller que du côté alternatif vers le côté continu.
Les redresseurs à thyristors, ou redresseurs contrôlés, permettent, pour une tension alternative d'entrée fixée, de
faire varier la tension continue de sortie. Ils sont de plus réversibles ; lorsqu'ils assurent le transfert de puissance
du côté continu vers le côté alternatif, on dit qu'ils fonctionnent en onduleurs non autonomes.
Pour obtenir une tension continue, on redresse un ensemble de q tensions alternatives, d'ordinaire supposées
sinusoïdales et formant un système polyphasé équilibré (nombre de phases q). Ces tensions peuvent être les
tensions aux bornes d'un alternateur. Généralement, elles sont fournies par le réseau monophasé ou, plus souvent,
par le réseau triphasé, d'ordinaire par l'intermédiaire d'un transformateur.
On distingue trois types de montages :
• les montages Pq : montages « Parallèles » avec source en étoile et un seul commutateur ou redresseur
"simple alternance" ;
• les montages PDq : montages « Parallèles Doubles » avec source en étoile et deux commutateurs ou
redresseurs "en pont" avec source étoilée ;
• les montages Sq : montages « Séries » avec source en polygone et deux commutateurs ou redresseurs "en
pont" avec source en série.
NB : Nous étudierons spécialement dans ce cours les montages triphasés et par conséquent q vaudra 3. Mais
les méthodes d’études que nous verrons se généralisent à un système q-phasés quelconque.
2.1 Commutation des redresseurs
Lorsque plusieurs redresseurs ont une électrode commune, on verra que chacun n’est conducteur que pendant une
durée limitée et qu’un seul conduit à chaque instant (lorsque l’on considère les interrupteurs redresseurs comme
parfaits et lorsqu’on néglige les inductances de fuite des transformateurs d’alimentation).
Si le courant produit par le montage redresseur est ininterrompu, ce qui représente le cas général, cela impose que
l’enclenchement d’un redresseur s’accompagne du blocage de celui qui conduisait auparavant.
42
i= Ic i1 i2
D1 D2
t
i1 i2
t1
La figure ci-dessus montre qu’à l’instant t1 le redresseur D2 devient conducteur tandis que D1 se bloque. La
commutation est donc instantanée dans les interrupteurs. En pratique, le phénomène de commutation n’est jamais
instantané (nous préciserons cela quand nous étudierons les phénomènes d’empiètement). Les conséquences de
cette réalité physique seront abordées au paragraphe : 2.3.5.1. Pour l'instant, on considérera toujours une
commutation instantanée.
On distinguera plusieurs types de commutation suivant le mode de blocage du redresseur à déclencher :
• Commutation par la charge ou par la source (dite également commutation naturelle) lorsque ce sont des
conditions extérieures (et donc naturelles) au convertisseur (tensions ou f.e.m. de la charge ou de la
source) qui contraignent au blocage le redresseur conducteur quand un nouveau redresseur s’enclenche ;
• Auto-commutation (ou commutation forcée) lorsque le redresseur est commandé quelles que soient les
conditions extérieures (charge ou source).
2.2 Principe de l'étude d'un montage
L'étude d'un montage doit servir, pour le concepteur, à déterminer les caractéristiques de chaque élément constitutif
(transformateur, diodes, thyristors,...). Elle doit également permettre de calculer et de définir les protections contre
des échauffements dus à des surtensions ou surintensités (dus à des courts-circuits) éventuels.
On procède en général en quatre étapes :
• 1. Etude des tensions (de l'entrée vers la sortie). En partant des tensions alternatives à l'entrée, on calcule
la tension redressée à vide et la tension maximale aux bornes des semi-conducteurs. Pour cette étude on
suppose négligeables les impédances de la source et des éléments du montage, ce qui est réaliste compte
tenu des faibles chutes de tension qu'elles occasionnent.
• 2. Etude des courants (de la sortie vers l'entrée). A partir du courant débité supposé continu, on calcule la
valeur du courant dans les semi-conducteurs ainsi que dans les enroulements secondaires et primaires du
transformateur. Les chutes de tension dues aux impédances citées précédemment sont négligées.
• 3. Etude des chutes de tension. A l'aide des courants ainsi déterminés, on peut maintenant calculer les
diminutions de la tension redressée dues aux résistances, aux inductances et à la chute de tension interne
des semi-conducteurs.
• 4. Etude du fonctionnement en court-circuit. On se reportera à la bibliographie fournie à la fin du cours

pour aborder cette dernière étude.
43
2.3 Redressement non-commandé (montages toutes diodes)

Rappels : Practice your english !
Production-transport-distribution de l’énergie électrique
44
Transformateurs
45
46
47
48
49
Hypothèses Générales d’étude des convertisseurs
Sauf spécifications contraires nous étudions les montages dans les conditions suivantes :
• le transformateur est supposé parfait sans pertes ;

• le système de tensions (v1, v2, v3) est un système triphasé équilibré direct (TED) ;
• les composants semiconducteurs sont parfaits (modèle d’interrupteur idéal) ;
• la nature de la charge n’est pas spécifiée mais on suppose que le courant dans la charge présente de faibles
ondulations et peut être considéré comme rigoureusement constant et égale à Ic.
2.3.1 Montages parallèles Pq
Cas du montage P3 (q = 3)
V1 VD1
iS1
V2 D1
iS2
V3 D2 ic = Ic
iS3
Charge
D3 uc
Primaire
de couplage
quelconque
uc(), vD1(),
iD1(), iS1()
Ic
 = t
+>0
50
On donne par ailleurs les deux définitions suivantes valables pour les autres montages :
• Indice de commutation q du montage.
L’indice de commutation est donné par la durée de conduction de chaque diode et correspond au nombre de phases
du réseau de distribution. Par exemple, pour le montage P 3, l’indice de commutation est égal à 3 (chaque diode
conduit pendant un tiers de période ou T/q).
• Indice de pulsation p de la tension redressée.
L’indice de pulsation p donne le nombre de portions de sinusoïdes par période 2 des tensions v1,2,3. Par exemple,
pour le montage P3, l’indice de pulsation est égal à 3.
2.3.2 Montages parallèles double PDq
Cas du montage PD3 (q = 3)
v1
iS1 ic = Ic
D1 D2 D3
v2
iS2
uc Charge
v3
iS3 D’1 D’2 D’3
Primaire
de couplage
quelconque
uc(), vD1(),
iD1(), iS1()
 = t
+>0
+<0
51
2.3.3 Montages série Sq
Cas du montage S3 (q = 3)
1
v1 v2
D1 Ic
iS1
D2 D3
2 Charge
vc
3
v3 D’3
D’1 D’2
uc(), vD1(),
iD1(), iS1()
 = t
+>0
+<0
52
2.3.4 Grandeurs caractéristiques
2.3.4.1 Etude de la tension redressée
• Valeur moyenne
1 T/2p sin(/p)
T/p − T/2p
ucav = Udi0 = u c .dt = U cM (la notation ‘’av’’ est mise pour désigner la valeur moyenne
π/p
‘’average Voltage’’ en anglais).
• Valeur efficace
1 + T/2p U sin(2 / p)
ucrms = Udieff = 
T/p − T/2p
u c ².dt = cM 1 +
2 2 / p
(la notation ‘’rms’’ est mise pour désigner la
tension efficace ‘‘root mean square’’ en anglais).
2.3.4.2 Facteur de forme
La valeur du facteur de forme caractérise la tension redressée. Plus cette valeur est proche de l'unité, plus la tension
obtenue est voisine d'une grandeur continue. Ce coefficient sert à comparer des montages redresseurs différents
entre eux.
Par définition, on nomme facteur de forme le rapport :
sin(2 / p)
1+
u crms = U dieff 1 2 / p
F= =
u cav U di 0 2 sin( / p)
/p
avec : ucrms : valeur efficace de la tension considérée ; ucav : valeur moyenne de la tension considérée.
2.3.4.3 Facteur d’ondulation
Par définition, on nomme facteur d’ondulation le rapport :
K=
U cM − U cm =  1 − cos( / p )
2U di 0 2 p sin( / p )
2.3.4.4 Etude des courants
Courant dans les redresseurs
1 T/2q I
IDav =
T − T/2q
Ic .dt = c
q
1 T/2q 2 I
IDrms=
T − T/2q
Ic .dt = c
q
Courant dans les enroulements secondaires
Les expressions générales des courants efficaces sont fonction du type de montage
53
2.3.4.5 Facteur de puissance secondaire
P U di0 .I c où U = u désigne la tension moyenne aux bornes de la charge, V la valeur efficace de la

fPS = = dio cav
S qVI Srms
tension délivrée par un enroulement secondaire du transformateur et I Srms le courant efficace dans un enroulement
secondaire.
2.3.5 Chutes de tension en charge (fonctionnement normal)
Jusqu'ici nous avons supposé la source et le redresseur parfaits. En fait, les impédances des éléments du redresseur
et celle du réseau qu'il alimente entraînent une diminution de la valeur moyenne Udi0 de la tension redressée au fur
et à mesure que le courant continu débité Ic croît. Au début de la caractéristique de tension (Ud0, Ic), c'est-à-dire
entre la marche à vide et la marche en pleine charge, la chute de tension moyenne totale Udo est d'ordinaire faible
par rapport à la tension à vide.
On peut donc, avec une bonne approximation, calculer la chute de tension totale :
• en ajoutant les chutes de tension dues aux diverses causes,

• en calculant chacune de ces chutes de tension partielles sans tenir compte des phénomènes qui sont à
l'origine des autres.
La chute de tension totale est obtenue en ajoutant :
• la chute due aux commutations (empiétements) 10Uc ;

• la chute due aux résistances Uc ;
• la chute due aux diodes 30Uc .
On écrit : Uco= Udio - Udo

avec : Udo = 10Uc + Uc + 30Uc
Surtout pour les montages de forte puissance, c'est le phénomène d’empiétement lors des commutations qui est à
l'origine de la principale chute de tension.
2.3.5.1 Chute de tension due à l’empiètement
Nous avons supposé jusque-là que les transformateurs d’alimentation étaient parfaits sans inductances de fuites (L
 0). Dans la réalité pour les fortes puissances à contrôler, ces inductances ne sont pas négligeables et leur prise
en compte conduit à une réduction de la tension moyenne redressée. La commutation des courants dans les
interrupteurs statiques n’est plus instantanée. Il existe un lapse de temps pendant lequel deux diodes
(éventuellement plusieurs) conduisent simultanément. C’est le phénomène d’empiètement. Nous étudions les
conséquences de ce phénomène d’empiètement dans le cas d’un montage P 3. Les résultats se généralisent aux
autres types de montages.
Exemple du P3
v1
iS1 D1
v2
iS2 D2
v1
v3 ic = Ic
iS3 D3 iS1 L≠0
uc
Charge ~
Primaire
de couplage
quelconque Modèle de la source de tension compte tenu de
l’inductance L des enroulements secondaires qui
n’est plus considérée négligeable
54
Nous étudions particulièrement la commutation D1 → D2. Pendant la durée  de la commutation les deux diodes
D1 et D2 sont passantes. On démontre dans ce cas que la chute de tension due au phénomène d’empiètement est
donnée par formule générale suivante :
p
• Udi0 = LI c
2π
La tension moyenne redressée compte tenu du phénomène d’empiètement est donnée par la formule:
p
• Uco= Udio - LIc (formule qui se généralise à tous les montages redresseurs).
2π
Remarque : La méthode de calcul de la durée  de l’empiètement sera exposée au cours des travaux dirigés (TD).
2.3.5.2 Chute de tension ohmique
Les enroulements du transformateur provoquent une chute de tension continue du fait de leurs résistances propres
(que l'on peut ramener au secondaire). Cette chute de tension s'écrit : 2uc = Rsis où Rs est la résistance du
transformateur ramenée au secondaire et is l'intensité du courant dans un enroulement secondaire.
2.3.5.3 Chute de tension due aux diodes
On sait qu'une diode enclenchée présente une chute de tension :
3uc = V0 + rdid
avec V0 la tension de seuil et rd la résistance dynamique de la diode, lorsqu'elle est parcourue par un courant direct
d'intensité id. Connaissant le nombre de diodes disposées en série et simultanément conductrices et l'intensité du
courant de charge, on pourra donc calculer la chute de tension due à ces composants.
2.4 Redressement commandé tout thyristor
Hypothèses : Sauf spécifications contraires nous étudions les montages dans les conditions suivantes :
• le transformateur est supposé parfait sans pertes

• le système de tensions (v1, v2, v3) est un système triphasé équilibré direct (TED)
• les composants semiconducteurs sont supposés parfaits (modèle d’interrupteur)
ondulations et peut être considéré comme rigoureusement constant et égale à I c.
• chaque thyristor est commandé avec un angle de retard à l’amorçage  défini par rapport à son
angle de commutation naturelle.
2.4.1 Montages parallèles tout thyristor Pq
Cas du montage tout thyristor P3 (Redessiner ci-dessous le montage en y faisant figurer toutes les grandeurs utiles.
Les thyristors seront notés Thi et la tension aux bornes de la charge ucTh.)
55
ucTh(),
vTh1(),
iTh1(), iS1()
 = t
56
2.4.2 Montages parallèles tout thyristor PDq
Cas du montage PD3 (Redessiner ci-dessous le montage en y faisant figurer toutes les grandeurs utiles. Les
thyristors seront notés Thi et la tension aux bornes de la charge ucTh.).
ucTh(),
vTh1(),
iTh1(), iS1()
 = t
57
2.4.3 Montages série tout thyristor Sq
Cas du montage S3 (Redessiner ci-dessous le montage en y faisant figurer toutes les grandeurs utiles. Les thyristors
seront notés Thi et la tension aux bornes de la charge ucTh.).
ucTh(),
vTh1(),
iTh1(), iS1()
 = t
58
2.4.4 Grandeurs caractéristiques
2.4.4.1 Etude de la tension redressée
Valeur moyenne
sin(/p)
ucThav = = U cM cos ψ = Udiocos
π/p
Quelles remarques faites-vous sur cette expression ?
On distingue alors deux modes de fonctionnement
Marche en redresseur (cos > 0) Compléter par les explications du professeur
Marche en onduleur (non autonome) (cos < 0) Compléter par les explications du professeur
Remarque : Les autres définitions des grandeurs caractéristiques précédemment citées restent valables pour les
montages tout thyristor.
1- Locomotive
2- Moteurs à courant continu
3- Redresseurs commandés
4- Caténaire
5- Transformateur
Alimentation d’une locomotive entrainée par des machines à courant continu pilotées par un convertisseur
d’électronique de puissance.
59
2.5 Les montages mixtes
Les montages mixtes sont des montages en pont de Greatz toutes diodes dans lesquels un type de commutateur
généralement ‘’le plus positif’’ est remplacé par des thyristors.
Hypothèses : Sauf spécifications contraires nous étudions les montages dans les conditions suivantes :
• le transformateur est supposé parfait sans pertes

• le système de tensions (v1, v2, v3) est un système triphasé équilibré direct (TED)
• les composants semiconducteurs sont parfaits (modèle d’interrupteur)
ondulations et peut être considéré comme rigoureusement constant et égale à I c.
2.5.1 Montages mixtes PDq
Cas du montage PD3 mixte (Redessiner ci-dessous le montage en y faisant figurer toutes les grandeurs utiles. Les
thyristors seront notés Thi,les diodes D’i et la tension aux bornes de la charge ucth.).
uc(), vTh1(),
iTh1(), iS1()
 = t
60
2.5.2 Montages mixtes Sq
Cas du montage S3 (Redessiner ci-dessous le montage en y faisant figurer toutes les grandeurs utiles. Les thyristors
seront notés Thi, les diodes D’i et la tension aux bornes de la charge ucth.).
1 + cos
On démontre que ucav = Udi0 ( ).
2
Conclusion : On note que ucav ≥ 0 ; ⩝ . Pour cette raison un montage mixte ne peut jamais fonctionner en
onduleur non-autonome.
uc(), vTh1(),
iTh1(), iS1()
 = t
61
Exercice
Tracer l’évolution de la tension vc() aux bornes de la charge dans le cas d’un montage P 3 tout thyristor avec un
4𝜋
angle de retard à l’amorçage  = .
6
Que peut-on dire du signe de la tension moyenne redressée ? Conclusion ?
 = t
62
Dr Akpé Komi AGBOSSOU, ENSI / UL, 2018
Annexe
Problèmes d'examens
63
Problème N°1
Durée 2h
A- Un montage redresseur à six thyristors supposés parfaits et associés en pont de Graëtz est alimenté par les
trois tensions :
va = Vm sin  ,vb = Vm sin ( - 2 ) , vc = Vm sin ( - 4 ), d'amplitude Vm = 200 V , fournies par les enroulements
3 3
secondaires, couplés en étoile, d'un transformateur triphasé, sans pertes d'aucune sorte, ni de fuites magnétiques.
Le récepteur présente une inductance de valeur suffisante pour que le courant moyen soit constant et égal à chaque
instant à son intensité moyenne I0 = 20 A.
En désignant par 1 et 2 les angles de retard à l'amorçage des thyristors respectivement à cathodes communes et à
anodes équipotentielles :
1. Représenter, en fonction de , les variations :
• de la tension u = vp - vN disponible entre les bornes de sortie P et N du redresseur pour 1 = 60° et

2 = 30°;
• du courant i2 dans le fil de ligne secondaire soumis à la tension v A.
2. Calculer :
• la valeur moyenne U0 de la tension redressée u;

• l'intensité efficace I2 du courant i2;
• le facteur de puissance f2 au secondaire du transformateur.
B- Les thyristors du groupe à anodes équipotentielles sont remplacés par des diodes supposées également parfaites.
1. Etablir, en fonction de Vm et , l'expression de la valeur moyenne de la tension redressée u. Calculer sa

valeur pour  = 60°.
2. Représenter, pour  = 60° et  = 120°, les variations du courant i2 dans le fil de ligne secondaire soumis à la
tension vA.
3. Calculer dans les deux cas précédents le facteur de puissance au secondaire du transformateur.
C - La réactance de fuites du transformateur rapportée à une phase secondaire a pour valeur : l = 0,2.
Le courant dans le récepteur est toujours constant et égal à tout instant à son intensité moyenne Io = 20 A.
Sachant que  = 30°
1 - Représenter, en fonction de , les variations de la tension redressée U
2 - Calculer sa valeur moyenne Uo
3 - Déterminer les angles d’empiétement.
64
 = t
 = t
65
Problème N°2
Etude de l'association machine à courant continu - convertisseur.
Th1 Th2
uc
Machine à
v excitation
séparée
Th ' 1 Th ' 2
Figure1
La figure 1 présente l'association d'un convertisseur monophasé en pont à quatre thyristors associé à une machine
à courant continu d'excitation séparée constante et parfaitement compensée.
On note  l'angle de retard à l'amorçage des thyristors (retard par rapport à l'instant de commutation naturelle).
Les thyristors sont considérés comme des interrupteurs parfaits.
On note également Ra = 1,5  la résistance de l'induit et E la fem de la machine. (E vaut 50 V lorsque la machine
tourne à 500 tr / mn.).
Au régime nominal ; le moteur fournit une puissance de 1 kW sous une tension de 220 V avec un rendement de
93 %.
Le pont PD2 est alimenté par une tension vsect = Vmaxsin où Vmax = 310 V.
A - Conduction continue
On fait l'hypothèse de la conduction continue du courant dans l'induit.
1. Tracer l'allure de la tension uc() délivrée par le convertisseur pour  =  .

2
2. Trace la relation ucav = f(), ucav est la tension moyenne de uc.
3. Tracer la loi de la variation de la vitesse de  en fonction de  pour le courant d'induit nominal In,  est en
rad / s.
4. En déduire sur  les domaines de variations pour lesquels la machine à courant continu se comporte :
• en moteur dans le cas où on néglige les pertes mécaniques et ferromagnétiques

• en génératrice lorsque le courant d'induit ic est considéré quasi-constant.
B- Conduction discontinue
On considère le moteur à l'arrêt. Le courant d'induit i c est en conduction discontinue (ic s'annule avant l'amorçage
suivant des thyristors du bras voisin).
1. Donner le schéma équivalent du convertisseur associé à l'induit de la machine en faisant apparaître

l'inductance série de l'induit L et la résistance Ra.
2. Mettre la loi de variation du courant d'induit sous la forme suivante :
ic(t) =  
A Be − t /  sin ( − ) + sin (t − ) où  =
L
Ra
66
En définissant A et B à partir des grandeurs suivantes :
Imax : l'amplitude du courant en régime forcé :
Vmax
Imax =
Z
Avec Vmax l'amplitude de la tension réseau et Z l'impédance de la charge équivalente à l'induit en régime sinusoïdal.
 : la caractéristique de Z définie par tan = L

Ra
3. On appelle F l'angle d'annulation du courant définit sur l'intervalle [, 2].
Tracer la tension uc(t) et l'allure du courant d'induit ic(t) en conduction discontinue pour
 5
 = , F = .
2 4
4. Etablir la relation qui lie  à  au passage limite entre la conduction continue et la conduction discontinue.
5. Discuter à partir des résultats de question B-4 des différents régimes transitoires possibles suivants les valeurs
de .
6. Dans le cas de la conduction discontinue, établir la loi de variation de ucav en fonction de  et F.; Conclure.
C- Etude des chronogrammes
Le convertisseur en pont fonctionne en onduleur non autonome
1. Le domaine de variation de est en général limité à 150°, pourquoi.
Tracer uc en conduction discontinue et en fonctionnement onduleur lorsque la fem de la machine à courant continue
E = -150 V et  = 2 , F = 5 .
3 4
2. Si l'on veut réduire la valeur moyenne du courant d'induit, comment agit - on sur ?
3. La figure 2 présente un chronogramme de uc(t) en conduction discontinue relevé sur un variateur industrielle.
• Quelle est la particularité de ?

• Pourquoi ce mode de fonctionnement?
D- Association machine - charge.
On désire utiliser cette chaîne de conversion d'énergie pour deux parties opératrices :
• la première est un treuil utilisé en levage, ainsi deux sens de rotation sont nécessaires pour assurer les
mouvements de montée et de descente ;
• la deuxième est une table de machine-outil en mouvement de translation, ainsi l'accélération et le freinage de
cette table doivent être assurés pour les deux sens de déplacement avant et arrière.
On ne considère dans cette question que la conduction continue.
1- Soit Tu le moment du couple utile, pour les deux motorisations, préciser dans le plan T u() les quadrants à
atteindre liés aux cahiers des charges.
2- Proposer pour les deux motorisations la structure minimale de la partie puissance du convertisseur utilisé,
ainsi que les réglages sur  permettant d'atteindre les quadrants évoqués en D-1.
67
uc
T t
Figure2
Problème N°3
Filtrage capacitif et PD2 toute diode
u1
uav
u u0
T i u
20
D1 D2 
50 Hz v C R
2
+ 0
D4 D3
i
v = Vmsin
- 0
Soit le schéma d'un redresseur type PD2 à diodes, débitant sur une charge capacitive RC parallèle. Ci - dessus, on
donne le profil atteint de la tension u(t) en régime permanent, supposé linéaire, et variant de u0 à u1 lorsque  varie
de  - 0 à  + 0.
2 2
1. Etudier qualitativement l'établissement du régime permanent en supposant
vc(0) = u(0) = 0 et pour les deux cas suivants :
• Les interrupteurs sont parfaits et le transformateur T sans perte,

• Il existe une résistance totale rt = 2rD+rS avec rD la résistance d'une diode passante et r S la résistance au
secondaire rS = R2+m²R1 (R1 et R2 sont les résistances des N1 spires et N2 spires).
On s'aidera du modèle électrique équivalent alimentant la charge RC.
2. En régime établi on admet le profil donné ci-dessus
• Calculer i() en fonction de v, u , et rt

• Ecrire i() en posant u() = uav + uvar(). uvar() étant l'expression en valeur instantanée de l'ondulation
autour de uav (valeur moyenne de u()).
3. Calculer iav comme étant le courant moyen, -périodique dans les diodes conductrices et après avoir montré
que la valeur moyenne <uvar() > = 0.
4. En utilisant le graphe, montrer que uav = Vmcos0. On utilisera u0 et u1, ainsi que les valeurs instantanées. En
déduire une nouvelle expression de iav.
68
5. En égalant les expressions de iav des questions 3 et 4, déduire la formule tan0 - 0 =  rt .
2R
6. Formule pratique de u. Calculer les quantités d'électricité Qch et Qdéch échangées par C lors de la charge
et de la décharge à courant pratiquement constant et égal à iav. En déduire u en fonction de 0, R, C,  et
uav. Quelle est sa validité?
Problème N°4
Durée 2h
Deux réseaux délivrant des tensions sinusoïdales, triphasées équilibrées de fréquences respectives f1 et f2, sont
reliés entre eux (fig1) par deux ponts de Graetz à six thyristors.
On désigne par :
V1 et V2 les valeurs efficaces des forces électromotrices simples des deux réseaux d'impédance interne négligeable,
1 et 2 respectivement les angles de retard à l'amorçage des thyristors de chaque pont.
La bobine de résistance négligeable, a une inductance L telle que le courant i est supposé constant et égal à tout
instant à sa valeur moyenne I0.
1. Pour 1 = 30° et une valeur donnée de I0 :
• Tracer en fonction du temps, les formes d'onde :

- des tensions vPN, vMN, uPM,
- du courant iTH1,
- du courant iA.
• Déterminer l'angle de déphasage entre l'onde fondamentale du courant i A et la tension vAN. Calculer, en
fonction de I0 les intensités efficaces de iA et de son terme fondamental iA1.
2. Pour 2 = 120° et I0 donné, répondre aux mêmes questions qu'au paragraphe 1 concernant le pont 2 et le
réseau 2, le point de référence des tensions étoilées étant N' (neutres N et N' non reliés).
• Exprimer les valeurs moyennes U0 et U'0 respectivement des tensions uPM et uP'M en fonction de V1 et 1
d'une part, V2 et 2 d'autre part.
• Préciser la relation qui doit exister entre V1, V2, 1 et 2.
3. Pour V1 = 127 V et une intensité de i égale à sa valeur nominale I0n = 30 A, déterminer pour le pont 1 :
• Les intensités moyenne et efficace maximales traversant un thyristor,

• Les tensions directe et inverse maximales que doit supporter un thyristor.
P L P'
Th i Th
Th Th Th Th
Résaux N°1, de fréquence f1
iA 1 3 5 4' 6' 2' A'

Résaux N°2, de fréquence f2
A iA'
B B'
C C'
Figure1
N Th Th N'
Th Th Th Th
4 6 2 1' 3' 5'
M
69
 = t
70
 = t
Problème N°8
Le pont mixte monophasé de la figure ci-dessous est alimenté par le secondaire d’un transformateur de rapport
m = 0,5 dont le primaire est branché sur le réseau 220 V 50 Hz.
Si v = Vmsint désigne la tension appliquée au pont, les thyristors Th1 et Th2 sont périodiquement amorcés avec
des retards t1 et t1 + T/2. Ce pont alimente un moteur à courant continu de type série de fcem E et de résistance
totale R. On ajoute en série avec le moteur une inductance de lissage et on admettra dans tout le problème que le
courant est parfaitement continu dans le moteur.
AN : t1 = T/6 ; E = 60 V ; R = 1,5 .
1 Expliquer le fonctionnement du pont en précisant clairement les conductions des diodes et des thyristors et
représenter en fonction du temps les grandeurs suivantes :
i
(a) les tensions u ; vTh1 : vD1
(b) les courants : i ; iTh1 ; iTh2 ; iD1 ; iD2 ; et j
j Th1 D2 E
2 Calculer les valeurs moyennes Uav et Iav de u et i
v R
u
3 Calculer les valeurs moyennes ITh1av, ITh2av, ID1av, ID2av et Jav
L
4 Calculer les valeurs efficaces ID1rms, ID2rms, ITh1rms. Th2 D1
71
 = t
 = t
72
Bibliographie
SEGUIER G. L’Electronique de puissance. Dunod
SEGUIER Guy, NOTOLET Francis Electrotechnique Industrielle Tech & Doc
DALMASSO J.L. Cours d’électrotechnique, Tome 1 Machines tournantes à courants alternatifs, BELIN
DALMASSO J.L. Cours d’électrotechnique, Tome 2 Traitement de l’énergie électrique, BELIN
CHAUPRADE Robert, 1-Commande des moteurs à courant continu, EYROLLES
CHAUPRADE Robert, MILSANT Francis, 2-Commande des moteurs à courant alternatif, EYROLLES
AGBOSSOU Komi Akpé, Modélisation et mise en œuvre de l’IGBT dans un onduleur de moyenne puissance,
Thèse de doctorat, Institut National de Polytechnique de Lorraine, Nancy 1996.
Université de Savoie, Interrupteurs semi-conducteurs de puissance, Licence EEA Module Energie et conversion
MOHAN/UNDELAND/ROBBINS, Power Electronics (Converters, Applications and Design) Second Edition.
73

Electronique de Puissance I UK19 3

Transféré par

Informations du document

Copyright

Formats disponibles

Partager ce document

Partager ou intégrer le document

Options de partage

Avez-vous trouvé ce document utile ?

Ce contenu est-il inapproprié ?

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Electronique de Puissance I UK19 3

Transféré par

Droits d'auteur :

Formats disponibles

FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES (FAST)

Références des cours : PHYS305&PHYS309

Dr Akpé Komi AGBOSSOU

ENSI / UL BP 1515 Lomé TOGO. Tél (228) 22 25 66 42, Fax (228) 22 25 97 36

Ce polycopié traite des sujets suivants :

• les Composants de Puissance,

Après un aperçu des composants de puissance (diodes, transistors, thyristors,…) la

Le lecteur peut trouver singulier

2.4.4 Grandeurs caractéristiques ...................................................................................................................... 58

‘’L’enseignant est celui qui ouvre la porte de la

Introduction à l’Electronique de Puissance

L’Electronique de Puissance a un caractère interdisciplinaire comme le montre la figure ci-dessous.

Nature interdisciplinaire de l’Electronique de Puissance

Historique (quelques repères)

II - Développement des composants semi-conducteurs de puissance

On distingue deux types de sources de tension :

• les sources de tension continues caractérisées par la valeur V de la tension.

Les différents types de conversion en Electronique de Puissance.

Les domaines d’application de l’électronique de puissance

Quelques applications des convertisseurs statiques :

• Redresseurs : alimentation des moteurs à courant continu, charge des batteries ;

Domaine industriel • Alimentation des avions, des équipements laser, radar,

Grand public ouverture de porte

Règles d’interconnexion des sources

Règle N°1 CVS

Une source de tension ne doit jamais être court-

Le circuit d’une source de courant ne doit jamais

Il ne faut jamais connecter entre elles deux sources de même nature.

On ne peut connecter entre elles qu’une source de

Chapitre 1 : Les Composants Semi-conducteurs de Puissance

Les composants utilisés en Electronique de Puissance appartiennent à trois grandes familles :

1. Diodes. États fermé ou ouvert contrôlés par le circuit de puissance.

• Transistors Bipolaires à Jonctions (Bipolar Junction Transistors - BJTs) ;

Structure interne d’une diode de puissance

1.1.1 - Sens passant

Figure 1 Représentation de la diode, caractéristiques statique et idéalisée.

1.1.2 - Sens inverse ou bloqué

1.1.3 - Courbes caractéristiques.

1.1.4 - Caractéristiques des diodes

Deux caractéristiques essentielles :

- le courant moyen direct à l'état passant,

Les fabricants de composants de puissance donnent souvent les paramètres suivants :

• Courants IF Forward current (courant direct continu)

VF Continous forward voltage (Tension directe continue)

1.1.5 - Régime transitoire

A la mise en conduction de la diode il y a une croissance du courant qui s'accompagne d'une

Figure 2 : Mise en conduction

Le courant ID et la tension VD ont l'allure indiquée de la figure 4. L représente l'inductance du circuit de

Interprétation du phénomène de recouvrement.

• Diodes de commutation (comme la diode DRL

On distingue deux types de diodes selon l’allure de remontée du courant de recouvrement :

Snap off Soft record

Module de 2 thyristors montés en bras de pont

Figure 6 : Représentation du thyristor, caractéristiques statique et idéalisée.

Un thyristor possède deux états stables :

• Etat bloqué : Un thyristor est bloqué dans deux situations :

• Etat passant : On l’obtient si le thyristor, initialement polarisé en direct, reçoit

Blocage d’un thyristor.

1.3.1 - Grandeurs caractéristiques

ITR(MS) RMS on-state current (valeur efficace du courant)

Figure 7 : Variations de courant et de la tension pendant le blocage.

Cette commutation au blocage met en évidence trois temps de commutation :

1.4 - L'ASCR (Asymetrical Silicon-Controlled Rectifier)

1.5 - Le RCT (Reverse - Conducting Thyristor)