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DIODES ET APPLICATIONS
I- LA DIODE A JONCTION PN
I.1 – Description et symbole
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I- LA DIODE A JONCTION PN
I.1 – Description et symbole
L’application de base des jonctions PN est la diode à jonction.
La diode est un dipôle constituée d’une jonction insérée dans un boitier muni de contacts
métalliques permettant de relier les zones N et P au circuit extérieur.
P N
Symbole :
Id
A T = 300K, UT = 26mV. On écrit aussi: V j U T ln( 1) .
Is
* Dans le cas des faibles courants de fonctionnement, on néglige les chutes de tension dans les
régions quasi neutres (RQN) et au niveau des contacts, d’où : Vj ≈ Vd
Vd
I d I s (e UT
1) :
2
En polarisation directe, Vd o I d I S .eVd / UT , d’où une allure exponentielle.
Id (mA)
Allure
Allure expérimentale
exponentielle (linéaire)
Polarisation directe :
0 < V < 1Volt
0
Vd (volts)
- Is V0
Polarisation inverse :
V<0
Claquage par
avalanche
On définit la tension de seuil V0 = tension minimale pour qu’un
courant non nul traverse la structure ; elle est déterminée
expérimentalement et dépend du matériau semiconducteur :
Vd D
I d I s (e UT
1) (1)
E
E/R
P1
Id0 P0
P2
0 (2)
Vd (volts)
Vd0 E
La diode étant définie par sa caractéristique dans le plan (Vd, Id), il existe un point
d’intersection P0 (Vd0 ;Id0) entre la caractéristique (1) Id = f(Vd), et la droite de charge (2). Ce point
d’intersection est appelé le point de fonctionnement. Il traduit l’état de fonctionnement du
montage.
* Au cas où E varie, alors le point de fonctionnement P0 se déplace sur la caractéristique (1) vers
P1 en variation positive, ou vers P2 en variation négative.
A K R=0
Id
Vd Vd = 0, Id
0 Vd
Symbole R=∞
Caractéristique
Id = 0, Vd
correspondante
Id
A K R=0
Id
Vo R=∞
Vd 0 Vo Vd
Schéma électrique équivalent
Caractéristique correspondante 4
I.3.3 – Diode idéale avec seuil et résistance interne
C’est le modèle se rapprochant de la caractéristique expérimentale.
Id
A Id K
Rs Rs = tg
Vo
Vd
0 Vo Vd
Schéma électrique équivalent
Caractéristique correspondante
On a PTh T j Ta T j Ta . (Tj-Ta) est exprimée en Kelvin (K)
. en W/K
RTh
. RTh en K/W
T Ta . PTh en Watts (W)
. A l’équilibre, on a PTh Pe v.i
j
RTh
Si la jonction atteint sa température limite T jmax, alors la puissance maximale que peut dissiper la
T j max Ta
diode est : Pe max PTh max
RTh
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I.5 – Diode en commutation
Il s’agit ici d’étudier le comportement ‘‘état passant’’ - ‘‘état bloqué’’ de la diode.
+E1
t
-E2
+E1/R
t
Ce phénomène résulte du fait que quand on inverse brutalement la polarité aux bornes de
la diode, la charge stockée Qs à l’état passant ne disparaît pas instantanément. Elle maintient ainsi
la diode en conduction, et elle est traversée par le courant i = -E2/R. Ce courant est dû à l’action
du champ inverse qui draine cette charge Qs vers la zone de transition.
Le temps mis pour éliminer complètement la charge stockée, appelé temps de stockage t s, dépend
des conditions d’utilisation (E1 et E2).
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II- QUELQUES APPLICATIONS DES DIODES A JONCTION
II.1 – Redressement
Le redressement consiste à transformer un signal (tension ou courant) bidirectionnel (alternatif)
en un signal unidirectionnel (continu).
Exemple : Signal alternatif Signal continu
s(t)
e(t)
+
+ t
0 - t
0
Le redressement est utilisé pour le traitement de signaux (détection, démodulation, …), et pour
l’alimentation d’appareillages électriques à partir de tension alternative (exemples : tension
secteur 220Veff, alternateur de voiture, …).
Ve Vd VR On a : Ve = Vd + VR; id = VR /R.
R
Pour Ve > 0, la diode est passante ; alors Vd = 0, et
VR = Ve (la sortie recopie les alternances positives).
Pour Ve < 0, la diode est bloquée ; alors VR = 0, et
Vd = Ve (la diode retient les alternances négatives).
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Valeur efficace de VR :
1 1
1 T 2 2
(t ).dt VM . sin 2 t.dt
2 2
VRe ff VR
T 2
0 0
VM VRe ff V
VRe ff et i deff M
2 R 2R
NB:- La tension inverse maximale aux bornes de la diode bloquée devra être telle que: V RM>VM.
Le courant direct moyen VM/R devra être tel que : IFM > VM/R.
Si le modèle de la diode utilisé prend en compte une tension de seuil V 0, il faudrait le
soustraire de la tension maximale VM pour obtenir l’amplitude du signal redressé VRmax.
Pour Ve1 > 0, Ve2 < 0 : la diode D1 est passante et la diode D2 est bloquée ; alors id2 = 0, et
VR = Ve1, iR = id1 = Ve1/R.
Pour Ve1 < 0, Ve2 > 0 : la diode D2 est passante et la diode D1 est bloquée ; alors id1 = 0, et
VR = Ve2 = -Ve1, iR = id2 = -Ve1/R.
On obtient les allures suivantes des tensions et courant:
Ve1
VM
t
0 T 2T
T/2
-VM Tension inverse aux bornes d’une diode
bloquée (exemple du cas où D1 conduit
id1 et D2 bloquée) :
VM/R
0 t VR = Ve1, Vdinv = -VR + Ve2 = 2 Ve2.
T 2T D’où la valeur maximale :
T/2
| Vdinvmax| = 2VM .
VR
VM Les diodes utilisées devront supporter
une tension inverse minimale de 2VM .
t
0 T 2T
T’ = T/2
(Ex., pour VM 220 2 311V , Vdinv max 622V .
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b) Montage à pont de diodes (pont de Graëtz)
Montage:
A
D4 . Ve = VM.sin t, avec T = 2/.
D1
VR
Ve - Pour Ve > 0: les diodes D1 et D3 sont passantes et les
C R D diodes D2 et D4 sont bloquées ; alors VR = Ve > 0.
- Pour Ve < 0: les diodes D2 et D4 sont passantes et les
+ -
D2 diodes D1 et D3 sont bloquées ; alors VR = -Ve > 0.
D3
- La tension VR reste toujours positive.
B
On obtient les allures suivantes des tensions:
Ve
VM
t
0 T 2T
T/2
Tension inverse aux bornes d’une diode
-VM
bloquée : Vdinv = -Ve.
VR
VM D’où la valeur maximale :
| Vdinvmax| = VM .
t
0 T 2T
T’ = T/2 Les diodes utilisées ne devront supporter
qu’une tension inverse minimale de VM .
Valeur moyenne de VR :
1 T' 2VM VR 2VM
VR VR (t ).dt VM . sin t.dt VR et i R
T' 0 0 R R
Valeur efficace de VR :
1 1
1 T' 2 2 2 V VRe ff VM
VR (t ).dt VM . sin 2 t.dt VRe ff M et iRe ff
2
VRe ff
T ' 0 R
0
2 2.R
Le redressement peut être suivi d’un filtrage à l’aide de condensateurs aux fins de réduire
les ondulations et faire tendre le signal redressé vers une valeur continue constante.
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II.2 – Ecrêtage ou limitation de tension
Les limiteurs sont conçus pour protéger les appareils électriques contre des tensions
supérieures ou inférieures à un seuil.
-VM
-VM
On remarque que la tension de sortie Vs ne peut excéder le seuil E.
Montage : • Analyse :
R - Ve = VM.sin t, avec VM > E2 > E1
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Tracé des caractéristiques Vs = f(t) et Vs = f(Ve) :
Vs
Ve
Vs
VM E1
E1
-VM -E2 Ve
t
0 0 E1 +VM
T
-E2
-VM -E2
-VM
On remarque que la tension de sortie Vs ne peut excéder le seuil supérieur E1 et le seuil inférieur
E2.
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III- DIODE ZENER
III.1 – Généralités
La diode Zener a été conçue pour exploiter en polarisation inverse le phénomène dit d’effet
Zener, qui peut être décrit comme suit : lorsque le champ inverse dans la jonction augmente
jusqu’à atteindre une valeur critique Ez (de l’ordre de 107V.m-1), il arrache des électrons aux
atomes en provoquant leur passage de la bande de valence (BV) à la bande de conduction (BC)
par rupture de liaisons covalentes ; ce qui entraîne la génération de porteurs libres
supplémentaires, d’où l’augmentation du courant inverse.
I I
Vz rz = 0
V = Vz
Schéma électrique équivalent
0 Vz V
Caractéristique correspondante
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Diode Zener non idéale :
I
I
rz
rz = tg
Vz
V = Vz + rz.I
0 Vz V
Schéma électrique équivalent
Caractéristique correspondante
IR IS
R
E VZ Rc VS
IZ
Choix de la résistance R :
Cette résistance est calculée de telle sorte que le courant dans la diode reste dans sa zone
Zener où VZ est quasiment constante: IZmin < IZ < IZmax.
On a : IZ = IR – IS = (E-VZ)/R – IS.
. La condition IZ < IZmax impose dans les cas les plus défavorables, c’est-à-dire lorsque E=Emax
et IS = 0, la relation : (Emax -VZ)/R < IZmax, soit R > (Emax -VZ)/IZmax = Rmin.
. La condition IZ > IZmin impose dans les cas les plus défavorables, c’est-à-dire lorsque E=Emin
et IS = ISmax, la relation : (Emin -VZ)/R > (IZmin + ISmax), soit R < (Emin -VZ)/ (IZmin + ISmax) =
Rmax.
D’où : E max VZ E min VZ
Rmin R Rmax
I Z max I Z min I S max
Qualité de la stabilisation :
Cette qualité est évaluée par la relative variation VZ de la tension VZ, résultant d’une
petite variation E de E et IS de IS. On écrit : VZ =E/ –.IS , avec :
= facteur de stabilisation amont, et = facteur de stabilisation aval.
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Le schéma équivalent du montage en régime faible variation est :
IR IS
R
IZ
E VZ Rc
rz
R rz
. Calcul de : E R , car R rz
V rz r
Z I S 0 z
VZ
. Calcul de :
R.rz
rz , car R rz
I S E 0 R rz
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