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DIODES A JONCTION
 Contenu du cours
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1. Quelques notions de base

2. Définition d’une diode
3. Notions de semi-conducteurs
4. Diode à Jonction P-N
5. Caractéristiques d’une diode réelle
6. Diode dans un circuit et droite de charge
7. Schéma équivalent pour modèles statiques
8. Quelques diodes spéciales
 1. Quelques notions de base
3
 Dipôle:
1. Physique : Ensemble formé par deux charges électriques égales
et de signes opposés, situées à faible distance.
2. Électronique: Circuit électrique possédant seulement deux
bornes.

 Un dipôle passif est un dipôle récepteur. Toute l'énergie

électrique reçue est transformée en chaleur : c'est l'effet Joule.

 Un dipôle est dit polarisé si sont fonctionnent n'est pas le même

en inversant le sens du courant électrique. Les moteurs, les
diodes et les LED sont des dipôles polarisés.

 Anode : Électrode positive

 Cathode : Électrode de sortie du courant (opposé à anode)

 2. Définition d’une diode
4
 Il s’agit d’un dipôle passif non linéaire, polarisé dont le fonctionnement est
assimilable à celui d’un interrupteur commandé qui ne laisse passer le courant que
dans un seul sens.

 Aujourd’hui la majorité des diodes sont faites à partir de matériaux

semiconducteurs (silicium, géranium)
5
 3. Notions de semi-conducteurs
6
 Un semi-conducteur est un corps non métallique qui conduit imparfaitement
l'électricité. C’est est un matériau qui a les caractéristiques électriques d'un isolant,
mais pour lequel la probabilité qu'un électron puisse contribuer à un courant
électrique, quoique faible, est suffisamment importante

 L’appellation des matériaux semi-conducteurs provient de leurs conductivités

électriques, intermédiaires entre celles des conducteurs et des isolants.

Isolant s < 10−6 S/m (S = Siemens, c’est-à-dire V ) −1

Semi-conducteur s ≈ 0,1 à 10−4 S/m

Conducteur s ≈ 108 S/m

 3. Notions de semi-conducteurs
7

 Il ya deux types de semi-conducteurs :

- semi-conducteur dopé N
- semi-conducteur dopé P

 Le dopage de type N consiste à augmenter la densité en électrons dans le

semi-conducteur

 Le dopage de type P consiste à augmenter la densité en trous dans le semi-

conducteur

 Une jonction P-N est créée par la mise en contact d'un semi-conducteur dopé
P et d'un semi-conducteur dopé N

 La jonction P-N est à la base du composant électronique « diode »

4. Diode à jonction PN
8
■Une jonction PN est la limite de séparation entre
un semi-conducteur de type N et un semi-
conducteur de type P.

■Caractéristique courant- tension

d’une diode idéale :

■Ce type de composant est utile pour réaliser des fonctions électroniques telles que le
redressement d’une tension, la mise en forme des signaux (écrêtage, …).

■La diode (même idéale) est un composant non-linéaire

 5. Caractéristique d’une diode réelle
Régime statique
(tension et courant
indépendants du
temps)

■ Pour Vd <0, la diode se comporte comme un bon isolant : Is ~ 1 pA - 1µA ,

➥ la diode est dite “bloquée”
➥ dans ce domaine son comportement est approximativement linéaire
➥ le courant “inverse”, Is , augmente avec la température

■ Pour Vd >> ~0.7, le courant augmente rapidement avec une variation à peu près linéaire
➥ la diode est dite “passante”
➥ mais Id n’est pas proportionnel à Vd (il existe une “tension seuil”~ Vo)

9
 Id
140

100

60

20

-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 Vo1 Vd

■ Zone « du coude » : Vd [0,~ Vo] : augmentation exponentielle du courant

 avec 1 2 (eta  : facteur “d’idéalité”)
I d  I s expVd  1
  VT = k • T/e
  VT  
k = 1,38 10-23 J/K= constante de Boltzmann
e= 1.6 10-19Coulomb, T la température en °Kelvin
Is = courant inverse

➥ le comportement est fortement non-linéaire

➥ forte variation avec la température
☛ VT (300K) = 26 mV

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 6. Diode dans un circuit et droite de charge
6.1 Point de fonctionnement

■ Comment déterminer la tension aux bornes d’une diode insérée dans un circuit et le
courant qui la traverse?

Id
Val Vd
RL VR Id , V d ,?

➪Id et Vd respectent les Lois de Kirchhoff

➪Id et Vd sont sur la caractéristique I(V) du composant

➪Au point de fonctionnement de la diode, (Id,Vd) remplissent ces deux conditions

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6.2 Droite de charge
V  Vd
■ Loi des mailles :   I d  al = Droite de charge de la diode dans le circuit
RL
Avec Vd = V0 + r Id (caractéristique de la diode) r : résistance dynamique de la diode

➪ Le point de fonctionnement Q peut être déterminé graphiquement en traçant sur un même

graphique la droite de charge statique définit par l’équation : , Q est l’intersection des
deux courbes.

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6.2 Droite de charge
V  Vd
■ Loi des mailles :   I d  al = Droite de charge de la diode dans le circuit
RL
Avec Vd = V0 + r Id (caractéristique de la diode) r : résistance dynamique de la diode

➪On peut “calculer" analytiquement le point de fonctionnement en décrivant la diode par un

modèle simplifié. Les coordonnées du point de fonctionnement Q (VQ, IQ) seront déterminées
comme suit :
D’une part on a : VQ = V0 + r IQ (caractéristique de la diode); et d’autre part VQ = Val - R IQ (loi
des mailles), d’où :
IQ = (Val –V0)/ (R+r) ; VQ = (Val .r +V0.R)/ (R+r)

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 7. Schéma équivalent pour modèles statiques
7.1 “Première” approximation: Diode « idéale »  hyp: Id, Vd constants

 On néglige l’écart entre les caractéristiques réelle et idéale

Id
● pas de tension seuil (Vo = 0) Id
● conducteur parfait sous polarisation directe
Vd Vd
● Vd < 0 : circuit ouvert

■ Schémas équivalents :
Ri
Id
pente=1/Ri diode “passante”
Val  I d 0
Val >0 Vd
V
Ri Val I d  al , Vd  0
Ri

Val Id Ri
diode “bloquée”
Val< 0 Vd Val  Vd 0

Val I d  0, Vd Val
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7.2 Seconde approximation

● tension seuil Vo non nulle Id

Id
● caractéristique directe verticale
Vd
(pas de “résistance série r”)
● Vd <0: circuit ouvert
Vd
Vo
☛ Pour une diode en Silicium : Vo  0,6-0,7 V

schémas équivalents :
■ Schémas équivalents pente=1/Ri Ri
Id diode “passante”
Vo Val V  I d 0
o
Val >Vo Vd
V V
Ri Vo Val I d  al o , Vd Vo
Ri
Val Id Ri
diode “bloquée”
Val  Vd  Vo
Val<V o Vd
Val I d  0, Vd Val

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7.3 3ième Approximation
Caractéristique réelle
pente = 1/Rf
● tension seuil Vo non nulle Id
● résistance directe Rf non nulle
Vd
● Vd < 0: résistance Rr finie pente = 1/Rr~0 Modélisation

☛ Pour une diode en silicium, Vd

Vo = 0,6-0.7V, Rf ~ -2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 1
q.q. 10 Rr >> M Vo

■ Schémas équivalents

schémas équivalents :
Id
Val >Vo : pente=1/Ri
Ri Vo
diode passante
Vd Id
Val Vd  I d  0 et Vd Vo
Vo Val Rf  Vd  Vo  R f I d
Id
Ri
Val <Vo :
Vd diode bloquée
Val  Vd  Vo
Val Rr
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Exemple : Calcul de Q du circuit suivant, en utilisant la 3ième approximation pour la diode.

hypothèse initiale : diode passante [Vd >Vo , (Id>0)]

>
Val = 5V RL= Vd OK!
1k
V o Rf V  Vo
Id   I d  al  4,33mA
Informations sur la diode: > R f  RL
Vo = 0.6V ( Si) 5V 1k et Vd  Vo  R f I d  0,66V
Rf = 15
Rr =1M

En partant de l’hypothèse d’une diode bloquée:  Vd  5V Vo 

En utilisant la 2ième approximation: (Rf = 0, Rr = )   I d  4,4mA et Vd 0,6V

➨ La 2ième approx. est souvent suffisante pour une étude rapide du fonctionnemnt d’un circuit

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 Autres exemples :
Caractéristiques des diodes :
1) Rf = 30, Vo=0.6V, Is=0 et RR infinie
50 Calcul de Id et Vd

pour :
Val 1M a)Val =-5V
b) Val =5V

Conseil: simplifier le circuit d’abord avant de vous lancer dans des calculs

2) R1 =1k Etude du signal de sortie en fonction de l’amplitude du signal d’entrée :

• à fréquence nulle : ventrée = Ve (constant)

ventrée vsortie •avec ventrée signal basse fréquence telque le modèle statique reste
Vref=2V valable (période du signal < temps de réponse de la diode pas
d’effet “capacitif” ou )

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3) D1 Caractéristiques des diodes :
Rf = 30, Vo=0.6V, Is=0 et RR infinie
D2
R R
270 270
4.7k VoVs
V1 V2
2V

Déterminer Vs , VD1 et VD2 pour :

a) V1 = V2= 5V
b) V1 = 5V V2= 0V

c) V1 = 0V V2= 0V

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8. Comportement dynamique d ’une diode
8.1 Prélude : Analyse statique / dynamique d’un circuit

L’ Analyse statique

… se limite au calcul des valeurs moyennes des grandeurs électriques

(ou composantes continues, ou encore composantes statiques)

☛ = Analyse complète du circuit si seules des sources statiques sont présentes

L’ Analyse dynamique

… ne concerne que les composantes variables des tensions et courants (ou “signaux” électriques, ou
encore composantes alternatives (AC) )

☛ n’a d’intérêt que s’il y a des sources variables!

Notation : lettres majuscules pour les composantes continues

lettres minuscules pour les composantes variables

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Illustration : Etude la tension aux bornes d’un composant inséré dans un circuit.

R1
hypothèses: ve = signal sinusoïdale
ve Ve = source statique
R2 V(t)
Ve

➨ Analyse statique : V (t) "V" ?

➨ Analyse dynamique : vt   V tV  ?

Calcul complet

R2 R
V t  Ve ve t R2 Ve  R 2R ve t
R1  R2 R1  R2 1 2

V v(t)

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 Par le principe de superposition :
☛ Comme tous les composants sont linéaires, le principe de superposition s’applique
➨ la source statique Ve est à l’origine de V , et ve est à l’origine de v

R1
Analyse statique : ve= 0
R2
Ve V V V
R2 R1  R2 e

“schéma statique” du circuit

R1
Analyse dynamique : Ve =0
vt   2 ve t
R
ve v R1  R2
R2

“schéma dynamique”

☛ Une source de tension statique correspond à un “court-circuit dynamique”

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Autres exemples:
R1 R2
1)
ve Io R3 V(t)=V+v(t)

R1 R2
Schéma statique
R1R3
V Io
V R1  R2  R3
Io R3

Schéma dynamique
R1 R2
R3ve t
vt 
ve R3 v R1  R2  R3

☛ Une source de courant statique est équivalent en régime dynamique à un circuit ouvert.
[puisque i(t)=0!]

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2) ☛ C = composant linéaire caractérisé par une impédance qui
Val dépend de la fréquence du signal

R1
C

Rg
vg R2 V (t)


Schéma statique : à fréquence nulle C = circuit ouvert

Val R2
 V V
R1 R1  R2 al

R2 V

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 Schéma dynamique :
1
Zc 
iC

R2 // R1 1
v  avec Z g  Rg 
R1 R2 // R1 Z g iC
ZC

vg Rg
 R2 v

schéma équivalent dynamique

R2 // R1
pour  suffisamment élevée : Z g  Rg et v v
R2 // R1  Rg g

☛ A “haute” fréquence (à préciser suivant le cas), le condensateur peut être remplacé par un
court-circuit.

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9. Quelques diodes spéciales
Diode Zener
☛ Diode conçue pour fonctionner dans la zone de claquage inverse, caractérisée par une
tension seuil négative ou « tension Zener » (VZ)

■ Caractéristiques
VZ : tension Zener (par définition: VZ >0)
Id
Imin : courant minimal (en valeur absolue) au delà
-Vz Vd duquel commence le domaine linéaire “Zener”
-Imin
Imax : courant max. supporté par la diode
(puissance max:Pmax ~VZImax)

dI d
RZ: “résistance Zener”=
-Imax dVd V V
d z

Ordre de grandeur : VZ ~1-100 V , Imin ~0,01- 0,1mA

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■ schémas équivalents
➪Modèle statique :
hyp : Q  domaine Zener

Rz
Vd
Id

Id
+ Vz
-Vz Vd
-Imin
Q
pente
1/Rz

-Imax

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 Diode tunnel

➪Exploite l’effet tunnel à travers la jonction PN (cf. Mécanique quantique)

■ Caractéristique I(V) :
I

Q ➪rf négative, utile pour les circuits résonnants

vs R !
vg  1
v g R r f

Vpol R vs ☛ Cet type d’amplificateur est peu utilisé

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Diode électroluminescente (ou LED)

■ Principe : La circulation du courant provoque la luminescence

➪ Fonctionnement sous polarisation directe (V > Vo)

➪L’intensité lumineuse  courant électriqueId

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10. Applications des Diodes
1. Limiteur de crête (clipping)
■ Fonction : Protéger les circuits sensibles (circuits intégrés, amplificateur à grand gain…) contre
une tension d’entrée trop élevée ou d’une polarité donnée.

Exemple : clipping parallèle Rg

(diode // charge)
circuit à
Vg Ve Ze protéger

Fonctionnement :

droite de charge I ➪quand Vg(t) > Vo= 0.7V : Ve Vo

d

Vg Ze
➪quand Vg(t)< Vo : Ve  V
Rg Q Z e  Rg g
Vd=Ve
Vo ☛ Protection contre les tensions supérieures à ~1V
V e

Limite d’utilisation : Puissance maximale tolérée par la diode :

Vg  0,6
Pmax  Vo  I d max  Vo  (si Ze>> q.q.  )
Rg
3
0
Clipping série : Rg

circuit à
Vg Ve(t) Ze protéger

Fonctionnement : ➨ Tant que Vg < Vo , la diode est bloquée et le circuit protégé…


➨ Pour Vg > Vo : Ve  Vg 0,6 Z Ze
 R
 Vg  0,6  Vg
e g

➨ Le circuit est protégé contre toute tension inférieure à Vo (en

particulier les tensions négatives)

Limite d’utilisation : Puissance maximale tolérée par la diode :

Vg  0,6 Vg
I d max  
Rg  Ze Rg Ze

☛ Comment peut-on modifier le circuit pour protéger la charge contre des tensions positive4s?6
Protection contre une surtension inductive

+20V ■ ouverture de l’interrupteur : +20V ■ Protection par diode :

➪ V  L dI   ➪Vmax<0 ~ - 0.7V
V L dt
V
➪VA  + ➪VA  ~20,7V
I
I
A ➪risque de décharge électrique à ➪la conduction de la
travers l’interrupteur ouvert diode engendre un courant
transitoire et diminue la
☛ L’interrupteur pourrait être un tension inductive.
transistor...

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Exercices : Quelle est la forme de V(t) pour chacun des circuits suivants ?

(1) Vg Rc V (2) Vg Rc V
Dz
V1
V2

(3) Détecteur de fronts de montée

C
T

R Rc V
RC >> T

33
 2. Redressement

■Objectif: Transformer un signal alternatif en tension continue stable

(ex: pour l’alimentation d’un appareil en tension continue à partir du secteur)

Redressement simple alternance

Vs  Vm 0.7
220V
50Hz Vs Rc
(cf avant)
t
Ri =résistance de sortie du transformateur
Vm =amplitude du signal du secondaire

avec filtrage passe-bas :

R ➪ Le condensateur se charge à travers R (+Rf ) et se
décharge à travers Rc:
220V R C  RcC
Vs
50Hz Vs Rc

ondulation résiduelle
R, C, f
t

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☛ mauvais rendement : la moitié du signal d’entrée n’est pas exploitée
Redressement double alternace (pont de Graetz)

R ■ Fonctionnement

➪quand Vi > ~1.4V :

D1 D2 D1 et D4 = passants, D2 et D3 =bloquées
Vi Vs Rc Parcours du courant :

D3 D4 ➪quand Vi < ~ -1.4V :

D1 et D4 = bloquées, D2 et D3 =passantes
Parcours du courant :

Vs ,Vi
~1.4V

Vi  1.4V

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avec filtrage : 50 
R
D1 D2

Rc=10k
Vi Vs
200µF
D3 D4

Vs

avec condensateur
sans condensateur

➪Ondulation résiduelle réduite

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Courant transitoire de mise sous tension :
☛ C est initialement déchargé  VC  0
➨ Id peut devenir trop élevé

V 1,4
I d max  i
R (mA)
ID2
➪Idmax dépend de R et C Vs
60

40 Vsecondaire
[Vm =10V]
20

régime transitoire

➪ Diodes de puissance

✎ Les 4 diodes du pont de Graetz existe sous forme d’un composant unique (ou discret)

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Autres configurations possibles :
■ Utilisation d’un transformateur à point milieu :

☛ mauvais rendement, puisqu’à

secteur
chaque instant seule la moitié du
~
bobinage secondaire est utilisé

transformateur à
point milieu

■ Alimentation symétrique :

+Val

secteur
~ masse

-Val

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3. Restitution d ’une composante continue (clamping)

■ Fonction : Décaler le signal vers les tensions positives (ounégatives)

 reconstitution d’une composante continue (valeur moyenne) non nulle

Exemple : Rg C

Vg(t) Vc Vd
D

Fonctionnement : On supposera la diode idéale (1ière approx.)

● Lorsque Vg - Vc > 0, la diode est passante ● Lorsque Vg - Vc <0, la diode est bloquée
Rg C Rg C

Vc Vc
Vg Vd Vg Vd

➨ C se charge et Vc tend vers Vg ➨Vc = constant (C ne peut se décharger!)

➨Vd = 0 ➨Vd = Vg +Vc
➥ ~ composante continue
54
☛ Quelle est l’effet de la tension seuil Vo de la diode (non prise en compte ci-dessus)?
 ● Cas particulier : Rg C
Vg  Vm sin  t  pour t  0
Vg(t) Vc Vd
Vc  0 pour t  0 (C déchargé) D
➨ Phase transitoire au cours de laquelle le condensateur se charge

C=1µF
Simulation Rg
Vg =1k f=
100hz
Vc
charge du condensateur Vm =5V

Vd 0.7V

Vd
t (s)

40
➪Charge de C avec une constante de temps de RgC à chaque fois que la diode est passante

➪Décharge de C avec une constante de temps RrC

➪le circuit rempli ses fonctions, si pour f >>1/RrC (105hz dans l’exemple) :

➥ en régime permanent: Vd  Vg - Vm

composante continue

Exercice : Modifier le circuit pour obtenir une composante continue positive.

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 4. Restitution d ’une composante continue (clamping)
■Fonction : Produire une tension de sortie continue à partir d’un signal d’entrée variable. La
tension continue est généralement un multiple de l’amplitude du signal d’entrée.
Exemple : doubleur de tension
Rg C Vg  Vm sin2f  t  pour t  0

Vm=10V, f=50Hz, C=10µF

Vg ~ VD1 VRc Rc>> Rg
C
Rc=100k.

clamping redresseur monoalternance

VD1 ,VRc
☛ En régime établi, le courant d’entrée du
redresseur est faible (~ impédance d’entrée
élevée)

 VRc  2 Vm 1,4  2 Vm

t
☛ Il ne s’agit pas d’une bonne source de
tension, puisque le courant de sortie (dans Rc)
doit rester faible (~ résistance interne élevée)
régime transitoire / permanent 57
Autre exemples : Doubleur de tension

source
AC
charge

➩ assemblage de deux redresseurs monoalternance en parallèle.

➩l’impédance d’entrée de la charge doit être >> Rf + Rtransformateur+Rprotection

☛ source “flottante”  nécessité dutransformateur

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