Cours d’Electronique Analogique

Chapitre 1. Diodes à semi-conducteurs

Filière. LEEA

Niveau 1

1
2. Les Diodes

Id
Id
 Caractéristique courant- Vd
sous polarisation “directe”
tension d’une diode (“Vd0”), la diode = court-circuit
idéale : (i.e. conducteur parfait)

Vd
sous polarisation “inverse” (Vd<0)
la diode = circuit ouvert

 Ce type de composant est utile pour réaliser des fonctions électroniques

telles que le redressement d’une tension, la mise en forme des signaux
(écrêtage, …).

La diode (même idéale) est un composant non-linéaire

 Aujourd’hui la majorité des diodes sont faites à partir de matériaux

semiconducteurs (jonction PN ou diode Schottky) 2
2.2 Caractéristiques d’une diode réelle à base de Silicium
hyp: régime statique
(tension et courant Id
indépendants du
140
temps) comportement linéaire
100

60

20
Is
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5
Vo1
Vd

 Pour Vd <0, la diode se comporte comme un bon isolant : Is ~ 1 pA - 1µA ,

 la diode est dite “bloquée”
 dans ce domaine son comportement est approximativement linéaire
 le courant “inverse”, Is , augmente avec la température

 Pour Vd >> ~0.7, le courant augmente rapidement avec une variation à peu
près linéaire
 la diode est dite “passante”
 mais Id n’est pas proportionnel à Vd (il existe une “tension seuil”~ Vo)
3
 Id
140

100

60

20

-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5

Vo1
Vd

 Zone 1: Vd [0,~ Vo] : augmentation exponentielle du courant

  V   avec 1 2 (facteur “d’idéalité”)

I d  I s exp d   1
   VT   VT = k • T/e
k = 1,38 10-23 J/K= constante de Boltzmann
e= 1.6 10-19Coulomb, T la température en °Kelvin
Is = courant inverse

 le comportement est fortement non-linéaire

 forte variation avec la température

 VT (300K) = 26 mV
4
Limites de fonctionnement :

 Zone de claquage inverse Id

Ordre de grandeur :
VdId=Pmax
Vmax = quelques dizaines de Volts Vmax

Vo Vd
 peut conduire à la destruction pour une
diode non conçue pour fonctionner dans
cette zone.

 Vmax = « P.I. V » (Peak Inverse Voltage) ou claquage par effet

« P.R.V » (Peak Reverse Voltage) Zener ou Avalanche
 Limitation en puissance

Il faut que VdId=Pmax

 Influence de T : diode bloquée : Id = IS double tous les 10°C (diode en Si)

diode passante : Vd (à Id constant) diminue de ~2mV/°C

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2.3 Diode dans un circuit et droite de charge

2.3.1 Point de fonctionnement

 Comment déterminer la tension aux bornes d’une diode insérée dans un circuit et le
courant qui la traverse?

Id
E Vd Id , Vd, ?
RL VR

 Id et Vd respectent les Lois de Kirchhoff

 Id et Vd sont sur la caractéristique I(V) du composant

 Au point de fonctionnement de la diode, (Id,Vd) remplissent ces deux conditions

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2.3.2 Droite de charge
E  Vd
 Loi de Kirchoff :   Id  = Droite de charge de la diode dans le circuit
RL

Caractéristique I(V)

Id
E/RL
Q
IQ Q= Point de fonctionnement

« Droite de charge »

Vd
VQ E

 Connaissant Id(Vd) on peut déterminer graphiquement le point de fonctionnement

 procédure valable quelque soit la caractéristique I(V) du composant !

 On peut “calculer” le point de fonctionnement en décrivant la diode par un modèle simplifié.

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2.4 Modéles Statiques à segments linéaires  hyp: Id, Vd constants

2.4.1. “Première” approximation: Diode « idéale »

 On néglige l’écart entre les caractéristiques réelle et idéale

Id
 pas de tension seuil Id
 conducteur parfait sous polarisation directe
Vd Vd
 Vd <0: circuit ouvert

 Schémas équivalents :
Ri
Id
pente=1/Ri diode “passante”
E  Id  0
E>0 Vd
E
R1 E Id  , Vd  0
R1

E Id Ri
diode “bloquée”
E< 0 Vd E  Vd  0

E I d  0, Vd  E
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2.4.2 Seconde approximation

tension seuil Vo non nulle Id


Id
 caractéristique directe verticale
Vd
(pas de “résistance série”)
 Vd <0: circuit ouvert
Vd
Vo
 Pour une diode en Si: Vo  0,6-0,7 V

schémas équivalents :
 Schémas équivalents Ri
Id diode “passante”
pente=1/Ri
E
V  Id  0
o
E>Vo Vd
E  Vo
R1 Vo E Id  , Vd  Vo
Ri

E Id Ri
diode “bloquée”
E  Vd  Vo
E<Vo Vd
I d  0, Vd  E
E

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2.4.3 3ième Approximation
Caractéristique réelle
pente = 1/Rf
 tension seuil Vo non nulle Id
 résistance directe Rf non nulle
Vd
 Vd <0: résistance Rr finie pente = 1/Rr~0 Modélisation

 Pour une diode en silicium, Vo = 0,6- Vd

0.7V, Rf ~ q.q. 10W, Rr >> MW, -2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 1
Vo

 Schémas équivalents
schémas équivalents :
Id
E >Vo : pente=1/Ri
Ri Vo
diode passante
Vd E Vd Id
 I d  0 et Vd  Vo
Vo Val Rf  Vd  Vo  R f I d
Id
Ri
E <Vo :
Vd diode bloquée
E  Vd  Vo
Val Rr
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Remarques :

V
 Rf  d
Id

 Le choix du modèle dépend de la précision requise.

 Les effets secondaires (influence de la température, non-

linéarité de la caractéristique inverse, ….) sont pris en compte par
des modèles plus évolués (modèles utilisés dans les simulateurs de
circuit de type SPICE).

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 Modélisation

Résumé
IF VF
IF
VF
IF

VF
VS
Diode bloquée :
Diode passante :
VAK ou VF IF=0 ; VF<VS
IF>0 ; VF=rd+IFVS
Diode bloquée :
 VV F  IF
IF=0 ; VF<VS IF  I S   e T  1
  VS rd
 

IF VF
IF VF

IF

VF
VS VF
Diode bloquée : Diode bloquée : Diode passante :
Diode passante :
IF=0 ; VF<VS IF=0 ; VF<VS IF>0 ; VF=0
IF>0 ; VF=VS
IF
IF
VS
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 Exemple : Calcul de Q du circuit suivant, en utilisant la 3ième approximation pour la diode.

hypothèse initiale : diode passante [Vd >Vo , (Id>0)]

>
Val = 5V RL= Vd OK!
1kW
Id Vo Rf V  Vo
  I d  al  4,33mA
Informations sur la diode: > R f  RL
Vo = 0.6V ( Si) 5V 1kW et Vd  Vo  R f I d  0,66V
Rf = 15W
Rr =1MW

En partant de l’hypothèse d’une diode bloquée:  Vd  5V  Vo 

En utilisant la 2ième approximation: (Rf = 0, Rr = )   I d  4,4mA et Vd  0,6V

 La 2ième approx. est souvent suffisante pour une étude qualitative du fonctionnement d’un circuit

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 Autres exemples :
50W Caractéristiques des diodes :
1) Rf = 30W, Vo=0.6V, R r infinie
Calcul de Id et Vd
1MW
pour :
E a) E = -5V
b) E= 5V

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2.6 Quelques diodes spéciales

2.6.1 Diode Zener

 Diode conçue pour fonctionner dans la zone de claquage inverse, caractérisée par une tension
seuil négative ou « tension Zener » (VZ)

 Caractéristiques
VZ : tension Zener (par définition: VZ >0)
Id
Imin : courant minimal (en valeur absolue) au delà
-Vz Vd duquel commence le domaine linéaire “Zener”
-Imin
Imax : courant max. supporté par la diode
(puissance max:Pmax ~VZImax)

-Imax

Ordre de grandeur : VZ ~1-100 V , Imin ~0,01- 0,1mA, Pmax  régime de fonctionnement

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 schémas équivalents
 Modèle statique :
hyp : Q  domaine Zener

Rz
Vd 
Id Id
Vz
+
-Vz Vd
-Imin
Q Modèle diode réelle
pente
1/Rz

-Imax

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2.6.2 Diode électroluminescente (ou LED)

 Principe : La circulation du courant provoque la luminescence

 Fonctionnement sous polarisation directe (V > Vo)

 L’intensité lumineuse  courant électriqueId

 Ne marche pas avec le Si

 Vo  0.7V ; (AsGa: ~1.3V)

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3. Applications des Diodes

3.1 Limiteur de crête (clipping)

 Fonction : Protéger les circuits sensibles (circuits intégrés, amplificateur à grand gain…) contre
une tension d’entrée trop élevée ou d’une polarité donnée.

Clipping parallèle
(diode // charge) droite de charge
Id
Rg Vg
circuit à Rg // Z e Q
Vg Ve Ze protéger Vd=Ve
Vo
Vg
Limite d’utilisation : Puissance maximale tolérée par la diode.

Clipping série :
Rg

circuit à
Vg Ve(t) Ze protéger
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Protection contre une surtension inductive (ex: ouverture/ fermeture d’un relais)

+20V  ouverture de l’interrupteur : +20V  Protection par diode :

dI
 V L    Vmax<0 ~ - 0.7V
V L dt
V
 VA  +  VA  ~20,7V
I
I
A risque de décharge électrique à  la conduction de la
travers l’interrupteur ouvert diode engendre un courant
transitoire et diminue la
 L’interrupteur pourrait être tension inductive.
un transistor...

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3.2 Alimentation
 Objectif: Transformer un signal alternatif en tension continue stable
(ex: pour l’alimentation d’un appareil en tension continue à partir du secteur)

Les fonctions effectuée par une alimentation :

Redressement Filtrage passe-bas Régulation

V>0

V<0

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Redressement simple alternance
Vs  Vm  0.7
220V
50Hz Vs Rc
(cf avant)
t
Ri =résistance de sortie du transformateur
Vm =amplitude du signal du secondaire

Redressement double alternance (pont de Graetz)

R
D1 Vs V
,i ~1.4V
D2

Vi Vs Rc
t
D3 D4 Vi  1 .4V

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avec filtrage : 50 W
R
D1 D2

Rc=10kW
Vi Vs
200µF
D3 D4

ondulation résiduelle

Charge du condensateur à travers R

et décharge à travers Rc
 RC << RcC

sans condensateur
avec condensateur

Régulation: utilisation d’une diode Zener, 22

23