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LES DIODES A JONCTION

LES DIODES A JONCTION

I Rappel des principales proprits du semi-conducteur


Le semi-conducteur est un corps solide qui la temprature 0 K est un isolant parfait ,
mais qui devient un mauvais conducteur la temprature normale.

La rsistivit du silicium pur est denviron 200 000 .cm . Rappelons que celle du
cuivre est de 1.6 . 10-6 .cm et celle du mica 1017 .cm .

On peut expliquer ce phnomne de la manire suivante :

Dans un atome, les lectrons se rpartissent en couches ; chaque couche correspond


une nergie. Pour passer dune couche lautre, llectron doit acqurir une nergie gale la
diffrence dnergie entre les deux couches.

Dans un corps solide, les couches constituent des bandes dnergie :

bande interdite o llectron ne peut se trouver ;


bande permise o llectron peut se trouver avec lnergie correspondante .

w ( nergie )

Bande permise
Bande interdite

Bande permise
Bande interdite

A la temprature T = 0 K , les lectrons se trouvent dans les bandes dnergie les plus
basses .

Dans le cas dun corps conducteur, la bande occupe nest pas pleine, les lectrons se
dplacent en rendant le corps conducteur, lorsquil y a un apport dnergie, mme faible .

Dans le cas dun corps isolant, la bande occupe est pleine : llectron ne peut se
dplacer quen franchissant la bande interdite moyennant un apport dnergie important. Dans
le cas du semi-conducteur, la hauteur de la bande interdite est faible ( de lordre de 1 eV ) .

1
LES DIODES A JONCTION

1/ Semi-conducteur intrinsque

Le semi-conducteur ne contient aucune impuret. La conduction seffectue par le


passage des lectrons dune bande permise lautre .

On distingue :

la bande de valence : la bande la plus basse, compltement occupe, correspondant


lnergie wv ;
la bande de conduction : la bande permise immdiatement suprieure la dernire,
correspondant lnergie wc .

i1

wc - Bande de conduction

E Bande inderdite

wv
+ Bande de valence

i2

La largeur de la bande interdite sexprime par : w = wc - wv

Laugmentation de temprature fait crotre lnergie de llectron et le libre de la bande


de valence ; mais en quittant cette dernire, il laisse un vide qui se manifeste comme une
absence dune charge ngative. Cette absence est interprte comme la prsence dune charge
positive appele trou .

Cette interprtation est justifie par le fait suivant :

Lorsquon applique un champ lectrique E dans la bande de conduction, on obtient un


courant i1 dans le sens de E parce que les lectrons se dplacent dans le sens oppos ; dans la
bande de valence, le dplacement des lectrons dans le sens contraire de E est traduit par
celui de trous dans le sens du champ . On obtient galement un courant i2 dans le sens de E .

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Lagitation thermique cre des paires lectron-trou dont le nombre est qualifi par la

W
-
2 3
concentration intrinsque ni : n A.T .e
i
K. T

A : constante dpendant du type de semi-conducteur ;


T : temprature absolue ;
w : largeur de la bande interdite ;
k : constante de Boltzman : 1.38 . 10-23 joule / C .

2/ Semi-conducteur extrinsque ( N ou P )

Limportance de la conduction peut tre accrue par addition dune faible quantit de
corps trangers appels impurets. On obtient :

le semi-conducteur de type N qui possde un excs dlectrons. Dans ce cas, on


ajoute aux atomes ttravalents du silicium des atomes pentavalents ( arsenic par
exemple ), la conduction est assure par les lectrons libres de ces derniers ;

le semi-conducteur de type P qui possde un excs de trous. On ajoute alors aux


atomes ttravalents du silicium des atomes trivalents ( indium par exemple ) qui
captent les lectrons des atomes prcdents pour crer des trous .

Les atomes trivalents sont appels accepteurs, tandis que les atomes pentavalents sont
appels donneurs .

II Fonctionnement dune diode jonction PN

Son symbole est reprsent la figure suivante : A K

V
A tant lanode, K tant la cathode .

Ce composant est constitu par une jonction PN qui est une superposition de deux types
de semi-conducteurs P et N dont la conductivit passe graduellement dun type lautre .

Une jonction est dite polarise quand on applique une d.d.p ( diffrence de potentiel )
ses bornes. La polarisation est directe lorsque le potentiel appliqu en A est suprieur celui
appliqu en K. Elle est inverse dans le cas contraire .

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On montre que le courant I qui traverse la jonction obit la loi :

q.V

I Is . e k.T
-1

V tant la tension applique aux bornes de la diode .

q : charge de llectron = 1.6 . 10-19 Coulomb ;


k : constante de Boltzman = 1.38 . 10-23 J/K ;
T : temprature absolue ( temprature KELVIN ) ;
Is : courant de saturation inverse ( Is 0 ) .

En polarisation directe ( V 0 ) , le terme constant est trs vite ngligeable et le courant


direct peut se mettre sous la forme :

q.V

Id Is . e k .T

Prenons un exemple : V = 0.1 V ; T = 27 C T = 300 K

-19
11.6 . 10 . 0.1

- 1 I s . 47.7 - 1 47.7 I s - I s 47.7 I s
- 23
I Is . e .38 . 10 . 300

En polarisation inverse ( V 0 ) , le terme constant est trs vite prpondrant et le


courant inverse peut se mettre sous la forme : Ii Is

Prenons un exemple : V = - 0.1 V ; T = 27 C T = 300 K


-19
1.61.38. 10. 10 . ( - 0.1)

I I s . e - 1 I s . 0.02 - 1 - I s
- 23
. 300

donc : I - Is soit Ii Is

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Remarque :

On entend par courant direct, le courant IAK 0 , et par courant inverse, le courant
IKA 0 . Le courant inverse Ii ( appele aussi courant de fuite ) garde une intensit trs
faible et pratiquement constante Is lorsque la tension V est ngative .

A titre indicatif , Is = 1 nF pour le silicium

Wi
-
3
On montre que : Is C . T . e k.T

wi = 0.72 eV pour une jonction au Germanium ;


wi : nergie de conduction
wi = 1.12 eV pour une jonction au Silicium .

C : coefficient dpendant du semi-conducteur .

Remarque : 1 eV correspond une nergie gale 1.6 . 10 19 Joules

La figure ci-dessous montre la variation de I en fonction de V .

T2 T1

Id max T1

Polarisation directe

Vi max
V
- Is 0 Vo Vd max

Polarisation inverse Id max : Courant direct max


Vd max : Tension directe max
Vi max : Tension inverse max
Vo : Tension de seuil

Zone de claquage inverse

Variation de I en fonction de V

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Remarques :

a/ 0.55 V Vo 0.7 V pour une diode au silicium (Si) ;

0.15 V Vo 0.3 V pour une diode au germanium (Ge) .

- 2.3 mV / C pour le silicium ;


Ce seuil dcrot quand la temprature s'lve :
- 2.1 mV / C pour le germanium .

b/ Si on polarise une jonction dans le sens inverse, elle ne conduit pas le courant ,
elle est bloque, moins que :

la temprature soit assez leve pour permettre le passage d'un courant inverse
important, tempratures limites : 85 C pour le germanium et 175 C pour le
silicium : c'est le claquage thermique .

le champ lectrique dans la jonction soit trop leve ( jonction trs mince ) :
c'est le claquage par effet zener , aux environs de 4V .

la tension inverse soit trop leve ( entre quelques Volts et quelques centaines de Volts
selon les diodes ) : c'est le claquage par avalanche .

Le claquage inverse est destructif si le courant n'est pas limit par un dispositif
externe .

c/ On notera enfin que l'influence de la temprature est beaucoup plus sensible en


polarisation inverse qu'en polarisation directe [ voir courbe pointill rouge ci-dessus :
I = f (T) alors que Is = f ( T 3 ) ].

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III Mthodes d'tudes des montages diode de redressement

Comme toute fonction de l'lectronique, les montages diodes peuvent tre tudis
partir des 2 mthodes suivantes : mthode par modlisation ;
mthode graphique .

1/ Mthode par modlisation

La modlisation d'un composant consiste remplacer la caractristique relle I = f (V)


par des segments de droite . A chaque segment de droite correspond un schma lectrique
quivalent .

A la caractristique statique relle I = f (V) d'une diode ( composant non linaire )


correspondent 3 caractristiques modlises dont le choix est fonction de l'utilisation .

1ire caractristique :

On ne tient pas compte de la tension seuil; la diode est alors quivalente :

en direct , un court-circuit , R = 0 ;
en inverse , un circuit ouvert , R = .

C'est un interrupteur, cette


caractristique est utilise dans le
R=0 domaine du redressement chaque
R= fois que la ou les tensions
appliques au circuit tudi sont
importantes ( au del de 10 V ) .
V
O

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2ire caractristique :

La tension de seuil n'est plus ngligeable ou est volontairement utilise . La diode est
quivalente :
en direct , un rcepteur de force contre lectro-motrice (fcem) Vo ;
en inverse , un circuit ouvert , R = .

A
I Cette caractristique est utilise
dans le domaine de l'lectronique du
Vo signal lorsque le courant direct reste
R= faible devant le courant maximum ,
K ( la chute de tension est donc faible)
et la tension de source faible
V
O Vo

3ire caractristique :

La tension de seuil et la chute de tension rsistive ne sont plus ngligeables . La diode est
quivalente :

en direct , un rcepteur de force contre lectro-motrice (fcem) Vo en srie avec


V V - Vo
une rsistance R d max : rsistance interne ( appele aussi
I I max
rsistance dynamique ) .

en inverse , un circuit ouvert , R = .

I
A
Imax
Cette caractristique est utilise
dans le domaine du redressement ,
Rd
lorsqu'on travaille avec des faibles
R= Vo tensions de source et des forts
courants .
K
V
O Vo Vmax

Lorsque la diode conduit , on a : V = Vo + Rd . I

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LES DIODES A JONCTION

2/ Mthode graphique

a) rgime statique

Cette mthode fait intervenir l'quation du circuit lectrique en rgime statique que l'on
appelle quation de la droite de charge .

R I

Prenons l'exemple ci-contre : V


E D

On donne la caractristique statique I = f (V) de la diode .

E
R

P
Io 1
pente = -
R

V
O Vo E

A partir de la loi des mailles de Khirchoff, on crit :

1 E
E V R .I soit I - .V :
R R

C'est l'quation de la droite de charge coupant les axes aux valeurs :

V=E pour I=0 ( axe des abcisses ) ;

E
I pour V=0 ( axe des ordonnes ) .
R

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Les 2 diples ( E , R ) & ( D ) tant branchs l'un sur l'autre , le point de


fonctionnement ne peut tre que le point d'intersection de la droite de charge statique avec la
caractristique I = f (V) .

Le point de rencontre de ces 2 fonctions fournit la tension aux bornes de la diode ainsi
que la valeur du courant qui la traverse .

Soit P ( Io , Vo ) ce point de rencontre ; il est appel point de fonctionnement du


montage .

b) rgime dynamique

On propose le montage suivant o eg(t) est une tension sinusodale de la forme :

eg (t) = Emax . sin .t

R i(t)

E
e(t) v(t)
eg(t) D

Le problme consiste dterminer le point de fonctionnement du montage . Les


coordonnes de ce point sont solutions du systme :

i = f (v) : caractristique de la diode

v = e(t) R.i : droite de charge

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LES DIODES A JONCTION

Lorsque t varie, e(t) varie entre e1 = E + Emax et e2 = E - Emax .

La droite de charge se dplace donc paralllement elle-mme entre 2 droites extrmes

1 et 2 correspondant respectivement e1 et e2 .

eg(t) = 0 v = E R.i 0

eg(t) = + Emax v = (E +Emax ) R.i 1

eg(t) = - Emax v = (E Emax) R.i 2

eg (t) = + Emax
1

0 P1 eg (t) = 0

2 P
eg (t) = - Emax
P2

e2 E e1 v
O

Lorsque t varie, le point de fonctionnement dcrit donc la portion P1P2 de caractristique

limite par les intersections avec 1 et 2 .

Les prtojections sur chacun des axes des diffrents positions du point de fonctionnement

nous permettent de tracer les graphes de i(t) et v(t) .

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LES DIODES A JONCTION

i i

P1

Po

P2

o e2 E e1 v o t

o
v

Si Emax est faible , on dit que le systme travaille en rgime de petits signaux .
On constate alors que les sigaux v(t) et i(t) sont sensiblement sinusodaux . On dit encore
que le systme travaille en rgime linaire .

La portin de caractristique P1P2 dcrite peut tre assimile un segment de droite dont
la pente est appele rsistance dynamique ( rd ) de la diode .

v
Soit rd ; " " signifie petit accroissement .
i

Si la portion P1P2 de caractristique dcrite appartient la partie rectiligne de la

caractristique alors rd = Rd , " Rd " tant la rsistance interne de la diode .

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LES DIODES A JONCTION

Si Emax est important, on dit que le systme travaille en rgime de grands signaux.
L'approximation prcdente qui consiste assimiler la portion de caractristique dcrite un
segment de droite n'est videmment plus possible.

Si les variations de eg (t) sont sinusodales, celles de v(t) et i(t) sont seulement
priodique. On dit qu'il y a distorsion .

i i

P1

Po
P2
v t
e2 o E e1 o

o v

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IV Exemples d'application des diodes d'utilisation courante :

Remarques :

1. Les diodes utilises seront toutes considres parfaites (1ire modlisation) .


2. La tension d'alimentation " e(t) " est de la forme : e(t) = E . sin t .

1/ Redressement sur charge rsistive

Comme en lectronique, on travaille avec des tensions d'alimentation positives,


ngatives ou symtriques par rapport au zro lectrique, il y a lieu de considrer les 3 schmas
possibles .

a) Redressement simple alternance

Il est utilis pour de trs faibles puissances, c'est--dire lorsque l'intensit circulant dans
la charge ne dpasse pas quelques dizaines de milliampres .

a.1 Alimentation positive

D i(t)

u(t)
e(t) R

e(t)
T
+ E

t
o
-E

u(t)

T
+E

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Valeur moyenne de u(t) :

1 T 1 T/2 E
U moy . u (t) . dt . E . sin t . dt U moy - . cos t T/2

T 0 T 0
0
.T

E E
Umoy - . cos - cos 0 Soit Umoy
2.

Valeur efficace de u(t) :

2 1 T 2 1 T/2
U eff . u (t) . dt Ueff . E 2 . sin 2 t . dt
T 0 T 0

1 - cos 2 t
or sin 2 t donc :
2

E2 T / 2 1 T/2 cos 2 t E2 T 1
U eff . . dt - . dt . - . sin 2 . t T/2
T 0 0
2 0 2 T 4 4

E
Soit : U eff puisque sin 2 . t T0 / 2 0
2

Puissance moyenne disssipe dans R :

1 T 1 T/2 E
Pmoy . u (t) . i(t) . dt . ( E . sin t ) . . sin t . dt
T 0 T 0 R
E2 T/2
. sin 2 t . dt
R .T 0

E2 T/2 T
Soit Pmoy puisque sin 2 t . dt
4.R 0 4

E E U eff
On peut alors crire : Pmoy . D' o : Pmoy U eff . U eff . I eff
2 2.R R

Remarque
: La tenue en inverse de la diode doit tre suprieure E .

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a.2 Alimentation ngative

Il suffit d'inverser la diode. L'allure de la tension u(t) est la suivante :

e(t)

t
o
-E

a.3 Alimentation symtrique

D1
u1
R
e(t)

D2 R u2

e(t)

+ E

t
o
-E

u1(t)

+E

t
o

u2(t)

t
o
-E

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b) Redressement double alternance

Il est couramment rencontr. Deux principes sont alors utiliss :

redressement point milieu ;

redressement pont de Gratz .

b.1 Alimentation positive avec redressement point milieu

Cette alimentation utilise un transformateur dont le secondaire est constitu de 2


enroulements identiques . Leur couplage est tel que, par rapport au point milieu qui est la
masse, les 2 tensions obtenues e1 et e2 sont en opposition de phase.

D1
i>0

Secteur e1 v1 u>0
220V

e2 D2

Tr

Ainsi :

pour e1 > 0 & e2 < 0 , D1 conduit et D2 est bloqu : u e1 et v1 0 .

pour e1 < 0 & e2 > 0 , D1 est bloque et D2 conduit : u e2 et v1 e1 - e2 .

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LES DIODES A JONCTION

e1 e2

+E

t
o

-E
T

+E

D1 D2 D1 D2 D1
t
O
T/2

v1

t
o

- 2E

Remarques :

La tension inverse maximale d'une diode est gale 2E ;

Ce fonctionnement est en ralit un double redressement mono-alternance ;

La frquence de la ension de sortie est 2 fois plus celle du secteur , soit 100 Hz .

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b.2 Alimentation positive avec redressement pont de Gratz

Cette alimentation utilise un seul enroulement secondaire de transformateur .

220V
e(t) D3 D1
v1 i(t) >0

Tr v2
u(t) > 0
D2 D4 R

pour e1 > 0 , D1 et D2 conduisent alors que D3 et D4 sont bloques :


u e et v1 = v2 0 .

pour e1 < 0 , D1 et D2 sont bloques alors que D3 et D4 conduisent :


u - e et v1 = v2 e .

e(t)

+E
T

t
o

-E

u
u = e u = -e T/2
+E

D1 D3 D1 D3 D1
D2 D4 D2 D4 D2 t
o
v1 ; v2

t
o

-E

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LES DIODES A JONCTION

Remarques :

la tension inverse maximale de chacune des 4 diodes utilises est gale E ;

On ne peut pas effectuer des mesures simultanes de e(t) et u(t) l'oscilloscope car
la rfrence de tension n'est pas la mme . ( la diode D2 serait court-circuite ) .

Valeur moyenne de u(t) :

1 T/2 2 T/2 2.E E


U moy . u (t) . dt . E . sin t . dt - . cos t T/2
- . (- 1 - 1)
T 0
T 0
2
0 .T

E
Soit : U moy 2.

Cette valeur est, en vidence, double de celle du redressement mono-alternace .

Valeur efficace de u(t) :

2 1 T/2 2 T/2
U eff T
. u 2 (t) . dt Ueff . E 2 . sin 2 t . dt
2
0 T 0

1 - cos 2 t
or sin 2 t donc :
2

E2 T/2 T/2 E2 T 1
U eff . 1 . dt - cos 2 t . dt . - . sin 2 . t T/2
0
T 0 0 T 2 2

E
Soit : U
eff
puisque sin 2 . t T0 / 2 0
2

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LES DIODES A JONCTION

Puissance moyenne disssipe dans R :

1 T/2 2 T/2 E 2.E 2 T/2 2


Pmoy . u (t) . i(t) .dt . ( E . sin t ) . . sin t .dt . sin t . dt
T
2
0 T 0
R R .T 0

T/2
2 T E2
or sin t . dt d' o : Pmoy
0 4 2.R

E E U eff
Soit : Pmoy . d' o Pmoy U eff . U eff . I eff
2 2 .R R

b.3 Alimentation ngative

On se refre aus deux figures prcdentes.

Pour le redressement point milieu, afin de conserver la mme rfrence, il suffit


d'inverser les deux diodes D1 et D2 .

Pour le redressement pont de Gratz, sachant qu'il n'y a pas de point commun entre u
et e , on conserve le schma prcdent en dplaant la rfrence (masse) l'extrmit
suprieure de la rsistance de charge R .

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LES DIODES A JONCTION

2/ Redressement sur charge capacitive : Filtrage

Dans les montages vus jusqu' prsent, les tensions redresses sont des tensions
continues (puisqu'elles ne changent pas de signe) mais non constantes .

Le but du filtrage est de transformer ces tensions redresses en une tension aussi
constatante que possible .

a) Redressement simple alternance

e(t) u(t)
C R

Lorsque la diode D conduit, le condensateur C se charge. La tension u(t) "suit" alors la


tension e(t).

Lorsqu'elle est bloque, le condensateur se dcharge dans la rsistance R selon une loi
exponentielle dcroissante. L a variation de u(t) "suit" alors la tangente l'origine de la
dcharge du condensateur.

u(t)
u(t) sans C
T
u(t) avec C
t
Umax

Umin

t
O
= RC

" " tant la constante de charge du condensateur .

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LES DIODES A JONCTION

Calcul approximatif de la valeur de la capacit C du condensateur :

La valeur de C est approximativement obtenue partir de la relation des triangles


rectangles semblables :

U max U

R.C t

avec :

U : Ondulation que l'on simpose lorsqu'on tudie des alimentations , U << Umax .

t : Intervalle de temps de dcharge du condensateur, approxim T : t T .

U max
d'o : C t.
R . U

1
Soit , pour un secteur de frquence f = 50 Hz , on a : T 0.02 s ; ce qui nous donne :
f

U max
C 0.02 .
R .U

b) Redressement double alternance

Pour le montage, on prendra celui point milieu ou pont de Gratz vus prcdemment
et il suffit de placer un condensateur en parallle avec la rsistance de charge .

On obtient l'allure suivante :

u(t)
Umax
Umoy
U
Umin

t
O

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LES DIODES A JONCTION

Ondulation :

La tension filtre u(t) volue entre Umax et Umin en traversant la valeur moyenne Umoy .

On peut admettre, avec une bonne approximation, que :

U max - U min
U max - U min U min - U moy
2

On appelle ondulation la quantit U = Umax - Umin .

U
On appelle taux d'ondulation le rapport , il s'value en pourcentage .
U moy

Remarque : L'ondulation U du redressement double alternance est approximativement


2 fois moins que celle du redressement mono-alternance .

Calcul approximatif de la valeur de la capacit C du condensateur :

La priode T du redressement double alternance tant la moiti de celle du redressement


mono-alternance. Pour un secteur de frquence 50 Hz, on obtient : T = 0.01 s .

D'aprs le calcul approximatif vu dans le cas du redressement mono-alternance, on peut


crire :

U max
C 0.01 .
R . U

On voit l'intrt de l'utilisation du redressement double alternance par rapport au


redressement simple alternance, cause de la valeur capacitive divise par 2 .

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LES DIODES A JONCTION

3/ Exemples de circuits diodes

Remarque : La tension e(t) est toujours de la forme : e(t) = E . sin t , et les diodes
utilises toujours supposes idales ( 1ire modlisation ) .

a) Dtecteur de crte

u(t)
e(t) C

La tension u(t) obtenue est continue et gale la valeur crte de e(t) .

e(t) u(t)

+E

t
o

-E

b) Translation de potentiel ( ou de tension )

u(t)
e(t) D

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LES DIODES A JONCTION

Le condensateur se charge la valeur crte de e(t) pendant l'alternance ngative .

On obtient ainsi: u(t) = e(t) + E .

u(t)

+E
e(t)

t
o

-E

c) Ecrteur de tension

Circuit analogique

D1s D2 s u(t)
e(t) Re
+V -V

Ce montage permet la protection d'entre des circuits analogiques .

Tant que la tension u(t) est comprise entre ( E + 0.6 ) , tout se passe correctement.
En cas de surtension d'entre, les diodes ( au silicium ) conduisent, limitant la tension u(t)
une valeur voisine de ( E + 0.6 ) .

Le rle de la rsistance R est de limiter les courants dans les diodes. Sa valeur est
dfinie partir de la surtension prvue .

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LES DIODES A JONCTION

e(t) u(t)

+E
V + 0. 6

t
o
V 0. 6
-E

Remarque :

Une limitation U = 0.6 Volt n'aurait pas ncssit la prsence de ces 2 sources
de tension V . Les 2 diodes seraient alors connectes en "tte-bche" parallle .

d) Doubleur de tension Latour

D1
C1 u1 = E u(t) = 2.E

220 V e(t)

Tr
D2 C2
u2 = E

Ce montage reprsente 2 fois l'opration de dtection de crte. On obtient :

u1(t) = E & u2(t) = E d'o : u(t) = u1(t) + u2(t) = 2.E

u(t) = E

u1(t) = u2(t) =E
e(t)
+E

t
o
-E

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LES DIODES A JONCTION

V Diodes particulires :
1/ Diode stabilisatrice de tension ou diode Zener

Ces diodes sont prvues pour travailler en polarisation inverse , dans leur zone
d'avalanche non destructive, condition de respecter la limite en puissance, sinon, il y a
claquage de la jonction .

Le symbole d'une diode Zener est reprsent la figure suivante :

I I
A K ou A K

V V

A tant lanode, K tant la cathode .

La caractristique statique courant-tension d'une diode Zener est la suivante :

V
Rd
I

- VZ - VZ o
V
0

V
RZ - IZ
I

- IZ max

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LES DIODES A JONCTION

La tension zener VZ est spcifie pour un courant IZ et une temprature donnes. Le


courant maximum admissible IZ max en rgime permanent est li la puissance que peut
dissiper la diode pour une temprature ambiante fixe :

PZ max = VZ max . IZ max

La rsistance dynamique RZ , appele aussi rsistance diffrentielle, reprsente la pente


de la caaractristique au point ( VZ , IZ ) . Sa valeur est plus faible que celle de Rd (rsistance
diffrentielle directe) . Elle permet une bonne stabilit de la tension .

Remarques :

La caractristique directe d'une diode zener est voisine de celle d'une diode classique .

On trouve dans le commerce des diodes zenez dont les valeurs VZ sont comprises
entre 2 V et 300 V , dans certains cas 500 V .

1.1 Mthodes d'tudes des diodes zener

a/ Mthode par modlisation

Comme pour la diode classique, on transforme la caractristique statique en


caractristique"linarise"par segments de droites .

1ire caractristique : On ne tient compte que des f.c..m quivalentes .

A
Id

R= Vo

- VZ o K
V
O Vo

I VKA = VZ o

VZ o

29
LES DIODES A JONCTION

2ime caractristique :

On ne tient compte que des f.c..m quivalentes et des rsistances Rd et RZ .

Id
Rd
R= Vo

- VZ o K
V
O Vo
K
I

RZ

VZ o

En polarisation directe, lorsque la diode conduit, on a : VAK = Vo + Rd . Id .

En conduction inverse, on a : VKA = VZ o + RZ . I .

Cette caractristique est utilise dans le cas de la stabilisation de tension .

b/ Mthode graphique

Elle est identique celle d'une diode de redressement .

30
LES DIODES A JONCTION

1.2 Domaines d'applications des diodes Zeners

a/ Stabilisation de tension idalise

La fonction stabilisation de tension est trs souvent rencontre en lectronique. Une


tension est stabilise :
quelque soit la variation de la source ( Stabilisation amont ) ;
quelque soit la variation de la charge ( Stabilisation aval ) .

Pour la diode zener, on se mettra dans le cas de la 1ire modlisation dans laquelle on ne
tient compte que des f.c..m .

a.1 Stabilisation amont :

La source de tension E est variable et la rsistance de charge Rc est constante; on


prendra le cas particulier o Rc = .

R Soient : 0 E 30V

VZ R = 1 K
E DZ
IZ DZ , VZ o = 9 V
&
IZ max = 20 mA

* 0 E 30V : la diode zener ne conduit pas IZ = 0 & VZ = E .

* 10V E 30V : la diode zener conduit dans le sens cathode-anode et est remplace par

VZ = VZ o = 9 V

sa f.c..m quivalente de valeur VZ o &


E - VZ o
IZ
R

Les courbes VZ = f ( E ) & IZ = f ( E ) sont indiques ci-aprs :

VZ (V) IZ (mA)
Zone de stabilisation Zone de stabilisation
9 21

E (V) E (V)
O 9 30 O 9 30

31
LES DIODES A JONCTION

a.2 Stabilisation aval :

La source de tension E est constante et la rsistance Rc varie de zro l'infini .

I R IC Soient : E = 30V = Cte

VZ R = 1 K
E DZ RC
IZ DZ , VZ o = 9 V
&
IZ max = 20 mA

Le passage de l'tat bloqu de la diode zener l'tat passant se fait pour VZ = 10 V, soit
RC 428 , valeur obtenue partir de l'expression du diviseur de tension :

RC R . VZ 1000 . 9
VZ .E RC 428
R RC E - VZ 30 - 9

Donc :

pour 0 RC 428 , la diode zener est bloque et on a :

E RC
IZ 0 ; I IC et VZ . E
R RC R RC

pour RC 428 ; la diode zener conduit et impose VZ = VZo = 9 V ; on a alors :

E - VZ o 30 - 9 9
I 21 mA Cte ; IC et IZ I - IC
R 1000 RC

Et voici maintenant les volutions de VZ ; I ; IC et IZ en fonction de RC .

32
LES DIODES A JONCTION

VZ (V)

Zone de stabilisation de tension

RC ( )
O 428

I (mA)

30 Zone de stabilisation de tension

21

RC ( )
O 428

IC (mA)

30

21

RC ( )
O 428

IZ (mA)

21

RC ( )
O 428

33
LES DIODES A JONCTION

b/ Stabilisation de tension relle

Dans ce cas, il faut tenir compte de la rsistance dynamique de la diode zener .

2/ Diode unitunnel

Le symbole d'une diode unitunnel est le mme que celui d'une diode zener .

I
A K

Normalement, la tension de claquage des diodes zener est suprieure 2V.


L'augmentation approprie du niveau de dopage amne l'effet zener prs de zro .

La caractristique courant-tension d'une diode unitunnel est la suivante :

- 0.1
V (V)
O 0.7

La conduction directe dbute encore + 0.7 V peu prs , mais la conduction inverse
(claquage) dbute maintenant 0.1 V environ .

La diode unitunnel conduit donc mieux en sens inverse qu'en sens direct .

34
LES DIODES A JONCTION

34/ Diode lectroluminescente ou LED (Light Emitting Diode)

I
Le symbole d'une diode lectroluminescente est le suivant : A K

V
Elles sont utilises dans le sens direct et ont la proprit d'mettre une lueur dont la
couleur dpend de sa composition chimique et dont l'intensit varie avec le courant qui la
traverse .

La caractristique I = f (V) d'une diode lectroluminescente est la suivante :

I (mA)

40

30

20

10

V (Volt)
o 0.5 1.5 2.5

La chute de tension type entre les bornes d'une LED varie de 1.5 V 2.5 V pour des
courants qui varient de 10 mA 50 mA . La chute de tension exacte dpend du courant, de
la couleur, de la tolrance...de ces diodes .

Ordinairement, le courant d'une LED varie de 10 mA 50 mA parce que cette gamme


fournit la lumire ncessaire pour la plupart des applications : appareils de mesure ,
calculatrices, etc .

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