TP N° 2 : Les circuits à diodes

1. Objectifs
Le but de ce TP est de montrer quelques montages simples et classiques faisant intervenir les
propriétés essentielles des diodes et leurs principales applications.

2. Rappels
2.1 Définition

La diode est un dipôle non linéaire à semi-conducteur, constituée de 2 pôles: Anode (A) et
Cathode (K).

 Id

VAK=Vd

La diode possède donc 2 régimes de fonctionnement :

- si elle laisse passer le courant, on dit qu’elle est passante.

- si elle ne laisse pas passer le courant, on dit qu’elle est bloquée.

Ces régimes vont dépendre de la tension V AK aux bornes de la diode et du courant I d qui
traverse la diode. La différence de potentiel suffisante pour rendre la diode passante est
appelée tension de seuil (Ed).

- Si VAK< Ed alors la diode est bloquée

- Si VAK > Ed et Id > 0 alors la diode est passante.

2.2 Caractéristique Id=f(Vd)

Id
Ed: Tension de seuil.

IFM: Valeur crête limite du

courant direct

VBR: Tension de claquage

Vd
Ed
Remarque : la tension de seuil dépend du matériau semi-conducteur utilisé (typiquement, E d
vaut 0,7V pour des diodes en silicium).

2.3 Modèle équivalent

Cas Idéal Cas réel

Id
Id

Ed Vd
Vd

Vd Vd
Vd Vd

Rd Ed

3. Circuits écrêteurs :
3.1 Circuits écrêteurs 1 : (Diodes têtes bêches)

Les deux diodes D1 et D2 sont modélisées respectivement par une source de tension en série
avec une résistance (Ed1, Rd1) et (Ed2, Rd2)

Figure 1

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Etude théorique
1èr cas: Alternance positive (I>0) : D1 est bloquée

D2 est passante:
 Donner le schéma équivalent du montage donné par la figure 1 en remplaçant les diodes
D1 et D2 par leurs modèles équivalents.

 A partir de ce schéma, donner l’expression de Vs(t).

Vs = (Ve/R1) + (Ed2/Rd2) / ((1/R1) + (1/Rd2))
 Déterminer l’expression du courant I qui parcourt la diode en fonction de R, Rd1, Ve et Ed1.
I = (Ve - Ed2) / (R1 + Rd2)
 Déduire la condition sur Ve pour que la diode D1 soit passante.
On a I>0 Et
Ve> Ed2 Donc
Ve> 0.7 V

D2 est bloquée :
 Donner le schéma équivalent du montage donné par la figure 4 en remplaçant les diodes
D1 et D2 par leurs modèles équivalents.

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 Déduire la condition sur Ve pour que la diode D1 soit bloquée.
Ve

2ème cas: Alternance négative (I<0) : D2 est bloquée

D1 est passante:
 Donner le schéma équivalent du montage donné par la figure 1 en remplaçant les diodes
D1 et D2 par leurs modèles équivalents.

 A partir de ce schéma, donner l’expression de Vs(t).

Vs = (Ve/R1) – (Ed1/Rd1) / (1/R1) + (1/Rd1)
 Déterminer l’expression du courant I qui parcourt la diode en fonction de R, Rd2, Ve et Ed2.
I = (Ve – Ed1) / (R1+Rd1)
 Déduire la condition sur Ve pour que la diode D2 soit passante.
On a I<0
Ve < Eds
Ve < 0.7V

D1 est bloquée:
 Donner le schéma équivalent du montage donné par la figure 4 en remplaçant les diodes
D1 et D2 par leurs modèles équivalents.

 Déduire la condition sur Ve pour que la diode D2 soit bloquée.

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Simulation

Manipulation
Ve est un générateur de tension sinusoïdale de fréquence f = 500 Hz et d’amplitude 5V,
R=10kΩ.

 Réaliser le montage

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 Afficher la tension d’entrée et de sortie Ve(t) et Vs(t).

 Interpréter ces courbes.

 Quand Ve < -0.7V alors Vs = -0.7V
 -0.7V < Ve < 0.7V alors Vs = Ve
 Ve > 0.7 alors Vs = 0.7 V

 Déduire l’intérêt de l’utilisation de ce circuit

La diode jouée le rôle d’un limiteur de tension.
4. Circuits Redresseurs :
4.1 Redressement simple alternance

La diode D est modélisée par une source de tension en série avec une résistance (Ed, Rd)

R= 10kΩ

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 Figure 2

- Etude théorique
Diode passante :
− Donner le schéma équivalent du montage donné par la figure 2 en remplaçant la diode
D par Rd et Ed.
− A partir de ce schéma, donner l’expression de Vs (t).
− Déterminer l’expression du courant I qui parcourt la diode en fonction de R, Rd, Ve et Ed.
UR=Vs
I=Vs/R
Ed=0
− Déduire la condition sur Ve pour que la diode soit passante.
− Si Vs>0
La diode D est passante
Diode bloquée :
− Donner le schéma équivalent du montage donné par la figure 2.
− A partir de ce schéma, donner l’expression de Vs(t) et du courant I.
− Déduire la condition sur Ve pour que la diode soit bloquée.

- Manipulation

Ve est un générateur de tension sinusoïdale de fréquence f = 500 Hz et d’amplitude

5V,R=10kΩ.
− Réaliser le montage de la figure 1.

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− Afficher les tensions d’entrée et de sortie Ve (t) et Vs(t).

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− Placer un condensateur en parallèle avec R et visualiser Ve (t) et Vs(t) sur l’oscilloscope
et représenter la forme de Vs(t) pour différentes valeurs de C (100 nF ; 1 μF).

− Représenter les signaux affichés.

− Mesurer pour chaque cas l’ondulation de tension ΔVs=(Vmax-Vmin)/2
− Comparer les deux représentations et déduire l’intérêt du branchement du condensateur.

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4.2 Redressement double alternance

R= 10kΩ

Figure 3

− Indiquer le chemin du courant (en précisant les diodes passantes) dans les deux cas :
alternance positive de Ve(t) et alternance négative de Ve(t).

− dessiner le schéma équivalent du circuit dans les deux cas : alternance positive de Ve(t)

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 et alternance négative de Ve(t).

4.2 Manipulation
Ve est un générateur de tension sinusoïdale de fréquence f = 500 Hz et d’amplitude
5V,R=10kΩ.
− Réaliser le montage.

− Représenter Vs(t) aux bornes de la résistance. Interpréter les courbes.

− Placer un condensateur en parallèle avec R, visualiser Vs(t) sur l’oscilloscope et

représenter la forme de Vs(t) pour différentes valeurs de C (100nF ; 10μF).
Mesurer dans chaque cas l’ondulation de tension. Interpréter.

5. Diode Zéner

Figure 4

a. Réaliser le montage de figure 3 avec une diode Zener de Vz=5V.

b. Faire varier la tension d'entrée Ve et compléter le tableau suivant.

Ve 3 5 10 12
Vs
c. Remplacer la tension d’entrée par une tension sinusoïdale d’amplitude 6V et de
fréquence 500Hz.
d. Visualiser à l’oscilloscope Ve et Vs et relever leurs courbes. Quel est l’effet de la
diode Zéner.

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