UNIVERSITE NANGUI ABROGOUA

D’ABOBO-ADJAME Année académique 2022 – 2023

UFR –SFA / Licence 3 : Sciences Physiques / Physique

T.D D’ELECTRONIQUE ANALOGIQUE

Série 1 : Semi-conducteurs – Jonction pn

EXERCICE 1 :
Un barreau parallélépipédique de germanium présente une longueur L = 10cm et une section S
= 1dm . Le germanium extrinsèque est de type P, et la mobilité des porteurs majoritaires est p =
2

0,20m2/V.s.
On néglige la contribution des porteurs minoritaires. En appliquant une ddp de 100V entre les
extrémités du barreau, le courant continu est 1mA.
a) Donner la vitesse de déplacement des porteurs majoritaires.
b) Donner la valeur de la conductivité. En déduire la concentration p des porteurs.

EXERCICE 2 :
Une jonction p+n présente les caractéristiques suivantes :
- Section S = 1 cm2 ; Dp = 10 cm2/s ; UT = 25 mV ; NA = 2.1019 cm-3 ;
- Epaisseur de la région N : xn = 1 m ;
2
e . D p . ni −8 2
- Densité de courant de saturation : J s = =3. 10 A/cm .
xn . N D
1) Calculer la tension de diffusion V D de cette jonction. En déduire la nature du semiconducteur
utilisé.
2) Calculer la concentration ND des donneurs, pour ni = 1010 cm-3.
3) Soit J la densité de courant traversant la jonction en polarisation directe. Exprimer en fonction
de J la tension V nécessaire à la polarisation de la jonction.
2 2 V
e . ni . x n U
4) Sachant que la charge stockée en zone n est : Q s = . e , exprimer, en fonction de la
T

2. x n . N D
densité de courant J et des données xn, Dp et UT, la capacité de stockage Cs.

Série 2 : Diodes à jonction et diodes Zener

EXERCICE 1 :
Soit le circuit ci-dessous (figure 1), avec R 1 = 8K ; R2 = 2K ; R3 = 200. La
tension de seuil de la diode est V0 = 0,6V et sa résistance dynamique est nulle.
Calculer la valeur de E qui permet le passage d’un courant direct ID de 1mA dans la diode.

R1 ID
E D

D
R2
E R3 Ue R Us

Figure 1
Figure 2

EXERCICE 2 : Limiteur de tension par diode

Pour simplifier on admettra que la diode est idéale. Tracer, après analyse, pour le montage de
la figure 2 ci-dessus :

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 a) le graphe de Us(t) lorsque Ue(t) = Um.sinωt, avec Um = 15V et E = 5V.
b) la caractéristique de transfert Us= f(Ue)
EXERCICE 3 : Limitation en puissance d’une diode
On considère le schéma suivant :

On donne : kT/e = UT = 26mV à la température

R
100Ω
ambiante.
E D Vd = 0,65V = tension aux bornes de la diode quand
5V elle conduit.
Id = Is.exp[e.Vd/kT] = courant traversant la diode.
1) Calculer la résistance dynamique de la diode D à la température ambiante de 27°C.
2) La résistance thermique de la diode est de 60°C/W, et la température de la jonction T j ne doit
pas dépasser 200°C. Calculer la puissance maximale supportable par la diode si elle est dans
un milieu où la température est de Ta = 50°C.

EXERCICE 4 : Limiteur de tension par diodes Zener

On considère le montage suivant :
R
Ve est une tension sinusoïdale d’amplitude VM = 10V.
Les diodes (de résistance interne nulle) sont identiques D1
et ont les caractéristiques suivantes :
Ve Vs
- tension de seuil : V0 = 0V ;
D2
- tension Zéner : VZ = 7V.
Tracer les caractéristiques Vs = f(t) et Vs = f(Ve).

EXERCICE 5: Stabilisation de tension

Une diode Zener de tension VZ = 45 V est utilisée pour réguler une tension sinusoïdale
redressée et filtrée, susceptible de varier entre les limites 40 V ≤ e ≤ 60 V. (figure 5)
On considère que la résistance dynamique de la diode est
I1 I2 nulle RZ = 0.
1) Lorsque e = 40 V, on mesure I2 = 20 mA. En déduire la
R1 IZ valeur de R1 (On donne : R2 = 1,8 kΩ).
e DZ s R2 2) À partir de quelle valeur de e, la tension de sortie est-elle
régulée (c’est-à-dire s = Vz = 45V)?
3) Calculer le courant dans la diode quand e = 60 V.
Figure 5

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 Série 3 : Amplificateur opérationnel
EXERCICE 1 :
On considère le montage suivant à AOP idéal :
I D
La diode est caractérisée par la relation :
I = Is.exp(Vd / UT) , pour Vd positive ;
Vd Is = courant de saturation ;
R
UT = tension thermique.
-
+
Ve Vs

a) Donner l’expression de Vs en fonction de Ve et des données du texte; quelle fonction a-t-on réalisé?
b) Reprendre la même question, lorsqu’on permute les positions de R et D.

EXERCICE 2 : ALI idéal en régime linéaire (AOP)

Soit le montage amplificateur de tension inverseur ci-dessous (figure 2), dans lequel l’AOP
est supposé idéal.
a) Exprimer le gain en tension Av = V0 / Vi en fonction des résistances.
b) En déduire Av pour R4 = . Vd
c) En déduire Av pour R3 = 0.
+
-
R1 R3
R2
Vi
V0
R4

Figure 2

EXERCICE 3 : ALI idéal en régime linéaire (AOP)

On considère les montages ci-dessus dans lesquels l’AOP est supposé idéal.
1) Pour la figure 3, exprimer l’amplification en courant Ai = Is / Ie en fonction de R1 et R2.
2) Pour la figure 4, exprimer le courant Is en fonction de VE1 , VE2 et R1.

R1 D R1 2
1
- R2
-+ Is
+
Ie VE2 3
Vs
RL D R1 4
VE1 IS R2

R2 D RL

Figure 3 Figure 4

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