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Exercice 01 :
1) Un transistor JFET possède les paramètres suivants : IDSS = 9 mA et VGSoff = 8 V. Déterminer le
courant du drain ID pour les valeurs de VGS : 0, 1 V et 4 V.
Exercice 02 :
On considère le circuit électrique suivant :
1) Déterminer l'expression de la résistance Rs en fonction de
la tension VGS ;
2) La tension de grille de repos VGS0 = VGSoff/4, quelle erreur
fait-on si l'on a ID = IDSS/2 ?
3) Déduire l'expression de la résistante Rs ;
4) On donne : VGSoff = 4 V et IDSS = 10 mA, déterminer, en
plus de Rs, la valeur de RD pour que la différence de potentiel
à ses bornes soit de 10 V. Que vaut alors VDS si VDD = 21 V ?
Exercice 03 :
Considérons un transistor à effet de champ à jonction (canal N) ayant une tension VDS comprise entre 4 V
et 20 V. La caractéristique de transfert est donnée par la relation suivante :
2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓
1) Tracer la caractéristique de transfert sachant que IDSS = 20 mA et VGSoff = Vp = 8 V. La tangente à la
courbe IDS = f(VGS) au point IDS = IDSS coupe l'axe des tensions VGS en un point P ; déterminer ses
coordonnées.
Exercice 04 :
On se propose d'étudier un étage amplificateur à transistor à
effet de champ dont le schéma est donné par le circuit
suivant. On donne :
VDD = 12V ; IDSS = 4mA ; Vp = VGSoff = 4V ; RS = l k ;
rds = 50 k.
V0
Ve