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INTRODUCTION
RV
• dont la tension de Thévenin est E ,
r + RV
• dont la résistance de Thévenin équivalente est r en parallèle avec RV.
Donc la résistance R1/2 pour laquelle on trouvera une tension moitié de la tension mesurée "en
circuit ouvert" est : R1/2 = r // RV = r RV / (r + RV).
R1 2 RV
Donc r = .
RV − R1 2
R1 2 RV
− R1 2
r − R1 2 RV − R1 2 R1 2
L'erreur relative est donc = = = 50%
r R1 2 RV RV
RV − R1 2
Remarque
On obtient évidemment le même résultat, mais avec des calculs plus compliqués, si l'on n'utilise
pas le théorème de Thévenin. En effet, la tension V1 vaut :
RC RV
RC //RV RC + RV RC RV
V1 = E =E =E .
r + RC //RV
r+
RC RV ( )
r RC + RV + RC RV
RC + RV
La résistance R1/2 est telle que V2 = V1 / 2 :
R1 2RV 1 R
E = E V
(
r R +R +R R
12 V ) 12
2 r + RV
V
( )
r R1 2 + RV + R1 2RV = 2R1 2RV r + RV ( )
R1 2RV
r=
RV − R1 2
On retrouve bien le résultat précédent.
NORTON ET THÉVENIN : CAS PARTICULIERS
ADAPTATION D'IMPÉDANCES
Adaptation d’impédances : condition de dissipation maximale de puissance dans la charge,
en régime sinusoïdal
1 RC
La puissance devient alors p = ee *
( )
2
2 RS + RC
En minimisant par rapport à RC, on trouve évidemment la même condition qu'en continu :
RS = RC.
La condition d’adaptation est donc ZC = Z S* .
ÉLECTRONIQUE LOGIQUE ET NUMÉRIQUE
F = A+D
Équations du circuit :
V’ = RC IC
V’ = V – RS I
V’ = VZ + rZ IZ
I = IC + IZ
VZ
V + RS
⎛ V ' V '− VZ ⎞ rZ
D’où : V ' = V − RS ⎜ + , soit V ' =
⎝ RC rZ ⎟⎠ ⎛ 1 1⎞
1 + RS ⎜ + ⎟
⎝ RC rZ ⎠
dV ' 1 rZ 1 r 1
= = ≈ Z
dV ⎛ 1 1⎞ RS rZ r RS rZ
1 + RS ⎜ + ⎟ + Z +1 +1
⎝ RC rZ ⎠ RS RC RC
CONCEPTION DE CIRCUITS INTÉGRÉS CMOS
Conservation du courant :
⎛ Vds ⎞
VDD − Vds ⎛ VDD ⎞ ⎜ R0 ⎟ β
( ) (1 + λV )
2
I ds = I 0 − = ⎜ I0 − ⎜ 1+ ⎟ = V − Vt
R0 ⎝ R0 ⎟⎠ ⎜ VDD ⎟ 2 gs ds
⎜ I0 −
⎝ R0 ⎟⎠
Vds
VDD β
( ) R0
2
Par identification : I 0 − = Vgs − Vt ; = λVds
R0 2 VDD
I0 −
R0
1 β
( ) (1 + λV )
2
D'où : R0 = ; I0 = V − Vt
β
( ) 2 gs
2 DD
λ Vgs − Vt
2
Si λ tend vers zéro, la résistance interne du générateur de courant R0 tend vers l'infini : le
transistor MOS devient un générateur de courant continu idéal.
MULTIPLEXEUR CMOS
I0 ⎛ V ⎞ I I I
= ⎜ 1 + CE ⎟ vBE + 0 vCE ≈ 0 vBE + 0 vCE
VT ⎝ VA ⎠ V VA VT VA
CE
Comme on l’a vu à plusieurs reprises dans le cours, notamment dans le « niveau zéro », la
résistance équivalente vue depuis A est Rout // RE, soit (RS/β) // RE. On voit aussi
immédiatement que
eTh = vRE / (RS/β + RE)
Solution brutale :
Le schéma équivalent petits signaux du montage est (en négligeant l’impédance du
condensateur) :
Circuit ouvert :
eTh = RE β iB ⎫⎪ β RE β RE RE
⎬ ⇒ eTh = v≈ v= v (si rE << RE)
( )
v = RS + β rE iB + eTh ⎭⎪ (
RS + β rE + RE) RS + β RE RS β + RE
On retrouve le résultat établi sans calcul ci-dessus
Court-circuit :
iCC = β iB ⎫⎪ β β
⎬ ⇒ icc = v≈ v si βrE << RS.
( )
v = RS + β rE iB ⎭⎪ RS + β rE RS
RS
ce qui est le résultat obtenu sans calcul par la première méthode.
MIROIR DE COURANT
Schéma équivalent
⎛ V Q ⎞ ( )
D'autre part, la caractéristique du transistor est : I C = I 0 ⎜ 1 + CE 2 ⎟ .
⎝ VA ⎠
( ) ( )
D'où par identification : I I 0 ,V A = I 0 ; V A = R0 I 0 ,V A I 0 .
La résistance interne est donc bien VA / I0.
1) Si la résistance RB est absente, le courant de base en continu est nul, donc le transistor
est bloqué.
2) Schéma équivalent « petits signaux », sous deux formes exactement équivalentes :
4)
vin ( jω ) − v ( jω ) = jCi ω
out
CB
Analyse détaillée :
+
-
Vin
Vout
A
R2
R1
(
Vout = G AO Vin − V A )
R1
V A = Vout
R1 + R2
⎛ R1 ⎞ V G AO
Vout = G AO ⎜ Vin − Vout ⎟ ⇒ out =
⎝ R1 + R2 ⎠ Vin R1
1 + G AO
R1 + R2
Vout R
lim G = 1+ 2
AO →∞
Vin R1
CONVERTISSEUR NUMÉRIQUE-ANALOGIQUE
1V 10 kΩ 1%
MSB
0V
20 kΩ 2%
i=4 50 kΩ 1%
40 kΩ 5%
i=3
80 kΩ 10% -
i=2
+
160 kΩ 20%
i=1 4.7 kΩ
320 kΩ 20%
i=0 LSB
50kΩ 5 10 5
La tension de sortie vaut donc − ∑
320kΩ i=0
Vi
2 i
= − ∑
64 i=0
Vi 2i .
Elle varie donc de 0 (si Vi = 0 ∀i) à – (10/64) 63 Volts (si Vi = 1 ∀i) par incréments de -10/64
Volts.