Transistor bipolaire

1 Introduction
 le Transistor = l’élément “clef” de l’électronique

il peut :
 amplifier un signal
amplificateur de tension, de courant, de puissance,...

 être utilisé comme une source de courant

 agir comme un interrupteur commandé ( = mémoire binaire)

 essentiel pour l’électronique numérique

 ...
il existe :
 soit comme composant discret

 soit sous forme de circuit intégré, i.e. faisant partie d’un circuit plus
complexe, allant de quelques unités (ex: AO) à quelques millions de
transistors par circuit (microprocesseurs)

1
 on distingue le transisor bipolaire du transistor à effet de champ

 différents mécanismes physiques

 Ils agissent, en 1ière approx., comme une source de courant commandé

 transistor bipolaire : commandé par un courant

 transistor à effet de champ: commandé par une tension

Icontrôle I commandé  A  I contrôle I commandé  G  Vcontrôle

Vcontrôle

source de courant source de courant

commandée par un commandée par une
courant tension

A = “gain” en courant G = transconductance.

 Idéalement : l’étage d’entrée ne dépend pas de l’étage de sortie. 2

2 Structure et fonctionnement d’un transistor bipolaire
 Structure simplifiée

Transistor PNP Transistor NPN

E E
diode « EB » diode « EB »

émetteur
P+ N+
couplage B B
entre les N base P
diodes
P N
collecteur
diode « BC » diode « BC »
C C

 Deux « jonctions PN ou diodes » couplées  « effet transistor »

 Symétrie NPN/PNP

3
 Effet transistor  Conditions de polarisation : Jonction EB : directe
Jonction BC: inverse
= MODE ACTIF du transistor
Exemple: Transisor NPN

RE
E N+ P N C
RC

IE 
e- E IC

VEE IB VCC
B

 si VEE > ~ 0.7V , jonction EB passante  VBE ~ 0.7V, IE >> 0

 La jonction EB est dissymétrique (dopage plus élevé côté E)

 courant porté essentiellement par les électrons (peu de trous circulent de B vers E)

 VCC > 0, jonction BC “bloquée” => champ électrique intense à l’interface Base/Collecteur

 La majorité des électrons injectés par l’émetteur dans la base sont collectés par le champ
 IC ~IE et IB = IE -IC << IE

 En mode actif, IC est contrôlé par IE , et non vice versa…

4
 Premières différences entre le transistor bipolaire et la source commandée idéale...

 Contraintes de polarisation : VBE > ~ 0.7V, VCB > - 0.5V

.

 Symboles C
C  IE >0 en mode actif

B B

E E
PNP NPN

Conventions des courants :

IC IC
IB IB

IE IE

NPN
PNP
 IE = IB+IC 5
3 Caractéristiques du transistor NPN
VCE
 Choix des paramètres :

 Les différentes grandeurs électriques (IE, IB, RE IE IC RC

VBE,VCE,…) sont liées:
VEE VCB VCC
VBE IB
 différentes repésentations équivalentes des
caractéristiques électriques existent

 Configuration “Base Commune”

( base = électrode commune)

 Caractéristiques : IE (VBE,VBC), IC (VBC ,IE)

 Configuration “Emetteur Commun”

(émetteur= électrode commune)

 Caractéristiques : IB (VBE , VCE), IC (VCE, IB)

 La représentation des caractéristiques en configuration “collecteur commun” est plus rare.

6
Caractéristiques en configuration BC : CAS DU TRANSISTOR NPN

« caractéristique d’entrée »
IE (VBE, VCB) :
hypothèse: diode BC bloquée (mode usuel)

 ~ caractéristique d’une jonction PN

IE (mA)
 V  
VCB=0 , -15
I E  I s exp  BE   1
  VT  
2
 très peu d’influence de IC (resp. VCB)
1

VBE (V)
0.1 0.5

Jonction BE bloqué Jonction BE passante

IE ~ 0, VBE < 0.5 V IE >0, VBE  0.6-0.7V= « Vo »

7
 mode actif
IC (VCB, IE) :
Ic (mA) IE (mA) VBE 
2.0

1.5 1.5
1.0 1 IC  I E
0.5 0.5
0
-0.5 1 2 3 VCB (V)
 jonction PN polarisée en inverse
tension seuil de la jonction BC

 pour VCB > ~-0.5V, on a IC =aF IE , avec aF proche de 1.

 En mode actif, I B  I E  IC  I E 1  a F 

 pour IE = 0, on a IC = courant de saturation inverse de la jonction BC ~ 0

 Transistor en “mode bloqué”

 pour VCB  -0.7, la jonction BC est passante, IC n’est plus controlée par IE
 Transistor en “mode saturé”

Ordre de grandeur : aF ~0.95 - 0.99 aF = “gain en courant continue en BC”

8
Caractéristiques en configuration EC :
« caractéristique d’entrée »
IB (VBE, VCE) :
hypothèse: diode BC bloquée (mode usuel)

IB (µA) IC
IE

VCE= 0.1V N P E N
3 IB

1.5
> 1V
0.5
0 VBE (V)
0.1 0.2 0.3

 VBE > 0.6V, jonction PN passante

 IB <<IE  charges non collectées par le champ électrique de la jonction BC
I B  1  a F I E

 Influence non-négligeable de VCE sur aF  “Effet Early”

9
IC (VCE, IB) :
Ic(mA)
Ib= 20 µA
2 15µA

10µA
1
5µA
VCE (V)

1 3 5 Transistor bloqué
Transistor saturé Mode actif IC = “ICO”

 Mode actif : BE passant, BC bloquée  VBE  0.7V et VCB >~ -0.5 V

 VCE = VCB +VBE > -0.5 + 0.7 ~0.2 V

aF
I C  a F I E  a F I C  I B   I C  I B " hFE " I B hFE = “gain en courant
1aF continue en EC” = “bF”
ordre de grandeur : hFE ~ 50 - 250
 Grande dispersion de fabrication sur hFE.

 Effet Early : aF tend vers 1 lorsque VCE augmente  hFE augmente avec VCE

 Mode saturé : Diode BC passante -> IC ~ indépendant de IB

 hFE diminue lorsque VCE  0 10
  Modes actif / bloqué / saturé
Transistor NPN
Configuration EC :

Mode actif : VBE  0.7V ~ 0.3V  VCE  VCC I c  hFE I B

Mode bloqué : IB  0 VCE  VCC IC  0

Mode saturé : VBE  0.8V VCE  0.2V I c  hFE I B

C B
B IB C B C C

B
 ~0.7V hFE IB
~0.8V ~0.2V

E
E E
E
Mode actif Mode bloqué Mode saturé

 VCC = source de tension externe alimentant la maille contenant C et E (cf plus loin) 11
VCE ne peut pas dépasser cette valeur!
 Transistor PNP
Configuration EC :

Mode actif : VBE  0.7V ~ 0.3V  VCE  VCC ( 0) I c  hFE I B

Mode bloqué : IB  0 VCE  VCC IC  0

Mode saturé :VBE  0.8V VCE  0.2V I c  hFE I B

C B
B IB C B C C

B
 ~0.7V hFE IB ~0.2V
~0.8V
E
E E
E
Mode actif Mode bloqué Mode saturé

12
 Valeurs limites des transistors

 Tensions inverses de claquage des jonctions PN (EB, BC)

 Puissance maximale dissipée : Pmax =VCE IC

 Courants de saturations inverses :

IC , IB et IE 0 en mode bloqué

ICVCE =Pmax

13
 Influence de la température

 La caractéristique d’une jonction PN dépend de la température

 les courants inverses (mode bloqué) augmentent avec T

 VBE, à IB,E constant, diminue avec T

 ou réciproquement : pour VBE maintenue fixe, IE (et donc IC) augmente avec T

 Risque d’emballement thermique : T  IC   Puissance dissipée   T  

14
4 Modes de fonctionnement du transistor dans un circuit  Point de fonctionnement

 Droites de charges :
Le point de fonctionnement est déterminé par les caractéristiques du transistor et par les lois de
Kirchhoff appliquées au circuit.

Exemple :  Comment déterminer IB, IC, VBE, VCE ?

+VCC Droites de charges :

Rc V  VBE
Vth  Rth I B  VBE  I B  th
Rth
Rth
V  VCE
VCC  RC IC  VCE  I C  CC
Vth RC

15
  Point de fonctionnement

IB
 VBEQ 0.6-0.7V, dès que Vth> 0.7V
V  VBE (diode passante
 I B  th transistor actif ou saturé)
Rth

Q
IBQ

VBE (V)
0.1 0.2 0.3
VBEQ

Ic(mA)  VCE sat  VCEQ  VCC

Q VCC  VCE sat VCC

I CO  I c  
ICQ  IBQ Rc Rc
V  VCE
I C  CC
RC
 Q fixe le mode de fonctionnement du transistor
ICO

VCEsat VCEQ VCE (V)

16
Exemple : Calcul du point de fonctionnement

+VCC=10V
Rc=3kW Vcc
Rc
Rth=30kW Rth IB

hFE =100 hFE IB

Vth 0.7V
Vth =1V

 I BQ  10µA
 IC Q  1mA  On a bien : ~0,3 <VCEQ < VCC

 VCEQ  7V Résultat cohérent avec le mode actif du transistor.

17
 Remplacement de Rth par 3kW : +VCC=10V
Rc=3kW
  I BQ  100µA
Rth=3kW
  I C Q  10mA
hFE =100
  VCE Q  20V !!
Vth =1V

 Résultat incompatible avec le mode actif

le modèle donne des valeurs erronnées

Cause :
Ic(mA)  IBQ
En ayant augmenté IBQ,(réduction de Rth) Q
Q a atteint la limite de la zone
correspondant au mode actif
 VCE Q ~ 0.3V

et I CQ  3.2mA

VCEQ VCE (V)

18
 Quelques circuits élémentaires : VBE < 0.7V  Mode bloqué
t<0 :
Transistor interrupteur: +VCC

RC
+VCC RB

Rc “Interrupteur
VBB
ouvert”
0.7V I RC  0
RB
t

t>0 : VBE > ~0.8V, telque RcIc ~VCC

VCE ~qq. 100mV

IC Interrupteur fermé VCC

Vcc
“Interrupteur
Rc
RC fermé”
RB

Interrupteur ouvert
~0.8V ~0.2V <<VCC
V  0.2 VCC
VCC VCE I RC  CC 
Vcc VBE min  0.7 RC RC
I Bmin   19
( interrupteur fermé)
Rc hFE RB
Transistor source de courant :

VCC

charge V  0.7V
Rc  I  BB
RE
I “quelque soit” Rc …
tant que le transistor est en mode actif

•E
VBB RE
Domaine de fonctionnement : VBB  0.7V 
 0  VCE  VCC  RC  RE IC  VCC

Source de courant V
 Rcmax  cc  RE
I
pour Rc supérieure à Rcmax  transitor saturé

 Rcmin  0

20
Exercices : Calculer le courant dans la charge, la plage de tension

10V
15V

charge 560W
10k I

Vz =5,6V
4,7k I
10k charge

21
Transistor, amplificateur de tension : hypothèses :

Point de fonctionnement “au repos” :

+VCC
Transistor en mode actif lorsque vB = 0
(amplificateur “classe A”)
RC
 Amplitude du signal vB suffisamment faible
IC
B pourque le transistor soit à chaque instant actif
•
 En 1ière approximation :
vB •E
VB  0.7
VSortie  IE   IC  IC  ic (IB <<IC)
RE
VBB RE
v
En négligeant la variation de VBE :  ic  B
RE

Enfin : VSortie  Vcc  Rc IC  VS  vs : S  Vcc  R  IC

avec V

R Rc
et vs   Rcic   c vb Le “signal”vB est amplifié par le facteur Av  
RE RE

 Av = “” pour RE =0 ?? voir plus loin pour la réponse...

 Comment fixer le point de fonctionnement au repos de manière optimale? 22
5 Circuits de polarisation du transistor

 Le circuit de polarisation fixe le point de repos (ou point de fonctionnement statique) du transistor

 Le choix du point de repos dépend de l’application du circuit.

 Il doit être à l’intérieur du domaine de fonctionnement du transisor (IC(B) < Imax,, VCE (BE) <Vmax,....)

 Les principales caractéristiques d’un circuit de polarisation sont :

 sensibilité par rapport à la dispersion de fabrication du transistor (incertitude sur hFE ,… )

 stabilité thermique.
(coefficient de température des différents paramètres du transistor :VBE, hFE,…).

23
 Circuit de polarisation de base (à courant IB constant)
IC
Dispersion de fabrication:
Vcc hFE mal défini
Rc
RC Q1 2 transistors
IC1 même IB différents
RB Q2
VCC IC2

VCE
VCE1 VCE2 Vcc
V  VBE Vcc  0.7
I B  cc 
RB RB

Q : I c  hFE I B et VCE  Vcc  Rc I c

Conséquence : D hFE  D Ic  D VCE

Le point de repos dépend fortement de hFE = inconvénient majeur

 Circuit de polarisation peu utilisé.

Vcc
Exemple : Transistor en mode saturé  RB tel que I B  I Bsat 
Rc hFE
en prenant pour hFE la valeur minimale garantie par le constructeur. 24
 Polarisation par réaction de collecteur

+VCC VCC  0.7

 IC 
RC  RB
RC hFE
RB
Le point de fonctionnement reste sensible à hFE

Propriété intéressante du montage :

Le transistor ne peut rentrer en saturation puisque VCE
ne peut être inférieur à 0.7V

V  0.7
Cas particulier : RB=0  I C  CC VCE  0.7V
RC
 Le transistor se comporte comme un diode.

25
 Polarisation par diviseur de tension - « polarisation à courant (émetteur) constant »

+VCC
+VCC Vth  Vo
IC  I E  (Vo~0.7V)
RE  Rth / hFE
R1 RC Rc

Rth VCE  VCC  RC  RE IC

R2
R2
Vth avec Vth  VCC et
R1  R2
RE
Rth  R1 // R2

Rth V  Vo
 Peu sensible à hFE : si  RE  IC  th
hFE RE
 Bonne stabilité thermique de IC à condition que Vth >>Vo <~> VB >>Vo

Règles « d’or » pour la conception du montage :

• Rth/RE  0.1 hFEmin ou encore R2 < 0.1 hFEmin RE  IR2 10 Ib

• VE ~VCC/3
26
 Diminuer Rth augmente le courant de polarisation IR1
 +VCC
Une façon de comprendre la stabilité du montage :
R1 RC
RE introduit une contre-réaction
R2
RE

Augmentation de T IE augmente VE augmente VBE et IE diminuent

contre-réaction
VBE I diminue de 2mV/°C
E
VB ~Vth

27
6 Modèle dynamique
 Variation de faibles amplitudes autour d’un point de fonctionnement statique
 Comportement approximativement linéaire
 Modèles équivalents

 Caractéristique d’entrée :  V  
I B  I s exp  BE   1 hFE
+VCC   VT  
IB

RC
IC iB
B
• IBQ Q t
vB
vB •E
VSortie VBEQ VBE
0
0.2 0.4 0.6
VBB RE

vBE
t

Pour vB petit:
I B IE v hie = “résistance d’entrée dynamique” du
ib   vbe  vbe  be transistor en EC
VBE Q hFE  VT " hie "
28
Notation :
h V
" hie "  FE T = “résistance d’entrée dynamique” du transistor en EC
IE

B ib C

hie
vbe

 hie « i » pour input, « e » pour EC, h pour paramètre hybride

 Ne pas confondre hie avec l’impédance d’entrée du circuit complet.

 A température ambiante (300K) on a : 26  hFE

hie  W
I E mA

29
 Caractéristique de sortie en mode actif : droite de charge
Ic
ic=hfe ib
En première approximation :
IBQ+ib
t Q IBQ
ic " h fe"ib

B ib ic C
VCE
hie hfeib VCEQ
vce
hfe = gain en courant dynamique
E  hFE en Q (*)

I c
En tenant compte de l’effet Early: ic  h feib  hoevce où hoe 
VCE Q

B ib ic C
hoe 1 = impédance de sortie du transistor en EC
hfeib
hie
hoe-1
Ordre de grandeur : 100kW - 1MW
E

30
 Le modèle dynamique ne dépend pas du type (NPN ou PNP) du transistor
 Note sur hFE et hfe :

droite de charge tangente en Q

Ic
Ic
IB (µA) ic  h feib
20
Q Q
15
droite passant par l’origine
10
1
5 IC  hFE I B
VCE
IB (µA)

on a généralement :
h fe  hFE

sauf à proximité du domaine saturé

31
 Analyse statique / analyse dynamique
Exemple: Amplificateur de tension
VCC VCC
A.N.:
Vcc=15V R1 Rc
R1 Rc
R1=47k
R2=27k statique
Rc=2.4k
RE=2.2k
hFE=100 C Vs=VS+vs
vg VS
R2 R2
RE RE
signal

composante
continue
Analyse statique : on ne considère que la composante continue des courants et tensions
 C = circuit ouvert (aucun courant moyen circule à travers C).
 Point de fonctionnement statique Q (cf avant)
 R2 
 VCC  VBE 
R  R2 mode actif A.N
I EQ   1   ICQ  2.2mA
RE
A.N
32
 VS  VCC  Rc ICQ  10V
Analyse dynamique :
Hypothèses : transistor en mode actif  schéma équivalent du transistor

Schéma dynamique du circuit :

R1 Rc
ib
1 (circuit ouvert)
iC  hie
hoe-1
R2
hfeib
vg vs
transistor
RE

en négligeant hoe...

ib
1
iC  hie
R1 // R2 hfeib
vg vs
Rc

RE

33
 Pour C suffisamment élevée on peut négliger son impédance devant les résistances :

ib

hie
R1 // R2 hfeib
vg vs
i RE Rc

RE

Calcul de la fonction de transfert vs/vg :


vg  hieib  RE iRE  hie  h feRE ib vs

Rc  h fe

Rc
vg hie  RE  h fe h
RE  ie
vs   Rc  h fe  ib h fe

 Pour RE >> hie/hfe on retrouve le résultat de la page 94.

34
Autre exemple :
R1=10W
Régulateur de tension
.
C
IDz
DZ = diode Zener avec |VZ|=9,4V
Imin = 1 mA
IC
Transistor de puissance DZ
charge: RL  25W
hFE  h fe  50
hoe 1
~
Ve = B . IR2
T RL
Vs =VS + vs
15 ± 2V
R2
ondulation résiduelle
= 500W
composante
continue

En statique : Ve = 15V
0.6
VD  VZ et VBE 0.6V  VS  10 V I R2   1,2mA IC  I R1  I DZ  I RL  0.1  I Dz
500
et
10 I
V  VS I RL   0.4 A I Dz  I R2  I B  0.0012  C
 I R1  e  0.5 A RL h fe
R1

I
 I DZ  3mA , IC  97mA et I B  C  2mA
hFE

35
Efficacité de régulation  ondulation résiduelle : Ve varie de ± 2V, quelle est la variation résultante de Vs ?

Etude dynamique du montage : h fe  25mV

I c  100mA  hie   13W
R1 I E mA
.
C

Rz
ib
ve RL vs
hie hfeib
R2

R1  
i  h fe  1  ib vs Rz  hie Rz  hie
   0.4W

hie <<R2
.
C
i vs  Rz  hie   ib
i h fe  1 h fe

Rz
ve ib RL
vs
hie hfeib

36
 R1
.
C
i

0.4W
ve RL
vs

Rz  hie
v h fe Rz  hie
 s    0,03  1
ve Rz  hie  R Rz  hie  h feR1
1
h fe

 Le même montage sans transistor aurait donnée une ondulation résiduelle de

vs

Rz  R2  // RL  0.7
ve Rz  R2  // RL  R1
37
 Modèle dynamique hautes fréquences

 Aux fréquences élevées on ne peut pas négliger les capacités internes des jonctions EB et BC.

 En mode actif :
 la jonction EB introduit une capacité de diffusion Cd
 la jonction BC introduit une capacité de transition Ct .

Schéma équivalent dynamique hautes fréquences

B Ct
rce iC C
iB’
Cd hfe iB’ ro
hFE rse

 Ces capacités influencent le fonctionnement du transistor aux fréquences élevées et sont

responsable d ’une bande passante limitée des amplificateurs à transistor bipolaire (cf plus loin).

38
7 Amplificateurs à transistors bipolaires

7.1 Caractéristiques d’un amplificateur

amplificateur
+VCC
Rg
ie

Ze il
ve Zs
vg vs

source -VEE vL
RL
charge

 Fonction: amplifier la puissance du “signal”

 tout amplificateur est alimentée par une source d’energie externe (ici: VCC et (ou) VEE)
v
 L’entrée de l’amplificateur est caractérisée par son impédance d’entrée Z e  e
ie

 La sortie agit comme une source de tension vs caractérisée par son impédance de sortie Zs

 Zs = résistance de Thévenin équivalent au circuit vu par RL

39
 Gain en tension : +VCC
Rg
Comme Zs  0 le gain en tension dépend de la charge ie
Ze iL
Définitions ve Zs
vg vs
vL v
Gain “en circuit ouvert” : Av   s source -VEE vL
ve R   ve RL
L
charge

v RL
Gain “sur charge” : AvL  L  Av
ve RL  Z s

v Ze
Gain “composite”: Avc  L  AvL  Comme Ze   , Avc diffère de AvL
(tient compte de la v g Ri  Z e
résistance de sortie
de la source)

i A Z
 Gain en courant : Ai  L  vL e
ie RL

 Gain en puissance : v i
Ap  L L  Avc  Ai
v g ie

40
 L’amplificateur “idéal” :

 Gains indépendants de l’amplitude et de la fréquence (forme) du signal d’entrée

 Impédance d’entrée élevée  peu de perturbation sur la source

 Impédance de sortie faible  peu d’influence de la charge

 La réalité...

 Domaine de linéarité : distorsion du signal pour des amplitudes trop élevées

 Nonlinéarité des caractéristiques électriques des composants
 la tension de sortie ne peut dépasser les tensions d’alimentation

 Bande passante limitée : le gain est fonction de la fréquence du signal

 capacités internes des composants
 condensateurs de liaison
 Impédances d’entrée (sortie) dépendent de la fréquence

41
7.2 Amplificateur à émetteur commun (EC)

 Particularités des amplificateurs EC :

 Le transistor en mode actif

 Le signal d’entrée est appliqué (“injecté”) à la base du transisor

 La sortie est “prise” sur le collecteur

 La borne de l’émetteur est commune à l’entrée et à la sortie  ”Emetteur commun”

 Les différences d’un amplificateur EC à l’autre sont :

 Le circuit de polarisation

 Les modes de couplages avec la source du signal et la charge.

 La présence éventuelle de condensateurs de “découplage” (cf plus loin).

42
Exemple :
VCC

R1 RC
 Polarisation par diviseur de tension

CB  Couplage “capacitif” avec la source, vg, et la charge RL.

CC
RL vs
vg
hypothèses :
R2
RE
 Point de repos du transistor: mode actif
( choix des résistances)

 A la fréquence du signal les impédances condensateurs “de liaison” sont négligeables :

1 1
  R1 // R2 ;  RL
CB CC

 CB est nécessaire pour que le point de fonctionnement statique (vg=0) ne soit pas modifié par
la présence du générateur de signaux.

 Cc évite que la charge “voit” la composante continue de VC, et qu’elle influence le point de
repos du transistor.
43
 Analyse statique : Les condensateurs agissent comme des circuits ouverts
 circuit de polarisation à pont diviseur

 Analyse dynamique : rB  R1 // R2
rc  RL // RC

RC ie ib
R1
vg rB rc
C hie hfeib
ve vL
vg RL vL
RE iRE
R2
RE  
iRE  h fe  1  ib

rc  h fe  Gain en circuit ouvert :

 Gain en tension (sur charge): Av  vL  
L ve hie  RE  h fe Remplacer rc par Rc

44
 ie
 Impédance d’entrée :
 Ze dépend de l’endroit d’où vous “regardez” rB hie h feib
l’entrée de l’amplificateur. ve

 Impédance d’entrée vue de la source :

Ze ' 
RE h fe  1 
     
v Ze
Ze  e  rB // hie  h fe  1 RE  rB // h fe RE
ie  schéma équivalent “vu de la source” :

VRE  RE h fe  1  ib 
 Impédance d’entrée vue après les résistances de polarisation :

 
Ze '  hie  h fe  1 RE  h feRE (hie ~qq. 100 à qq. 1k Ohms)

 Gain en courant : ie iL

h fe vg rB
i hie hfeib rc
Ai  L  
ie
1
 
hie  h fe  1 RE
ve

rB RE

45
 Impédance de sortie :

 Zs dépend de l’endroit d’où vous “regardez” la sortie. hfeib Rc RL

 Impédance de sortie vue de la charge (RL): Z s  Rc

Zs ’ Zs

 Zs de l’ordre de quelques kW  loin d’une source de tension idéale

 AvL diminue lorsque RL < ~Rc

 Parfois RC constitue aussi la charge de l’amplificateur (tout en permettant la polarisation du

transistor)

 Impédance de sortie vue de Rc : Z s'  " "

 ne tient pas compte de l’effet Early (hoe)

approximativement vraie tant que le transistor est en mode actif

46
 ie iL
Avec l’effet Early :
vg rB
ve
hie hfeib h 1 Rc
vsortie
oe

RE

Zs ’

Méthode de calcul possible (en fait la plus simple ici) :

Zs’ = RThAB = résistance entre A et B, avec vg court-circuité

= vs / is !

A is
ib

1 :  
vs  hoe1 is  h feib  RE is  ib 
rB hie hfeib h 1
oe
vs 2 : 0  hieib  RE is  ib 
RE

B
vs 1  h fe RE  RE hie
Z s   hoe 1   
 hie  RE  hie  RE
is 47
 Droite de charge dynamique et dynamique de sortie :

droite de charge dynamique: pente 1/(rc+RE), passe par Qrepos

Ic
vce
vce  vL  RE ic  rc  RE ic
vce ic
 ic   IBQ
rC  RE droite de charge statique
Q(repos) V  VCE
I C  CC
RC  RE

VCE

vce
t

 le point de fonctionnement reste sur une droite de charge dite dynamique

48
 La forme du signal de sortie change lorsque le point de fonctionnement touche les limites,
bloquée ou saturée, du domaine linéaire.

rc
vs  rcic  vce  vs  vce
rc  RE

VCEQ
Ic Ic
Q(repos) droite de charge
ICQ
IBQ IBQ

Q(repos)
VCE VCE

VCEQ
rc  RE ICQ
vce

 Point de repos optimale pour une dynamique maximale : VCEQ  rc  RE ICQ
49
 Amplificateur EC avec émetteur à la masse :

 RE est nécessaire pour la stabilité du point de fonctionnement statique.

 RE diminue considérablement le gain...

“Remède” : découpler (“shunter”) RE par un condensateur en parallèle

 seul le schéma dynamique est modifié.

VCC

R1 RC pour CE ou f suffisamment* élevé :

ie ib
CB CC
vg rB rc
RL vs hie hfeib
vg ve

R2
RE
CE

h
*: RE // CE  ie 50
h fe
 Gain en tension (sur charge):
rc  h fe r  le gain dépend fortement de rf
Av L     c >> gain avec RE (résistance interne de la fonction BE)
hie rf
(la contre-réaction n’agit plus en dynamique…)

kT rI
or rf   AvL   c C
IC kT

 Le gain dépend de IC  distorsion du signal aux amplitudes élevées

v
 Impédance d’entrée de la base : Z e  e  hie significativement réduit...
ib

 Impédance de sortie : Z s  hoe1 // Rc (vue de la charge RL)

51
 Droite de charge dynamique et dynamique de sortie :

vce  ic rc “droite de charge dynamique”

Ic
vce
ic
ICQ
Q

droite de charge statique

VCEQ VCE

rc I CQ


 Il y a déformation du signal dès que : vs  min VCEQ , rc ICQ 
 Le point de repos optimal correspond à VCEQ  rc I CQ

52
 L’amplicateur EC en résumé :

Emetteur à la masse :
R R
Gain en circuit ouvert : Av   C h fe   C  1 en valeur absolue
hie rf
Impédance de sortie : Z s  RC (de q.q. kW )
Impédance d’entrée de la
base du transistor: Z e  hie (de q.q. kW )

Avec résistance d’émetteur (amplificateur « stabilisé »):

RC R
Gain en circuit ouvert : Av    C
r f  RE RE

Impédance de sortie : Z s  RC

Impédance d’entrée de la base:  

Z e  hie  h fe  1 RE (élevée, hfe ~100-200)

 L’inconvénient du faible gain peut être contourné en mettant plusieurs étages

amplificateur EC en cascade (cf. plus loin). 53
 7.3 Amplificateur à collecteur commun (CC) ou encore montage « émetteur suiveur »

 Particularités des amplificateurs CC :

 Le transistor en mode actif

 Le signal d’entrée est appliqué (“injecté”) à la base du transisor

 La sortie est “prise” sur l’émetteur

 La borne du collecteur est commune à l’entrée et à la sortie  ”Collecteur commun”

 Les différences d’un amplificateur CC à l’autre sont :

 Le circuit de polarisation

 Les modes de couplages avec la source du signal et la charge.

 La présence éventuelle de condensateurs de “découplage”.

54
Exemple: VCC

R1  Polarisation par diviseur de tension

C  Couplage “capacitif” avec la source, vg, et la charge RL.

C B

vg isortie
hypothèse: Mode actif
E
R2
RE vs
RL

Ze

Analyse simplifiée (« 1ière approximation ») :

Mode actif  VBE  0.7V  VE  VB  0.7V  vs  vE  vB  vg

v
 Av  s  1 L’émetteur “suit” la base.
vg

55
 Analyse dynamique : transistor
ientrée ib
B C

hie hfeib
R1//R2 iL
vg E

RE vs RL

Ze
RE RE  kT 
 Gain en tension en circuit ouvert : Av   1  RE  r f  
RE 
hie RE  r f  I E
h fe  1
rE
 Gain en tension sur charge : Av   1 avec rE  RE // RL
L rE  r f

 
 Impédance d’entrée : Z e  rB // hie  h fe  1 rE  1  
vs
iL RL Z Ze
 Gain en courant : Ai    AvL e   1
ientrée vg RL RL
Ze
56
 Impédance de sortie
hie
ib
is
v
hfeib
vs Zs  s
rB
RE is v  0
vs g

  
vs  RE  is  h fe  1 ib 


 hvs 
  vs RE is  h fe  1

vs  hie  ib   ie 

hie
RE
RE hie h fe  1 hiehie !
Zs    RE //   rf

hie  RE h fe  1  hie
 RE h fe1 h fe
h fe  1

57
 Dynamique de sortie

VCC
droite de charge dynamique : pente 1/rE
Ic
R1
droite de charge statique
C
C
B Q(repos) V  VCE
I C  CC
isortie RE
vg
E VE  VCC  VCE
R2
RE vs rE I CQ VCE
RL

VEmax  VCC -0.2V VEmin  0 V

 Point de repos optimal : VCEQ  rE I CQ

 Le point optimal dépend de la charge.

58
L’amplicateur CC en résumé :
Av  1

Ze  R1 // R2 //(hie  h ferE )  h feRE peut être de l’ordre de quelques 100kW

Rg  hie Rg  hie
Z s  RE //  inférieure à quelques dizaines d ’Ohms
h fe  1 h fe

RL i Z
Av L  Av  Av Ai  L  Av L e  1  hfe si RE constitue la charge
RL  Z s ie RL (i = i et i  i )
L c e b

Intérêts du montage :
Faible impédance de sortie Impédance d ’entrée élevée

Applications :

« Etage - tampon »  Isolement d ’une source à haute impédance de sortie d ’une charge à basse
impédance.
exemple : 1

Amplificateur de puissance (cf plus loin) 59

7.4 Amplificateur à base commune (BC)

 Particularités des amplificateurs BC :

 Le transistor en mode actif

 Le signal d’entrée est appliqué (“injecté”) à l’émetteur du transisor

 La sortie est “prise” sur le collecteur

 La borne de la base est commune à l’entrée et à la sortie  ”Base commune”

VCC

RC hfeib
E C
R1
RL rc
RE hie
ib B

R2 RE
vg

60
 hfeib
 Propriétés :
E C

ve RE rc
hie
h ferc
 Gain en tension : Av L  ib B
hie

Ze Zs
h fe
 Gain en courant : Ai  1
hie
 h fe  1
RE

hie h kT
 Impédance d’entrée : Z e  RE //  ie  r f  quelques W.
h fe  1 h fe  1 I CQ

 Impédance de sortie : Z s  "" (hoe = 0) 1

sinon Z s  hoe comportement en source
de courant

61
Exemple d’application : convertisseur courant - tension

quadripôle équivalent à l’étage BC

R
is
ie
vg RL
Ze Ai ie
Zs

vg vg
ie    vs  RL  is  RL  Ai  ie
R  Ze R tant que RL <<Zs.

~indépendant de Ze tension de sortie  courant d’entrée

 Lorsque vg = 0, (ie=0), la sortie est “vue par la charge” comme une résistance très grande (hoe-1)
(cf. charge active)

62
7.5 Influence de la fréquence du signal

 On se limitera au montage EC pour illustrer l’influence de la fréquence du signal sur les

performances d’un amplificateur à transistor bipolaire.

Limitation à basse fréquence  condensateurs de liaison et de découplage

Limitation à haute fréquence  capacités internes au transistor

Basse fréquence C et Ce  court circuit

+VCC filtres passe-haut

RC Rg C ib C
R1

hie hfeib
RG dynamique R1 // R2 RC RL
RL
vg

RE CE
R2 RE

Z E  RE // CE  0
1
f ci  , avec r  R1 // R2 // Z e  Rg ZE diminue le gain
2 rC (voir ampli stabilisé)
Ze = impédance
d ’entrée de l ’étage 1
Fréquence de coupure inférieure du f co 

montage = max f ci , f co  2 RL  RC C 63
Hautes fréquences

Rg ib
Cbc
hie hfeib Rc // RL
R1 // R2 Cbe

qualitativement: aux fréquences élevées, Cbe court-circuite la jonction base-émetteur  ib diminue

Cbc crée une contre-réaction.

On montre que : Comportement en filtre passe-bas, avec

1
f ch 
 
 h fe

2 Cbe  Cbc 1  
RL  hie // Rg // R1/ 2 
  hie 

64
7.6 Couplage entre étages

 Objectif

Coupler plusieurs “étages” pour améliorer les propriétés du circuit...

Exemple : Amplificateur avec

- gain en tension élevé
- faible distorsion
- bonne stabilité (thermique, dispersion)
- impédance d’entrée élevée
- impédance de sortie faible

Solution possible :  stabilité et faible distorsion  EC stabilisé (RE)

 gain élevé  plusieurs étages en cascades

 Ze élevée  étage C.C en entrée

 Zs faible  étage C.C en sortie

Difficultés du couplage :  Polarisation de chaque étage

 Gain sur charge : chaque étage “charge” l’étage précédent
 Réponse en fréquence de l’ensemble (cf. couplage capacitif)
65
 Couplage capacitif
 Utilisation de condensateurs de liaison, CL
Exemple: amplificateur à trois étages CC - EC - CC
+VCC

R1 RC R1
R1

CL CL

CL CL
ventrée charge
RE
R2 RE
R2 R2
RE’ CE

C.C. E.C. C.C.

 Les points de fonctionnement des 3 étages sont indépendants (en statique CL = circuit ouvert)
(dans l’hypothèse où la résistance interne de Vcc négligeable…)

 Les paramètres dynamiques (gains, impédances) ne sont pas indépendants

 ex: l’impédance d’entrée du 3ième étage (= charge de l’étage E.C.) détermine le
gain sur charge du 2ième étage, etc.
66
 +VCC

R1 RC R1
R1

CL CL
T1 T2 T3
CL CL
ventrée charge
RE
R2 RE
R2 R2
RE ’ CE

C.C. C.C.
E.C.
ier ier ier
AvL montage  AvL1 ét.  AvL 2 ét.  AvL 3 ét.

comme Ze E.C  Z sCC et ZeC.C  Z s EC  AvL étages  Av

Rc h feT2
AvCC  1  AvL montage  Av E.C  
hieT2

67 loin)
Inconvénient: les condensateurs imposent une fréquence de coupure basse au montage (cf. plus
Couplage direct

 Pas de fréquence de coupure basse

 Les circuits de polarisation des différents étages ne sont pas indépendants.

Un exemple :
30V
24k
hfe ~100
5k 27k
T4
T3
vs
T1 ,T2=PNP!! T2 2.4k
T1 680
vg
Av  -10

AvL ~1 2 suiveurs E.C. E.C.

“Darlington” AvL  -40 = gain en circuit ouvert
(2.4k x hfe>> 27k)

 Amplificateur de tension stabilisé : Av  AvEC #1  AvEC #2  AvEC #1  AvEC #2

L L

T T T
 
 Ze élevée : Ze  h fe1 ZeT2  h fe1 h fe2  5000  50MW  Zs  24 kW 68
 Analyse statique : VCC= 30V
24k
 VCC polarise en directe les deux
jonctions EB de T1 et T2 5k 27k
(transistors PNP) 3V T4
 En statique, vg = 0
0.7V T3
T1 vs
 VCE  0.7V T
0.7V T2 I E3 2.4k
 T1 en mode actif 680
T1

T
 VCE2  1.4V

 T2 en mode actif

T T T
 VE3  0.7V  IC3  I E3  1mA T
 VCE3  2.3V  T3 en mode actif

T T T T4
 VE 4  2.3V  I C4  I E4  1mA  VCE  3.6V  T4 en mode actif

I E2
T I E 2  5.7mA et I E1 
 VC 4  6V hFET2 69
 Mais attention…. VCC= 30V
refaisons le calcul avec VBE=0.6V : 24k

5k 27k
T2
 VCE  1.2V 3V T4

 VET3  0.6V 0.6V T3

vs
T
0.6V T2 I E3 2.4k
 I CT3  I ET3  0,88mA  0,9mA
T1 680
T3 vg
 VCE  5.7V au lieu de 3V…

 VET4  5.1V  ICT4  I ET4  2,1mA  2mA

T4
 VCE  18V  T4 en mode saturé !!

Amplification des dérives des composantes statiques

70
 Couplage par transformateur : condensateur d ’accord:
le circuit résonnant, LC, limite la
étage EC transmission aux fréquences
proches de la fréquence de
résonnace
 
 Av   Z c 
 r f 


condensateur de découplage
(masse en alternatif) (EC)

polarisation par
diviseur de
tension

transmission du signal d’un étage à l ’autre par le transformateur

Application majeure: essentiellement en radiofréquences (>500kHz)

exemple: syntonisation d ’une station radiophonique ou d ’un canal de télévision

71
7.7 Amplificateurs de puissance
 Impédance de sortie et amplicateur de puissance

Puissance moyenne fournie par l’amplificateur :

Zs
2
 RL 
iL  vs 
vL 2  RL  Z s  RL  vs 2
vs RL P  vL t   iL t    
2RL  Z s 2
vL 2 RL 2 RL
charge

1
cos 2 t  , vL  amplitude du signal
2
étage de sortie dP 2
v
d’un amplificateur Puissance maximale:   0   RL  Z s  Pmax  s
dRL 8  Zs
(“adaptation” d’impédance)

 Pour vs constant, Pmax augmente quand Zs diminue

A.N. vs=1V : Zs=10kW  Pmax=0.012mW | Zs=10W  Pmax=12mW

Rg Etage CC
gain en puissance en conditions
Zs d’adaptation d’impédance avec et
vg Ze vg charge sans étage amplificateur = Zs /Rg
72
 Amplificateur de Darlington
 Amplificateur comprenant deux étages émetteur-suiveur montés en cascade

Vcc  Gain en tension :

“Darlington”  L’impédance d’entrée de T1 est très élevée et ne
“charge” pas beaucoup T2
R1
 Av  1
T2
R2 T1  Impédance d’entrée du Darlington :
vg (après les résistances du pont diviseur)
vs
 L’impédance d’entrée élevée de T1 constitue la
RE résistance d’émetteur (RE) de T2

Ze  Ze  h fe2  ZeT1  h fe2  h fe1  RE  1

T1: hfe1 T2:hfe2
 Ib (T2) très faible  choix de R1 et R2

 Gain en courant :

T T T T T
iE1 iE1 ib1
iE1 iE2
Ai     h fe1  h fe2
T2 T1 T2 T1 T2
ib ib ib ib ib
73
 Impédance de sortie du Darlington :

hieT2
 hieT1
Vcc Z sT2  hieT1 h fe hieT2
 Zs   2 2
h fe h fe1 h fe1 h fe2
1
R1

T2 T kT  h fe1 kT h T2
puisque hie 1    ie
R2 I E T1 e  I E1 e  I E2 h fe2
vg 2

I E1 vs
RE I E2  I B1 
I E1
h fe  hFE 
h fe1

h
Etage CC unique : Z s  ie
h fe

Pmax étage CC avec Darlington  Pmax simple étage CC

74
  Darlington = “supertransistor” bipolaire….

 Existe sous forme de composant discret à trois bornes, nommé transistor Darlington. Il se
comporte comme un seul transistor à gain en courant extrêmement élevé.
(ex: 2N2785: hfe=2000-20000.)

 Existe aussi avec des transistors PNP.

 Utilisé fréquemment pour les applications d ’isolement entre étages (Ze très élevée, Zs très faible)

 Utilisé fréquemment comme étage de sortie des amplificateurs de puissance (Zs très faible)

75
 Amplificateur Push-Pull
 Amplificateur classe A / classe B
 Dans les montages amplificateur vus précédemment, les transistors sont à chaque
instant en mode actif
 Amplificateur de “classe A”
Avantages:
 faible distorsion (en cas d’amplificateur stabilisé)
simplicité
Inconvénients :
 Amplitude de sortie limitée (typ: 0.2<VCE<Vcc  vCEmax~Vcc/2)
 Importante consommation en absence du signal : courants de polarisation non nuls

+VCC

R1 RC

Palimentation  Vcc  ICQ  I p 
Ip I CQ
ex: Vcc = 15V, IC=1mA, Ip = 0.1mA => P ~ 15mW
R2
RE en absence de signal…

Amplificateur classe B: transistor bloqué en absence de signal d’entrée. (ex: Push-Pull)

Avantages: Inconvénients :
 faible consommation, dynamique de sortie élevée  Distorsion du signal 76
 Push Pull
Principe de fonctionnement
Exemple :
 Transistors bloqués au point de repos
(amplificateur « classe B »).

+Vcc R1 et R2 sont telles que (lorsque vg=0) on a

R1 ICNPN
VBE NPN  ~ 0.6 et VEB PNP  ~ 0.6V
B
NPN  Transistors bloqués (de justesse): IB~0 =>IC~0
R2
NPN PNP
P VCE  VEC  VCC NPN VCC PNP
~1.2V VCE   VEC
vg
R2
ICNPN  ICPNP Q 2 Q
RL
vsortie
B’
PNP ICNPN ICPNP
R1 ICPNP VP

IB~0 IB~0
IC VCENPN

0 PNP VCC VCEPNP

NPN VCE
VCE Q
-VCC Q 0 77
 émetteur suiveur  En présence d’un signal d’entrée chaque transistor
est alternativement actif ou bloqué ( « Push-Pull »)
+Vcc
R1  Si v g>0  NPN actif, PNP bloqué
B
NPN V p  VB  0.7V
 DV p  DVB  v g
R2
P
~1.2V
vg
R2 RL Droite de charge dynamique
vsortie
v
B’
PNP IC ic   CE droite de charge statique
RL VCEQ ~VCC/2
R1
 Amplitude max : VCC/2

IB=0
VCC/2 VCE

 si vg<0  NPN bloqué, PNP actif …

78
Formation du signal de sortie

IC IC
vg
ib NPN  NPN PNP
h fe RL
VCE
VEC
t

ibPNP

Signal de sortie:
vsortie
NPN actif

t
PNP actif

 Plus grand domaine de fonctionnement 79

Difficultés de cet exemple
 positionnement du point de repos

VBEQ trop faible

IC
ICsat
t
t
VCE
transistors bloqués

 Distorsion de croisement : Si VBE trop faible au repos, les deux transistors seront bloquées
pendant une fraction du cycle.

 Risque d’emballement thermique (pas de contre-réaction)

80
Polarisation par diodes
Point de repos
+Vcc choix de R1 : ID ~0
comme VD =Vbe IE ~ID ~0
R1
NPN
 Idéalement D1, D2 = diodes de
D1 caractéristiques appariés aux transistors
ID 2  VBE

vg D2 RL
PNP vsortie

R1

Remarques:
 L ’amplificateur Push-Pull existe aussi avec des paires de Darlington
 Zs plus faible  puissance maximale supérieure 81
7.8 Amplificateur différentiel
 Deux signaux d’entrée, V+, V- +Vcc
 Sortie = collecteur d ’un transistor
Rc Rc

hypothèse : T1 et T2 appariés (circuit intégré) Vs

RB
T1 T2
 Régime statique : V  V  0 E RB
V IE IE V
 Par symétrie : IE1=IE2=IE RE 2IE
-VEE

 Pour RB <<hfeRE : VR  RB I B  2 RE I E  VEE  0.7  2 RE I E

B

V  0.7
I E  EE
2 RE

 Tension continue en sortie : Vs  VCC  Rc I E

82
 Régime dynamique: +Vcc
 Mode différentiel: Rc Rc
hyp: V  V "ve " Vs
 I E1  I E  ie 1 et I E2  I E  ie RB
2 T1 T2
avec IE la composante continue du courant émetteur. V E RB
V
Pour de signaux d’entrée de faible amplitude : ie  ie RE
1 2
Par conséquent : I RE  I E1  I E2  2I E -VEE
 Le courant dans RE n’a pas changé, et la tension en E reste constante.
 E constitue une masse dynamique !

d ’où le « gain en mode différentiel » :

Rc Rc
v Rc h fe
vs Ad  s   1
ve hie
RB

E RB
ve  ve  V+ = entrée non-inverseuse
 V- = entrée inverseuse
étage EC
Rc h fe Rc h fe
vs    ve   ve 83
hie hie
 Mode commun:
+Vcc
hyp: V  V  ve  I E1  I E  ie
Rc Rc
et I E2  I E  ie
Vs
 I RE  I E1  I E2  2I E  ie  RB
T1 T2
 VE  2RE  I E  ie   2RE I E  2RE ie V E RB
V

RE
La tension en E équivaut à celle d’un étage unique
ayant une résistance d ’émetteur double. D ’où le -VEE
schéma équivalent :

Rc Rc

vs
Rc
RB RB vs   ve
2 RE
E E’
ve ve d’où le «gain en mode commun »:

2RE 2RE Rc
Ac    1 pour RE  RC
2 RE

2 étages EC stabilisés indépendants 84

 Signaux d’entrée quelconques :

On peut toujours écrire : V  V V  V

V     Vmc  Vmd
2 2
V  V V  V
V     Vmc  Vmd
2 2

V  V V  V
avec Vmc   et Vmd  
2 2

 v 
D’où, par le principe de superposition : vs  Ad vmd  Ac vmc  Ad  vmd  mc 
 CMRR 

Ad 2h fe RE
où CMMR   = « taux de réjection en mode commun »
Ac hie (common mode rejection ratio)

 Intérêts de l’amplificateur différentiel : Entrées en couplage direct (seule vmd est amplifiée)

 Ampli. différentielle = étage d’entrée des Amplificateur opérationnel.

 Impédance d’entrée et CMRR très élevés

85
 Polarisation par miroir de courant
2h feRE
Il faut CMRR   1
hie
+Vcc
Choisir RE très élevée pose plusieurs problèmes:

 nécessite une augmentation de l’alimentation Rc Rc

pour maintenir Ic (donc le gain) constant Vs

 incompatible avec la technologie des circuits RB

T1 T2
intégrés. RB
V V

IEE
 il suffit que RE soit élevée en régime dynamique ! R
 Solution = source de courant ( R,D,T3) T3
D IE3
hyp: D et T3 = appariés -VEE
V  VEE  0.7
 I EE  I E3  cc
R

86
« Miroir » de courant
Hyp: la caractéristique I(V) de la diode est identique (appariée) à celle de la jonction PN du transistor

V  0.7
Val I D  al
R

comme VBE = VD
R
IC = ID

IC est le « miroir » de ID…

A
ID IC
 I ne dépend pas du circuit en pointillé
vu de A, le circuit se comporte comme une source de
courant idéal (tant que le transistor est actif)

VD
 en tenant compte de l’effet Early, IC dépend
légèrement de VCE

87
 Schémas équivalents du circuit vu de A :

Val schéma statique schéma dynamique

« grands signaux » petits signaux

IC=ID +VCE . hoe iC=vCE . hoe

A
ID IC

ID R ~hoe-1 R ~hoe-1

VD

 R > 100 kW

88
Schéma équivalent de l’ampli différentiel:
en dynamique
+Vcc

Vs vs

IEE hoe-1 hoe-1

-VEE

 hoe-1 (effet Early de T3) est de l’ordre de quelques 100kW.

 En dynamique, hoe-1 joue le même rôle que RE et augmente considérablement CMRR.

89
Exemple d’application

Thermostat

90
Exemple d’application

Thermostat

« charge active »

R
0.5mA

B
A

Figure 2.76
paire différentielle

source de courant

91
Exemple d’application

Thermostat
Si VA> VB

R
0.5mA

B
A

Figure 2.76
paire différentielle

source de courant

92
Exemple d’application

Thermostat
0.6V 0.6
Si VA> VB I  6A
0.1

R
0.5mA

B
A

Figure 2.76
paire différentielle

source de courant

93
Exemple d’application

Thermostat
Si VA< VB 0V I  0A

R
0.5mA

B
A

Figure 2.76
paire différentielle

source de courant

94
Transistors à effet de champ ou FET (field effect transistor)
1 Introduction
 Caractéristiques de base

 Composant à trois bornes : S, D et G, (parfois quatre: substrat)

 Un courant (ID) peut circuler de VGS

la source S au drain D via le VDS
“canal” (zone dans le G
S D
semiconducteur, proche de
l’interface avec la grille): ID
canal
 Le courant circulant dans la grille (IG) est négligeable. substrat (Si)
=> IS = ID !

 ID , à VDS constant, est commandé par la tension

de grille – source (VGS) ”effet du champ”
électrique

 FET à canal N : courant porté par les électrons, de S vers D

(sens positif de ID: de D vers S)
 FET à canal P : courant porté par les trous, de S vers D
(sens positif de ID: de S vers D) 95
 Allure générale des caractéristiques “de sortie” : I D VDS V
DS

ID

Régime
Mode actif
linéaire
VGS = cst

~résistance
~ source de
modulée par
courant
VGS
commandée par
VGS

VDS
96
limite de zones
 Différences entre FET et transistor bipolaire :

 IG << IB
 Impédance d’entrée très grande (parfois > 1014W)
 Montages de polarisation plus simples

 Régime linéaire
 pente = f(VGS)  résistance variable (pas d’équivalent pour le bipolaire)
 VDSsat > VCEsat : tension résiduelle du transistor en mode saturé plus élevée.

 Régime de saturation (mode actif)

 ID commandé par une tension
dI
 transconductance g m  d (au lieu de hfe)
dVgs
Dispersion de fabrication plus élevée sur gm que sur hfe

 Caractéristiques « transverses » en mode actif :

 Bipolaire : à VCE cst, IC =IB ou IC =a IE

 FET: à VDS cst, ID = f(VGS) = relation non-linéaire

 dépend du type de FET….

97
 Différences entre FET et transistor bipolaire :

figure 3.2 p 115

98
 Différents types de FET

 JFET : FET à jonction : La grille et le canal forme une jonction PN

S D S D

G G

JFET à canal P JFET à canal N

 Transistor « normalement passant »

 ID est maximal pour VGS = 0, et diminue lorsqu’on augmente VGS (en valeur absolue).

ID est nulle lorsque VGS dépasse une valeur limite VGSoff.

 Canal P : VGS > 0  la charge positive sur la grille repousse les trous

 Canal N : VGS < 0  la charge négative sur la grille repousse les électrons

99
 MOSFET (Métal Oxyde Semiconducteur – FET) à enrichissement :

La grille et le canal forment un condensateur à “plaques //”, l’isolant étant l’oxyde du silicium.

G substrat G substrat

S S

MOSFET : canal N canal P

 transistor « normalement bloqué ».

 ID est nul lorsque VGS = 0 et augmente dès que VGS dépasse une valeur seuil Vs

Canal P : Vs < 0  la charge négative sur la grille attire les trous

Canal N: Vs > 0  la charge positive sur la grille attire les électrons

100
 La ligne pointillée indique que le canal est inexistant tant que VGS < Vseuil

 Le substrat est généralement relié à la source.

 Les transistors MOSFET à appauvrissement :

• comportement similaire au JFET, mais VGS >0 (canal N) autorisé
• très peu utilisés
• non traités en cours.
 D’autres symboles sont parfois utilisés pour les mêmes composants
Exemples:

101
  Caractéristiques d’un JFET à canal N : Conditions de fonctionnement : VGS  0 , VDS  0

VDS sat  VGS  VP

ID (mA) VGS=0
VDS  VDS sat 16 I DSS
12

transistor 8
VGS=-1V
bloqué
4
0
VGS(V) -2 -1.5 -1 -0.5 2V 4 6 8 VDS (V)
P
VGSoff
2
Régime de saturation Pour VDS  VDS sat :

I D  I DSS 1  GS
 VGS
V 


  k V V
GS GS off 
2 k
I DSS
VGS off 2
 off 

Régime « linéaire » Pour VDS  VDS sat : 

 
V 
I D  2k  VGS  VGS off  DS   VDS
 2 

 pour VGS < VGSoff, ID  0, transistor bloqué.

 pour VGS >0, le courant IG augmente rapidement (zone non utilisée).

102
 tension de « pincement » VP ~ - VGSoff
 Caractéristiques d’un MOSFET à canal N :

VDS sat  VGS  VS

VDS  VDS sat
ID ID

transistor
bloqué
VGS(V)
Vs VDS (V)

Régime de saturation Pour VDS  VDS sat : I D  k VGS  Vs 2

Pour VDS  VDS sat : I D  2k VGS  Vs   DS   VDS

Régime « linéaire » V
 2 

 pour VGS < VS, ID  0, transistor bloqué

 VGS-VS = « tension d’attaque de grille ».

103
En résumé : VDS  VDS sat

VGSoff Vs Vs VGSoff

104
 2 Schémas équivalents petits signaux
 Régime linéaire : VDS  VGS  VP
ID

VDS
G D

= RDS

S
résistance fonction de VGS


Pour VGS > VP , et VDS <VGS +VP :RDS  avec k = constante
 V 
k  VGS  VP   DS  dépendant du composant
 2 
 Condition: VDS suffisamment faible (<VGS+VP ), souvent inférieure à 0.5V.
 Dans ces conditions, Source et Drain peuvent être inversés.

JFET: “RDS(on)” = RDS pour VGS  0 MOSFET enrichissement: “RDS(on)” = RDS pour VGS élevée (~10V).

ordre de grandeur: RDS on  0.05W  10kW  

RDS off  RDS VGS  VGS off (canal N)  MW 105
 Régime de saturation :
ID
Pour VDS  VDS sat , ID est commandée par VGS Q  VGS

I D  k VGS  VS 2
VDS
ID est commandé par VGS

id  g mvgs avec g m   I D =“transconductance”

 VGS V ID (mA)
DS
16
12
 schéma linéaire équivalent: Q 8
G id D 4

v gs g mv gs vds 0
r VGS(V) -2 -1.5 -1 -0.5
VGSoff
S
tient compte de l’augmentation de vds avec id
(équivalent de l’effet Early)

 caractéristique ID(VGS) non-linéaire : gm (VDS) 106

JFET

 
g m  g mo 1  GS , avec g  2 I DSS
V
 VGS  mo = pente pour VGS=0
 off  V GS off

 gm varie linéairement avec VGS .

MOSFET à enrichissement

g m  2k VGS  Vs 


Ordre de grandeur : gm=1 - 10 mA/V (mS ou mmho) g m 1  0.1  1kW 

107
3 Quelques circuits de polarisation

 Objectif : fixer le point de fonctionnement au repos

 Polarisation automatique par résistance de source d’un JFET:

+VDD

RD 1 ID ID V  VDS
ID   VGS I D  DD
ID RS RD  RS
IG  0 G D
S
RG ID Q  VGS
Q
Q’
RS Q’

VGS VP VDS
VGSQ VDSQ
Dipersion de fabrication
2
 
I D  I DSS 1  GS
V  
 VGS  
 off    ID , VGS , VDS .
V 
I D   GS  108
RS 
 Polarisation par réaction de drain (MOSFET à enrichissement)

+VDD
V  VDS IG  0  VGS  VDS
I D  DD
RD RD
RG
ID ID
Q
D . VGS 
S
VGS(V) VDS (V)
VDD

I G  0  VGS  VDS

109
4 Applications des FET

 Sources de courant à JFET

+VDD

VGS  0  I D  I DSS
charge

 Avantage du JFET: polarisation de la grille inutile.

 Inconvénient : dispersion de fabrication sur IDSS.

 IDSS= augmente avec VDS  résistance de sortie non infinie

I
Source de courant ajustable par la résistance variable.
2
 
I D  I DSS 1  GS
V  
 VGS  
 off    ID
R V 
I D   GS 
R 
110
Source de courant à plus grande impédance de sortie

+VDD
 T2 et T1 tel que IDSS(T2) > IDSS(T1)

charge

T2 T1 I = IDSS (T1 )

 VGS (T2) est telle que ID(T2) = IDSS(T1)

VDS(T1) =VGS(T2)
T1

influence de le charge sur VDS(T1) atténuée

source de courant ordinaire I varie moins avec la charge

 impédance de sortie plus grande.

111
 Amplificateur source commune

Exemple : VCC  hypothèse: Mode actif , C très élevées

RD JFET

C C vg vgs
D vs RD vs
RG gmvgs
S
vg
RG
RS C Ze Zs

 Gain en tension (circuit ouvert) : Av   g m RD

Impédance d’entrée : Z e  RG (RG peut être prise très grande, de l’ordre du MW ou plus)

Impédance de sortie : Z S  RD

 gm = fonction de VGS  distorsion

“quadratique” 112
Stabilisation par une résistance de source :

VCC
JFET
RD
vg vgs gmvgs RD
D RG vs
S vs
vg
RG rS
rS

RS

Gain en tension : vg  vgs  rs g mvgs et vs   g mvgs RD

v g R RD
d’où : Av  s   m D  
vg 1  rs g m 1
 rs
gm

 L’influence de gm sur le gain est réduite si rs>>1/gm. Le gain en tension est plus faible.

 rs introduit une contre-réaction: vgs  vg  rs vs

(vs et vg en opposition de phase, Av <0) 113
 Amplificateur drain commun (ou « source suiveuse »)

ve G JFET D
VCC
vg vGS
RG gmvGS
D S
vg S
RS vs
RG
RS vs Ze

Zs

g m RS RS
 Gain en tension (circuit ouvert) : Av   1
1  g m RS g m 1  RS

Impédance d’entrée : Z e  RG
vsc.o. Rs g m 1
 Rs // g m 1
Rs
Impédance de sortie : Zs   
isc.c g m Rs  1 Rs  g m 1

114
 Résistance commandée

 Pour VGS > VGSoff et VDS <VGS +VP : RDS 
 V 
k  VGS  VP   DS 
 2 

ex:

R
vsortie RDS
 vsortie  ventrée
ventrée RDS  R

= atténuateur variable, commandé par Vcom

 En choississant R  RDSon , vsortie varie entre ~0 et ventrée

Vcom
 Imperfection:
RDS dépend de VDS  réponse non-linéaire

115
Amélioration possible: 
RDS 
 V 
k  VGS  VP   DS 
 2 

R
vsortie
ventrée

R1
 VGS 
VDS Vcom
 I G  0
2 2

1
R1  RDS 
Vcom k Vcom  VP 

 Linéarité presque parfaite

116
Application: Commande électronique de gain

Etage EC avec rE =RDS (//200k)

exemple: 15V

5k
75k

1µF signal de sortie

signal
d’entrée

50k
5.6k
R 5k
Av   c  
rE RDS Vcom  // 5,6k

 
1µF 5k
100k  Av    Vcom  V p
RDS Vcom 

Vcom
100k
 il faut RDS< 5.6k
 amélioration possible: charge active pour RE.

117
 Interrupteur à FET

Exemple d’application:

118
 Inverseur logique

CMOS=« Complementary MOS) »

aucun courant drain circule,

quelque soit le niveau de sortie

119