Electronique Analogique

Chapitre II: Le transistor

bipolaire

Y.Menchafou Année universitaire 2022/2023

 Sommaire

I. Introduction

II. Caractéristiques du transistor

III. Polarisation du transistor

IV. Régimes de fonctionnement du Transistor

V. Schéma équivalent du transistor

VI. Etude du transistor en montages fondamentaux

Y.Menchafou Le transistor bipolaire 2

 I. Introduction
1. Définition
▪Le transistor est u n composant clef de l’électronique:
il peut :
❑ amplifier un signal : amplificateur de tension, de
courant, de puissance,...
❑ être utilisé comme une source de courant
❑ agir comme un interrupteur commandé ( =
mémoire binaire)…

il existe :
❑ soit comme composant discret

❑ soit sous forme de circuit intégré, i.e. faisant

partie d’un circuit plus complexe, allant de
quelques unités (ex: AO) à quelques millions de
transistors par circuit (microprocesseurs)

on distingue le transisor bipolaire du transistor à effet

de champ

 différents mécanismes physiques

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 I. Introduction
1. Définition d’un transistor bipolaire
▪Le transistor bipolaire est créé en juxtaposant trois couches de semi-
conducteur dopés N + , P puis N pour le transistor NPN (courant dû à u n flux
d’électrons) ou dopés P + , N puis P pour le transistor PN P (courant dû à u n flux
de trous). Le niveau de dopage décroit d’un bout à l’autre de la structure.
▪U n faible cou r a n t de base, I B, permet de comma n der u n courant de
collecteur, I C , bien plus important.
II.2. Représentation Deux « jonctions PN ou diodes » couplées  « effet transistor »
collecteur collecteur
IC IC
IB N IB P
base VCE P base VCE N
émetteur

collecteur

N+ P+
V BE IE V BE IE
émetteur émetteur
base Transistor NPN Transistor PNP

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 I. Introduction

Lors de l’étude de fonctionnement du transistor, on distingue deux régimes:

❑ Régime Statique:

Les grandeurs I et V ne varient pas en fonction du temps. Le système électronique est alimenté
à l’entrée par une tension continue.

❑ Régime dynamique:

Le système électronique est alimenté à l’entrée par une tension alternative (I et V varient
en fonction du temps).

Y.Menchafou Le transistor bipolaire 5

 I. Introduction

Partie 1: Etude Statique

Y.Menchafou Le transistor bipolaire 6

 II. Caractéristiques du transistor
1. Fonctionnement du transistor NPN
▪Si la tension V BE est suffisante, la diode BE
(base –émetteur) est passante :

✓ Courant de trous de B vers E.

✓ Courant d’électrons de E vers B

I = IS .exp BE  = (ISt + ISe ).exp BE 

qV qV
 kT   kT 
B P
▪Si le nombre d’électrons dans l’émetteur et
100 fois plus grand que le nombre de trous V BE
dans la base alors I S t << I Se .

N+

E
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 II. Caractéristiques du transistor
1. Fonctionnement du transistor NPN – effet transistor
▪ On positionne à présent le collecteur dopé N C
▪La jonction BC est polarisée en inverse :
augmentation du champs électrique interne. N

▪La longueur de la base est très courte et les

VBC
électrons arrivent tous a u niveau de la ZCE Base-

collecteur.
▪Les électrons sont propulsés dans le collecteur
B P
par le champ électrique.
▪Si on modifie la tension VBC (dans une certaine V BE
limite), le champ électrique est toujours suffisant
pour propulser tous les électrons :
Cet effet transitor a pour conséquence de pouvoir contrôler à N
l’aide du courant de la base I B relativement faible, un courant
de collecteur I C beaucoup plus imporant . E
Y.Menchafou Le transistor bipolaire 8
 II. Caractéristiques du transistor
1. Fonctionnement du transistor NPN
▪ P a r convenance on pose : VT = q (= 25.6 mV à 300K) C
kT IC
▪ Les trois courants du transistor bipolaire sont :
N
✓ I B : courant de trous de B vers E.
V 
I B = ISt .exp BE 
 VT 
✓ I C : courant d’électrons de E vers C 
V 
IC = ISe.exp  BE 
 VT  IB
✓I E : courant de t r ous de B vers E + courant B P
d’électrons de E vers C
V 
I E = IS.exp  BE  = I B +IC
 VT 
▪ Le rapport, , entre les courants I C et I B dépend entre
N
autres des niveaux de dopage de l’émetteur et de la base
IE
ainsi que de l’épaisseur de la base : I C = .I B E
Y.Menchafou Le transistor bipolaire 9
 II. Caractéristiques du transistor
VCE
2. Caractéristiques du transistor NPN
Choix des paramètres : RE IE IC RC
Les différentes grandeurs électriques (IE, IB, VEE IB VCB VCC
VBE
VBE,VCE,…) sont liées:

différentes représentations équivalentes des IE IC

caractéristiques électriques existent

⚫ Configuration “Base Commune” VEB VCB

( base = électrode commune)
IC
Caractéristiques : IE (VBE,VBC), IC (VBC ,IE) IB

VBE VCE
⚫ Configuration “Emetteur Commun”
(émetteur= électrode commune) IE
IB
Caractéristiques : IB (VBE , VCE), IC (VCE, IB)
VBC VEC
⚫ Configuration “Collecteur Commun”
 La représentation des caractéristiques en configuration “collecteur commun” est plus rare.

Y.Menchafou Le transistor bipolaire 10

 II. Caractéristiques du transistor
Soit EB une tension continue, linéaire croissante de 0 à E.

Caractéristique de sortie : VCE=f(IC)

Caractéristique d’entrée: VBE =f(IB)
Caractéristique de transfert de courant: IC=f(IB) à VCE cst
Caractéristique de transfert de tension: VBE=f(VCE) à IB cst

RC IC

RB IB

VCE
VBE EC
EB

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 II. Caractéristiques du transistor
3. Réseau des caractéristiques

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 II. Caractéristiques du transistor
3. Réseau des caractéristiques

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 III. Polarisation du transistor
Polariser un transistor consiste à définir son état de fonctionnement par l'adjonction de
sources de tension continues et de résistances .
Cet état de conduction est caractérisé par un point dans chacun des quadrants du réseau de
caractéristiques, ce pointest appelé point de fonctionnement ou point de repos.
Le point de fonctionnement caractérise deux variables indépendantes du transistor : IC et VCE .
Il doit être choisi dans la zone linéaire, mais en dehors des zones interdites et doit être peut
sensible aux variations de température.

RC
RC R1
RB
RB RC

VCC VCC
EG VDD R2 R
(1) (2) (3)

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 III. Polarisation du transistor

1. Polarisation simple
❑ Détermination de IB0 et IC0

▪ La boucle d’entrée permet de déterminer la valeur de I B

E G − VBE
IB0 =
RB
E G = R B .I B0 + VBE

VDD

RC
I B (A)
E G/R B
IC
RB IB
I B0
V CE
EG V BE

0 VS V BE0 E G V BE (V)
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 III. Polarisation du transistor
1. Polarisation simple
❑ Détermination de IB0 et IC0

▪ On considère que le transistor est en régime linéaire I C = .IB

▪ On peut donc résumer le transistor à trois éléments :

➢ E n entrée : VS et R S (donc la diode base-émetteur)
➢ E n sortie: u n générateur de courant I C = .I B
VDD V DD

RC RC

IC IC
RB RB IB
IB

EG
V CE EG V BE I C V CE
V BE

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 III. Polarisation du transistor
1. Polarisation simple
❑ Détermination de IB0 et IC0
▪Il faut à présent vérifier si le transistor est réellement en régime linéaire par
le calcul de V CE

VDD = R C .I C +VCE VCE = VDD − R C .I C

▪ Si V CE > V CEsat alors on confirme le régime linéaire et les calculs sont exacts
VDD

IC RC
VDD /R C
IC
I C0 I B0 RB IB

V CE
EG V BE

0 V CEsat V CE0 VDD V CE

Y.Menchafou Le transistor bipolaire 17
 III. Polarisation du transistor
1. Polarisation simple
❑ Détermination de IB0 et IC0
▪Si V CE < V CEsat le transistor est en régime saturé et l’utilisation de la droite
de charge donne les vraies valeurs de I C0 et V CE0

▪Si on utilise pas la droite de charge, on impose V CE = V CEsat et on détermine

la valeur de I C avec la boucle de sortie.
VDD − VCEsat VDD
VDD = R C .I C0 +VCEsat IC0 =
RC

IC RC

IC
VDD/RC I B0 RB IB
I C0
VCE
EG VBE

0 V CEsat V CE0 VDD VCE

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 III. Polarisation du transistor
2. Pont de base
❑ IB : Thévenin

▪ On peut aussi transformer VDD, R 1 et R 2 en générateur de thévenin

VDD
VDD

R1 RC
RC
I P + IB IB Rth IB
V CE
IP V CE
V BE
V BE
R2 Eth
Thévenin
Thévenin

Y.Menchafou Le transistor bipolaire 19

 III. Polarisation du transistor
2. Pont de base
❑ IB : Thévenin

▪ On peut aussi transformer VDD, R 1 et R 2 en générateur de thévenin

VDD
VDD
R1 RC
RC
Eth
I P + IB IB Thévenin

V CE Rth IB
IP V BE V CE
V BE
R2
Thévenin

Y.Menchafou Le transistor bipolaire 20

 III. Polarisation du transistor
2. Pont de base
❑ IB : Thévenin

▪ On peut aussi transformer VDD, R 1 et R 2 en générateur de thévenin

▪ On débranche la base du transistor pour éliminer le courant I B

▪ Pour déterminer R th , on éliminer les sources (ici VDD = 0) ce qui donne R 1 // R 2

R1.R 2 VDD
R th =
R1 +R 2
R1 RC

V CE

R2

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 III. Polarisation du transistor
2. Pont de base
❑ IB : Thévenin

▪ On peut aussi transformer VDD, R 1 et R 2 en générateur de thévenin

▪ On débranche la base du transistor pour éliminer le courant I B

▪ Pour déterminer R th , on éliminer les sources (ici VDD = 0) ce qui donne R 1 // R 2

R1.R 2 VDD
R th =
R1 +R 2
▪ On détermine alors E t h avec u n pont RC
diviseur de tension
Rt h
R2
E th = V V CE
R 1 +R 2 DD

Eth Eth

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 III. Polarisation du transistor
2. Pont de base
❑ IB : Thévenin

▪ On peut aussi transformer VDD, R 1 et R 2 en générateur de thévenin

▪ On débranche la base du transistor pour éliminer le courant I B

▪ Pour déterminer R th , on éliminer les sources (ici VDD = 0) ce qui donne R 1 // R 2

R1.R 2 VDD
R th =
R1 +R 2
▪ On détermine alors E t h avec u n pont RC
diviseur de tension
Rth IB
R2
E th = VDD VCE
R1 +R 2 VBE
▪ D’où I B : Eth
E − VBE
IB = th
R th

Y.Menchafou Le transistor bipolaire 23

 III. Polarisation du transistor
2. Pont de base
❑ IB : Thévenin

▪ On retrouve le théorème de Thévenin à partir des deux mailles en entrée :

VBE = R 2 .I P

VDD = R1.(IP + I B ) +VBE

▪On extrait I P de la première équation VDD
que l’on reporte dans la deuxième
R1 RC
V
VDD = R1. BE + R1.IB +VBE
R2
I P + IB IB
▪ Qui s'écrit aussi en regroupant les V BE V CE
IP V BE
R2 R .R
VDD = 1 2 .IB + VBE
R1 + R 2 R1 + R 2 R2

E th R th
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 III. Polarisation du transistor
3. Résistance d’émetteur
▪ Dans la résistance R E il passe le courant I E donc les courants I B et I C

▪ La maille en entrée s'écrit :

E th = R th .I B + VBE + RE.(IB + I C )

E th = R th .I B + VBE + RE.(1+ ).IB

VDD
▪ On trouve le courant I B
E th − VBE
IB = E rre ur classique : R
R th + (1+). R E
oublie du  C
▪Vu de l’entrée (donc de I B), la résistance Rth IB
R E est multipliée pa r (1+) V CE
VBE
▪E n f onction de la valeur de  on peut
Eth
écrire : RE
(1+ ).RE  .RE
Y.Menchafou Le transistor bipolaire 25
 III. Polarisation du transistor
3. Résistance d’émetteur
▪ La présence de R E permet une régulation thermique du transistor
▪E n fonctionnement, le transistor chauffe à cause de la circulation du courant
ce qui augmente la valeur du courant qui engendre une augmentation de la
température etc …

▪ E n présence de R E : T° IB
VDD
I B (A)
VE
RC
V BE
T° Rth IB
IB V CE
0 VS V BE (V) VBE

▪Si la présence de R E n’est pas suffisante, il Eth

RE VE
faut ajouter u n radiateur sur le transistor.

Y.Menchafou Le transistor bipolaire 26

 IV. Régimes de fonctionnement du Transistor

RC IC

RB IB

VCE
VBE EC
EB

Ec − VCE
IC =
RC

Y.Menchafou Le transistor bipolaire 27

 IV. Régimes de fonctionnement du Transistor
Le point de fonctionnement d’un transistor peut se situer dans 3 zones différentes du réseau
de caractéristique (IC, VCE) et de la droite de charge de sortie IC = f(VCE).

Q1: Tr Bloqué Q2: Tr Saturé Q: R linéaire

IC

VBE  Vd
 IB =0 Droite de charge

Q1 =  Q2 Tr S

 IC =0
ICsat ● IBast

 V CE = Ec
IB = 15A

Q (RL)
● IB = 10A

 IC = ICmax IB = 5A

 IB  IBsat Q1 Tr B IB = 0A

●

Q2 =  VCE

 VBE = VBEsat
VCEmin = VCEsat

VCE = VCEsat
Y.Menchafou 28
 IV. Régimes de fonctionnement du Transistor

On distingue deux régimes de fonctionnement du transistor:

❑ Régime linéaire (RL):

IC varie linéairement avec IB(IC =IB)

❑ Régime non linéaire (RNL):

Le Transistor équivalent à un interrupteur (ouvert ou fermé). Le transistor est donc soit bloqué soit saturé:
(régime de commutation).

Y.Menchafou Le transistor bipolaire 29

 IV. Régimes de fonctionnement du Transistor
Exercice d’application
Représenter les courants et les tensions d’un transistor pour une impulsion E = 10V de
durée t.
R EC = 10V RB = 100k
e(t) IB
RC E = 10V RC= 470
E R = 22k
e(t) RB VCE EB = 10V
VBE VBEsat = 0,8V
EB EC  = 100 VCEsat = 0,2V

A t = 0-, e(t) = 0 le transistor vue d’entrée

Rth = R//RB = 18k.
R
RB

-REB = -1,8V
EB
Eth =
R + RB
Pour e(t) = 0, VBE < 0 alors VBE = Eth = -1,8V, IB = IC = 0 et VCE = EC = 10V.
IC IC

IB Rth IB
RC
Pour 0+ < t <  R RB  RC

e(t) = E EB EC Eth
E
le montage devient

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 IV. Régimes de fonctionnement du Transistor
(application du théorème de Milleman) RBE - REB
Eth = = 6,4V
Rth = R//RB = 18k. R + RB
Pour que le transistor soit saturé il faut que IB  Icsat
Supposons que le transistor est saturé :

Vue d’entrée Vue de sortie

E - VCEsat 10 - 0,2
Eth - VBEsat ICsat = = = 20,8 mA
IB = = 0,31 mA RC 470
Rth

IB = 100 x 0.31 = 31 mA > 20,8 = Isat donc le transistor est saturé.

 VBEsat = 0,8V
 VCE = 10V  IBsat = 0,31mA
 IB = 0 
 Tsaturé 
T bloqué  ICsat = 20,8 mA
 IC =0  VCE = 0,2V
VBE = -1,8V 
Y.Menchafou Le transistor bipolaire 31
 IV. Régimes de fonctionnement du Transistor

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 Partie 2: Etude dynamique

Y.Menchafou Le transistor bipolaire 33

 V. Schéma équivalent du transistor
1. Paramètres hybrides d’un transistor en BF et MF
En régime dynamique, on distingue plusieurs domaines de fréquences
(BF, MF et HF):
BF 10Hz ≤ f ≤ 10Khz,
MF 10KHz ≤ f ≤ 1Ghz,
HF
f > 1GHz
Le transistor se comporte comme un quadripôle caractérisé à l’entrée par IB et VBE) et à la
sortie par IC et VCE).
I1 I2
● ●
Ic
C V1 hij V2
IB
B
VCE
VBE

Y.Menchafou Le transistor bipolaire 34

 V. Schéma équivalent du transistor
1. Paramètres hybrides d’un transistor en BF et MF

Schéma équivalent du transistor en régime dynamique

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 V. Schéma équivalent du transistor
1. Paramètres hybrides d’un transistor en BF et MF
VBE
h11 = (à VCE = 0) (Impédance d’entrée base émetteur à
sortie court-circuitée).
IB

VBE
h1 2 = (à IB = 0)(Inverse du gain en tension à entrée ouverte).
VCE
IC
h2 1 = (à VCE = 0)(gain en courant à sortie court-circuitée).
IB
IC
h2 2 = (à IB = 0)(admittance de sortie à entrée ouverte).
VCE
Y.Menchafou Le transistor bipolaire 36
 V. Schéma équivalent du transistor
1. Paramètres hybrides d’un transistor en BF et MF
103  < h11 < 104 
10-4 < h12 < 10-3
10 < h21 < 800
10-6 -1 < h22 < 10 - 5 -1
Remarque: Approximation
h12 tend vers 0 et h22 tend vers 0 (1/ h22 tend vers l’infini)
On obtient un transistor idéal ayant deux paramètres h11 et h21 ()
IB IC
B C
h11
VBE h21IB VCE

E E
Souvent dans la littérature on a les notations suivantes :

1/h22= ρ; h21=β pour h22 tend vers0

Y.Menchafou Le transistor bipolaire 37
 V. Schéma équivalent du transistor
2. Eléments du montage

Y.Menchafou Le transistor bipolaire 38

 V. Schéma équivalent du transistor
2. Eléments du montage
▪ Les résistances R 1 et R 2 constituent le pont de base : polarisation de la base

VDD

R1 RC CL
C

V BE
Vs
Ve
R2 RL

Y.Menchafou Le transistor bipolaire 39

 V. Schéma équivalent du transistor
2. Eléments du montage
▪ Les résistances R 1 et R 2 constituent le pont de base : polarisation de la base

▪Le condensateur C ne laisse passer que les variations de Ve et non la

composante continue : évite de modifier la polarisation de la base.

Zc= 1/jcavec = 2f = 2/T

VDD
En régime continue
BF(T→∞)(→0) R1 RC CL
ZC→∞
le Condensateur est CO (interrupteur C
ouvert)
En régime dynamique V BE
Vs
HF(f→∞),(→∞)(ZC →0) Ve
RL
R2
le condensateur se comporte comme un
CC (interrupteur fermé)

Y.Menchafou Le transistor bipolaire 40

 V. Schéma équivalent du transistor
2. Eléments du montage
▪ Les résistances R 1 et R 2 constituent le pont de base : polarisation de la base

▪Le condensateur C ne laisse passer que les variations de Ve et non la

composante continue : évite de modifier la polarisation de la base.

▪C L est aussi u n condensateur de VDD

liaison qui permet à la charge R L
(résistance d’entrée du bloc R1 RC CL
suivant) de ne pas modifier la
C
polarisation du transistor.

V BE
Vs
Ve
R2 RL

Y.Menchafou Le transistor bipolaire 41

 V. Schéma équivalent du transistor
3. Point de repos du montage
▪Le point de repos correspond aux valeurs des tensions et des courants
lorsqu’on ne considère que le régime statique (ne dépend pas du temps).
▪ C et C L se comportent comme des interrupteurs ouverts.

VDD

R1 RC

V BE
Vs
Ve
R2 RL

Y.Menchafou Le transistor bipolaire 42

 V. Schéma équivalent du transistor
3. Point de repos du montage
▪Le point de repos correspond aux valeurs des tensions et des courants
lorsqu’on ne considère que le régime statique (ne dépend pas du temps).
▪ C et C L se comportent comme des interrupteurs ouverts.
▪ On calcul I B (ce qui donne immédiatement I C ) en supposant que le transistor
est en régime linéaire
▪On détermine alors la tension V CE VDD
qui doit être supérieure à V CEsat
R1 RC

V BE
V CE
R2

Y.Menchafou Le transistor bipolaire 43

 V. Schéma équivalent du transistor
4. Résumé
En général pour l’étude des montages à transistors en régime dynamique, on suit les
étapes suivantes:
1/ On remplace le transistor avec son schéma équivalent en régime dynamique
(réel ou idéal). I IB C
IB IC B C
B C h11
h 11
VBE h21I B VCE
VBE h 21I B 1/h 22 V CE
h 12 V CE
E E E
E Idéal
Réel
2/ On court-circuite (CC) les tensions continues et les condensateurs de liaisons et
condensateurs de couplage
(On les remplace par un fil).
3/ On calcul les paramètres suivants: Ai=Is/Ie Av=Vs/Ve
Re=Ve/Ie Rs=Vs/Is

Y.Menchafou Le transistor bipolaire 44

 VI.Etude du transistor en montages fondamentaux
1. Montage collecteur commun
Etude du MCC du Tr en régime dynamique (h22 = 0   →)
Vcc

R1
C1
Hypothèse
C2
h12 = h22 = 0
Rg
Ve
R2 RE Vs
eg

I1 IB
I0
h11 IB
Rg

R1//R2
Ve IE
eg
RE Vs

●C
Y.Menchafou Le transistor bipolaire 45
 VI.Etude du transistor en montages fondamentaux
1. Montage collecteur commun
❑ Calcul du gain en courant

Ai =
IS =
IE =
( +1)I B RBI0 = [h11 + RE( +1)]IB avec RB =R1//R2
Ie I1 I0 +IB
I0 =
h 11 + R E (  +1) I
B
RB
A i=
RB(  +1) 1
h11 + RB + RE ( +1)

❑ Calcul du gain en tension

RE ( +1)IB RE ( +1)  RE
Av = Vs = = 
[h11 + RE ( +1)] IB h11 + RE 
Ve h11 + RE ( +1)

h11 << RE Av  1

Y.Menchafou Le transistor bipolaire 46

 VI.Etude du transistor en montages fondamentaux
1. Montage collecteur commun
❑ Calcul de la résistance d’entrée
Ve Ve [h11 + RE ( + 1)]IB h11 + RE ( +1)
Re = = = =
Ie I1 I0 +IB h11 + RE ( +1) +1
RB
RB[h11 + RE (  +1)] RB[h11 +  RE] = RB//[h11 +RE)]
Re = 
h 11 + RB + RE (  +1) RB +[h11 +  RE]

Autre méthode
Ie = I0 +IB

1 Ie I1 I0 IB 1 1
= = = + = +
Re Ve Ve Ve Ve RB h 11 + RE ( +1)

Re = RB//[h11 + RE( +1)]

Y.Menchafou Le transistor bipolaire 47

 VI.Etude du transistor en montages fondamentaux
1. Montage collecteur commun
vs
❑ Calcul de la résistance de sortie Rs =
is
Pour calculer la résistance de sortie Rs : eg = 0
1/ On court-circuite le générateur d’entrée eg (eg = 0) en gardant seulement
sa résistance interne Rg.
2/ on attaque la sortie du circuit par un autre générateur de valeur Vs

I1 IB
. I0
h11 IB
Rg
Is
R1//R2

Ve IE
eg
RE Vs

●C

Y.Menchafou Le transistor bipolaire 48

 VI.Etude du transistor en montages fondamentaux
1. Montage collecteur commun
❑ Calcul de la résistance de sortie Vs = RE[Is + ( + 1)IB]

Vs = - (R0+ h11)IB  IB =-
Vs
R 0 + h 11
Vs
Vs = R E Is-R E (β +1)
R0 + h11

(  +1)RE
Vs (1+ ) = R E Is
R 0 + h 11

RE (R0 + h11)
Rs=
R0 + h11 + ( +1)RE

RB = R1//R2 et R0 = Rg//RB
Y.Menchafou Le transistor bipolaire 49
 VI.Etude du transistor en montages fondamentaux
2. Montage base commune

Calculons Ai, Av, Re etRs ??

Y.Menchafou Le transistor bipolaire 50

 VI.Etude du transistor en montages fondamentaux
2. Montage base commune
❑ Calcul de la résistance d’entrée
❑ Calcul du gain en courant

❑ Calcul du gain en tension

❑ Calcul de la résistance de sortie

Y.Menchafou Le transistor bipolaire 51

 VI.Etude du transistor en montages fondamentaux
2. Montage base commune

Soit Ro = Rg // h11 // RE

Y.Menchafou Le transistor bipolaire 52

 VI.Etude du transistor en montages fondamentaux
3. Montage émetteur commun

❑ Calcul du gain en courant ❑ Calcul du gain en tension

Y.Menchafou Le transistor bipolaire 53

 VI.Etude du transistor en montages fondamentaux
3. Montage émetteur commun
❑ Calcul de la résistance d’entrée

❑ Calcul de la résistance de sortie

Y.Menchafou Le transistor bipolaire 54

 VI.Etude du transistor en montages fondamentaux
3. Montage émetteur commun
❑ Rôle de RE et CE
Soit le circuit à base de transistor en MEC.
Etudions les rôles de RE et de CE dans le calcul
du gain du Montage Av= VS/Ve.

Dans le schéma équivalent en régime

dynamique, On garde CE, pour étudier son
effet sur le gain.

Y.Menchafou Le transistor bipolaire 55

 VI. Etude du transistor en montages fondamentaux
3. Montage émetteur commun
❑ Rôle de RE et CE
✓ Schéma équivalent sans RE et sans CE

Av= VS/Ve = -IBRC/h11IB =-RC/h11

= -gmRC (gm = /h11)

✓ Schéma équivalent avec RE et sans CE

Av = VS/Ve = -RC/h11+RE = -gmRC/1+gmRE
avec ≈ +1

Conclusion : RE a pour effet de diminuer le gain

▪Si le t r a n s i s t or chauffe il risque
de s ’emballe r thermiquement et
d’être d é t r u i t .

▪ La r é s i s t a n c e R E évite l’emballement t h e r m i q u e d u
transistor :
T° IB VE V BE IB
Y.Menchafou Le transistor bipolaire 56
 VI. Etude du transistor en montages fondamentaux
3. Montage émetteur commun
❑ Rôle de RE et CE

✓ Schéma équivalent avec RE et CE

Y.Menchafou Le transistor bipolaire 57

 VI. Etude du transistor en montages fondamentaux
3. Montage émetteur commun
❑ Rôle de RE et CE

✓ Schéma équivalent avec RE et CE

Y.Menchafou Le transistor bipolaire 58

 VI. Etude du transistor en montages fondamentaux
3. Montage émetteur commun
❑ Rôle de RE et CE

✓ Schéma équivalent avec RE et CE

1/Comportement du montage en basse 2/Comportement du montage en haute
fréquence BF ( →0) fréquence HF ( →∞)

ZCE = 1/jCE ZCE → ∞ CE est CO ZCE = 1/jCE ZCE → 0 CE est CC

(interrupteur ouvert)
(interrupteur fermé)
On retrouve le gain du montage
On retrouve le gain du montage
équivalent avec RE et sansCE
équivalent sans RE et sansCE

Y.Menchafou Le transistor bipolaire 59

 Nikos Kazantzakis

Y.Menchafou Le transistor bipolaire 60