Leçon N°13 : Transistor bipolaire

Durée :7h

Objectif général

- Choisir et utiliser un transistor dans un montage

Objectifs spécifiques

- Décrie le transistor (sa polarisation, commutation)

- Expliquer son fonctionnement
- Polariser un transistor
- Déterminer ses caractéristiques
- Déterminer les paramètres hybrides
- Utiliser le transistor dans un montage

Plan de la leçon

Introduction

Le transistor bipolaire est un composant électronique fabriqué à base de semi – conducteurs. le transistor
bipolaire reste très utilisé dans les circuits à composants discrets ou les circuits intégrés qui exigent :

 des courants de sortie élevés (étage de sortie) ;

 une grande vitesse de commutation (circuits logiques ultra-rapides) ;
 un gain de tension élevé ;
 un faible bruit (pré-ampli_cateurs hi-fi) ;
 la réalisation de fonctions linéaires à hautes performances.

Le transistor bipolaire porte son nom en raison de son fonctionnement lié aux deux types de porteurs libres, les
électrons et les trous.

I- Description d’un transistor

C'est un dispositif à semi-conducteur présentant trois couches alternées n, p et n pour un transistor NPN ou p, n
et p pour un transistor PNP. La couche médiane est la base. Les deux couches externes sont l'émetteur et le
collecteur.

I.1- Constitution Et Symbolisation

1) Constitution

1
Le transistor bipolaire ou transistor à jonction est constitué par un cristal de semi – conducteur (silicium ou
germanium), comportant deux jonctions PN et trois régions de conductibilité différente, qui sont :

 L'émetteur : il est fortement dopé. Sa fonction est d'émettre ou d'injecter des électrons dans la base.
 Base : elle est légèrement dopée et très étroite. Sa fonction est de conduire la plupart des électrons émis
par l'émetteur vers le collecteur.
 Le collecteur : son niveau de dopage est moyen. Son rôle est de recueillir ou de collecter les électrons
provenant de la base
2) Symbolisation

Selon la disposition des trois régions, on distingue deux types de transistors :

- Transistor bipolaire NPN

Le transistor NPN est constitué par :

 Une couche N faiblement dopée constituant le collecteur.

 Une couche P très mince et faiblement dopée constituant la base.
 Une couche N fortement dopée constituant l’émetteur.
- Transistor bipolaire PNP

Le transistor PNP est constitué par :

 Une couche P faiblement dopée constituant le collecteur.

 Une couche N très mince et faiblement dopée constituant la base.
 Une couche P fortement dopée constituant l’émetteur.

Remarque : La différence entre les deux types de transistors se retrouve au niveau de l'orientation de la flèche.
Cette flèche indique toujours le sens passant de la jonction base – émetteur.

3) Comment trouver la base et le type de transistor

A l'aide d'un ohmmètre, on teste deux à deux les électrodes du transistor. On détermine la paire qui est bloquée
dans les deux sens. L'électrode restante est la base. On teste ensuite les jonctions base – émetteur et base –
collecteur.

- Si elles sont passantes dans le sens direct, alors on a affaire à un transistor NPN ;

- Si elles sont passantes dans le sens inverse, alors on a affaire à un transistor PNP ;

4) Comment distinguer le collecteur et l’émetteur

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On réalise le montage suivant :

On fait varier E jusqu'à ce que U se stabilise. On en déduit qu'on a atteint la tension de claquage entre E et B.
on permute le collecteur et l'émetteur et on mesure à nouveau la tension U. la plus faible tension de claquage
correspond au couple base – émetteur.

NB : Pour qu’un transistor bipolaire fonctionne normalement, la diode émetteur doit être polarisée en direct et
la diode collecteur en inverse.

5) Dénomination des courants et tension dans un transistor

- Courant

IB : courant de base

IC : courant collecteur

IE : courant émetteur

- Tension

VBE = VB - VE : tension base émetteur (transistor NPN)

VEB = VE – VB : tension émetteur base (transistor PNP)

VB : potentiel à la base

VE : potentiel à l’émetteur

Pour un transistor bipolaire NPN au silicium ; VBE = 0,6V ou 0,7V

Pour un transistor bipolaire NPN au germanium ; VBE = 0,2V ou 0,3V

VCE = VC - VE : tension collecteur émetteur (transistor NPN)

VEC = VE – VC : tension émetteur collecteur (transistor PNP)

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VC : potentiel au collecteur

VCC : tension d’alimentation du collecteur

VBB : tension d’alimentation de la base

II- Polarisation d’un transistor bipolaire

Définition

La polarisation d’un transistor consiste à lui appliquer un ensemble de tensions et de courants, afin qu’il soit en
état d’amplifier un signal.

Il existe trois modes de polarisation la plus utilisée :

- Le montage base commune ;

- Le montage émetteur commun ;

- Le montage collecteur commun.

Autres

- Polarisation avec alimentation symétrique ou alimentation d’émetteur

1. Polarisation de base
- Avec deux sources de tensions

VBB : Tension de base ; VBE : Tension base – émetteur ; VCE : Tension collecteur – émetteur.

Equation des courants

Quelques soit la polarisation,

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La loi des nœuds donne :

β= gain en courant du transistor ; gain en courant continu.

𝛃 = 𝐈c/Ib

La maille (1) nous donne :

Equation des tensions

Droite de charge statique ou droite de charge en fonctionnement DC

La droite de charge permet de déterminer graphiquement les variations de VCE à partir des variations de IC. La
droite de charge statique est la courbe IC=f(VCE).

Pour le circuit ci-dessus son équation est la suivante :

C’est la droite d’équation y=ax+b.

Son allure est la suivante :

Tableau 1 : tableau de relevés de la courbe IC=f(VCE)

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 Ic Vce
0 Vcc/Rc
Vcc/Rc 0
VCC et VCE en volt ; RC en kΩ et IC en mA

NB : La droite de charge statique nous permet de trouver le point de fonctionnement ou point de repos du
transistor bipolaire. C'est le point d'intersection entre la droite de charge statique et la caractéristique d'entée du
transistor.

Ce point de repos est souvent noté par la lettre Q. il a pour coordonnées Q (VCE0 ; IC0)

Le point de fonctionnement ou point de repos est point pour lequel le transistor dissipe sa puissance nominale.

Lorsque le transistor bipolaire est saturé, la diode collecteur n’est plus polarisée en inverse. En ce moment le
courant collecteur n’augmente presque plus même si le courant de base augmente. Le courant collecteur à la
saturation d’un transistor bipolaire est noté Icsat

A la saturation d’un transistor bipolaire, IC= ICsat et VCE=0

Au blocage d’un transistor bipolaire, IC= 0 et VCE=VCC

Droite d’attaque

C’est la courbe Vbe=f(Ib). Pour le circuit ci-dessus son équation est la suivante :

𝑽𝑩𝑬 = −𝑹𝑩𝑰𝑩 + 𝑽𝑩𝑩

Son allure est la suivante :

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Le point P (IB0 ; VBE0) est appelé point de polarisation.

Hyperbole de dissipation maximale de puissance

L’Hyperbole de dissipation maximale de puissance est la tangente à la droite de charge statique au point de
fonctionnement Q (VCE0 ; IC0) du transistor bipolaire.

La puissance dissipée dans un transistor bipolaire est donné par la formule suivante :

𝑷𝒎𝒂𝒙 = 𝑽ce𝑰c

Avec une seule source de tension

Schéma de principe

Equations des courants

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Equations des tensions

Equation de la droite de charge statique

La droite de charge statique est la courbe IC=f(VCE).

2. Polarisation par réaction de collecteur

- Schema de principe

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 - Equation des courants

I𝐄 = 𝐈𝐂 + 𝐈𝐁

𝐈𝐂 = 𝛃𝐈b

- Equation des tensions

V𝐂𝐂 − 𝐑𝐂𝐈𝐄 − 𝐕𝐂𝐄 = 𝟎

𝐕𝐂𝐂 − 𝐑𝐂𝐈𝐄 − 𝐑𝐁𝐈𝐁 − 𝐕𝐁𝐄 = 0

- Equation de la charge statique

La droite de charge statique est la courbe IC=f(VCE).

Pour le circuit ci-dessus, son équation est la suivante :

La puissance fournie par la source d’alimentation est donnée par :

𝑷𝑺 = 𝑽cc.𝑰e

Polarisation par réaction d’émetteur

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3. Polarisation par diviseur de tension
- Schéma de principe

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Appliquons le théorème de Thévenin entre les bornes A et C.

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uj

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Le circuit devient

Circuit équivalent de Thévenin polarisation par pont diviseur de tension

Nous avons à l’issue de la transformation, une polarisation de base avec deux sources de tensions ou par réaction
d’émetteur.

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 4. Polarisation par alimentation symétrique ou alimentation d’émetteur

II.1- Caractéristiques statiques d'un transistor NPN

Les caractéristiques d'un transistor sont définies par quatre paramètres principaux :

- La tension base – émetteur ( VBE) ;

- Le courant de base ( IB) ;

- La tension collecteur émetteur ( VCE) ;

- Le courant collecteur ( Ic).

1) Schema de montage

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 2) Caracteristique d’entrée

C'est l'ensemble des courbes IB = f ( VBE), tracées à différentes valeurs de VCE. Chacune de ces courbes a
l'allure de la caractéristique d'une diode à jonction.

3) Caracteristiue de sortie

C'est l'ensemble des courbes Ic = f ( VCE), tracées à différentes valeurs de IB.

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- Pour VCE < 0,5V, Ic croit en fonction de VCE : C’est la région de saturation.

- Pour VCE Є [ 0,5V ; 40V ], le transistor est en fonctionnement normal. La caractéristique est presque
horizontale : C’est la région active.

- Pour VCE > 40V, Ic croit brutalement : C’est la région de claquage. Les constructeurs précisent toujours la
valeur maximale de VCE à ne pas dépasser.

4) Caractéristiques de transfert en courant

C'est la courbe Ic = f ( IB), tracée à VCE constante.

VI. Domaine de fonctionnement d’un transistor

1- Principe de fonctionnement

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 a) Transistor NPN

En état de fonctionnement, la jonction base – émetteur (BE) est polarisée en direct et la jonction collecteur -
base (CB) est polarisée en inverse.

Le schéma équivalent est le suivant :

En appliquant la loi des nœuds, on trouve : IE = IB + IC or, IC >> IB. D'où IE ≅ IC

b) Transistor PNP

Le fonctionnement d'un transistor PNP est contraire à celui d'un transistor NPN. La jonction BE doit être
polarisée en inverse et la jonction CB polarisée en direct.

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Le schéma équivalant est le suivant :

2- Effet tansistor

On appelle effet transistor la propriété pour le transistor de commander un important courant collecteur à partir
d'un faible courant de base. Ce courant collecteur est donné par un coefficient β appelé amplification en courant.

N.B : certains constructeurs notent h21 pour désigner l'amplification en courant.

3- Mode de fonctionnement
a) Montage experimental

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 b) Tableau de relevés

On fait varier VBB et on relève les valeurs correspondantes de IB et de Ic, récapitulés dans le tableau suivant
:

c) Zone de fonctionnement

En se référant au tableau ci – dessus, on peut distinguer trois zones de fonctionnement pour le transistor :

- Etat bloqué : IB = 0 et Ic = 0 ;

- Etat passant : C'est le fonctionnement en régime linéaire.

Ic est proportionnel à IB ( Ic = βIB)

- Régime de saturation :

Ic ne varie plus quelque soit la valeur de IB

4- Determination du point de fonctionnement ou point de repos d’un transistor

a) Schema du montage

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Le point de fonctionnement est caractérisé par la détermination des valeurs de VBE, VCE, IB et Ic.

b) Droite de commande ou droite d’attaque

D'après la maille (1), on a :

VBB – RB IB – VBE = 0

RB IB = VBB – VBE

Cette équation est celle d'une droite appelée droite de commande ou droite d'attaque du transistor. Elle passe
par les points suivants :

c) Point de fonctionnement d’un transistor

C'est le point d'intersection entre la droite de commande statique et la caractéristique d'entée du transistor.

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 d) Droite de charge

D'après la maille (2), on a :

Vcc – Rc Ic – VCE = 0

Rc IC = Vcc – VCE

C'est l'équation d'une droite qui passe par les points suivants :

On peut également tracer la droite de charge sur les caractéristiques de sortie, afin de mieux voir le
fonctionnement du transistor.

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 V. Transistor en regime de commutation

On dit qu'un transistor fonctionne en régime de commutation lorsqu'il n'est utilisé que dans les deux états
extrêmes (bloqué et saturé). Le basculement d'un état à l'autre est rapide.

1) Transistor bloqué

Condition de blocage : IB0 = Ic = 0 et VCE = Vcc Le transistor se comporte comme un interrupteur ouvert entre
le collecteur et l’émetteur.

2) Transistor saturé

Condition de saturation : IB > IBsat, Ic = Icsat et VCE = 0. De plus : βmin ≤ β ≤ βmax

Un transistor saturé se comporte comme un interrupteur fermé entre le collecteur et l’émetteur.

3) Temps de commutation

Le passage de l'état bloqué à l'état saturé et vice – versa n’est pas instantané.

- Lorsqu'on injecte un courant IB dans la base du transistor, Ic ne prend pas instantanément la valeur
Icsat. On définit ainsi un temps de déblocage noté tON, encore appelé temps de fermeture.
- De même lorsqu'on supprime le courant IB, le courant Ic ne s'annule pas instantanément. On définit
également un temps de blocage noté 𝑡𝑂𝐹 , encore appelé temps d'ouverture.

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 4) Puissance dissipée par un transistor

Elle est donnée par :

Pt = VCE Ic + VBE IB or VCE Ic >> VBE IB

D'où Pt ≅ VCE Ic

Si on donne les valeurs maximales et minimales du transistor, on aura :

Pmax = VCEmax ICmin = VCEmin ICmax

Le point de repos doit se situer en dessous de la courbe VCE Ic = Pmax, soit

Cette équation est de la forme y = 𝑎 / 𝑥 . C'est l'équation d'une hyperbole appelée hyperbole de dissipation
maximale

5) Limite d’emploi

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Pour éviter la destruction du transistor, il faut toujours que :

- VCE < VCE0 - Ic < ICmax

- P = VCE Ic < Pmax

Ainsi, le point de fonctionnement doit toujours se situer en dessous de l'hyperbole de dissipation maximale.

Exercice 1 : Soit le circuit suivant :

On donne : Vcc = 10V ; Rc = 5kΩ

1) Donner l'équation de la droite de charge

2) Tracer cette droite

Solution :

1) Equation de la droite de charge

Exercice 2 : On donne le montage suivant :

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RB = 390Ω ; RE = 10Ω ; Vcc = 9V ; β = 55

1) Trouver la relation entre IE et IB

2) Calculer la valeur de IE et IB si VBE = 0,7V

Solution :

1) Relation entre IE et IB :
IE = Ic + IB or Ic = β IB
IE = (55 + 1) IB
IE = 56IB
2) Calcul de IE et IB si VBE = 0,7V
La loi des mailles nous donne :
Vcc – RB IB – VBE – RE IE = 0
Vcc – VBE = RB IB + RE (56 IB)

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Exercice 3 : Soit le circuit :

Vcc = 15V ; β = 100 ; R1 = 100KΩ ; R2 = 220KΩ ; Rc = 15KΩ , RE = 480Ω

1) On suppose que IB est négligeable devant I2. Calculer IE et Ic, si VBE = 0,7V

2) Trouver le modèle équivalent de Thévenin entre les bornes B et M et calculer la valeur de IB

Solution :

1) Calcul de IE, Ic et VCE si VBE = 0,7V

La maille (1) donne : RE IE + VBE – V2 = 0

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2) Modèle équivalent de Thévenin entre B et M

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VII. Transistor bipolaire en regime variable

1) Regime statique
2) Regime dynamique

VII. Etude en regime dynamique ou regime de petits signaix

1) Definition
- Schema equivalent
2) Schema equivalent du transistor bipolaire en regime dynamique : les parametres hybrides

XI. Amplificateur à transistor bipolaire

a) Schema du montage
b) Rôle des éléments du montage
c) Schéma équivalent de l'amplificateur en régime de petits signaux
d) Performances du Montage
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 Resistance d’entrée
 Amplificateur en courant
 Amplificateur en puissance

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