Transistor Bipolaire Tt2

LTP-FXN / Thiès Terminale T2
7. Transistor bipolaire
Un transistor bipolaire est constitué d’un monocristal de semi-conducteur (principalement le
silicium) dopé pour obtenir deux jonctions, disposées en série et de sens opposé. Il existe donc
deux types fondamentaux de transistors bipolaires, dits complémentaires :
 Les transistors NPN dans lesquels une mince couche de type P est comprise entre
deux zones de type N
 Les transistors PNP dans lesquels une mince couche de type N est comprise entre
deux zones de type P
La couche intermédiaire est appelée base. Cette couche est très mince et légèrement
dopée.
L’une des deux autres couche est appelée émetteur. Il s’agit de la zone la plus dopée
du transistor ; sa surface est plus grande que celle de la base mais moins grande que
celle du collecteur. Son rôle consiste à injecter des porteurs (électrons dans le cas d’un
transistor NPN) dans la base.
La dernière zone qui est de même type que l’émetteur est appelée collecteur. Son
dopage est plus faible que celui de l’émetteur mais plus grand que celui de la base. Le
rôle principal du collecteur est de recueillir les porteurs. Le collecteur est
physiquement la zone la plus large.
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7.1. Principe de fonctionnement : effet transistor
7.1.1. Diode émetteur et diode collecteur

Le transistor a deux jonctions : une entre l’émetteur et la base, l’autre entre le collecteur et la
base. Par conséquent le transistor est semblable à deux diodes tête-bêche. La jonction
émetteur-base est appelée diode émetteur et la jonction colleteur-base est appelée diode
collecteur.
7.1.2. Le transistor avant et après diffusion

Prenons le cas de trois zones NPN mises cote à cote mais électriquement isolées l’une de
l’autre, nous aurons la situation de la figure (a). Supposons maintenant que ces zones ne sont
plus isolées l’une de l’autre, les électrons libres diffusent à travers les deux jonctions ce qui
donne deux zones de déplétion (figure (b)). Ces zones de transition représentées en hachuré
sont dépourvues de porteurs majoritaires et la barrière de potentiel pour chacune d’elles est
d’environ 0.6 à 0.7 V.
Or, puisque les trois régions dopées n’ont pas la même concentration, la zone de déplétion
pénètre peu dans l’émetteur qui est fortement dopé mais profondément dans la base qui est
qui est très peu dopée. Du coté du collecteur, la pénétration de la zone de déplétion sera
moyenne.
Si nous polarisons la jonction base – émetteur en direct et la jonction collecteur – base en

inverse, nous obtenons la configuration de la figure ci-dessous.

En appliquant le générateur VCC entre la base et le collecteur, la jonction collecteur-

base est polarisée en inverse, sa zone dépeuplée devient plus large, aucun courant ne
circule entre l’émetteur et le collecteur.
En appliquant par contre VEE entre l’émetteur et la base, la jonction émetteur-base se
trouve polarisée en direct, la zone de déplétion qui l’entourait disparait et un courant
direct circule entre la base et l’émetteur, c’est le courant de base IB.
La polarisation de la jonction émetteur-base en direct va être à l’origine d’un
deuxième courant dans le transistor, en effet, l’émetteur fortement dopé N injecte un
grand nombre d’électrons dans la base (diffusion des porteurs majoritaires), ces
électrons ne vont pas tous être récupérés par le circuit extérieur, car, comme la base est
très mince, un grand nombre d’entre eux va se trouver au voisinage de la jonction
collecteur-base. Pour cette jonction, les électrons du coté de la base constituent les
porteurs minoritaires dont le passage coté collecteur est fortement encouragé par le
champ important qui règne autour de cette jonction. Il en résulte la circulation d’un
courant important entre le collecteur et l’émetteur à travers la base (voir schéma ci-
dessous), ce phénomène est appelé effet transistor. Le courant de l’émetteur est noté
IE, celui de la base IB et celui du collecteur IC.
Ces trois courants obéissent aux relations suivantes :
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵
𝐼𝐶 = α𝐼𝐸
𝐼𝐶 =β𝐼𝐵

α (coefficient de transfert en courant du transistor) est voisin de l’unité (0.95 à 0.99) ce
qui permet de considérer souvent : 𝐼𝐶 = 𝐼𝐸 , par contre, le rapport β entre le courant du
collecteur et celui de la base est important, il varie entre quelques dizaines et quelques
centaines, c’est le gain en courant du transistor.
7.2. Mode de fonctionnement d’un transistor

 Le transistor est en fonctionnement normal direct (fonctionnement linéaire)
lorsque la jonction de commande BE est en polarisation direct et que la
jonction BC est en polarisation inverse
 Le transistor est saturé (fonctionnement non linéaire) lorsque ces deux
jonctions sont en polarisation direct
 Le transistor est bloqué lorsque ces deux jonctions sont en polarisation
inverse
 Le transistor est en fonctionnement normal inverse lorsque la jonction de
commande BE est en polarisation inverse et la jonction BC est en polarisation
direct.
7.3. Caractéristiques des transistors bipolaires

Considérons le montage ci-dessous, appelé en ‘’émetteur commun’’.
Dans ce montage, la base

est polarisée en direct par la résistance RB. Le collecteur est polarisé en inverse par la
résistance RC

L’entrée est caractérisée par les grandeurs IB et VBE, et la sortie par les grandeurs IC et VCE,
soit 4 variables.
 La caractéristique d’entrée du transistor correspond à la relation IB = f(VBE), VCE

étant constante. C’est celle d’une diode constituée par la jonction base-émetteur.
 La caractéristique de transfert en courant est caractérisée par la relation IC = f(IB),
VCE étant une constante. Cette caractéristique est une droite. Le transistor se comporte
comme un générateur de courant commandé (ou ‘’piloté’’) par un courant. En toute
rigueur cette droite ne passe pas par l’origine car le courant de fuite ICE0 n’est pas nul
peut être négligé par approximation, ce qui entraine son passage par l’origine
 La caractéristique de sortie du transistor correspond à la relation IC = f(VCE), IB
étant une constante. Dans la pratique, on trace plusieurs caractéristiques pour
différentes valeurs de IB (voir figure ci-dessous).

La zone ‘’grisée’’ correspond à la zone de saturation : quand la tension VCE devient très
faible, la jonction BC cesse d’être polarisée en inverse et l’effet transistor décroit alors
rapidement. L’autre partie du graphe montre que le courant du collecteur IC dépend très
peu de la tension VCE. Cette caractéristique correspond à celle d’un générateur de courant.
 Caractéristique de transfert en tension correspond à la relation VBE = f(VCE),

IB, étant une constant. Dans cette caractéristique, les variations de la tension de
sortie sont sans effet sur la tension d’entrée.

7.4. Polarisation des transistors bipolaires

Polariser un transistor, c’est lui fixer un ensemble de valeurs caractérisant son état de
fonctionnement. Cela revient à fixer les valeurs des tensions de polarisation des diodes VBE et
VCE ainsi que le courant de commande IB et le courant d’émetteur ou collecteur.
7.4.1. Droite d’attaque statique

Soit le schéma de la figure ci-dessous :
𝑉𝐵𝐵 = 𝑅𝐵 ∗ 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸
C’est l’équation d’une droite appelée

droite d’attaque. Les valeurs de 𝑉𝐵𝐸 et
de 𝐼𝐵 sont déterminées par la méthode
graphique par l’intersection entre la
droite d’attaque statique et la
caractéristique de base du transistor
comme le montre la figure ci-
dessous :

7.4.2. Droite de charge statique

Soit l’équation suivante :
𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐶 ∗ 𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐸
La droite représentative de cette équation est appelée droite de charge statique. L’intersection
de cette droite avec la caractéristique de sortie du transistor donne les valeurs de 𝑉𝐶𝐸 et de 𝐼𝐶 .
L’étude de la polarisation sert non seulement à déterminer le point de fonctionnement d’un

transistor, mais aussi à choisir les valeurs de 𝑅𝐶 , 𝑅𝐵 , 𝑉𝐶𝐶 et 𝑉𝐵𝐵 pour déterminer un point de
fonctionnement déterminé.
7.4.3. Circuit de polarisation

Souvent, le point de fonctionnement du transistor doit être placé dans la zone linéaire de ses
caractéristiques.

Cela peut être fait en principe par deux sources de tension extérieure, mais en réalité, la
polarisation du transistor s’effectue par une seule source de tension en combinaison avec
quelques résistances. Deux exemples de circuits de polarisation souvent étudiés sont
représentés aux figures (a) et (b) suivantes :
7.4.3.1. Polarisation par résistance de base

Pour le montage à résistance de base de la figure (a) ci-dessus, on peut écrire les équations de
mailles d’entrée et de sortie.
𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 = ; 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 𝐼𝐶
𝑅𝐵
On utilise dans les deux cas, la droite de commande statique et la droite de charge statique. Le
courant de collecteur au point de fonctionnement de ce montage est donné par :
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸0
𝐼𝐶0 ≈ 𝛽𝐼𝐵0 = 𝛽
𝑅𝐵
Les dispersions de 𝛽 sont grandes (entre 50 et 300 pour le transistor 2N222 par exemple). En
plus 𝛽 dépend de la température. Le point de fonctionnement est donc instable ce qui
représente le principal inconvénient de ce montage.
7.4.3.2. Polarisation par pont résistif et résistance d’émetteur

La base est polarisée par un pont constitué de deux résistances R1 et R2. Pour faciliter le
calcul, on utilise le théorème de Thévenin appliqué au circuit d’entrée et on obtient le schéma

ci-dessous, ce qui permet de ramener le problème à une polarisation par une résistance de
base. On a :
𝑅2 𝑅2
𝐸𝑇ℎ = 𝑅 𝑉𝐶𝐶 = 𝑘𝑉𝐶𝐶 avec 𝑘 = 𝑅
1 +𝑅2 1 +𝑅2
𝑅2 𝑅1
𝑅𝑇ℎ =
𝑅1 + 𝑅2
Les équations des mailles sont :
𝐸𝑇ℎ = 𝑅𝑇ℎ 𝐼𝐵0 + 𝑉𝐵𝐸0 + 𝑅𝐸 𝐼𝐸0 et 𝑉𝐶𝐸0 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 𝐼𝐶0 − 𝑅𝐸 𝐼𝐸0
On utilise les simplifications suivantes :
𝐼𝐶0
𝐼𝐵0 ≈ ; 𝐼𝐸0 = 𝐼𝐶0 + 𝐼𝐶𝐵0 ≈ 𝐼𝐶0
𝛽
On obtient :
𝑘𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵𝐸0
𝐼𝐶0 ≈ 𝛽 et 𝑉𝐶𝐸0 ≈ 𝑉𝐶𝐶 − (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )𝐼𝐶0
𝑅𝑇ℎ +𝛽𝑅𝐸
Contrairement à la polarisation par une seule résistance de base, pour cette polarisation, le
courant 𝐼𝐶0 dépend d’autant moins de β et de ses variations que la résistance équivalente 𝑅𝑇ℎ
est petite par rapport à𝛽𝑅𝐸 . Il en est de même pour la tension 𝑉𝐶𝐸0 qui dépend du courant 𝐼𝐶0 .
Pour stabiliser le point de fonctionnement, on prend :
𝑅𝑇ℎ ≪ 𝛽𝑅𝐸

7.4.3. Schéma équivalent du transistor en petits signaux en basse fréquence

Autour d’un point de polarisation, les relations entre les faibles variations sont décrites par :
𝑉 = ℎ11 𝑖𝐵 + ℎ12 𝑣𝐶𝐸

{ 𝐵𝐸
𝑖𝐶 = ℎ21 𝑖𝐵 + ℎ22 𝑣𝐶𝐸
Ces relations décrivent les lois électriques du schéma ci-dessous qu’on appelle schéma
équivalent pour les variations ou schéma équivalent en dynamique du transistor.
𝑣𝐵𝐸
 ℎ11 = 𝑟𝐵𝐸 est l’impédance d’entrée du transistor : ℎ11 = |Vce=0
𝑖𝐵
𝑖
 ℎ21 = 𝛽 = ℎ𝑓𝑒 est le gain du transistor : ℎ21 = 𝑖𝐶 |Vce=0
𝐵
𝑣𝐵𝐸
 ℎ12 = 𝜇 est le coefficient de réaction interne : ℎ12 = |iB=0 souvent négligé (ℎ12 =
𝑣𝐶𝐸
0)
 ℎ22 est l’impédance de sortie du transistor est faible et sera le plus souvent négligé :
𝑖
ℎ21 = 𝑉 𝐶 |IB=0
𝐶𝐸
En tenant compte des simplifications effectuées, le schéma simplifié est :
On définit la résistance dynamique par vbe/ie symbolisée par re’et se calcule par :
re’= 25 mV/IE et h11 = rbe = hie = β re’

7.4.4. Montages fondamentaux à transistors bipolaires
7.4.4.1. Théorème de superposition pour le continu et l’alternatif

Dans un amplificateur à transistors, les sources continues établissent des courants et des
tensions continues. La source alternative produit des fluctuations dans les courants et les
tensions du transistor. La façon la plus simple d’analyser l’action des circuits à transistors est
de scinder l’analyse en deux parties : une analyse pour les grandeurs continues et l’autre pour
les grandeurs alternatives. Autrement dit, on peut analyser les circuits à transistors en
appliquant le théorème de superposition des états électriques de façon un peu spécial. Au lieu
de prendre une source à la fois, on prend toutes les sources continues en même temps et on
trouve les courants et tensions continus en utilisant les méthodes habituelles du paragraphe sur
la polarisation des transistors bipolaires. On prend ensuite toutes les sources alternatives en
même temps et on calcule les courants et tensions alternatifs. En additionnant ces courants et
tensions continus et alternatifs, on obtient les courants et les tensions totaux.
7.4.4.2. Condensateurs de couplage et de découplage

Grace aux condensateurs, on va pouvoir superposer le circuit en alternatif au circuit de
polarisation sans que celui-ci modifie les courants et tensions continus.
 Un condensateur de couplage transmet un signal alternatif d’un point qui n’est pas
à la masse à un autre point, qui, lui non plus, n’est pas à la masse.
 Un condensateur de découplage est un condensateur qui couple à la masse un

point qui n’y est pas relié.

7.4.4.3. Circuits équivalents en courants continu et alternatif

Voici comment procéder pour appliquer la superposition aux circuits à transistors :
1. Réduire toutes les sources alternatives à zéro ; ouvrir tous les condensateurs. Le circuit
qui reste est tout ce qui nous pour les courants et les tensions continues. On l’appelle
le circuit équivalent en courant continu ;
2. Réduire toutes les sources continues à zéro. Court-circuiter tous les condensateurs de
couplage et de découplage. Le circuit qui reste est tout ce qui nous intéresse pour les
courants et les tensions alternatifs. On l’appelle circuit équivalent en courant
alternatif ;
Exemple : dessiner les circuits équivalents en courant continu et en courant alternatif du

montage suivant

7.4.4.4. Montage émetteur commun (EC)

C’est le montage illustré ci-dessous à droite :
Son nom vient du fait que l’émetteur est relié à la masse (commun). Le schéma équivalent en
petits signaux basse fréquence est :
7.4.4.4.1. Gain en tension

D’après le schéma équivalent, on peut écrire :
𝑣𝑒 = ℎ11 𝑖𝐵 et 𝑣𝑆 = −𝛽𝑖𝐵 𝑅𝐶
D’où l’expression du gain :
𝑣𝑆 −𝛽𝑖𝐵 𝑅𝐶
𝐴𝑣 = =
𝑣𝑒 ℎ11 𝑖𝐵
7.4.4.4.2. Impédance d’entrée

L’impédance d’entrée est définie par :
𝑣𝑒
𝑍𝑒 =
𝑖𝑒
On a:
𝑣𝑒
𝑣𝑒 =𝑅𝐵 //ℎ11 ∗ 𝑖𝑒 → 𝑍𝑒 = = 𝑅𝐵 //ℎ11
𝑖𝑒
7.4.4.4.3. Impédance de sortie

L’impédance de sortie est définie par :
𝑣𝑠)𝑐𝑜
𝑍𝑠 =
𝑖𝑠(𝑐𝑐
Avec :
𝑣𝑠)𝑐𝑜 tension de sortie en circuit ouvert et 𝑖𝑠(𝑐𝑐 courant de sortie en court circuit
On a:
𝑣𝑠)𝑐𝑜 = −𝛽𝑖𝐵 𝑅𝐶 ;
𝑖𝑠(𝑐𝑐 = −𝛽𝑖𝐵
D’où :
𝑍𝑠 = 𝑅𝐶
Le montage tel qu’il est présenté, présente l’inconvénient suivant :
Sous l’effet du courant IC qui traverse le transistor, la température de celui-ci augmente

légèrement à cause de la puissance dissipée par effet Joule. Cette augmentation de
température augmente le nombre de porteurs par le mécanisme de création de paire électrons
trous. La conséquence directe de l’augmentation du nombre de porteurs est l’augmentation du
courant IB qui engendre une augmentation du courant IC qui à son tour va engendrer une
augmentation supplémentaire de la température du transistor et provoquer un emballement
thermique.
Pour remédier à ce problème, on ajoute une résistance sur l’émetteur du transistor selon la
figure ci-dessous. Cette résistance joue un rôle de stabilisation de la température car, si IC
augmente, alors VE=REIE augmente donc la tension VBE diminue provoquant la diminution de
IB et donc de IC. Le schéma équivalent en petits signaux est donné à gauche ci-dessous :

7.4.4.4.4. Calcul du gain en tension

On a :
𝑣𝑠 = −𝛽𝑖𝐵 𝑅𝐶
𝑣𝑒 = ℎ11 𝑖𝐵 + 𝑅𝑒 (𝑖𝐵 + 𝛽𝑖𝐵 )
D’où :
𝑣𝑆 −𝛽𝑖𝐵 𝑅𝐶
𝐴𝑣 = =
𝑣𝑒 ℎ11 𝑖𝐵 + 𝑅𝑒 (𝑖𝐵 + 𝛽𝑖𝐵 )
7.4.4.4.5. Calcul de l’impédance d’entrée

On a :
𝑣𝑒 = (𝑖𝑒 − 𝑖𝐵 ) = ℎ11 𝑖𝐵 + 𝑅𝐸 (𝑖𝐵 + 𝛽𝑖𝐵 )
[𝑅𝐵 + ℎ11 + 𝑅𝐸 (1 + 𝛽)]

𝑖𝑒 = 𝑖𝐵
𝑅𝐵
𝑣𝑒 [ℎ11 + 𝑅𝐸 (1 + 𝛽)]𝑅𝐵
𝑍𝑒 = =
𝑖𝑒 [𝑅𝐵 + ℎ11 + 𝑅𝐸 (1 + 𝛽)]
7.4.4.4.6. Calcul de l’impédance de sortie

On définit l’expression de l’impédance de sortie par :
𝑣𝑠)𝑐𝑜
𝑍𝑠 =
𝑖𝑠(𝑐𝑐
𝑣𝑠)𝑐𝑜 = −𝛽𝑖𝐵 𝑅𝐶
𝑖𝑠(𝑐𝑐 = −𝛽𝑖𝐵
D’où :
𝑍𝑠 = 𝑅𝐶
7.4.4.4. Montage collecteur commun (CC)

Le montage collecteur commun et son schéma équivalent en petits signaux basse fréquence
sont donnés ci-dessous :

Ce schéma doit son nom au fait que le collecteur est relié à VCC. Le signal de sortie est pris sur
l’émetteur. Le schéma équivalent en petits signaux basse fréquence simplifié est :
7.4.4.4.1. Le gain en tension

On définit le gain en tension par :
𝑣𝑆
𝐴𝑣 =
𝑣𝑒
On a :
𝑣𝑆 = 𝑅𝐸 (𝑖𝐵 + 𝛽𝑖𝐵 ) ;
𝑣𝐸 = ℎ11 𝑖𝐵 + 𝑅𝐸 (𝑖𝐵 + 𝛽𝑖𝐵 )
D’où:
𝑅𝐸 (𝑖𝐵 + 𝛽𝑖𝐵 ) 𝑅𝐸 (1 + 𝛽)
𝐴𝑣 = =
ℎ11 𝑖𝐵 + 𝑅𝐸 (𝑖𝐵 + 𝛽𝑖𝐵 ) ℎ11 + 𝑅𝐸 (1 + 𝛽)

7.4.4.4.2. L’impédance d’entrée

On définit l’expression de l’impédance d’entrée par :
𝑣𝑒 𝑣𝑒
𝑍𝑒 = =
𝑖𝑒 𝑖𝑝 + 𝑖𝐵
𝑣𝑒 = ℎ11 𝑖𝐵 + 𝑅𝐸 (𝑖𝐵 + 𝛽𝑖𝐵 )
ℎ11 𝑖𝐵 + 𝑅𝐸 (𝑖𝐵 + 𝛽𝑖𝐵 )

𝑖𝑒 = 𝑖𝐵 +
𝑅𝐵
D’où :
𝑣𝑒 𝑅𝐵 [ℎ11 + 𝑅𝐸 (1 + 𝛽)]
𝑍𝑒 = =
𝑖𝑒 𝑅𝐵 + ℎ11 + 𝑅𝐸 (1 + 𝛽)
7.4.4.4.3. L’impédance de sortie

On définit l’expression de l’impédance de sortie par :
𝑣𝑠)𝑐𝑜
𝑍𝑠 =
𝑖𝑠(𝑐𝑐
En circuit ouvert on a :
𝑣𝑠)𝑐𝑜 = 𝑅𝐸 (𝑖 ′ 𝐵 + 𝛽𝑖 ′ 𝐵 )
Or :
𝑣𝑒 = ℎ11 𝑖′𝐵 + 𝑅𝐸 (𝑖 ′ 𝐵 + 𝛽𝑖 ′ 𝐵 )
D’où :
𝑣𝑒
𝑣𝑠)𝑐𝑜 = 𝑅𝐸 (1 + 𝛽)
ℎ11 + 𝑅𝐸 (1 + 𝛽)
Pour le calcul de 𝑖𝑠(𝑐𝑐 , considérons le schéma ci-dessous :

On a :
𝑖𝑠(𝑐𝑐 = (1 + 𝛽)𝑖′𝐵
Or :
𝑣𝑒 = ℎ11 𝑖′𝐵
𝑣𝑒
𝑖𝑠(𝑐𝑐 = (1 + 𝛽)
ℎ11
D’où :
𝑣𝑠)𝑐𝑜 𝑅𝐸 ℎ11
𝑍𝑠 = =
𝑖𝑠(𝑐𝑐 ℎ11 + 𝑅𝐸 (1 + 𝛽)
7.4.5. Transistor bipolaire en fonctionnement commutation

En rappel un transistor bipolaire comporte trois connexions : la base, l’émetteur et le
collecteur.
Pour les deux types de transistors on a les relations suivantes :

7.4.5.1. Présentation qualitative des transistors en commutation

Un transistor bipolaire (supposé parfait) utilisé en commutation se comporte comme un
interrupteur commandé par un signal logique. Sur les deux exemples ci-dessous, le signal de
commande (Vcmd) est appliqué sur la résistance de base R2 pour le NPN et R3 pour le PNP.
C’est le couple de composants R2 – Q1 et R3 – Q2 qui se comporte comme un interrupteur
commandé. Suivant l’état logique de Vcmd est soit fermé soit ouvert.
Pourquoi dit – on d’un transistor qu’il est bloqué ou saturé ?
Un transistor bipolaire est un amplificateur de courant. Il amplifie le courant de base IB

pour donner le courant de collecteur IC : IC = β x IB où β est une grandeur constante sans
unité appelée amplification en courant. Sa valeur varie généralement de 20 à quelques
centaines selon le type de transistor. Sa valeur est donnée dans les documents
constructeurs de transistors.
Dans le montage ci-dessous IB est généré par une source de courant variable. Pour
plusieurs valeurs de IB on relèves les valeurs de VBE, IC et VCE correspondantes. On
obtient ainsi trois caractéristiques : IC = f(IB), IC = f(VCE) et IB = f(VBE)

Analyse de la caractéristique IC = f(VCE)
Cette caractéristique est une droite dont l’équation est obtenue à partir de la maille de
sortie. On appelle cette de droite la droite de charge. VCESAT est la valeur minimum que
peut prendre VCE. Sa valeur est donnée dans les documents constructeurs des transistors.
ICSAT est la valeur maximum que peut prendre IC. Sa valeur dépend de E et de RC
Analyse de la caractéristique IC = f(IB)
 Quand IB = 0, entraine IC = 0 le transistor bloque le passage du courant IC. On dit

que le transistor est bloqué. Le schéma équivalent entre C et E d’un transistor
bloqué est un interrupteur ouvert ;
 Quand 0 < IB < IBSAT entraine 0 < IC < ICSAT : le transistor fonctionne en
amplificateur de courant. IC suit les variations de IB ;
 Quand IB ≥ IBSAT entraine IC = ICSAT. Le courant IC a atteint sa valeur maximum et
ne peut plus suivre la croissance du courant IB. On dit que le transistor est saturé.
Le schéma équivalent entre C et E d’un transistor saturé est une source de tension
égale à VCESAT.
Analyse de la caractéristique IB = f(VBE)
C’est la caractéristique d’une diode.
 Quand IB = 0 entraine VBE = 0 entraine le transistor est bloqué ;

 Quand IB ≥ IBSAT entraine VBE = VBESAT entraine le transistor est saturé.
Conclusion : un transistor bipolaire est un composant contrôlable par le courant de base IB :
 Quand IB = 0 le transistor est bloqué ;

 Quand IB > IBSAT le transistor est saturé

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7.1. Principe de fonctionnement : effet transistor

7.1.1. Diode émetteur et diode collecteur

7.1.2. Le transistor avant et après diffusion

Si nous polarisons la jonction base – émetteur en direct et la jonction collecteur – base en

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En appliquant le générateur VCC entre la base et le collecteur, la jonction collecteur-

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7.2. Mode de fonctionnement d’un transistor

7.3. Caractéristiques des transistors bipolaires

Dans ce montage, la base

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 La caractéristique d’entrée du transistor correspond à la relation IB = f(VBE), VCE

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 Caractéristique de transfert en tension correspond à la relation VBE = f(VCE),

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7.4. Polarisation des transistors bipolaires

7.4.1. Droite d’attaque statique

C’est l’équation d’une droite appelée

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7.4.2. Droite de charge statique

L’étude de la polarisation sert non seulement à déterminer le point de fonctionnement d’un

7.4.3. Circuit de polarisation

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7.4.3.1. Polarisation par résistance de base

7.4.3.2. Polarisation par pont résistif et résistance d’émetteur

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Les équations des mailles sont :

𝐸𝑇ℎ = 𝑅𝑇ℎ 𝐼𝐵0 + 𝑉𝐵𝐸0 + 𝑅𝐸 𝐼𝐸0 et 𝑉𝐶𝐸0 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 𝐼𝐶0 − 𝑅𝐸 𝐼𝐸0

On utilise les simplifications suivantes :

Pour stabiliser le point de fonctionnement, on prend :

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7.4.3. Schéma équivalent du transistor en petits signaux en basse fréquence

𝑉 = ℎ11 𝑖𝐵 + ℎ12 𝑣𝐶𝐸

En tenant compte des simplifications effectuées, le schéma simplifié est :

re’= 25 mV/IE et h11 = rbe = hie = β re’

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7.4.4. Montages fondamentaux à transistors bipolaires

7.4.4.1. Théorème de superposition pour le continu et l’alternatif

7.4.4.2. Condensateurs de couplage et de découplage

 Un condensateur de découplage est un condensateur qui couple à la masse un

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7.4.4.3. Circuits équivalents en courants continu et alternatif

Exemple : dessiner les circuits équivalents en courant continu et en courant alternatif du

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7.4.4.4. Montage émetteur commun (EC)

7.4.4.4.1. Gain en tension

D’où l’expression du gain :

7.4.4.4.2. Impédance d’entrée

7.4.4.4.3. Impédance de sortie

Le montage tel qu’il est présenté, présente l’inconvénient suivant :

Sous l’effet du courant IC qui traverse le transistor, la température de celui-ci augmente

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7.4.4.4.4. Calcul du gain en tension

𝑣𝑒 = ℎ11 𝑖𝐵 + 𝑅𝑒 (𝑖𝐵 + 𝛽𝑖𝐵 )

7.4.4.4.5. Calcul de l’impédance d’entrée

𝑣𝑒 = (𝑖𝑒 − 𝑖𝐵 ) = ℎ11 𝑖𝐵 + 𝑅𝐸 (𝑖𝐵 + 𝛽𝑖𝐵 )

[𝑅𝐵 + ℎ11 + 𝑅𝐸 (1 + 𝛽)]

7.4.4.4.6. Calcul de l’impédance de sortie

7.4.4.4. Montage collecteur commun (CC)

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7.4.4.4.1. Le gain en tension

𝑣𝐸 = ℎ11 𝑖𝐵 + 𝑅𝐸 (𝑖𝐵 + 𝛽𝑖𝐵 )

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