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Rapport de TP:
Transistor Bipolaire de puissance
en régime de commutation.
Objectif de TP
2. Partie théorique :
2.1. Transistor Bipolaire :
2.1.1. Principe de fonctionnement :
2.1.2. Transistor Bipolaire en mode de commutation :
2.1.2.1. Le phénomène de commutation :
2.1.2.2. Caractéristiques de la commutation :
3. Manipulation :
3.1. Charge résistive
3.2. Charge inductive
Conclusion
1
1. Objectif de la manipulation :
Analyser les principaux phénomènes et contraintes qui apparaissent lors du
fonctionnement en commutation d’un transistor bipolaire de puissance et de
proposer des solutions permettant de réduire ces contraintes afin que ce transistor
puisse fonctionner à des fréquences élevés.
L’émetteur (E) est fortement dopé. Son rôle est d’injecter des électrons dans la
base.
La base (B) est faiblement dopée et très mince. Elle transmet au collecteur la
plupart des électrons venant de l’émetteur.
Le collecteur (C) recueille les électrons qui lui viennent de la base d’où son
nom.
2
Figure 2: les jonctions pour le transistor
champ interne .
Jonction collecteur polarisée en inverse - Le champ externe est dans le même sens
3
Figure 3: Caractéristiques idéalisées d'un transistor bipolaire
zone de saturation : pour des tensions Vce < 1 V ; dans cette zone, Ic dépend à la fois
de Vce et de Ib (La tension Vcesat se situe en général autour des 0,2 V jusqu'à Uj (Uj =
0,7 V)) ;
zone linéaire : le courant collecteur est quasi indépendant de Vce, il ne dépend que de
Ib.
4
2.2. Transistor Bipolaire en mode de commutation :
2.2.1. Le phénomène de commutation :
Le transistor est commandé par une impulsion de courant de base. Le transistor passe de l'état
bloqué à l'état saturé en lui appliquant une impulsion positive de courant.
*Le circuit de sortie comprend une résistance de charge RL telle que la valeur du rapport
VCC/RL soit inférieure à la valeur du courant de collecteur maximum supportable par le
transistor.
Le courant qui traverse le transistor est faible, la tension entre collecteur et émetteur vaut
VCC. On est bien régime de haute impédance.
La densité des porteurs minoritaires dans la base est au plus égale à nB0.
Le transistor va quitter l'état bloqué (état OFF) pour atteindre l'état saturé.
La tension collecteur-émetteur est pratiquement nulle (égale à VCEsat = 0.2 à 0.3 V pour un
transistor au silicium)
Le courant collecteur atteint alors la valeur :
ICM = (VCC -VCEsat)/RL VCC/RL
Le courant qui traverse le transistor est important, la tension collecteur-émetteur est
faible, on est régime de faible impédance.
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L'amplitude minimale de courant de base pour obtenir la saturation est donc :
IBM > ICM/ VCC/ RL
La charge stockée dans la base se compose de QB : charge stockée en régime normal plus
QBX la charge excédentaire en régime de saturation.
Les temps de commutation (switching time) sont les temps nécessaires au transistor
pour passer d'un état à l'autre. Ils correspondent en première approximation aux temps
d'établissement et de disparition de la charge stockée dans la base.
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td : temps de retard (delay time) : est le temps nécessaire pour que le courant
atteigne 10 % de sa valeur finale. Il est déterminé par les constantes de temps
de charge des capacités des jonctions.
td est d'autant plus petit que la tension de blocage est la plus faible possible.
on montre que :
tf : temps de descente (fall time) : temps nécessaire pour que le courant collecteur
passe de 90 % à 10 % de sa valeur finale.
Étant l'inverse du temps de montée, il est limité par les mêmes phénomènes.
On définit aussi le temps de fermeture ton td + tr et le temps d'ouverture : toff =
ts + tf dont l'ordre de grandeur varie entre 0.1 et 10 µs selon le type de transistor.
L'excès de charge QBX a un effet catastrophique sur toff et constitue la principale limitation
du transitor en commutation. En général, on réalise IB1 = 3 IB2 pour obtenir des fronts
raides et des temps de désaturation raisonnables.
(W.s)
3. Manipulation :
3.1. Remarques générales :
8
Pour obtenir un courant de base permattant une saturation convenable du transistor de
puissance ( de l’ordre de 1,5A). le générateur précédent attaquera un étage de moyenne
puissance formé de deux transistors T1 et T2 montés en Push-Pull. Le transistor de
puissance utilisé est un BUX 48.
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Figure 10: Circuit de la manipulation
𝑉𝑐𝑐− . −
(Pour les diagrammes Vcc c’est 𝑽𝒄𝒄 )
Ic=2 A
𝑽−
𝒄𝒄 (V) ts(us) tf(us)
-0,5 26 4,4
-2 8,3 1,7
-3 7,3 1
-5 7,1 0,9
10
ts=f(𝑉𝑐𝑐) Ic=2A
30
25
20
Ts 15
10
5
0
-0,5 -2 -3 -5
Vcc(V)
tf=f(Vcc) Ic=2A
5
4
3
tf
2
1
0
-0,5 -2 -3 -5
Vcc
Ic=3,5A
𝑽−
𝒄𝒄 (V)
Ts(us) Tf(us)
-0,5 11 3,3
-2 6,4 1,6
-3 6,2 1,2
-5 6 0,9
11
ts=f(Vcc) Ic=3,5A
12
10
8
ts(us)
6
4
2
0
-0,5 -2 -3 -5
Vcc(v)
tf=f(Vcc) Ic=3,5A
3,5
3
2,5
Tf(us)
2
1,5
1
0,5
0
-0,5 -2 -3 -5
Vcc(v)
Ic=5A
Vcc(V) Ts(us) Tf(us)
-0,5 10,8 6,6
-2 4,8 2,2
-3 4,8 2
-5 4,6 2
12
ts=f(Vcc) Ic=5A
12
10
8
ts(us)
6
4
2
0
-0,5 -2 -3 -5
Vcc(V)
tf=f(Vcc) Ic=5A
7
6
5
tf(us)
4
3
2
1
0
-0,5 -2 -3 -5
Vcc(V)
Figure 16: temps de descente de courant collecteur en fonction de Vcc, pour Ic=5A
ts=f(vcc, Ic)
30
25
20
Ts(us)
15 Ic=2A
10 Ic=5A
5 Ic=3,5A
0
1 2 3 4
Vcc(V)
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On constate que si le courant de collecteur Ic augment le temps de stockage ts diminue.
Donc pour augmenter les performances de transistors au niveau de temps de stockage pour la même
fréquence de commutation on doit augmenter la tension Vcc entre la base et le émetteur qui va
accélérer la « décharge de transistor » ; c'est-à-dire pour séparer les deux zones N et P.
Cependant, malgré qu’on augmente la tension Vcc le temps de commutation (temps de stockage +
temps de descente) reste grand ce qui limite, par conséquent, la fréquence de commutation à valeurs
très basses (par exemple : 𝒇𝒄 = 𝟓 𝑯𝒛 ).
Tf=f(Vcc, Ic)
7
4
tf(us)
Ic=2A
3
Ic=3,5A
2
Ic=5A
1
0
1 2 3 4
Vcc(V)
Remarque :
Lorsqu’un transistor est saturé, sa jonction base-émetteur se comporte comme une diode
passante. Dans cette jonction, la répartition des charges est analogue à celle d’un condensateur. Si
on souhaite bloque le transistor, le temps que les charges se réorganisent (après saturation) au
niveau de la jonction base-émetteur, cela va provoquer un courant inverse, dit courant inverse de
blocage. La valeur de ce courant dépend de la polarité avec laquelle le condensateur de la
jonction base-émetteur va se bloquer.
Donc, si on veut une commutation efficace, de donner une forte impulsion de courant de base
aussi bien à la saturation qu’au blocage, et à maintenir un courant de base à la limite du blocage.
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3.2.2. Commande avec diode anti-saturation :
Ic=3,5 A
Vcc(V) ts(us) tf(us)
-0,5 3 1,8
-2 2,02 0,26
-3 1,82 0,22
-5 0,8 0,22
ts=f(Vcc) Ic=3,5A
3,5
3
2,5
ts(us)
2
1,5
1
0,5
0
-0,5 -2 -3 -5
Vcc(V)
tf=f(Vcc) Ic=3,5A
2
1,5
tf(us)
0,5
0
-0,5 -2 -3 -5
Vcc(V)
15
Ic=5 A
Vcc(V) ts(us) tf(us)
ts=f(Vcc) Ic=5A
7
6
5
4
tf(us)
3
2
1
0
-0,5 -2 -3 -5
Vcc(V)
tf=f(Vcc) Ic=5A
4
3,5
3
2,5
tf(us)
2
1,5
1
0,5
0
-0,5 -2 -3 -5
Vcc(V)
16
L’importance de la diode anti-saturation :
10
8
ts(us)
6
sans diode
4 avec diode
0
1 2 3 4
Vcc(V)
10
8
Ts(us)
6
Sans Diode
4 avec Diode
0
-0,5 -2 -3 -5
Vcc(V)
D’après ce 2 diagramme, on constate que le temps de stockage et le temps de descente ont diminué
par rapport à ceux sans diode de anti-saturation.
Donc, cette a pour but de minimiser et de réduire le temps de commutation afin de gagner en
terme de fréquence (transistor plus performant et plus rapide)
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3.3. Charge Inductive :
Pour améliorer la fermeture, il faut permettre à Vce de diminuer avant que Ic n'ait eu le temps de
monter; pour cela il faut introduire en série un composant qui supportera la tension d'alimentation E
alors que le transistor et la diode conduiront. Nous plaçons en série avec le transistor une inductance
L; lors de l'ouverture la décroissance rapide du courant crée une tension négative aux bornes de L
qui se retrouve en surtension aux bornes du transistor; pour limiter la surtension, nous plaçons une
résistance R en série avec une diode D' aux bornes de l'inductance.
Pour améliorer l'ouverture, il faut permettre à ic de s'annuler avant que vce ne remonte; pour cela il
faut transférer la conduction du transistor à un élément en parallèle qui retarde la montée de la
tension; nous plaçons donc un condensateur C en parallèle sur le transistor. Lorsque le transistor est
bloqué, le condensateur est chargé sous la tension E, à la fermeture il se décharge dans le transistor;
pour limiter le courant de décharge, nous plaçons une résistance R en série avec le condensateur;
pour éviter que cette résistance ne perturbe l'ouverture, nous plaçons en parallèle une diode D';
nous obtenons le montage suivant :
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Nous combinons les circuits d'aide à l'ouverture et à la fermeture pour obtenir le circuit d'aide à
la commutation ( CALC en abrégé) .
Conclusion :
Pour conclure, on a manipulé un transistor en régime de commutation
pour voir l’impact de la tension de commande et la charge (Ic) sur le temps
de commutation (temps de stockage, temps de descente du courant de
collecteur). Pour limiter ce temps, on a utilisé une diode anti-saturation dans
le but d’augmenter la rapidité du transistor.
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