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CENTRE UNIVERSITAIRE BORDJ BOU ARRÉRIDJ

Le transistor bipolaire en
commutation
Electronique Analogique
Braham Chaouche Yacine Fethallah
Saoud Ayoub

On dit qu'un transistor fonctionne en commutation, lorsqu'il passe de l'état saturé a


l'état bloqué ou inversement. Dans ce cas, le passage d'un état à l'autre, doit se faire
très rapidement, donc transition très rapide .Dans tous les cas, le transistor ne peut
prendre que 2 états (0 ou 1), cela s’appelle le binaire.
Le transistor bipolaire en commutation
On dit qu'un transistor fonctionne en commutation, lorsqu'il passe de
l'état saturé a l'état bloqué ou inversement. Dans ce cas, le passage d'un
état à l'autre, doit se faire très rapidement, donc transition très rapide
.Dans tous les cas, le transistor ne peut prendre que 2 états (0 ou 1), cela
s’appelle le binaire.
Etude sur les deux états:
• Etat saturé:

Fig.1 Etat saturé


Lorsqu’ un transistor entre en saturation, son courant collecteur est
:Ua=Rc Icsat+Ucesat , si on tire Icsat de la formule Rc Icsat =Ua- Ucesat
===>Ic=Ua-UcesatRc . Mais comme on sait que Ucesat est trés faible
lorsque le transistor est saturé ( quelques millivolts ), on peut dire que Ua-
Ucesat est sensiblement égal à Ua.
Donc :

.
Il faut que Ib atteigne une certaine valeur pour saturer le transistor. On sait

que
Donc

.
Après cette valeur de Ib on peut l'augmenter au-delà, cela ne changera
rien à l'état dans lequel se trouve le transistor.
• Etat bloqué:
Lorsqu'un transistor est saturé, sa jonction base-émetteur se
comporte comme une diode passante. Dans cette jonction, la répartition
des charges est analogue à celle d'un condensateur. Si on souhaite
bloquer le transistor, le temps que les charges se réorganisent (après
saturation) au niveau de la jonction base-émetteur, cela va provoquer un
courant inverse, dit courant inverse de blocage. La valeur de ce courant
dépend de la rapidité avec laquelle le condensateur de la jonction base-
émetteur va se bloquer.
Explications plus détaillées:
Appliquons un signal rectangulaire idéal (sans déformation, temps de
monté et de descente égal à 0) sur la jonction base-émetteur. Il va s'écouler un
certain temps entre le moment ou on applique ce courant dans la base et le
moment ou le courant collecteur atteint l'intensité de saturation.
Fig.2 Etat bloqué

Il s'écoule un certain temps entre le moment ou l'on établit le


courant inverse de blocage de la jonction émetteur-base et le moment ou
le courant collecteur s'annule.

Les normes indiquent qu'il faut prendre comme repères, les points
ou le signal atteint 10% et 90% de sa valeur maximale. C'est à partir de
ces repères qu'on définit les temps de commutation :
(td, tr, ton ; ts ; tf, toff ),voir schéma ci-dessus
Il faut savoir que les valeurs des temps mentionnes, ont variables
suivants les composants utilisés et le modèle de polarisation de la base.
Dans tous les cas: on a donc intérêt si on veut une commutation efficace,
de donner une forte impulsion de courant de base aussi bien à la
saturation qu'au blocage, et a maintenir un courant de base à la limite du
blocage.
Le phénomène de commutation :
Pour réaliser la commutation, on utilise le montage ci-contre :

Fig.3 Montage pour la commutation


Le transistor est commandé par une impulsion de courant de base.
Le transistor passe de l'état bloqué à l'état saturé en lui appliquant une
impulsion positive de courant.
Le circuit de sortie comprend une résistance de charge RL telle que la
valeur du rapport VCC/RL soit inférieure à la valeur du courant de collecteur
maximum supportable par le transistor.

Fig.4 Phénomène de commutation


u départ le transistor est bloqué (état OFF).
• Le courant qui traverse le transistor est faible, la tension entre collecteur
et émetteur vaut VCC. On est bien régime de haute impédance.
• La densité des porteurs minoritaires dans la base est au plus égale à nB0.
On applique l'impulsion de courant sur la base.
• Le transistor va quitter l'état bloqué (état OFF) pour atteindre l'état saturé.
• La tension collecteur-émetteur est pratiquement nulle (égale à VCEsat = 0.2
à 0.3 V pour un transistor au silicium)

• Le courant collecteur atteint alors la valeur : ICM = (VCC -VCEsat)/RL VCC/RL


• Le courant qui traverse le transistor est important, la tension collecteur-
émetteur est faible, on est régime de faible impédance.
• L'amplitude minimale de courant de base pour obtenir la saturation est
donc :

IBM > ICM/ VCC/ RL


• La charge stockée dans la base se compose de QB : charge stockée
en régime normal plus QBX la charge excédentaire en régime de saturation.
Les temps de commutation sont les temps nécessaires au transistor pour
passer d'un état à l'autre. Ils correspondent en première approximation
aux temps d'établissement et de disparition de la charge stockée dans la
base.
Fig.5
Caractéristiques de la commutation :

Fig.6 caractéristique de la commutation


td : temps de retard est le temps nécessaire pour que le courant atteigne
10 % de sa valeur finale. Il est déterminé par les constantes de temps
de charge des capacités des jonctions.
td est d'autant plus petit que la tension de blocage est la plus faible
possible.
tr : temps de montée: temps nécessaire pour que le courant collecteur
passe de 10 % à 90 % de sa valeur finale.
tr est d'autant plus faible que le temps de transit des porteurs dans la

base ( B) est petit.


ts : temps de dénaturation:
• temps entre l'instant où le courant de base devient négatif et où le
courant collecteur = 0.9 ICM.
• C'est l'intervalle de temps le plus important, il est la limite principale
de la vitesse de commutation du transistor.
• il correspond à la disparition de l'excès de charge stockée (QBX)
nécessaire au fonctionnement en mode saturé.
• on montre que : ts=ϑs LogIB1-IB2IBM-IB2
• θs: temps relié à la durée de vie des porteurs dans la base
(caractéristique donnée par l’instructeur).
tf : temps de descente (fall time) : temps nécessaire pour que le courant
collecteur passe de 90 % à10% de sa valeur finale. Étant l'inverse du
temps de montée, il est limité par les mêmes phénomènes.

On définit aussi le temps de fermeture ton td + tr et le temps d'ouverture :


toff = ts + tf dont l'ordre de grandeur varie entre 0.1 et 10 µs selon le type
de transistor.
L'excès de charge QBX a un effet catastrophique sur toff et constitue la
principale limitation du transistor en commutation. En général, on réalise
IB1 = 3 IB2 pour obtenir des fronts raides et des temps de dénaturation
raisonnables.
Bloqué, le transistor ne dissipe pas de puissance (Ic = 0).

Saturé, le transistor ne dissipe pas de puissance (Vce 0).


Pendant la commutation, Ic, Vce existent simultanément, en supposant que
le courant Ic suit une loi linéaire (Ic(t) = ICM t/ton) pendant l'ouverture et Ic(t)
= ICM (1 - t/toff) pendant la fermeture, on montre que la puissance dissipée
par le transistor à chaque impulsion de courant est

(W.s)
L'échauffement du transistor en régime de commutation est proportionnel
à la fréquence de répétition des basculements, plus elle augmente, plus
le transistor s'échauffe.
Fonctionnement :
On considère le circuit ci-dessous. La sortie de T1 est reliée à
l'entrée de T2 par une liaison capacitive alors que la liaison entre la sortie
de T2 et l'entrée de T1 est purement résistive. Les résistances des
collecteurs sont beaucoup plus faibles que les résistances des bases afin
d'assurer la saturation des transistors.

Fig.7
Sur l'animation, les transistors sont modélisés par la jonction base-
émetteur et par un interrupteur (fermé si le transistor est saturé, ouvert
s'il est bloqué). Les résistances de collecteur sont schématisées par une
lampe (allumée si le transistor est saturé).
Dans l'état initial (qui est l'état stable du
système), T1 est bloqué et T2 saturé. On
applique sur la base de T1 une tension
positive (courant en vert) : T1 se sature. Son
potentiel de collecteur passe brutalement de
U à 0. Le potentiel de base de T2 passe de
0,6V à (0,6V – U) car la charge du
condensateur C n'a pas le temps de varier
pendant la transition.
Ceci bloque T2. Son potentiel de collecteur tend rapidement vers U. C'est
un état instable. C se charge avec la constante de temps = RB2.C
(courant en violet sur l'animation) à travers la charge de T1 et sa jonction
base-émetteur. La base de T1 est alimentée (courant en rouge) via RC2 et
RB1 ce qui renforce sa saturation.
Le potentiel de base de T2 (figuré par la bande verticale jaune) croít.
Quand il atteint la tension de seuil de la diode d'entrée de T2 celui-ci se
sature. Sa saturation est maintenue par le courant (en rouge) qui traverse
sa résistance de base. La durée de l'impulsion positive qui apparait sur la
sortie de T2 (lampe jaune éteinte) est sensiblement égale à 0,7.RB2.C
Applications des Transistors
On dit qu'un transistor ou tout autre dipôle fonctionne en
commutation, lorsqu'il est saturé ou bloqué. Ce qui implique un passage
d'un état à l'autre très rapidement.
Exemple pratique
Prenons le cas d'une bascule monostable:
L'étude de cette bascule nous permettra de bien comprendre l'action
de chaque composant passif (R et C) et actifs (transistor etc.).Un
monostable est un dispositif susceptible de basculer d'un état à un autre,
pour revenir à sa position initiale, après un laps de temps déterminé par
les composants qui l'entourent. Fonction qui est souvent utilisée chaque
fois que l'on a besoin d'un temporisateur pour déclencher un dispositif à
retardement, qui peut aller de quelques microsecondes à quelques heures.
Fonctionnement
Il faut savoir que le dispositif que l'on va étudier est constitué de
composants discrets (c’est-à-dire, de résistances, condensateurs et de
transistors). Car il existe actuellement et depuis bien longtemps des
systèmes intégrés, qui réalisent les mêmes fonctions, qui consomment
moins d'énergie et prennent moins de place. Si nous utilisons les
composants discrets, c'est pour bien comprendre le principe de
fonctionnement, qui est identique dans les circuits intégrés.
Fig.8
Le résistance R3 a été calculé pour que le transistor T2 soit saturé. Si
T2 est conducteur, son collecteur est pratiquement à la masse au Ucesat
prés. Donc, aucune tension sur la base de T1 via R4. Ce qui signifie que T1
est bloqué et cet état durera.
Si T1 est bloqué, son collecteur se trouve au potentiel de l'alimentation,
c'est-à-dire 6 volts. Donc vu que T2 est saturé, sa jonction base-émetteur
est passante. Ce qui permet au condensateur C de se charger via la
jonction base-émetteur de T2.

Fig.9
Par contre, si une impulsion d'amplitude suffisante arrive sur la
baseT1, il se sature. Ce qui fait que le collecteur de T1 se trouve
instantanément à la masse. Or, le collecteur est relié à l'armature positive
de C. Son armature négative se trouve au potentiel de -5,3 volts par
rapport à la masse. Le condensateur se comporte comme un générateur
qui attaque brusquement la jonction base-émetteur de T2, mais, en sens
inverse, ce qui bloque énergiquement T2. Le blocage de T2 maintient
l'état de saturation de T1 même après disparition de l'impulsion de
commande. En effet Ib1= (6-0,7)/R2+R4 peut maintenant s'écouler dans
la base de T1. Cette situation ne durera pas, parce que C tend a se
charger en sens inverse via R3 et T1 saturé.

Fig.10
Partir d'une tension de -5,3 volts, il finirait, si rien ne se passait, par
atteindre la limite UB2-UC1=6 volts par une courbe de charge
exponentielle. Cette tension de 6 volts ne sera jamais atteinte car arrivé à
la tension (UB2-UC1= 0,7 volt) T1 se bloquera, c'est-à-dire retour à l'état
initial.
Fig.11
Conclusion
La durée de temporisation correspond donc a T=0,7Rb2*C, on peut
régler la valeur de T en ajustant Rb2. Mais attention les valeurs des
résistances ont tout de même des limites car celle de Rb ne peut pas être
supérieure à 500 kilo ohms, parce que T2 ne serait plus saturé. (Faire un
tout petit calcul permet de constater que le transistor se sature avec un
certain courant, qui nous donne une tension de 0,7 volt sur sa base.).
Pourquoi 0,7 dans La formule de T=0,7Rb2*C:
Partir de -5,3 volts vers sa limite maximale de 6 volts de façon
exponentielle (tension collecteur de T2) Elle traverse la valeur de 0,7 volt
pour laquelle se produit le basculement. A
l'aide d'un petit calcul on se rend compte que le basculement se crée à 0,7
Thêta (Thêta étant la constante de temps de charge RC donc Rb2*C)