Transistor bipolaire

Classification de transistors
 Les transistors sont réalisés par la jonction de différentes zones de semi-conducteurs
de types N et de type P. Il existe deux grandes classes de transistors.
Un transistor bipolaire est constitué d’un monocristal de semi-conducteur
(principalement le silicium) dopé pour obtenir deux jonctions, disposées en série et de
sens
opposé. Il existe donc deux types fondamentaux de transistors bipolaires, dits
complémentaires :
• les transistors NPN dans lesquels une mince couche de type P est comprise entre
deux zones de type N;
• les transistors PNP dans lesquels une mince couche de type N est comprise entre
deux zones de type N.
 • La couche intermédiaire est appelée base. Cette couche est très mince et est
légèrement dopée. Les porteurs majoritaires sont donc en quantité assez faible.
• L’une des deux autres zones est appelée émetteur. Il s’agit de la zone la plus
dopée du transistor. Son rôle consiste à injecter des porteurs (électrons dans le
cas d’un transistor NPN) dans la base.
• La dernière zone qui est de même type que l’émetteur est appelée collecteur.
Son dopage est plus faible que celui de l’émetteur et sa géométrie est différente.
Le rôle principal du collecteur est de recueillir les porteurs.
Le transistor est donc un composant à trois bornes (tripôle) reliées respectivement
à l’émetteur, à la base et au collecteur. Sa représentation schématique, ainsi que les
symboles normalisés sont donnés à la figure 2.2 pour les deux types.
Ces paramètres permettent de calculer par exemple le gain en
tension, l’impédance
d’entrée et l’impédance de sortie.
Remarques :
L'émetteur est toujours repéré par une flèche qui indique le sens du courant dans la jonction entre base
et émetteur. C'est l'effet transistor qui permet à la diode qui est en inverse de conduire quand une tension
est appliquée sur la base.

On peut considérer le transistor comme l’association de deux diodes dont la

représentation ci-dessus peut aider.
 POLARISATION D'UN TRANSISTOR

Règles :
- Deux sources d'alimentation sont nécessaires pour assurer un fonctionnement correct du
transistor. Elles sont souvent notées :
- VBB : Alimentation du circuit Base.
- VCC : Alimentation du circuit Collecteur.
Remarque : L'alimentation VBB est parfois réalisée à partir de VCC

Caractéristiques d'un transistor :

- Les constructeurs donnent en général les valeurs ci-dessous à ne pas dépasser afin
d'éviter
la détérioration du transistor :
- VCE0 ou VMAX : Tension collecteur/emetteur maxi (à VBB =0)
- VBEO : Tension base/emetteur maxi
- IC max : Courant maxi dans le collecteur
- P : Puissance maxi que peut dissiper le transistor (avec P = VCE . IC)
 Schéma de principe

Avec :
Ib = courant de base
Ic = courant de collecteur
Ie = courant dans l’émetteur
RB et RC = résistances de
limitation des courants Ic et Ib

Relations entre courants :

- La loi des nœuds permet d'écrire : IE = IC + IB ( 1 )
- D'autre part il existe une relation entre courant de base et courant collecteur due à l'effet
transistor. Cette relation s'écrit : IC = . IB (avec  = gain en courant du transistor)

Remarque : Ce coefficient  et appelé aussi coefficient d'amplification statique en courant.

En générale  varie de 30 à 300 avec pour valeur courante :
- Transistors dit "Petit signaux" : 100 <  < 300
- Transistors dit de "Puissance" : 30 <  < 100
- La relation (1) peut alors s'écrire :
IE = . IB + IB soit IE = ( + 1) . IB
Remarque : Si . IB est grand devant IB (ce qui est le cas pour les
transistors "Petits signaux")
on peut alors écrire :  + 1 =  et IE = IC
LE TRANSISTOR EN RÉGIME DE COMMUTATION
Il est alors considéré comme un "relais statique".

1ère état : bloqué

 Si Ib = 0 on a Ic = 0
Le transistor est dit : « BLOQUÉ »
(Donc équivalent à un interrupteur
ouvert entre collecteur et émetteur)
2éme état : passant

Si Ib =0 on a Ic =0
Le transistor est dit : PASSANT
(Donc équivalent à un interrupteur
fermé entre collecteur et émetteur)
Points de fonctionnement d'un transistor en commutation :

- Sur le réseau de caractéristique Ic = f (VCE) à Ib = constante ci-dessous on trace la

"droite de charge du transistor" :

Remarque : Le réseau de caractéristique Ic = f (Vce) à IB = constante est dépendant du

transistor utilisé (il est donné par le constructeur).
 droite de charge du transistor

L'équation de la droite de charge est donnée par la "maille" du schéma soit :

Vcc – UC - VCE = 0 (Uc = Tension dans la résistance de charge)

- Lors du fonctionnement en commutation le point P se déplace sur la droite

de charge entre P1 (pour Ib = 0) et P3 (pour Ib = Ib mini).

On peut définir les coordonnées des points P0 et P4 :

- Point P0 : On a Ic = 0 donc VCE = VCC
- Point P4 : On a VCE = 0 donc Ic = Vcc / RC
- En conclusion si Ib augmente :
- Ic augmente et tend vers Vcc / RC
- VCE diminue et tend vers 0
- On appelle Ib mini la valeur pour laquelle on à saturation du transistor ; pour cette valeur
Ib on a :
Ic = Vcc / RC ( = Ic sat ) et Vce sat = 0
(En réalité VCE sat varie de 0,1 à 0,4 V selon la valeur de Ib sat)

- Cette valeur de Ib mini correspond à la valeur de VBE = 0,7 V qui est la tension de seuil
de la jonction Base / Emetteur.
Calcul de la résistance de base d'un transistor en commutation :

Pour ce calcul il est nécessaire de connaître :

- Les tensions d'alimentation Vbb et Vcc.

- La valeur de la résistance de charge Rc (ou le courant Ic).
- Les caractéristiques du transistor utilisé.

Remarque : En générale pour avoir un fonctionnement correct on adopte un coefficient

de "sursaturation" compris entre 2 et 5 Ib mini.
 EXERCICE D’APPLICATION

SOLUTION

1) Maille d'entrée : VBE + RBIB = VCC

On a IB = IC / β = 1mA
Donc RB = (VCC –VBE)/IB = (12 – 0,7)/1 (KΩ)
Finalement on doit prendre RB = 11,3 KΩ pour obtenir un courant de 100mA
dans la résistance RL.
IC est maximal lorsque IC = VCC/RC.
Donc IC = 12/60 = 0,2 A soit 200 mA.
Le transistor est saturé donc lorsque Ic atteint la valeur 200 mA
3) pour avoir I = Isat = 200 mA il faut avoir IBsat = ICsat / β = 200/100 = 2mA
Il faut donc RBsat = (VCC –VBE)/IBsat = (12-0,7)/2 = 5,65 KΩ
Pour saturer le transistor IB doit être > 2 mA et donc RB < 5,65 KΩ

3) Si on diminue RB IB augmente et aussi IC mais lorsque RB devient inférieure à

5,65 IB devient supérieure à 2 mA mais IC ne peut plus suivre cette
augmentation et se sature à 200mA
EXERCICE 2