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AMPLIFICATEUR JFET SOURCE COMMUNE A CHARGE ACTIVE

On considère le montage amplificateur suivant qui utilise deux transistors JFET complémentaires
(T1 canal N, T2 canal P) tels que :

Tension de pincement Courant de drain max Résistance rgs Résistances rds


T1 VP1 = - 1.5 V IDSS1 = 8 mA infinie rds1 = 20 KΩ
T2 VP2 = + 1.5 V IDSS2 = 8 mA infinie rds2 = 20 KΩ

+ VCC = +15 V

R3
résistance r éq
S2 aux variations
G2

T2
D2
D1

G1 T1
Rg
50 Ω

+ S1
vs
eg
500 KΩ

ve
R1 R2
-

On rappelle que dans la zone de plateau des caractéristiques de sortie, le courant de drain ID d’un JFET
satisfait la relation suivante pour VP1 <VG1S1 < 0 Volt et 0 Volt < VG2S2 < VP2 :

V GS 2
I D = I DSS (1 − )
Vp

1) On désire fixer à 2 mA le courant de repos de drain ID1 repos de T1.

a) Calculer la valeur du courant de repos de drain ID2 de T2.

b) En déduire la valeur de la tension VG1S1 de T1 et celle de la résistance R2.

c) Montrer que la résistance R3 doit être égale à R2.

d) Calculer la transconductance gm des transistors JFET.

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La partie encadrée indiquée sur le schéma se comporte comme un dipôle. Aux petites variations et aux
fréquences moyennes, on peut simuler ce sous-ensemble par une résistance équivalente r éq.

2) Dans ces conditions, dessiner le schéma équivalent aux petites variations et aux fréquences moyennes du
montage complet.

3) En remarquant que le courant qui traverse la résistance R2 est identique à celui qui circule dans r éq,
vs
déterminer l’expression du gain en tension A= du montage en fonction de gm, r éq , R2 et rds.
ve
Essayer d’exprimer le gain A sous la forme la plus simple : A = - gm Réqui

4) En utilisant la méthode de l’ohmmètre, déterminer l’expression de la résistance r éq qui simule la partie


encadrée du schéma.

5) Faire l’application numérique des questions 4 et 3.

6) Déterminer l’expression de la résistance de sortie Rs du montage complet.


Faire l’ application numérique.

2
RESULTATS

Q1a : ID1=ID2 = 2 mA

ID
Q1b : VGS = VP (1 − VGS = 0, 75V VGS1 = -0,75 V soit R2 = 375Ω.
IDSS

Q1c : Même courant de drain donc R3=R2=375Ω.

2 IDSS V
Q1d : gm = (1 − GS ) = 5, 33 mS
VP VP

Q2 : Schéma équivalent
rds

G1 S1
D1
Rg vgs1
+ gm.vgs1
eg R1 ve u R2 req vs
-

Q3 : Ecrire l’équation au nœud D1 en remarquant que le courant dans Req (vs/req) traverse aussi R2.
On peut alors obtenir une solution « compacte », à savoir :
vs re r
− −gm .Req avec : Req = req // q // ds
ve gm .R2 1 + R2
re q

Q4 : Résistance équivalente de la charge active :

rds

D2
i S2
i
gm.vgs2
u R3 vgs2

G2

u
req = = R3 + (1 + gm .R3 )
i
Q5 : req=10 kΩ. et A = -53,3

Q6 : Résistance de sortie du montage complet par la méthode de l’ohmmètre. Ne pas oublier de


court-circuiter eg.

rds

G1 S1 i’ D1 i

Rg vgs1 i’
gm.vgs1
R1 R2 req u

La grille G1 est à ma masse car le courant dans Rg//R1 est nul !


u
Rs = req //

avec : vgs1 = -R2.i’
u
= R2 + rds (1 + gm .R2 )

Rs = 30 kΩ