Travaux Pratiques 2ème ELN TP ELNF2 Par N.

Berrouachedi

Université Abdelhamid Ibn Badis de Mostaganem

Faculté des Sciences et Techniques
Département de Génie Electrique

TP01 : Transistor Bipolaire (Caractéristiques et Montages fondamentaux)

Buts du TP : le but de ce TP est l’étude du composant « transistor bipolaire » :

 par une présentation rapide.
 par l’obtention des courbes caractéristiques de ce composant.
 par l’exploitation de ces caractéristiques permettant la mise en lumière de plusieurs
états de fonctionnement.
 Par la réalisation pratique des différents montages fondamentaux et le calcul et le
traçage des différents gains et d’impédances.

A) TRANSISTOR BIPOLAIRE
C’est un dispositif à semi-conducteur, qui peut amplifier des courants électriques, Le
transistor bipolaire est l’opérateur technique de base de fonctions de l’électronique telles que
l’amplification ou la commutation. En régime de fonctionnement linéaire, un transistor
bipolaire est un amplificateur de courant commandé en courant. En commutation (régime
saturé/bloqué), c’est un interrupteur commandé en courant.
En régime de fonctionnement linéaire, un TEC (transistor à effet de champ ) est un
amplificateur de courant commandé en tension. En commutation (régime saturé/bloqué), c’est
un interrupteur commandé en tension.
1- Description et symbole
Un transistor bipolaire encore appelé transistor à jonctions, est formé par la succession de 3
semi-conducteurs, respectivement de type NPN (transistor NPN) ou PNP (transistor PNP) à
l’aide de deux jonctions PN tête-bêche.

Le transistor NPN :
 
Le transistor PNP :

1
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Le transistor n’est pas symétrique : Les deux jonctions base-émetteur et base-collecteur ne

sont pas identiques (dopage différent). (Les termes Emetteur et Collecteur s’entendent vis-à-
vis des électrons (émission-collection d’e- )).
La flèche sur le symbole indique le sens passant (courant) de la jonction Emetteur-Base; elle
repère en outre l’émetteur.
Le transistor est bipolaire, c’est-à-dire que 2 types de porteurs de charge (les porteurs
majoritaires et les porteurs minoritaires) participent à la conduction.
2. Effet transistor
Les 2 jonctions P-N du transistor ne constituent pas uniquement la juxtaposition de 2 diodes,
car avec une tranche centrale de faible épaisseur, lorsque la jonction Emetteur-Base est
polarisée en direct et la jonction Collecteur-Base polarisée en inverse, les charges libres de
l’Emetteur sont accélérées vers la Base et, pour la plupart, la traversent rapidement pour être
captées par le potentiel de Collecteur : (une simple diode ferait que la Base capte ces charges).
Exemple : NPN

Figure 1 : Montage émetteur commun

Cet effet Transistor permet une amplification de puissance importante, a pour conséquence le
fait de pouvoir contrôler à l’aide du courant de base IB relativement faible, sous une tension
base-émetteur faible (inférieure au volt), on obtient le passage d'un fort courant collecteur à
travers la jonction base-collecteur polarisée en inverse sous une tension importante (quelques
volts à quelques dizaines de volts).
3 . Polarisation du transistor
La polarisation précédente : jonction B-E en Direct et jonction C-B en inverse pour avoir
l’effet transistor : (jonction P-N en direct ≡ P au + de l’alimentation et N au – de
l’alimentation. Jonction P-N en inverse ≡ P au – de l’alim. Et N au + de l’alim.).
Exemple : avec un transistor NPN

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Peut s’obtenir à l’aide d’une seule alimentation et des résistances dont ler rôle est de fixer le
point de fonctionnement du transistor (puissance, régime linéaire ou de commutation) :
Exemple : avec un transistor NPN

Figure 2 : Polarisation du transistor par pont de base et résistance d’émetteur

La polarisation permet d’activer le transistor et particulièrement d’en situer le point de

fonctionnement dans la région des courbes caractéristiques, ou celui-ci présente la meilleure
linéarité et affiche la plus grande stabilité du gain. Cette région est limitée par les
caractéristiques limite de transistor (tension maximale, courant maximal et puissance
admissible), figure 1. La fixation des valeurs des tensions et courants de repos du transistor à
des valeurs dites de polarisation (ou de repos, ou encore de fonctionnement) telles qu’ensuite,
en présence d’un signal extérieur les valeur de ces courants et tensions varient autour de ce
point de repos, permettant la réaction aux demi-cycles positif et négatif du signal d’entrée et
l’amplification de ce dernier. Si le signal d’entrée est relativement faible, le transistor ne peut
pas entrer en coupure ou en saturation. La zone de coupure est la région dans laquelle le
transistor est bloqué. La zone de saturation est la région dans laquelle la tension VCE est
minimale lorsque le courant IC qui circule atteint une valeur limite déterminée par le circuit
d’utilisation.
Ce point de polarisation conditionne largement le régime de fonctionnement du transistor.
En général, on utilise une seule source de tension pour polariser le transistor.

3
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Figure 3 : Caractéristiques limites du transistor

4. Relations fondamentales
Lorsque la jonction B-E est polarisée en Direct et la jonction C-B est polarisée en Inverse, on
a les relations suivantes :
IC=β IB (effet transistor) (en régime linéaire ≡ amplificateur)
β =constante β est le gain en courant statique du transistor; c’est une caractéristique du
transistor.
β >>1
IC =α.IE , α # 1
IE= IC +IB=(β+1) IB= α./(1- α ) IB ≈ βIB=IC
La composante β varie sensiblement selon le type de transistor et très légèrement suivant
l’échantillon de transistor dans un type donné. (En fait, β diminue avec la fréquence, à partir
de ≈ 1MHz : β≠Cte : β=f(ω)).
Ordes de grandeur pour un transistor de type signal (et non de puissance) :
IB ≈10μA
IC=1mA
β=100
5. Modèle d’Ebers-Moll (en régime linéaire)

4
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(le générateur de courant n’existe que si le transistor est polarisé, et de telle sorte à avoir
l’effet transistor)
6. Circuits hybrides équivalents et Caractéristiques statiques du transistor
On peut voir le transistor comme un Quadripôle. Comme c’est en réalité un tripôle, il faut
mettre une de ses connexions en commun entre l’entrée et la sortie du quadripôle :
Exemple : Emetteur Commun (montage le plus utilisé)

Figure 4 : Schéma équivalent simplifié du transistor

2 autres montages sont possibles : -Collecteur Commun

-Base Commune

Le Quadripôle peut alors être déterminé par les relations :

{V BE=f ( I B , V ¿ ¿CE) ¿ I C =g ( I B ,V ¿ ¿ CE )¿ }

Ce sont des fonctions de 2 variables, donc décrites par des surfaces dans un espace à 3D.
Pour avoir des courbes 2D, il faut paramétrer suivant une variable.

Si le transistor fonctionne dans la partie linéaire de ces caractéristiques on peut définir les
paramètres hybrides du quadripôle équivalent, figure

Figure 5 : Représentation du transistor par un quadripôle

5
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{V 1=h11 i 1 +h12 v 2
i 2=h 21 i 1+ h22 v2

Le circuit équivalent est le suivant (figure )

Figure 6 : Circuit hybride équivalent à un quadripôle

Figure 7 : Circuit hybride équivalent au transistor monté en E.C aux basses fréquences
Les paramètres hybrides h associés aux 3 configurations (EC,CC,BC) sont évidemment
différents dans chaque cas ;
Chaque signal (≡ grandeur) est remplacé par sa variation en fonction du temps (dynamique
pure), pour permettre le calcul de cette dernière. La composante continue des signaux
(polarisation, ou encore statique) est occultée (elle est connu par l’étude de la polarisation). Le
signal complet peut ensuite être reconstitué comme somme de la composante variable
déterminée par la méthode du schéma équivalent et de la composante continue de
polarisation. Cela revient à effectuer un changement de repère en prenant pour nouvelle
origine non plus 0 mais le point de repos P →les constantes (dues à la polarisation) sont
annihilées, et seules les variations par rapport au point de repos P interviennent. Seule la
dynamique des signaux est représentée. La polarisation (≡statique des signaux) est occultée.
Schéma équivalent du transistor NPN aux BF pour les petites variations (≡amplitude faible du
signal d’entrée)(linéarité)

Par différenciation, on obtient :

diC, diB, dVBE, dVCE mesurent les variations des grandeurs d’entrée et de sortie autour du
point de fonctionnement statique. On les considérera comme de « petits signaux ».
posant alors : diC=ic, diB=ib, dVBE=vbe, dVCE=vce on a :

6
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{
V be =h11 e i b+ h12 e v ce
i c =h21 e i b+ h22 e v ce

Avec les définitions suivantes des paramètres hije du montage E.C :

h11e=(ΔvBE/ΔiB)vCE=cte=vbe/ib pour vce=0, résistance d’entrée du transistor à vce=0 (de
l’ordre du KΩ), soit sortie en court-circuit.
h12e=(ΔvBE/ΔvCE)iB=cte=vbe/vce pour ib=0, réaction de tension à ib=0, soit sans signal
d’entré.
h21e=(ΔiC/ΔiB)vCE=cte=ic/ib pour vce=0, gain en courant du transistor soit vce=0(de l’ordre
de 100), soit sortie en court-circuit.
h22e=(ΔiC/ΔvCE)iB=cte=ic/vce pour ib=0, admittance de sortie à ib=0, soit sans signal
d’entré.

Détermination de r= h11e

r= ( )
v be v be
ib ib à v ce =0
( )
=
dV BE
dI B à V CE =C
te
: Résistance d’entrée du transistor (de l’ordre de KΩ.

IE 1 λV −q
On a : I B ≈ = Is e avec λ= BE
t Is : courant de saturation de la jonction B-E
β β kT
β
→r = (r au point de polarisation) λ=40 à température ambiante (25°C).
λ IC0
Pente du transistor
β
Elle est définie par : s= =λ I C 0 →s=40IC0 à 25°C.
r

La figure 8 donne le tracé des caractéristiques du transistor de type signal monté en Emetteur
Commun. Les points de fonctionnements O,P,Q,R sont déterminés par la polarisation
continue du transistor.
Les variations ib, ic,vbe, vce autour de ces points de repos étant supposées faibles, les
paramètres h sont déterminés par :
h11e=cotgγ, h12e=cotgζ, h21e=tgψ, h22e=tgα

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Figure 8: Détermination graphique des paramètres h en E.C.

7. Régimes de fonctionnement du transistor
Exemple de schéma de polarisation (émetteur commun).
Les résistances et la source d'alimentation continue du schéma d'étude représenté à la Figure 2
sont calculées ou imposées pour obtenir le quadruplet de polarisation voulu, de manière que
VBM=constante, VEM=constante, et IE # IC=constante. .

Figure 9 : Polarisation par pont de résistances d'un étage émetteur commun

En statique :Les relations tension-courant sont : Vcc = RC .IC + VCE +ReIE,

soit tension de sortie maximum : VCE=Vcc-(RE+RC)IC est caractéristique du circuit dans
lequel est branché le transistor. Elle fixe la polarisation du montage et par son intersection

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avec une des caractéristiques du transistor, elle fixe également le point de fonctionnement du
transistor. Elle donne l’équation de la droite de charge statique Δs. (Figure )

−V CE
I C=
Δs : V cc
(R ¿ ¿ C+ Re )+ ¿
(R ¿ ¿ C + Re )¿
L'allure des caractéristiques dans le plan IC=f(VCE) est représentée à la Figure 10.

Figure 10: Réseau de caractéristiques (IC, - VCE)

On remarque que le dipôle C-E est équivalent à un générateur de courant dont la valeur ne
dépend que de IB.
La polarisation fixe les valeurs de IB, IC, VBE, VCE au point de fonctionnement P(IB0, IC0,
VBE0, VCE0) à l’aide du réglage de l’alimentation Vcc et des résistances.
Considérons les variations vce et ic autour du point de repos Q.
De l’équation ci-dessus, on en déduit vce=-(Re+Rc).ic c’est l’équation d’une droite passant
par le point Q confondue avec la droite ci-dessus. C’est la droite de charge dynamique de
pente -1/(Re+Rc).
On distingue 3 régimes de fonctionnement directement fixés par le réglage du point de
polarisation :
-Fonctionnement en Amplificateur (ou encore linéaire) (point de repos P en Q ) : Ic=βIB,
(β de l'ordre de 50 à 1000, suivant les transistors).
-Fonctionnement en commutation de Saturation (point P en B ): Ic< βIB.
-Fonctionnement en commutation de Blocage (point P en A ): Ic=0.
- Fonctionnement en Amplificateur (point P en Q) (Régime linéaire)

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P est choisi dans la partie horizontale des caractéristiques Ic =f(VCE)

Le transistor est un amplificateur de courant (Ic=βIB) commendé par le courant IB.
L’écrêtage est symétrique ; l’excursion dynamique maximale est 2.PA=OA, qui correspond à
vce crête à crête = Vcc-Vce(sat)#Vcc
En outre en régime linéaire on a : VBE=0.6 Volt (pour un transistor NPN)
Enfin on fixe généralement VCE = VCC/2 (classe A) pour autoriser une excursion maximale
de la sortie sans distorsion (amplification maximale).
Considérons les 3 points de repos Q, Q1, Q2. Q étant au milieu du segment AB.
-point de repos en Q1 : il y a écrêtage en A (transistor bloqué). L’excursion maximale est
2.P1O<OA.
Le transistor bloqué est un interrupteur ouvert entre Collecteur et Emetteur :

On a : { IC ≈ 0
IB ≈ 0

Condition de blocage I B ≈ 0 ou même IB<0 pour NPN

On a aussi (pour NPN) : VBE<0.6 Volt (VBE=0.5 Volt suffit à bloquer le transistor) .
Enfin on a : VCE≈VCC.
-point de repos en Q2 : il y a écrêtage en B (transistor saturé). L’excursion maximale est
2.P2O<OA.
Le transistor saturé est un interrupteur fermé entre Collecteur et Emetteur, tout accroissement
de IB est sans effet sur Ic. On a VCE= VCEsat≈0
Condition de saturation : IC(=ICsat)< βIB.
On a aussi (pour NPN) : VBE>0.6 Volt (VBE=0.7 Volt suffit à saturer le transistor) :
Nous avons : vce#-(Rc+Re).ic ; vs=-Rc .ic ; donc vs/vce=Rc/(Rc+Re)
Vs(crête à crête)=Rc/(Rc+Re).vce(crête à crête)

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Figure11 : Dynamique maximum de sortie

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8. Fonctionnement du transistor en amplification

8-1 Montage E.C :
Le montage est donné en figure

Figure 12 : Schéma équivalent simplifié du transistor

On suppose dans ce qui suit, que les condensateurs de liaison C1 et C2 et le condensateur de
découplage présentent une impédance négligeable à la fréquence de travail.
Le principe d’un amplificateur à transistor consiste, une fois le transistor polarisé au point de
fonctionnement P(IB0, IC0,VBE0, VCE0) pour une amplification, à utiliser le fait que Ic=βIB
en ajoutant à IB=IB0, un courant ib lié au signal à amplifier.
On obtient en sortie un courant IC=IC0+ic où ic est dû au signal à amplifier et se trouve
amplifié par rapport à ib du fait de la relation IC=βIB : ic=βib car IC0 = βIB0 (régime de
polarisation en linéaire).
Le condensateur C1 a un rôle de mélangeur : il permet l’ajout du signal ve(t) à amplifier, à la
polarisationVBE0.
L’avantage d’utiliser un condensateur comme impédance de sommation plutôt qu’une
impédance quelconque consiste dans le fait qu’une éventuelle composante continue dans le
signal d’entrée ve(t) serait éliminée, et n’affecterait donc nullement la polarisation. En
contrepartie, par rapport à une impédance de sommation purement résistive, un condensateur
a un comportement dépendant de la fréquence, conditionnant ainsi la Bande Passante de
l’amplificateur.
Le condensateur C2 a pour rôle d’extraire du signal VCE la composante continue de
polarisation VCE0 pour donner le signal amplifié vs(t).
Les condensateurs de liaison C1 et C2 éliminent donc le continu (≡offset) (ils se comportent
comme des circuits ouverts pour un signal continu (≡ de pulsation ω=0) (l’impédance d’un
1
condensateur C est ZC = ¿.
jCω
La valeur est choisie de telle sorte qu’ils se comportent comme des courts-circuits en
dynamique (≡ω≠0), pour ne pas filtrer les basses fréquences du signal d’entrée ve(t)(C1) et de
vce(t)(C2).
Par exemple, avec le choix C1=100μF, C1 se comporte quasiment comme un court-circuit dès
que f ⪆ 100 Hz

{
à ω=0 :|Z C 1|=∞( circuit ouvert)
1 1
ZC1= |Z C 1|= C rd
j C1 ω 1 ω à ω ≈ 6280 ( f =1 KHz ) :|Z C 1| ≈1.5 Ω
s

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8.1.1) Etude du montage avec la résistance d’émetteur non découplée.

Figure 13 : Montage Emetteur Commun

Afin de stabiliser le point de fonctionnement vis à vis des variations de température, on ajoute
une résistance d'émetteur.
Le calcul de la polarisation (calcul de RB, RC et RE) avec le point de polarisation P souhaité,
fournit la droite de charge statique ΔS.
La résistance de charge RL n’intervient pas pour le calcul de polarisation (RL non branchée)
(C2 (et C1) circuits ouverts en continu).
-Une fois calculée la polarisation, pour déterminer les signaux en dynamique, plutôt que de
considérer les signaux complets (polarisation +dynamique autour de la polarisation), on ne va
pas considérer que la dynamique autour du point de polarisation, les valeurs constantes de
polarisation étant préalablement connues.
La méthode consiste ainsi à ne considérer, dans le montage amplificateur, que la variation des
signaux (les signaux constants sont donc annihilés).
Le schéma équivalent du montage Emetteur Commun, permettant donc de déterminer la seule
dynamique des signaux autour du point de polarisation P, est donc le suivant : (les
condensateurs C1 et C2, de forte valeur, se comportent quasiment comme des courts-circuits à
partir d’une fréquence du signal d’entrée de l’ordre de 100 Hz) :

Figure 14: Schéma équivalent du montage EC aux Basses fréquences avec résistance
d’émetteur

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a) Impédance d’entrée
Ze=Ve/Ie=RB//[h11e+(h21e+1).Re]
b) Gain en tension
Av=VS/Ve=-RC.h21e/[h11e+(h21e+1).Re]#-RC/Re
c) Impédance de sortie
C’est l’impédance de thevenin du montage en dynamique. Le schéma équivalent donne :
ZS=RC

8.1.2 Etude du montage EC avec la résistance d’émetteur découplée

Le schéma équivalent en alternatif aux basses fréquences est donné en Fgure

Figure 15 : Schéma équivalent du montage en alternatif

a) Impédance d’entrée
Ze=Ve/Ie=RB//h11e=[R1//R2]//r
a) Gain en tension
Av=VS/Ve=-(RC//RL).β/r
b) Gain en courant
Ai=iS/ie=(Ze/RL).Av
d) Impédance de sortie
C’est l’impédance du générateur de Thévenin vue des points C et M
ZS=RC
e) Gain en puissance
AP=Av.Ai
f) Droites de charge statique et dynamique
En statique on peut écrire : VCE=Vcc-(Re+RC).Ic C’est l’équation d’une droite de charge
dite statique (voir figure 16) .

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Considérant les variations vce et ic autour du point de repos Q, on peut écrire :

Vce=-(RC//RL).iC C’est l’équation d’une droite passant par le point Q. C’est la droite de
charge dynamique de pente iC/vce=-1/( RC//RL)
En A Le transistor est bloqué ; en B le transistor est saturé VCE#0.2V (tension de saturation).
L’écrêtage n’est pas symétrique et la tension maximale de sortie est PA si Q est au milieu de
la droite de charge statique.

Figure 16: Droites de charge statique et dynamique

8.2 Etude du montage Collecteur Commun (CC)

Le montage est donné en Figure 17

Figure 17: Le montage C.C

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Cc condensateur de découplage.
Le schéma équivalent en alternatif aux basses fréquences est donné à la figure 18

Figure 18 : Schéma équivalent du montage CC en alternatif B.F

a) Impédance d’entrée
Ze=Ve/Ie=[R1//R2]//[r+(β+1).( Re//R1)]
b) Gain en tension
Av=VS/Ve=( Re//R1).(β+1)/[r+(β+1).(Re// R1)]<1 et # 1.
c) Impédance de sortie
C’est l’impédance du générateur de Thévenin vue des bornes de sortie. Le schéma équivalent
en court circuitant eg et en débranchant RL donne :
ZS=Re //[r+Rg//(R1//R2)]/(β+1)#Re//(r//β).
8.3 - Etude du montage Base Commune (BC)
Le montage est donné par la figure 19
Cb est un condensateur de découplage ; il présente une impédance négligeable en alternatif
B.F

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Figure 19 : Le montage BC

Le schéma équivalent en alternatif est donné à la figure 20

Figure 20 : Schéma équivalent du montage BC en alternatif en B.F*

a) Impédance d’entrée
Ze=Ve/Ie=Re//[r/(β+1)]# r/(β+1.
b) Gain en tension
Av=VS/Ve=( RC//R1).β/r
c) Impédance de sortie
C’est l’impédance du générateur de Thévenin vue des bornes de sortie. Le schéma équivalent
donne :
d) ZS=RC

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B) MANIPULATION
I) TRACE DE CARACTERISTIQUES
Réaliser le montage de la figure 21

Figure 21 : Montage permettant le relevé des caractéristiques

X1 : boite des résistances AOIP*10000.
X2 : boite des résistances AOIP*1000.
R :boite de résistances à décade. R' =1 KΩ.
Fixer les deux alimentations E1 et E2 à 5V et 20V respectivement avant de les brancher dans
le circuit.
Les résistances variables ont, au départ, les valeurs suivantes : R=10KΩ, X1=0, X2=10.
Choisissez pour les appareils les calibres suivants :
Le microampèremètre sur 300μA, le millivoltmètre sur 1V, le voltmètre sur 30V et le
milliampèremètre sur 0.3A.
En faisant varier les résistances X1 (d’abord) puis R relever le tableau suivant pour IB =10,
20,…,120μA.
X2 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1
VBE(V)
IC(mA)
VCE(V)

Tracer le réseau de caractéristiques

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II) MONTAGES FONDAMENTAUX

II-1) Préliminaire-Etude du montage proposé figure 22

Figure 22 :Montage étudié

Ce montage a été réalisé de telle manière que le transistor puisse être étudié dans ses trois
montages fondamentaux en un seul point de fonctionnement statique commun donc aux
montages émetteur commun EC, base commune BC, collecteur commun CC.
II.1-1) Point de fonctionnement statique
Réaliser le montage de la figure 23

Figure 23 : Circuit de polarisation du transistor

R1=20KΩ, R2=4.7KΩ, RC=1KΩ, Re=330Ω, VCC=10V.

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Mesurez les tensions VBM, VEM , VCM. En déduire les valeurs réèlles de VBE , VCE et de
IC.
2)Représentez le point de fonctionnement Q sur la caractéristique de sortie IC=f(VCE),
(quadrant I). Par report dans les autres quadrants, on trouve les points O, P, R.
3) Mesurez graphiquement les paramètres h comme indiqué dans la figure de la théorie.
Remarque : Cette méthode de détermination des paramètres h est précise pour h22 et h21 mais
elle l’est beaucoup moins pour h11 et h12.
-Pour h11 on préfère utiliser la relation : h11=h21/gm avec gm#40 IC.
-VBE dépend peu de VCE, en conséquence on n’a pas de courbes VBE(VCE) pour IB=cte ;
on ne peut pas alors déterminer h12. h12 devrait être mesuré d’une façon, dynamique, sa
valeur est de l’ordre de 10-4. Elle sera négligée dans le calcul.

II-1-2) Fonctionnement en dynamique

On obtient le fonctionnement dynamique des 3 montages par le jeu des capacités de
découpage Cd. On note en effet, qu’elles permettent de relier l’une quelconque des électrodes
du transistor à la masse. (Le point +VCC est à la masse du point de vue dynamique,
l’alimentation de courant continu ayant une impédance nulle).
Dans ces conditions pour réaliser l’un des trois montages, il suffit de relier des électrodes du
transistor à la masse (par Cd) et de connecter les autres à l’entrée du montage et à la résistance
de charge.
EC : émetteur à la masse par Cd. Entrée sur la base. Sortie sur le collecteur.
BC : base à la masse par Cd. Entrée sur l’émetteur. Sortie sur le collecteur.
CC : collecteur à la masse par Cd. Entrée sur la base. Sortie sur l’émetteur.

II.1-3) Principe des mesures

II.1-3-1) Mesure de l’impédance d’entrée

{
v g−v e
ie=
' ve Rg
On mesure Z e= avec
ie ' ' ve
¿ d o ù Z e=R g
v g −v e

Connaissant Rg, vg, ve, on en déduit Z'e . Cette valeur représente l’impédance du montage :
elle est constitué par l’association en parallèle de RB=R1//R2, résistance équivalente du pont
de base, et de l’impédance d’entrée Ze du transistor. On a :
'
1 1 1 RB. Ze
= + d’où Z e=
Ze Ze RB
' '
R B−Z e

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II.1-3-2) Mesure du gain en tension du transistor

Il est défini par par AV’=vS/ve. On mesure vS et ve d’où Av.
II.1-3-2) Mesure du gain en courant du transistor
Il est défini par Ai=iS/i 'e,i 'e courant d’entrée réèl du transistor.
II.1-3-2) Mesure du gain en puissance du transistor
Il sera calculer pour chaque montage par l’expression : AP=Av .Ai.
Av et Ai représentent les modules des gains en tension et en courant mesurés ci-dessus.

II.2) Etude du montage émetteur commun

Réaliser le montage de la figure a. RL et Cd débranchés.

Figure 22 a : Montage émetteur commun.

-BF générateur de tension sinusoidale. Féquence=1KHz.
-Résistance de mesure du courant d’entrée Rg=10KΩ.
-CH1, CH2 canal 2 de l’oscilloscope.
-Faites varier la tension du générateur jusqu’à écrêtage du signal de sortie (CH2). En déduire
la dynamique maximum obtenue sans distorsion.
Brancher Cd et varier de nouveau vg jusqu’à l’écrêtage. Quelle est la dynamique maximum
qu’on obtient. Comparer avec la théorie en traçant les droites de charge statique et
dynamique.
-Régler maintenant le niveau d’entrée sur le transistor ve#10mV.
-Vérifier à l’aide de l’oscilloscope que le signal de sortie est sinusoïdal.

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Travaux Pratiques 2ème ELN TP ELNF2 Par N.Berrouachedi

-Relever les valeurs du tableau suivant :

RLen Ω 10 100 1K 10K 100K ∞

vg
ve
vS
Av
Ai
AP
Ze

Tracer sur un même graphique les courbes représentatives de Ze, Av, Ai, AP en fonction de
RL. On portera les valeurs de RL en échelle logarithmique.
Déterminer le gain en puissance maximum et la valeur de la résistance de charge qui
corresponde.
II.3) Etude du montage base commune
Réaliser le montage de la figure 24 b.

Figure 22 b : Montage base commune

Rg=100Ω.
-Vérifier que le point de fonctionnement statique est invariable.
-Régler le niveau d’entrée #10mV. Fréquence de travail toujours 1KHz.
-Vérifier à l’aide de l’oscilloscope que le signal de sortie est sinusoïdal.
-Relever les valeurs du tableau précédent et répondre aux mêmes questions que pour le
montage EC.

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Travaux Pratiques 2ème ELN TP ELNF2 Par N.Berrouachedi

II-4) Etude du montage collecteur commun

Réaliser le montage de la figure 24 c.

Figure 22 c : Montage Collecteur commun

-Vérifier que le point de fonctionnement statique est invariable. Fréquence de fonctionnement

f=1KHz. Niveau d’entrée sur le transistor ve#100mV. Rg =10KΩ.
-Vérifier que le signal de sortie reste sinusoïdal.
-Relever les valeurs du tableau précédent et répondre aux mêmes questions que pour le
montage EC.

II-5) Conclusion.
Etudier de près les résultats expérimentaux obtenus et les comparer avec la théorie.

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