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Sciences et Techniques
Electronique fondamental
Bekhouche K.
A.U. : 2010/2011
IC
VCE
IB
IB
VBE
IE
VEB
VEC
IE
IB
b) Zone de saturation:
I C < I B
VCE = VCEsat
VCEsat est de lordre de 0,3 0,4V.
En pratique, on prendra donc VCEsat 0V.
VBEsat = 0.6 0.7 V (silicium)
c) Zone de blocage:
I B = 0 IC = 0 I E = 0
VBE < 0.7 ou 0.6 V
En pratique, il est prfrable de prendre VBE < 0
4- Transistor en commutation.
Exemple de structure :
Relais
Le transistor permet de commander le relais en tout ou rien partir du signal Ve. Le relais R comprend entre ses
bornes un bobinage que lon peut assimiler une inductance L en srie avec une rsistance r. La diode D est une
diode de roue libre qui assure la continuit du courant dans linductance du relais au blocage du transistor. Sans la
diode D une surtension destructrice pour le transistor se produirait.
5- Transistor en amplification.
Le transistor est un composant unidirectionnel, pour amplifier des signaux sinusodaux il faut donc ajouter une
composante continue appele polarisation chaque grandeur qui sollicite le transistor. Alors la tension
lentre de transistor est vE = V0 + ve o ve est le signal amplifier et V0 la composante continue. Il faut dans tous
les cas pour un transistor NPN V0 > 0. Donc la composante continue V0 doit tre plus grande que lamplitude de
ve. En rgime linaire le principe de superposition est applicable, on distinguera donc ltude de la polarisation et
de lamplification des signaux.
I C0 =
(VCC Vbe0 )
et Vce0 = VCC R C I C0
R1
VCC
RC
IC0
1
V
VCE + CC
RC
RC
IC
Q : point de repos
VCE0
VCC
VCE
Le point de repos Q(I C0 , Vce0 ) dpend beaucoup de . Mais varie dun transistor lautre bien que la rfrence
soit la mme et pour un mme transistor en fonction de la temprature. Ce montage trs simple est difficilement
utilisable.
Dans la structure 2 : Polarisation par pont (diviseur de tension)
Le pont R1, R2 sur Vcc peut tre remplac par son modle de Thvenin;
R2
VCC
R1 + R 2
= R b = R 1//R 2
VTh = Vb =
R Th
Donc : I C0 =
(Vb Vbe0 )
1
et Vce0 = VCC R C + R e I C0 , 1
(R b + ( + 1)R e )
Vb Vbe0
devient pratiquement insensible . Dans la
Re
structure 2, le point de repos Q(I C0 , Vce0 ) est donc stable en temprature et linterchangeabilit des transistors est
possible.
La droite de charge statique scrit: I C = f (VCE ) I C =
Si >>1 : I C =
1
1
R C + 1 + R E
VCE +
VCC
1
R C + 1 + R E
1
VCC
VCE +
RC + RE
RC + RE
VCC
RC + RE
IC
Q : point de repos
IC0
VCC
VCE0
VCE
v be = h11i b + h12 v ce
i c = h 21i b + h 22 v ce
Ces relations dcrivent les lois lectriques du schma ci dessous qu'on appelle schma quivalent pour
les variations ou schma quivalent en dynamique du transistor.
ic
ib
vbe
h11
h21ib
h12vce
vce
1/h22
Rch
VE0
I C0
On en dduit la rsistance Rc : R C =
On fixe le courant du pont de base (on prendra une valeur moyenne pour le du transistor, cette
E - VE0 VCE0
I C0
I C0
On en dduit Rb1 : R b1 =
VE0 + VBE0
I P0
E
R b2
I P0
1
v ce
RC
1
v ce
Amplificateur en charge : i c =
R C // R ch
Amplificateur vide (Rch): i c =
IC
ic
IC0
vce
VCE0
VCE
vs
ve
Le gain en tension peut tre dfini de deux manires : Le gain vide, c'est dire sans charge connecte en sortie
du montage (Rch) et le gain en charge, avec la charge connecte.
ve = h11ib
Le gain vide : v s = RC ic
i = h v + h i
22 s
21 b
c
Av =
vs
h 21R C
.
v e h11 (1 + h 22 R C )
h 21 (R C //R ch )
h11 (1 + h 22 (R C //R ch ))
v e = (R b1//R b2 //h11 )i e
ve
ie
is =0
Ze = R b1//R b2 //h11
v s = RC (i s ic )
ic = h22v s + h21ib
v = 0 i = 0
b
e
vs
is
ve =0
1
Z s = RC // h22