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Universit Mohammed Khider Biskra

Sciences et Techniques
Electronique fondamental
Bekhouche K.

A.U. : 2010/2011

LE TRANSISTOR BIPOLAIRE (BJT)


1- Dfinition :
Le transistor bipolaire est une source de courant commande en courant. Un transistor sert amplifier le courant,
dans ce cas il fonctionne en rgime linaire. Un transistor peut tre utilis comme un interrupteur command, on
dit alors quil fonctionne en commutation. Il existe en composant discret, ou intgr dans des circuits intgrs
(CI). On distingue deux types de transistors bipolaires :
- Transistor bipolaire NPN
- Transistor bipolaire PNP
IC

IC

VCE

IB

IB

VBE

IE

VEB

VEC

IE

2-Rseau de caractristiques et polarisation :


Le fonctionnement du transistor se rsume laide de son rseau de caractristiques. pour un NPN :
- La caractristique dentre : iB = f(vBE)
- La caractristique de transfert : iC = f (iB) vCE constante
- La caractristique de sortie : vCE = f (iC) iB constant

IB

3- Relations fondamentales (rsum)


a) Zone linaire:
Le transistor est alors, le plus souvent, utilis dans un montage amplificateur.

= gain en courant en metteur commun


1
I
1
I E = IC + I B = IC + C = IC

VBE = 0.6 0.7 V (silicium)
I C = I B avec =

b) Zone de saturation:

I C < I B
VCE = VCEsat
VCEsat est de lordre de 0,3 0,4V.
En pratique, on prendra donc VCEsat 0V.
VBEsat = 0.6 0.7 V (silicium)
c) Zone de blocage:

I B = 0 IC = 0 I E = 0
VBE < 0.7 ou 0.6 V
En pratique, il est prfrable de prendre VBE < 0
4- Transistor en commutation.
Exemple de structure :

Si Ve = 0 le transistor est bloqu.


Le transistor est satur si I C < I b , cest dire si

VCC (Ve Vbe )


<
RC
Rb

Exemple de commande de relais :

Relais

Le transistor permet de commander le relais en tout ou rien partir du signal Ve. Le relais R comprend entre ses
bornes un bobinage que lon peut assimiler une inductance L en srie avec une rsistance r. La diode D est une
diode de roue libre qui assure la continuit du courant dans linductance du relais au blocage du transistor. Sans la
diode D une surtension destructrice pour le transistor se produirait.

5- Transistor en amplification.
Le transistor est un composant unidirectionnel, pour amplifier des signaux sinusodaux il faut donc ajouter une
composante continue appele polarisation chaque grandeur qui sollicite le transistor. Alors la tension
lentre de transistor est vE = V0 + ve o ve est le signal amplifier et V0 la composante continue. Il faut dans tous
les cas pour un transistor NPN V0 > 0. Donc la composante continue V0 doit tre plus grande que lamplitude de
ve. En rgime linaire le principe de superposition est applicable, on distinguera donc ltude de la polarisation et
de lamplification des signaux.

5-1- Polarisation de transistor : Etude en statique

Dans la structure 1 : Polarisation par une rsistance de base

I C0 =

(VCC Vbe0 )
et Vce0 = VCC R C I C0
R1

La droite de charge statique scrit: I C = f (VCE ) I C =

VCC
RC
IC0

1
V
VCE + CC
RC
RC

IC

Q : point de repos

VCE0

VCC

VCE

Le point de repos Q(I C0 , Vce0 ) dpend beaucoup de . Mais varie dun transistor lautre bien que la rfrence
soit la mme et pour un mme transistor en fonction de la temprature. Ce montage trs simple est difficilement
utilisable.
Dans la structure 2 : Polarisation par pont (diviseur de tension)
Le pont R1, R2 sur Vcc peut tre remplac par son modle de Thvenin;

R2
VCC
R1 + R 2
= R b = R 1//R 2

VTh = Vb =
R Th

Donc : I C0 =

(Vb Vbe0 )
1

et Vce0 = VCC R C + R e I C0 , 1
(R b + ( + 1)R e )

En choisissant Rb faible devant (+1)Re alors I C0 =

Vb Vbe0
devient pratiquement insensible . Dans la
Re

structure 2, le point de repos Q(I C0 , Vce0 ) est donc stable en temprature et linterchangeabilit des transistors est
possible.
La droite de charge statique scrit: I C = f (VCE ) I C =

Si >>1 : I C =

1
1
R C + 1 + R E

VCE +

VCC
1
R C + 1 + R E

1
VCC
VCE +
RC + RE
RC + RE
VCC
RC + RE

IC

Q : point de repos

IC0

VCC

VCE0

VCE

5-2- Schma quivalent alternatif petits signaux du transistor : Paramtres hybrides


Le transistor est considr comme un quadriple ; il a deux bornes d'entre et deux bornes de sortie (une patte sera
alors commune l'entre et la sortie) et va tre dfini par 4 signaux : courant et tension d'entre, courant et
tension de sortie. Pour le montage metteur commun : il s'agit du courant IB et de la tension VBE pour l'entre, du
courant IC et de la tension VCE pour la sortie.
En fait, ces signaux se dcomposent en deux parties : les tensions et courants continus de polarisation (rgime
statique) nots IBo, VBEo, ICo, et VCEo, et les petites variations alternatives (rgime dynamique) autour du point de
repos qui sont respectivement ib, vbe, ic, et vce.
Autour d'un point de polarisation, les relations entre les faibles variations sont dcrites par :

v be = h11i b + h12 v ce

i c = h 21i b + h 22 v ce
Ces relations dcrivent les lois lectriques du schma ci dessous qu'on appelle schma quivalent pour
les variations ou schma quivalent en dynamique du transistor.

ic

ib
vbe

h11
h21ib
h12vce

vce
1/h22

h11 est l'impdance d'entre du transistor.


h21 () est le gain du transistor.
h12 est un terme de raction interne. Sa valeur est trs faible, il sera le plus souvent nglig.
1/h22 est l'impdance de sortie du transistor.

5-3- Montages de base :


Montage metteur commun : Polarisation par pont de base
+VCC

Rch

On fera les calculs dans l'ordre suivant :


a) En statique (ve=0):
On fixe le courant collecteur de repos ICo .
On fixe le potentiel d'metteur VEo (au maximum E/3).

VE0
I C0

On calcule alors la rsistance RE par la formule : R E =

On se fixe la tension collecteur metteur VCEo : en gnral, on la prendra gale la moiti de la


tension disponible qui est gale E - VEo.

On en dduit la rsistance Rc : R C =

On fixe le courant du pont de base (on prendra une valeur moyenne pour le du transistor, cette

E - VE0 VCE0
I C0

valeur n'tant pas critique ici) : I P0 = 10I B0 = 10

I C0

On calcule Rb2 (en rgle gnrale, on prendra VBEo gal 0,7V) : R b2 =

On en dduit Rb1 : R b1 =

VE0 + VBE0
I P0

E
R b2
I P0

Le point de repos Q(IC0,VCE0) du montage tant dtermin, on va passer au comportement en alternatif.


b) En dynamique :
Si on applique les rgles (on court-circuite les sources de tension continues et on ouvre les sources de courant
continues), on obtient le schma quivalent en alternatif ci-dessous. Pour simplifier ltude, on nglige les
impdances des condensateurs (on court-circuite les condensateurs).

b-1) Droite de charge dynamique :


La droite de charge dynamique scrit : i c = f (v ce )
On distingue deux cas :

1
v ce
RC
1
v ce
Amplificateur en charge : i c =
R C // R ch
Amplificateur vide (Rch): i c =

IC

Droite de charge dynamique vide (Rch)

ic

Droite de charge dynamique en charge

IC0

vce
VCE0

VCE

b-2) Gain en tension :


Le gain en tension Av est le rapport entre les tensions de sortie et d'entre : A V =

vs
ve

Le gain en tension peut tre dfini de deux manires : Le gain vide, c'est dire sans charge connecte en sortie
du montage (Rch) et le gain en charge, avec la charge connecte.

ve = h11ib

Le gain vide : v s = RC ic
i = h v + h i
22 s
21 b
c

Le gain en charge est donne par : A v =

Av =

vs
h 21R C

.
v e h11 (1 + h 22 R C )

h 21 (R C //R ch )
h11 (1 + h 22 (R C //R ch ))

b-3) Impdance dentre :


Ensuite, il faut regarder en quoi le montage peut s'interfacer avec la source d'entre sans la perturber ; il doit rester
le plus neutre possible vis vis de cette source, surtout s'il s'agit d'un capteur de mesure. La grandeur
reprsentative est l'impdance d'entre Ze : Ze =

v e = (R b1//R b2 //h11 )i e

ve
ie

is =0

Ze = R b1//R b2 //h11

b-4) Impdance de sortie :


Mme chose vis vis de la charge branche en sortie du montage, qui va utiliser le signal amplifi : il va falloir
regarder dans quelle mesure l'tage transistor n'est pas perturb par cette charge. La grandeur reprsentative est
l'impdance de sortie Zs : Zs =

v s = RC (i s ic )

ic = h22v s + h21ib
v = 0 i = 0
b
e

vs
is

ve =0

1
Z s = RC // h22

b-5) Schma quivalent dun amplificateur:


En entre, on y trouve l'impdance Ze (on nglige la raction de la sortie sur l'entre). En sortie, on a un gnrateur
de tension command (la tension de sortie est gale la tension d'entre multiplie par le gain Av de l'tage vide)
avec sa rsistance interne qui sera la rsistance de sortie de l'tage Zs.