Electronique Analogique

Plan
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1. Présentation du transistor
2. Structure et fonctionnement d’un transistor.
3. Caractéristiques statique d’un transistor
4. Polarisation du transistor

1. Présentation du Transistor
Le Transistor (en anglais Transfert resistor) est un élément “clef” de l’électronique, il est
utilisé :
✓ pour amplifier un signal (tension, de courant, de puissance,...),
✓ comme une source de courant,
✓ pour agir comme un interrupteur commandé (= mémoire binaire)
✓ pour l’électronique numérique
✓ stabilisateur de tension

2. Structure et fonctionnement d’un transistor bipolaire

a) Structure simplifiée
Le transistor bipolaire est un ensemble de trois semi-conducteurs formant deux jonctions. Il est
réalisé dans un monocristal comportant trois zones de dopage différentes. Il est formé de trois
zones semi-conductrices différentes, l’émetteur, la base et le collecteur, qui se distinguent par
la nature du dopage.

On reconnaît deux jonctions PN que l'on peut considérer comme deux diodes lorsque le
transistor n'est pas polarisé.

Pour polariser correctement un transistor, il faut que :

✓ La jonction entre B et E soit polarisée dans le sens direct,
✓ La jonction entre C et B soit polarisée dans le sens inverse.

b) Symboles, tensions et courants

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Un transistor bipolaire est constitué de deux jonctions PN, on peut distinguer donc deux types
de structures PNP et NPN.

La flèche représente le sens de la circulation du courant dans l’émetteur E

Les lettres E, B, C désignent respectivement l’émetteur, la base et le collecteur du transistor.

Loi de Kirchhoff appliquée au transistor bipolaire : IE=IC+IB

(IE)Entrant=(IC+IB)Sortants respectivement (IE) Sortant =(IC+IB) Entrants

On définit l’amplification statique en courant :

avec  >>1 dans la zone de fonctionnement linéaire

VCE = VCB + VBE

c) Le transistor considéré comme un quadripôle

Le transistor ayant trois électrodes, l'une d'elles sera commune à l'entrée et à la sortie. Il en
résulte trois montages principaux.

Les montages correspondant à une permutation entrée sortie sont sans intérêt car ils ne
permettent pas de gain. Le transistor bipolaire peut être considéré comme un quadripôle, monté
de l’une des trois façons suivantes :

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➢ Base commune utilisé en haute fréquence et qui ne sera pas étudié ici
➢ Collecteur commun utilisé en adaptation d’impédance
➢ Emetteur commun utilisé en amplification et le plus commun

Les deux « jonctions PN » (ou diodes!) émetteur/base et base/collecteur se partagent la région

centrale : la « base ». Le couplage entre les jonctions est à l’origine de l’ « effet transistor »:
le courant dans l’une des diodes (généralement dans la jonction base/émetteur) détermine le
courant dans la seconde.

Symétrie NPN/PNP: Les transistors PNP et NPN ont un comportement analogue à condition
d’inverser les polarités des tensions.

Rem: La différence du taux de dopage (l’émetteur est toujours plus fortement dopé que le
collecteur) le transistor n’est pas symétrique.

d) L’effet transistor :

« L’effet transistor » apparaît lorsque l’une des diodes (généralement la diode émetteur/base ou
« EB » est polarisée en directe (diode passante) et l’autre (la « BC ») est polarisée en inverse
(diode bloquée). On qualifie cet état de polarisation de « mode actif ».
Le transistor NPN est constitué d.une jonction NP (Collecteur-Base) et d’une jonction PN
(Base-Emetteur). Suivant le mode de polarisation de ces deux jonctions (bloquée = inverse ou
passante = directe), quatre modes de fonctionnement du transistor peuvent apparaitre :

e) Le fonctionnement du transistor bipolaire NPN

Les 3 électrodes d’un transistor NPN sont :
✓ Un émetteur (zone N) fortement dopé,
✓ Une base (zone P) très mince et faiblement dopé
✓ Un collecteur (zone N) peu dopé

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✓ De ce fait les électrons venus de l’émetteur traversant la base et sont éjectés dans le
collecteur à cause du sens du champ électrique existant dans la jonction base-collecteur
polarisé dans le sens inverse (B plus positive que E, donc le champ EBC dirigé de C vers
B, ce qui est favorable aux électrons de charge négative).

✓ Quelques électrons ont été perdus lors de la traversée de la base, a cause des trous
majoritaires de la base, qui les ont attrapés et qui se sont recombinés.

✓ Pour que l’effet transistor existe, il faut que E soit beaucoup plus dopé que B et que la
base soit suffisamment étroite pour que le temps de traversée des électrons y soit petit
devant leur durée de vie. En outre, le collecteur doit avoir de grandes dimensions, c'est-
à-dire entourer presque complètement la base et l’émetteur.

f) Les relations du régime statique

Le raisonnement qui suit est valable pour les deux types de transistors même si on prend
pour exemple, le transistor NPN. Soit  la fraction des électrons issus de l’émetteur, qui
atteignent le collecteur sans s’être recombinés avec les trous de la base (0.9900.999).
On a : IC= IE + ICB0

IE=IC+IB

ICB0 : étant le courant inverse de saturation de la jonction C.B. polarisée en sens inverse ; en
combinant les deux relations précédentes, on obtient :

𝛼 𝐼𝐶𝐵0
𝐼𝐶 = 𝐼𝐵 + = 𝛽𝐼𝐵 + (𝛽 + 1)𝐼𝐶𝐵0 ≈ 𝛽𝐼𝐵
1−𝛼 1−𝛼

𝛼
En appelant 𝛽 = 1−𝛼 l’amplification en courant du transistor monté en émetteur commun,
c'est-à-dire de telle manière que IB soit le courant de commande et IC le courant commandé ;
avec =0.99 et ICB0 négligé, on a IC=99IB.

La relation des tensions est : VCE=VCB+VBE

𝛼 𝛽
IC=IB IC=IE IB<<IC IEIC 𝛽 = 1−𝛼 > 1 𝛼 = 𝛽+1 < 1

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3. Réseau de caractéristiques statique du Transistor (Montage

emetteur commun).
On relève point par point les courants et les tensions indiquées sur le circuit représenté sur la
figure ci-dessous : on utilise deux sources de tension ayant leur point commun réuni à
l’émetteur. Pour faire varier les courants et les tensions, on utilise deux sources variables et
deux résistances variables. La figure ci-dessous montre les caractéristiques relevées.

Les caractéristiques statiques d’un transistor bipolaire sont :

• VBE=f(IB) à VCE =constante Réseau de caractéristiques d’entrée
• VBE=f(VCE) à IB=constante Réseau de caractéristiques de Transfert en tension
• IC = f(IB) à VCE =constante Réseau de caractéristiques de Transfert en courant
• IC = f(VCE) à IB=constante Réseau de caractéristiques de sortie
Ces caractéristiques sont données par les constructeurs.
Ces courbes sont relevées en réalisant un montage émetteur commun

 Réseau des caractéristiques de sortie IC = f(VCE) à IB=constante

Dans le premier quadrant on relève en maintenant IB constant les valeurs de IC et de VCE.
Comme IC et VCE font partie de la maille de sortie, le réseau de courbes obtenues est appelé
réseau des caractéristiques de sortie.

La courbe commune, pour les faibles valeurs de VCE, est appelée courbe de saturation. En effet
VCE = 0 quelque soit IC signifie qu’entre C et E le transistor est un court-circuit.
Pour IB = 0, IC = 0 quelque soit VCE ; c’est la courbe de blocage ; entre C et E on a un circuit
ouvert.
Pour des valeurs plus élevées de VCE, on observe que IC ne dépend que de IB. Le point de
fonctionnement est le point indiquant les valeurs de iC et VCE qu’impose le montage dans lequel
se trouve le transistor.

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Par exemple, on peut placer le point P de coordonnées (6 mA, 5 V). Le domaine d’utilisation
du transistor est limité par une hyperbole appelée hyperbole d’isopuissance qui est donnée par
la relation IC = Pmax/ VCE , limité par le courant maximal admissible ICmax et limité par la
tension maximale VCEmax. Tracer cette courbe pour Pmax = 100 mW.
En fonction des grandeurs électriques principales du transistor, on peut établir les
caractéristiques statiques suivantes.

 La caractéristique de transfert en courant IC = f(IB) avec VCE comme paramètre

(coefficient h21):
Ce réseau est constitué par un éventail de courbes presque linéaires passant par le point IB=0 et
IC=ICE0 . IC=IB+ICE0
C’est sensiblement une même droite pour les valeurs 3V < VCE < 15 V. D’où IC = β IB ; la valeur
β est appelée amplification statique en courant.

 La caractéristique d’entrée IB = f (VBE) avec VCE comme paramètre (coefficient

1/h11):
La courbe est identique à la caractéristique d’une diode ; VBE ≅ 0,8 V ou avec plus de précision

 Les caractéristiques de transfert en tension VBE = f(VCE) avec IB comme paramètre

(coefficient h12):
On constate que les variations de la tension de sortie sont sans effet sur la tension d’entrée. Elles
n’ont pas d’intérêt, sinon qu’elles montrent que VBE est indépendant de VCE.

Modes de fonctionnement du transistor :

On distingue 2 modes de fonctionnement du transistor : le mode linéaire et non linéaire (ou de

saturation).
La représentation ci-contre montre l’évolution des courants de
base (iB) et de collecteur (iC) du transistor. On peut identifier
alors les 2 modes de fonctionnement :
• Linéaire : le courant iC est directement proportionnel
au courant iB , on exploite alors les propriétés
d’amplification du transistor : iC = K iB.
• Non linéaire : à partir d’un certain courant iB, le
courant iC atteint une valeur maximale, le transistor est
dit « saturé ». On distingue, dans ce mode, deux cas
extrêmes traduisant un fonctionnement binaire, tout ou
rien, très utilisé dans les composants logiques.

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Très souvent, dans les différentes structures organisées autour

du transistor, on distingue :
• Un circuit de commande sensé déterminer le régime de
fonctionnement de transistor ou constituant un signal
‘source’,
• Le circuit de charge qui intervient dans l’état de
fonctionnement du transistor et influe sur les
paramètres électriques environnants.

Etat du Transistor : actif / bloqué / saturé

* Ce tableau résume les ordres de grandeurs et valeurs approximatifs des différentes

grandeurs électriques d’un transistor NPN pour les trois principaux modes de
fonctionnement. Les figures reprennent les mêmes informations sous forme de schémas
électriques!

* Les transistors PNP ont un comportement analogue, à condition de changer de polarité

les tensions. (la convention de signe pour les courants électriques est également
changée)

4. Polarisation du transistor

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La technique de polarisation consiste à associer au transistor utilisé des résistances permettant
de limiter les courants d’entrée et de sortie et assurant les conditions de fonctionnement normal
(point de fonctionnement dans la zone linéaire) :
• La jonction Base-Emetteur doit être polarisée en direct, c'est-à-dire que la base est portée
à un potentiel positif par rapport à l’émetteur dans le cas d’un NPN. Cas contraire pour
un PNP.
• La jonction Base-Collecteur doit être polarisée dans le sens inverse, c'est-à-dire le
collecteur est porté à un potentiel positif par rapport à la base dans le cas d’un NPN.
Dans le cas d’un PNP, il doit être négatif par rapport à celui de la base.

Polariser un transistor consiste à définir son état de fonctionnement par l'adjonction de sources
de tension continues et de résistances.
Cet état de conduction est caractérisé par un point dans chacun des quadrants du réseau de
caractéristiques, ce point est appelé point de fonctionnement ou point de repos.

Le point de fonctionnement caractérise deux variables indépendantes du transistor : IC et VCE .

Il doit être choisi dans la zone linéaire, mais en dehors des zones interdites et doit être peut
sensible aux variations de température.

La polarisation consiste à définir le point de fonctionnement statique (point de repos) du

transistor caractérisé par les valeurs VBEo, IBo, ICo et VCEo.
Il existe différents procédés de polarisation

a) Polarisation par deux sources de tension

C’est un montage peu utilisé car il nécessite deux charges

Droite d’attaque statique

C’est l’équation définie par: VBE = VBB - RBIB IB = (VBB - VBE )/ RB

L’intersection de cette droite avec la caractéristique d’entrée du transistor donne le point (IBo ,
VBEo ).
Droite de charge statique
C’est l’équation définie par:

L’intersection de cette droite avec la

caractéristique de sortie du transistor donne le
point (VCEo , ICo ).

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b) Polarisation directe par résistance de base

• VBE = VCC – RBIB (1)
• VCC=RCIC+VCE (2)
• IC=IB (3)

Droite d’attaque statique

C’est l’équation définie par : VBE = VCC – RBIB
Droite de charge statique
C’est l’équation définie par:

c) Polarisation par résistance entre base et collecteur

Droite d’attaque statique
Dans ce cas de polarisation, VBE = VCE - RBIB et
VCE = VCC – RCIC
avec IC = βIB, il vient : VBE = VCC – (RB + βRC)IB : c’est
l’équation de la droite d’attaque statique.
Droite de charge statique
C’est l’équation définie par:

si on néglige IB devant IC
d) Polarisation par pont de résistances de base

Droite d’attaque statique

Dans ce cas de polarisation, on peut écrire:

D’où l’équation de la droite d’attaque statique :

Droite de charge statique

C’est l’équation définie par:

e) Polarisation par pont et résistances émetteur:
Voici le circuit de polarisation le plus couramment utilisé. Il fixe le courant émetteur IE et c’est
IB qui dépend de hFE. Le point de fonctionnement dans la caractéristique de sortie (IC(VCE)),
qui est déterminante pour le mode de fonctionnement du transistor, est stable.

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❖ Détermination approchée du point de fonctionnement :

❖ Détermination rigoureuse du point de fonctionnement

❖ Détermination graphique du point de fonctionnement

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