Technologie des composants lectroniques

Composants passifs Composants actifs Techniques dassemblage

Jol Redoutey

Rsistances
Caractristiques principales:
Valeur ohmique (en m, , k, M) Tolrance (prcision en %) Valeurs normalises (sries E..) Dissipation de puissance Coefficient de temprature Technologies
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Rsistances
Tolrance et sries normalises
Toutes les valeurs de rsistance ne sont pas disponibles. En fonction de la tolrance (prcision en %), pour chaque dcade on choisit une valeur parmi une srie de N valeurs donnes par :
R = 10
n N

n [1, N ] Chaque valeur est telle que sa tolrance

recouvre lgrement celle des valeurs adjacentes. Les sries les plus courantes sont E12 (10%, N=12) et E24 (5%, N=24)
Srie E12 10 68 82 12 15 18 22 27 33 39 47 56

Srie E24 10 11 12 13 15 16 18 20 22 24 27 30 33 36 39 43 47 51 56 62 3 68 75 82 91

Rsistances
Symbole
Europen Amricain

Marquage
En clair 10R 10 3K3 3,3 k 1M 1 M CMS 100 10 101 100 474 470 k Code de couleurs

Rsistances
Puissance maximale admissible
Les rsistances couche de carbone couramment utilises en lectronique ont une dissipation de 0,25W. Pour des dissipations suprieures on utilise souvent des rsistances bobines.

Rsistances couche de carbone

Elles se reconnaissent par leur forme plus paisse sur les bords et par leur laque beige/brun clair. Principe de fabrication: Le carbone est dpos en une fine couche autour d'un cylindre isolant. La valeur est ajuste par des stries visibles en grattant la surface laque. Avantages: Relativement robustes mcaniquement, conomiques et disponible en srie 10%, 5% et 2%.
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Rsistances couche mtallique

Elles se reconnaissent par leur forme plus paisse sur les bords. Nous pouvons les rencontrer avec des laques de toutes sortes de couleurs: Vert clair, bleu ple, vert fon, jaune, etc. Principe de fabrication: Une fine couche de mtal est dpos la surface d'un support isolant. Les stries visibles, en grattant la laque, permettent l'ajustement de la valeur ohmique. Avantages: Elles produisent beaucoup moins de bruit que les rsistances au carbone. Bonne stabilit en temprature et dans le temps. Ce sont les plus rpandues aujourdhui.
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Rsistances bobines
Reconnaissables par leur taille, l'inscription, ou le fil enroul souvent visible. Principe de fabrication: Le plus souvent constitue d'un fil enroul sur un mandrin isolant en matire rfractaire et recouverte d'une couche de protection (vernis, mail, ciment ou verre). Leur inductance propre en interdit l'usage en hautes frquences. Utilisables jusqu' 10 watts environ.
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Rsistances bobines de forte puissance

Se reconnaissent au systme de fixation mcanique qui permet une fixation sur un radiateur pour augmenter la dissipation. Les valeurs de R et P sont gnralement inscrite en toute lettre. Principe de fabrication: Le plus souvent constitue d'un fil enroul sur un mandrin isolant en matire rfractaire et recouverte d'une couche de protection (vernis, mail, ciment ou verre). Botier adapt au refroidissement par conduction. Utilisables de 5 50 watts environ.

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Rsistances CMS
Format 1206: 3,2 x 1,6 x 1,3 mm

Melf

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Potentiomtres

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Condensateurs
Fonction Principales caractristiques Technologies symboles

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Fonction dun condensateur

Rservoir dnergie Filtrage Liaison Dcouplage Accord Les caractristiques essentielles d un condensateur dpendent de sa technologie. Le choix d un type de condensateur se fait en fonction de son utilisation
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Caractristiques d un condensateur
Capacit (en pF, nF ou F) Tension de service (en V) Tolrance (en %) Coefficient de temprature (en ppm/C) Polarit ventuelle (condensateurs polariss) Type de dilectrique -pertes - ESR
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Condensateurs lectrolytiques
Ce sont des condensateurs polariss.

Capacits de 1 100 000 F Large tolrance 20% Tension de service de 10V 500V Sorties axiales ou radiales Utilisation: Filtrage, liaison
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Condensateurs au tantale
Polariss Capacits de 0,1 100 F Tension de service 6,3 50V Forte capacit par unit de volume

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Condensateurs film plastique

Non polariss Capacits de 1nF 10 F environ Raliss par bobinage dun film plastique entre deux films mtalliques

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Condensateurs film plastique

Dilectrique:
Polyester (1nF10F, 50V 600V, 10%) Les plus courants. Liaison, dcouplage Polypropylne (1nF1F, 2000V, 10%) Stables et prcis. Trs bon comportement impulsionnel Polycarbonate (1nF10F, 50V 400V, 10%) Stables, prcis et fiables. Accord, filtres, liaison Polystyrne (1nF100nF, 50V 250V, 5%) Trs stables en temprature. Accord, liaison

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Condensateurs cramique
Non polariss Capacit de 0,5 pF 0,5F Tension de service de 50V 200V Disque cramique mtallis ou multicouche Caractristiques trs dpendantes du type de dilectrique

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Condensateurs cramique
Types de dilectrique COG Trs stable, prcis, coefficient de temprature dfini X7R Stable, varie avec la temprature (15% entre -55C
et +125C) Capacit: 100pF 1F. Liaison, dcouplage...

(NPO 0) Capacit: 0,5 pF 10 nF. Accord, liaison, filtre...

Z5U Instable dans le temps et en temprature.

Capacit de 1nF 4,7F. Dcouplage, filtrage...
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Condensateurs cramique multicouche

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Condensateurs cramique CMS

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Condensateurs ajustables
Plastique

air

Cramique
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Reprsentation des condensateurs

C2 et C3 sont des reprsentations amricaines ( viter)

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Schma quivalent

C Capacit suppose idale L Inductance srie quivalente (ESL) Rc Rsistance srie quivalente (ESR) Rd Rsistance reprsentant les pertes dilectriques
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Pertes dilectriques
jVcC I Dans un condensateur rel le courant et la tension ne sont pas parfaitement en quadrature. Langle est appel angle de perte. On caractrise les pertes dilectriques par Tg = 1/RpC Rp reprsente la rsistance de pertes Vc Vc/Rp Diagramme des courants I

C Rp

Modle de condensateur
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Inductances

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circuits magntiques
Lutilisation dun noyau magntique permet de rduire le nombre de spires pour une inductance donne, donc les pertes par effet Joule.

Pot ferrite

Tore Btonnet

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Pertes dans les circuits magntiques

Il existe deux types de pertes dans les noyaux magntiques: Les pertes par hystrsis proportionnelles la frquence Les pertes par courants de Foucault proportionnelles au carr de la frquence
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Caractristiques dune inductance

Valeur de l inductance (H, nH, mH, H) Rsistance ohmique Courant admissible (saturation magntique) En HF, coefficient de surtension (Q = L/R)

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Transformateurs

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Composants actifs
Composants semi-conducteurs Essentiellement Silicium Deux grandes catgories: Composants discrets (diodes, transistors, FET,) Circuits intgrs (ralisent une fonction bien dfinie) (Amplificateur oprationnel, fonction logiques combinatoires ou squentielles, microcontrleur,)

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Semi-conducteurs discrets
Diodes de signal

Redresseurs (diodes de puissance) Transistors de signaux bipolaires, JFET Transistors de puissance Bipolaires, MOSFET Transistors RF

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Diode
Diple semiconducteur (silicium) conducteur dans un

sens et bloquant dans lautre. Utilisation: signal, redressement, rgulation (zener) crtage, etc. Principales caractristiques: Intensit admissible (If) Tension inverse maximale (Vr) Rapidit (temps de recouvrement inverse)
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Reprsentation des diodes

Diode Diode Zener Diode Schottky Diode Varicap Diode lectro luminescente (LED)
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Diodes de signal
Faible intensit (jusqu 100 mA)

faible tension inverse (jusqu 100V) souvent trs rapides (trr<10ns) botier verre (ou CMS) Lanneau repre la cathode Marquage le plus souvent en clair
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Diodes de redressement
Forte intensit (1 plusieurs centaines d Ampres)

Tension inverse leve (jusqu 1500V) Normales ou rapides Botiers plastique fils: 1 5 A Botiers sur radiateur: 5 100A Utilisation: redressement, diode de roue libre

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Redresseur de puissance

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Transistor bipolaire
Composant semi-conducteur utilis : soit pour amplifier un signal soit comme interrupteur NPN et PNP Signal ou Puissance
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Le premier transistor: 1947

Leffet transistor a t dcouvert en 1947 par les amricains John Bardeen, William Shockley et Walter Brattain.

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Transistors effet de champ

Composant semi-conducteur utilis : soit pour amplifier un signal soit comme interrupteur Deux familles: JFET et MOSFET Deux types: Canal N et Canal P MOSFET de Puissance
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Reprsentation des transistors

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Transistors de signaux
Botiers mtalliques Botiers plastique

TO18 TO39

TO92

CMS
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Transistors de signaux
Brochage

TO18

TO39

TO92

Lergot marque lmetteur SOT23 SOT223

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Transistors de Puissance

TO3

TOP3

TO220AB

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Circuits intgrs
Deux grands types: Analogiques ou numriques
Il existe des circuits mixtes (analogiques et numriques)

Plusieurs familles technologiques dans chaque type: Analogique: bipolaire, Bifet, Numrique: TTL, CMOS, NMOS, Plusieurs types de botier pour chaque circuit

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Circuits intgrs linaires

Amplificateurs oprationnels Comparateurs Rgulateurs

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Amplificateur oprationnel
V+

Composant 5 broches Alimentation simple ou symtrique Un, deux ou quatre amplis par botier
V-

Grand nombre de circuits aux performances diffrentes: usage courant, rapides, de prcision, rail to rail, faible bruit, faible consommation, de puissance, etc. Le choix d un circuit se fait en fonction de l application.
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Circuits dalimentation (Power supply)

Rgulateurs de tension:
Fixe, variable, faible chute, positif, ngatif

Rfrences de tension ou de courant Circuits de commande pour alimentation dcoupage Convertisseurs Continu-Continu Superviseurs

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Circuits logiques
Logique positive:
+V 1 0V 0 Plusieurs familles (TTL, CMOS, ) Les circuits d une mme famille sinterfacent directement Trs grand choix de fonctions: NAND, NOR, Bascules, Compteurs, Multiplexeurs,
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Circuits logiques TTL

Famille de circuits logiques transistors bipolaires Trs grand choix de fonctions Alimentation 5V Rapide, consommation leve Plusieurs variantes: S, LS, ALS, F, ...

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Inverseur TTL

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NAND TTL

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Totem ple vs open collector

Sortie totem pole

Sortie collecteur ouvert

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Circuits logiques CMOS

Famille de circuits logiques MOSFET complmentaires (combinaison canal N et canal P) Trs grand choix de fonctions Alimentation 5V (jusqu 15V pour la srie 4000) Faible consommation Plusieurs variantes: 4000, HC, HCT Plus ou moins compatible avec la famille TTL.

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Inverseur CMOS

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Portes CMOS

NOR

NAND
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Circuits programmables
Microprocesseurs Microcontrleurs PAL, FPGA DSP

Intel 80486DX2

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Microprocesseurs

1971: 2300 transistors

1979: 17 000 transistors

1997: 27 millions de transistors 2001: 42 millions de transistors

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Techniques dassemblage
Circuit imprim:
simple face, double face , multicouches Trous mtalliss, vias Standard FR4, 1,6 ou 0,8 mm, 35m de cuivre Composants fils ou CMS Brasage l tain-plomb, soudure la vague

Circuits hybrides Wrapping

Rserv au prototypage
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Composants fils ou monts en surface

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Botier DIL (ou DIP)

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Circuit traditionnel

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Botier SOP (small outline package)

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Botiers CMS

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Packaging

Alimentation de PC
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Conception et ralisation d un circuit imprim

CONCEPTION Saisie de schma Etablissement de la netlist (liste des quipotentielles) Placement-Routage film (typon) et fichier de perage REALISATION Dcoupe d une plaque prsensibilise Perage des trous Masquage, insolation, rvlation Gravure chimique (perchlorure de fer) Etamage des pistes
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Epoxy standard FR4

Cuivre 35m Couche photosensible 2,5m

Epoxy 16/10 mm

r = 4,6 4,8

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INTENSITE ADMISSIBLE DANS UNE PISTE DE CIRCUIT IMPRIME T=20 C

LARGEUR DU CONDUCTEUR en mm
0,4 1,3 0,72 2,7 1,14 3,8 1,8 5,2 2,5 6,8 3,5 8,3 4,5 9,7 5,0 11,2 7,1 13,0 mm A

INTENSIT ADMISSIBLE EN AMPERES POUR UNE ELEVATION DE TEMPERATURE DE 20C

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Dcoupe des plaques

Plaque pr-sensibilise

Film de protection
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Perage du circuit
Fichier GERBER

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Insolation UV
Tube UV Tube UV Tube UV

typon
Plaque pr-sensibilise
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Rvlation
La rsine insole est dissoute par un rvlateur chimique

rsine

cuivre

epoxy
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Attaque chimique du cuivre

FeCl3 + Cu FeCl2 + CuCl suivi de: FeCl3 + CuCl FeCl2 + CuCl2

Pistes en cuivre

epoxy

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tamage des pistes

Chimique

tamage au rouleau
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Insertion des composants

insertion automatique

insertion manuelle
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Soudage au fer
Fer souder rgul en temprature

Soudure Sn-Pb 60/40 avec flux dcapant Temprature de fusion 183-188C

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Norme RoHS
Suppression du plomb dans les alliages de soudure
Quelques alliages de substitution

Alliage Sn 37 Pb Sn-4Ag-0,5Cu Sn 3,5 Ag Sn 0,7Cu

T fusion C 183 217-218 221 227

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Soudage la vague

Bain de soudure en fusion

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Assemblage de CMS

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Dpose de la pte souder

Par srigraphie

Par dispenser
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Placement des composants

Machine de placement automatique

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Refusion

Four refusion infra rouge

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Carte mre de PC

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Circuit mont en surface

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Evolution technologique
Intgration monolithique de plus en plus pousse: Exemple de la tlphonie mobile

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Nokia 3210

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Nokia 8910

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Chip on board

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Carte puce

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Hybride couche paisse

Substrat cramique (Al2O3, AlN, BeO) mtallis Rsistances srigraphies

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Wire Wrapping
Les connexions sont ralises par simple enroulement d un fil monobrin autour dun contact carr ou rectangulaire.

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Plaquettes dessais sans soudure

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Plaquettes d essais

Bus d alimentation

Contacts relis

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ENIAC: le premier ordinateur 1946

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