2020

Gr 03: SERRAI SALAH EDDINE

] Caractéristiques Statiques du Transistor Bipolaire[

RD: DERMOUCHE Reda
Introduction:
Le transistor bipolaire, encore appelé transistor à jonctions, est formé par la succession de 3
semi-conducteurs, respectivement de type NPN (transistor NPN) ou PNP (transistor PNP) à l’aide de
2 jonctions P-N. C’est le composant électronique le plus utilisé à nos jours, il est utilisé pour
amplification et commutation. Pour simplifier la compréhension du fonctionnement de ce
composant, on peut considérer que la troisième 3 patte (la base) de ce composant permet de
contrôler le passage du courant entre les 2 autres pattes (Emetteur, collecteur). Autrement dit, un
faible courant de base (IB) permet de commander un courant de collecteur (IC) bien plus important.
Sur les schémas, on repère les différentes parties

Les trois pattes constituant le transistor bipolaire sont les suivants :

bipolaire

.
On ajoute une flèche sur l'émetteur pour indiquer le sens passant de la jonction base-émetteur
Objectif:
Étude les caractéristiques statiques des montages suivants:

– base commune,

– émetteur commun,

– collecteur commun.

1) Caractéristiques d’entrées IB ( VBE) :

On réalise le montage suivant:

1- Ecrire l’équation déterminant la relation IB ( VBE ):

- La loi des nœuds permet d'écrire

: Ie = Ic + Ib (1)

-La loi des mailles appliquée:

E1 - Rb.Ib -V = 0 »»»»
BE

En faisant varier V1 de 0 à 10V tout en fixant V2 à

5V. 2- la courbe Ib en fonction de VBE :

3- En fait, le circuit d'entrée est la jonction base émetteur du transistor, soit une jonction diode. Cette
caractéristique va dépendre très peu de la tension collecteur émetteur : on la donne en général pour
une seule valeur de VCE .

La tension VBE est d'environ 0,7 7>0.7 V pour une polarisation normale du transistor (courant de base
inférieur au mA). Cette valeur est donc légèrement supérieure à celle d'une jonction de diode.

2.Caractéristique de transfert en courant Ic (Ib) à VBC constant :

On réalise même montage précédant

1- Ecrire l’équation déterminant la relation Ic (Ib ):

- La loi des nœuds permet d'écrire :

Ie = Ic + Ib (1)

- D'autre part il existe une relation entre courant de base et courant collecteur due à l'effet
transistor. Cette relation s'écrit :

Ic = β . Ib (avec β = gain en courant du transistor)

2- la courbe IC ( IB ):

Selon la valeur de Ib on distingue trois régimes de conduction :

1. blocage : que Ib

2. saturation : que Ib>0.048

3. linéaire : que 0 <Ib< 0.048

On déduire la valeur de β par calcul la tangente β = donc β = 200

on remarque que les valeurs de β sont les mêmes.

3.Caractéristique de sortie Ic (V CE) :
On réalise le montage suivant:

1- Ecrire l’équation déterminant la relation Ic (V CE):

-La loi des mailles appliquée:

E2 - Rc.Ic -VCE = 0

»»»» Ic =

Pour V1 égale à V2, faites varier la tension V2 de 0 à 20 v

avec un pas de 0.1V

2- la courbe Ic en fonction de VCE :

*Déduire le courant Ib correspondant:

on a Ic = β . Ib alors Ibsat = Icsat / β

AN: Ibsat = 0.55 mA

En prenant trois valeurs de V1 (2,3,4v) , faites varier la tension V2 de 0 à 20 v avec un pas de 0.1V
3- La courbe Ic en fonction de Vce pour V1=(2,3,4v):

*détermination les courants Ib correspondants:

pour: V1 = 2v on a Ib = 0.55 mA

pour: V1 = 3V on a Ib = 0.765 mA

pour : V1 = 4v on a Ib = 0.928 mA

4-Déterminer la tension VCE sat:

pour: V1 = 2v on a VCE sat = 0.335 v

pour: V1 = 3V on a VCE sat = 0.402 v

pour : V1 = 4v on a VCE sat = 0.48 v

On remarque que 0.335 v < VCE sat < 0.48 v cette intervalle inclue dans l'intervalle donnée par
le constructeur

*Interprétez les différents résultats :

On distingue deux zones principales :

une zone importante où le courant IC dépend très peu de VCE à IB donné : cette caractéristique est
celle d'un générateur de courant à résistance interne utilisé en récepteur. Dans le cas des transistors
petits signaux, cette résistance est très grande : en première approche, on considérera que la sortie
de ce montage à transistor est un générateur de courant parfait ( zone linéaire )

La zone des faibles tensions VCE (0 à quelques volts en fonction du transistor) est différente. C'est la
zone de saturation. Quand la tension collecteur-émetteur diminue pour devenir très faible, la
jonction collecteur-base cesse d'être polarisée en inverse, et l'effet transistor décroît alors très
rapidement. A la limite, la jonction collecteur-base devient aussi polarisée en direct : on n'a plus un
transistor, mais l'équivalent de deux diodes en parallèle.

Conclusion :........